《 模拟电子技术 》课件项目1 二极管及其应用.ppt
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- 模拟电子技术 模拟电子技术 课件项目1 二极管及其应用 模拟 电子技术 课件 项目 二极管 及其 应用
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1、本项目引入:(1)示例常用电子器件,(2)示例电子技术应用场合,(3)交流电源、直流电源,相互转换。重点、难点学习目的学习目的 要知道:N型和P型半导体的区别、PN结的导电特性、硅和锗二极管阈值电压和正向导通电压值、温度对二极管特性和参数的影响、常用特种二极管以及倍压整流使用要点。会计算:用等效电路法计算二极管电路参数;单相桥式整流电路、单相桥式整流电容滤波电路的输出电压、输出电流。会画出:会画出:单相桥式整流电容滤波电路、二极管单相桥式整流电容滤波电路、二极管限幅电路的输出波形。限幅电路的输出波形。会确定:会确定:选用二极管、滤波电容、变压器所依选用二极管、滤波电容、变压器所依据的主要参数。
2、据的主要参数。会分析:会分析:单相桥式整流电容滤波电路中故障原单相桥式整流电容滤波电路中故障原因。因。会判断:会判断:用万用表判断二极管管脚极性和质量用万用表判断二极管管脚极性和质量好坏。好坏。学习目的学习目的 半导体二极管半导体二极管 一、一、本征半导体本征半导体二、二、杂质半导体杂质半导体三、三、PN 结结第一章半导体二极管第一章半导体二极管第一章半导体二极管第一章半导体二极管 常用的导体一般为银、铜、铝等物体;绝缘常用的导体一般为银、铜、铝等物体;绝缘体为橡胶、塑料、胶木等;体为橡胶、塑料、胶木等;导电能力介于导体和导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为绝缘体之间的物质称为半导体半导体。
3、用来制造半导体器件的材料主要是用来制造半导体器件的材料主要是硅硅(Si)、锗锗(Ge)和和砷化镓砷化镓(GaAs)等。等。半导体材料进行特殊加工,使其成为性能可半导体材料进行特殊加工,使其成为性能可控,即可用来制造构成电子电路的基本元件控,即可用来制造构成电子电路的基本元件半半导体器件导体器件。自然界中的物质根据导电能力的不同分为自然界中的物质根据导电能力的不同分为导导体体、绝缘体绝缘体和和半导体半导体。一、一、本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。纯净的半导体。如硅、锗单晶体。载流子载流子 自由运动的带电粒子。半导体中的载自由运动的带电粒子。半导体中的载流子
4、有两种,自由电子和空穴。流子有两种,自由电子和空穴。共价键共价键 相邻原子共有价电子所形成的束缚。相邻原子共有价电子所形成的束缚。+4+4+4+4硅硅(锗锗)的原子结构的原子结构Si2 8 4Ge2 8 18 4简化简化模型模型+4硅硅(锗锗)的共价键结构的共价键结构价电子价电子自自由由电电子子(束缚电子束缚电子)空空穴穴空穴空穴空穴可在共空穴可在共价键内移动价键内移动第一章半导体二极管第一章半导体二极管本征激发:本征激发:复复 合:合:自由电子和空穴在运动中相遇重新结合自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。成对消失的过程。漂漂 移:移:自由电子和空穴在电场作用下的定向运自由电子和
5、空穴在电场作用下的定向运动。动。在室温或光照下价电子获得足够能量摆在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子,并在共价键脱共价键的束缚成为自由电子,并在共价键中留下一个空位中留下一个空位(空穴空穴)的过程。的过程。第一章半导体二极管第一章半导体二极管两种载流子两种载流子电子电子(自由电子自由电子)空穴空穴两种载流子的运动两种载流子的运动自由电子自由电子(在共价键以外在共价键以外)的运动的运动空穴空穴(在共价键以内在共价键以内)的运动的运动 结论结论:1.本征半导体中电子和空穴成对出现,且数量少;本征半导体中电子和空穴成对出现,且数量少;2.半导体中有电子和空穴两种载流子参与导
6、电;半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电;3.本征半导体导电能力弱,并与温度有关本征半导体导电能力弱,并与温度有关。第一章半导体二极管第一章半导体二极管二、杂质半导体二、杂质半导体重组家庭小孩自由散漫程度高重组家庭小孩自由散漫程度高(一)(一)N 型半导体型半导体N 型型+5+4+4+4+4+4磷原子磷原子自由电子自由电子电子为电子为多多数载流数载流子子空穴为空穴为少少数载流数载流子子载流子数载流子数 电子数电子数 在本征半导体中掺入微量杂质元素,掺杂后在本征半导体中掺入微量杂质元素,掺杂后的半导体称为的半导体称为杂质半导体杂质半导体。可分为。可分为N型半导体型半导体和和P型半导体型半导体。
7、施主施主离子离子施主施主原子原子第一章半导体二极管第一章半导体二极管受主受主离子离子+3+4+4+4+4+4(二)(二)P 型半导体型半导体P 型型空穴空穴硼原子硼原子空穴空穴 多子多子电子电子 少子少子载流子数载流子数 空穴数空穴数受主受主原子原子注意注意:杂质半导体中载流子虽有多少之分,由杂质半导体中载流子虽有多少之分,由于还有不能移动的杂质离子,因而于还有不能移动的杂质离子,因而整个半导体整个半导体仍呈电中性仍呈电中性。第一章半导体二极管第一章半导体二极管结1.理解器件原理的基础(微观理论模型);2.实用上记结论、凭经验。三、三、PN 结结(一)(一)PN 结的形成结的形成1.载流子的载
8、流子的浓度差浓度差引起多子的引起多子的扩散扩散2.复合使交界面复合使交界面形成空间电荷区形成空间电荷区(耗尽层耗尽层)空间电荷区特点空间电荷区特点:无载流子,无载流子,阻止扩散进行,阻止扩散进行,利于少子的漂移。利于少子的漂移。3.扩散和漂移达到扩散和漂移达到动态平衡动态平衡扩散电流扩散电流 等于漂移电流,等于漂移电流,总电流总电流 I=0。内建电场内建电场第一章半导体二极管第一章半导体二极管(二)(二)PN 结的单向导电性结的单向导电性1.外加外加正向正向电压电压(正向偏置正向偏置)P 区区N 区区内电场内电场+UR外电场外电场外电场使多子向外电场使多子向 PN 结移动结移动,中和部分离子中
9、和部分离子使空间电荷区使空间电荷区变窄。变窄。IF限流电阻限流电阻扩散运动加强