《模拟电子技术项目化教程》课件第1章.ppt
- 【下载声明】
1. 本站全部试题类文档,若标题没写含答案,则无答案;标题注明含答案的文档,主观题也可能无答案。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
2. 本站全部PPT文档均不含视频和音频,PPT中出现的音频或视频标识(或文字)仅表示流程,实际无音频或视频文件。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
3. 本页资料《《模拟电子技术项目化教程》课件第1章.ppt》由用户(momomo)主动上传,其收益全归该用户。163文库仅提供信息存储空间,仅对该用户上传内容的表现方式做保护处理,对上传内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知163文库(点击联系客服),我们立即给予删除!
4. 请根据预览情况,自愿下载本文。本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
5. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007及以上版本和PDF阅读器,压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 模拟电子技术项目化教程 模拟 电子技术 项目 教程 课件
- 资源描述:
-
1、项目一 直流稳压电源的制作与调试1.1 项目描述1.2 知识链接1.3 项目实施1.4 项目总结项目一项目一 直流稳压电源的制作与调试直流稳压电源的制作与调试项目一 直流稳压电源的制作与调试直流稳压电源的种类很多,本项目只涉及单相小功率(通常在1000 W以下)直流稳压电源,它的任务是将200 V/50 Hz的交流市电转换为幅值稳定的直流电压,这种电源一般主要由变压环节、整流环节、滤波环节和稳压环节四部分组成,其组成框图如图1-1所示。在框图的每一部分下方画出了信号经各环节处理过的波形,这些波形只是为了便于说明各部分的功能,在实际电路中有的波形可能与图中不同。1.1 项项 目目 描描 述述项目
2、一 直流稳压电源的制作与调试图1-1 直流稳压电源组成框图项目一 直流稳压电源的制作与调试直流稳压电源各部分作用如下:变压环节:利用工频变压器,将电网电压变换为所需要的交流电压,一般采用降压变压器来实现。整流环节:利用二极管或晶闸管的单向导电性,把交流电变换为单一方向的脉动直流电,常采用二极管整流电路来实现。滤波环节:将脉动直流电压中的脉动成分加以滤除,得到比较平滑的直流电压,常采用电容、电感或其组合电路来实现。稳压环节:在电网电压波动和负载变化时,保持直流输出电压的稳定,小功率稳压电源常采用集成三端稳压器来实现。项目一 直流稳压电源的制作与调试1.1.1 项目学习情境:项目学习情境:1.5
3、V30 V可调直流稳压电源电路的可调直流稳压电源电路的制作与调试制作与调试图1-2所示为1.5 V30 V可调直流稳压电源电路的原理图,该电路由变压环节、整流环节、滤波环节和稳压环节四部分组成。本项目需要完成的主要任务是:搭接、测试整流电路;搭接、测试滤波电路;搭接、测试稳压电路;整机调试。项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-2 1.5 V30 V可调直流稳压电源电路原理图项目一 直流稳压电源的制作与调试1.1.2 电路元器件参数及功能电路元器件参数及功能1.5 V30 V可调直流稳压电源电路元器件参数及功能如表1-1所示。项目一 直流稳压电源的制作与调试表表1-1 1.5 V30 V可调直
4、流稳压电源电路元器件参数及功能表可调直流稳压电源电路元器件参数及功能表项目一 直流稳压电源的制作与调试要完成项目任务需要具备一定的理论基础知识,表1-2列出了项目一各项任务对应的相关知识点。变压器的相关知识在电路分析基础中已经学过,因此变压环节在这里不作太多的涉及,而整流环节的核心元件是半导体二极管,因此下面将从半导体基础知识开始展开直流稳压电源相关理论知识的学习。1.2 知知 识识 链链 接接项目一 直流稳压电源的制作与调试表表1-2 项目一各项任务链接知识点项目一各项任务链接知识点项目一 直流稳压电源的制作与调试1.2.1 半导体基础知识半导体基础知识自然界的物质按导电性能来分,可分为导体
5、、绝缘体和半导体,其中我们常见的铜、铁、铝等金属材料都是良好的导体,而陶瓷、水泥、橡胶等都是良好的绝缘体。半导体是导电能力介于导体与绝缘体之间的一类物质,常用的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)等。一、一、半导体的内部结构半导体的内部结构常用的半导体材料硅(Si)和锗(Ge)的原子及一般半导体结构示意图如图1-3所示,其原子最外层都只有4个价电子。纯净的半导体材料为了达到原子外层有8个价电子的稳定状态,原子与原子之间采用外层电子共享的方式构成共价键,形成按一定规则整齐排列的半导体晶体结构,其晶体结构示意图如图1-4所示。项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-3 硅和锗原子及一般半导体结构示意图
6、项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-4 半导体晶体结构示意图项目一 直流稳压电源的制作与调试二、二、半导体的类型及其特征半导体的类型及其特征1.本征半导体本征半导体纯净的不含任何杂质、晶体结构排列整齐的半导体称为本征半导体。本征半导体在不受外界激发以及在绝对零度(T=0 K)时不导电,但当受到阳光照射或温度升高时,将有少量价电子获得足够的能量,从而克服共价键的束缚而成为自由电子,并在原来共价键的位置上留下一个空位,称为空穴。自由电子带负电,空穴带正电,自由电子和空穴像一对孪生姐妹一样相伴而生,被称为半导体内部的两种载流子,本征半导体会在这两种载流子的作用下导电。我们把这种产生电子-空穴对的过
7、程称为本征激发,如图1-5所示。项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-5 半导体本征激发示意图项目一 直流稳压电源的制作与调试2.杂质半导体杂质半导体1)N型半导体 N型半导体指在本征硅(或锗)中掺入少量的五价元素,如磷、砷、锑等。由于五价元素外层有5个价电子,它与四价元素形成共价键时,多出一个价电子,该价电子只受到本身原子核的束缚,很容易摆脱原子核的束缚而成为自由电子,因此N型半导体内部自由电子的数目大于空穴的数目。在N型半导体内部,由于自由电子是多数载流子,我们将其称为多子,空穴是少数载流子,我们将其称为少子,其结构示意图如图1-6所示。项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-6 N型半导体
8、结构示意图项目一 直流稳压电源的制作与调试2)P型半导体 P型半导体指在本征硅(或锗)中掺入少量的三价元素,如硼、铝、铟等。三价元素外层有3个价电子,它与四价元素形成共价键时,少了一个价电子,因此P型半导体内部空穴的数目要大于自由电子的数目。在P型半导体内部,由于空穴是多数载流子,我们将其称为多子,自由电子是少数载流子,我们将其称为少子,其结构示意图如图1-7所示。项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-7 P型半导体结构示意图项目一 直流稳压电源的制作与调试三、三、PN结结1.PN结的形成结的形成将一块P型半导体和一块N型半导体利用特殊工艺紧密的有机结合在一起时,因为P区一侧空穴多,N区一侧自
9、由电子多,所以在它们的交界面处存在空穴和自由电子的浓度差;于是N区中的自由电子会向P区扩散,并在P区与空穴复合,而P区中的空穴也会向N区扩散,并在N区被自由电子复合,即产生了多子的扩散;结果在交界面的两侧就形成了由等量正、负离子组成的空间电荷区,建立了内电场,内电场的方向是由N区指向P区。项目一 直流稳压电源的制作与调试在内电场的作用下,促使P区的自由电子向N区漂移,N区的空穴向P区漂移,同时,抑制N区的自由电子向P区扩散,P区的空穴向N区扩散,即内电场有阻碍多子扩散、促进少子漂移的作用。最后,因浓度差而产生的扩散力被电场力所抵消,使扩散运动和漂移运动在某一时刻达到动态平衡,这时,虽然扩散运动
10、和漂移运动仍在不断进行,但通过交界面处的空穴数目和自由电子数目相等,使空间电荷区的宽度稳定,即形成耗尽层,将其称为PN结。此时,PN结的内电势UB保持不变,对于硅材料来说约为0.5 V0.7 V,对于锗材料来说约为0.1 V0.3 V。PN结的形成示意图如图1-8所示,其中图1-8(a)为PN结的形成过程,图1-8(b)为PN结的稳定过程。项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-8 PN结的形成示意图项目一 直流稳压电源的制作与调试2.PN结的特性结的特性研究PN结的特性可以通过图1-9所示的两个测试电路分析得出。(1)PN结加正向电压。使P区电位高于N区电位的接法,称为PN结加正向电压或PN结
11、处于正向偏置状态(简称正偏),如图1-9(a)所示。测试发现,施加正向电压,当电压很低时,正向电流很小,几乎为零。当正向电压超过一定数值后,电流增长得很快,这时我们认为PN结正向导通,这个一定数值的正向电压称为PN结的死区电压或开启电压,用Uon表示,其大小与材料及环境温度有关。通常,硅材料PN结的Uon约为0.5 V,锗材料PN结的Uon约为0.1 V。项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-9 PN结的特性测试电路项目一 直流稳压电源的制作与调试(2)PN结加反向电压。使P区电位低于N区电位的接法,称为PN结加反向电压或PN结处于反向偏置状态(简称反偏),如图1-9(b)所示。测试发现,当施
12、加反向电压时,形成很小的反向电流,这时我们认为PN结反向截止。反向电流有两个特点:一是它随温度的上升而增大;二是在反向电压不超过某一范围时,反向电流的大小基本恒定,与反向电压的高低无关,故通常称该电流为反向饱和电流。当外加反向电压过高时,反向电流急剧增大,这种现象称PN结被反向击穿,击穿时加在PN结上的反向电压称为反向击穿电压。当反向击穿电压较小时,若加在PN结两端的反向电压降低后,PN结仍可恢复到原来的状态而不会造成永久损坏;但当反向击穿电压较大时,就可能永久损坏PN结。项目一 直流稳压电源的制作与调试1.2.2 半导体二极管半导体二极管一、一、半导体二极管的结构半导体二极管的结构半导体二极
13、管是由PN结加上电极引线和管壳构成的,其外形多种多样,几种常见的二极管如图1-10所示。二极管的结构通常有点接触型、面接触型及平面型等几种类型,不同类型二极管的结构示意图及二极管的图形符号如图1-11所示,其中图(a)为点接触型,图(b)为面接触型,图(c)为平面型,图(d)为二极管图形符号,图形符号中由P区接出的引线称为二极管的正极(或阳极),由N区接出的引线称为二极管的负极(或阴极)。项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-10 几种常见晶体二极管的外形项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-11 不同类型二极管的结构示意图及图形符号项目一 直流稳压电源的制作与调试二、二、半导体二极管的特性半
14、导体二极管的特性半导体二极管的核心是PN结,因此二极管的特性与PN结的特性基本一致,即具有单向导电性。用实验的方法,在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压,同时测量流过二极管的电流值,就可得到二极管的伏安特性曲线,该曲线是非线性的。普通二极管的典型伏安特性曲线如图1-12所示。项目一 直流稳压电源的制作与调试图 1-12 普通二极管的典型伏安特性曲线项目一 直流稳压电源的制作与调试正向曲线和反向曲线反映出来的特性如下:(1)正向特性。二极管加正向电压,若开始时正向电压很小,则正向电流也很小(几乎为零),只有正向电压超过某一数值时,才有明显的正向电流,这时称二极管正向导通。这一电压
15、称为二极管的导通电压或死区电压,用UT表示。在室温下,硅管的UT约为0.5 V,锗管的UT约为0.1 V。正向导通且电流不大时,硅管的正向压降约为0.6 V0.8 V,锗管的正向压降约为0.1 V0.3 V。两种管子的差别是由于硅材料PN结的死区电压比锗材料PN结的死区电压大。项目一 直流稳压电源的制作与调试(2)反向特性。二极管加反向电压,由于表面漏电流的影响,二极管的反向电流要比理想PN结的反向电流大得多。当反向电压加大时,反向电流也略有增大,但当反向电压增大到一定程度时,反向电流不再增大,称此时的反向电流为反向饱和电流。对于小功率二极管,其反向电流仍很小,硅管一般小于0.1 A,锗管小于
16、几十微安。当反向电压继续增大到一定值以后,反向电流会急剧增加,这种现象称二极管被反向击穿。反向击穿后有可能会造成PN结损坏(烧毁),但只要反向击穿电压不超过一定值,PN结就不会损坏,稳压二极管就是利用这一特性制作的。项目一 直流稳压电源的制作与调试三、三、半导体二极管的主要参数半导体二极管的主要参数器件的参数是定量描述器件性能质量和安全工作范围的重要数据,是合理选择和正确使用器件的依据。器件参数一般可以从产品手册中查到,也可以通过测量得到。下面介绍二极管的3个主要参数。1.最大整流电流最大整流电流IFIF指二极管长时间工作时,允许通过的最大正向平均电流。实际应用时,流过二极管的平均电流不能超过
17、此值,否则发热量过大会造成二极管损坏。项目一 直流稳压电源的制作与调试2.最高反向工作电压最高反向工作电压URMURM指为保证二极管不被反向击穿所允许施加在二极管上的最高反向电压。通常取其击穿电压的1/31/2作为最高反向工作电压URM。3.反向电流反向电流IRIR指在常温下,二极管两端加上规定的反向电压时出现的电流。其数值越小,表明二极管的单向导电性越好。除了上述3个主要参数外,二极管还有一些其他的参数,如交流电阻rd、工作温度ti、最高工作频率fM等,使用时可以查阅电子元器件手册。项目一 直流稳压电源的制作与调试四、四、其他类型的二极管其他类型的二极管1.稳压二极管稳压二极管稳压二极管是利
18、用PN结反向击穿后具有稳压特性而制作的二极管,稳压二极管的图形符号、伏安特性曲线和实物图片如图1-13所示。由图1-13(b)可见,它的正、反向特性与普通二极管基本相同,区别仅在于击穿后的特性曲线比普通二极管变得更加陡峭,即电流在很大范围内变化时(IZminIIZmax),其两端电压几乎不变,因此,稳压二极管被反向击穿后可以实现稳定电压的作用。项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-13 稳压二极管的图形符号、伏安特性曲线和实物图项目一 直流稳压电源的制作与调试2.变容二极管变容二极管给PN结加反向电压时,PN结上会呈现出势垒电容,该电容值随着反向电压的增大而减小。利用这一特性制作的二极管称为变
19、容二极管,变容二极管的图形符号和实物图片如图1-14所示。项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-14 变容二极管图形符号及实物图片项目一 直流稳压电源的制作与调试3.光电二极管光电二极管光电二极管是一种将光信号转换为电信号的半导体器件。目前广泛应用于自动探测、光电转换和控制等装置中,它的图形符号和实物图片如图1-15所示。项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-15 光电二极管图形符号及实物图片项目一 直流稳压电源的制作与调试4.发光二极管发光二极管发光二极管是一种将电能转换为光能的半导体器件。发光二极管和普通二极管一样,管芯是由PN结组成的,具有单向导电性,它的图形符号和实物图如图1-16所示
20、。项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-16 发光二极管图形符号及常见发光二极管实物图片项目一 直流稳压电源的制作与调试五、五、二极管的命名二极管的命名不同国家的二极管有不同的命名方法,表1-3给出了国产二极管的型号命名及含义。项目一 直流稳压电源的制作与调试表表1-3 国产二极管的型号命名及含义国产二极管的型号命名及含义项目一 直流稳压电源的制作与调试六、六、普通二极管的识别与检测普通二极管的识别与检测【外观识别】一般情况下,二极管有标志环的一端为阴极。图1-17(a)为二极管的外观图。【极性的判别】用万用表来检测,如果是模拟式万用表,将万用表置于R100挡或R1 k 挡,两表笔分别接二极管
21、的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。测试示意图如图1-17(b)所示。项目一 直流稳压电源的制作与调试【性能好坏的判断】通常,锗材料二极管的正向电阻值为1 k左右,反向电阻值为300 M左右;硅材料二极管的正向电阻值为5 k左右,反向电阻值为(无穷大)。二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二
22、极管内部已击穿短路或漏电损坏;若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。项目一 直流稳压电源的制作与调试图1-17 普通二极管的外观及检测示意图项目一 直流稳压电源的制作与调试1.2.3 整流电路整流电路整流就是将交流电变换成单一方向的脉动直流电,完成这一任务的电路称为整流电路。整流电路按其所使用的电源可分为单相整流电路和三相整流电路。常见的单相整流电路有单相半波、全波、桥式和倍压整流电路等,其中单相桥式整流电路用的最为普遍,本项目使用的整流电路是利用二极管的单向导电性构成的单相桥式整流电路。下面介绍由二极管构成的几种常见的单相整流电路。项目一 直流稳压电源的制作与调试
23、一、一、单相半波整流电路单相半波整流电路 单相半波整流电路的原理图如图1-18(a)所示,它是最简单的整流电路,由变压器T、整流二极管V及负载RL组成。设二极管为理想二极管,在u2正半周时,二极管V正偏导通,电流从a点经过V和负载电阻RL至b点,构成回路,RL两端电压uL=u2;在u2负半周时,二极管V反偏截止,电路中无电流通过,RL两端电压uL为零。可见,在交流电压u2的一个周期内,负载RL上得到一个单一方向的脉动直流电压,由于流过负载电阻的电流和加在负载两端的电压只有半个周期的正弦波,故这种整流电路称做半波整流电路,电路中输出电压波形如图1-18(b)所示。项目一 直流稳压电源的制作与调试
24、图1-18 单相半波整流电路原理图及相关波形图项目一 直流稳压电源的制作与调试设,经过二极管V整流后,加在负载电阻RL上的电压和流过负载电阻RL的电流是脉动的直流电。设UL是输出电压的瞬时值在一个周期内的平均值,则单相半波整流的输出电压平均值为 (1-2)整流电流的平均值为 (1-3)tVUusin222222045.02)(dsin221UUttUULLLLLRURUI245.0项目一 直流稳压电源的制作与调试整流输出电压的脉动系数定义为输出电压的基波最大值Uom与输出直流电压Uo之比,用字母S表示。半波整流电路的脉动系数S为 (1-3)即半波整流的脉动系数为157%,所以,脉动成分很大。5
25、7.122222UUUUSoom项目一 直流稳压电源的制作与调试选用整流电路中所用的二极管,一般要根据流过二极管的电流平均值IV和它在电路中所承受的最高反向峰值电压UVM来确定,即 二极管的最大正向平均电流 (1-4)二极管的最高反向峰值电压 (1-5)LLLLVFRURUIII245.02VMRMUUU2项目一 直流稳压电源的制作与调试例例1.1 有一单相半波整流电路,如图1-18(a)所示,已知负载电阻RL=750,变压器副边电压U2=20 V,试求UL、IL及UVM,并选用二极管。解解:由公式(1-1)得 UL=0.45U2=0.4520=9 VmAALLL12012.07509RUIV
展开阅读全文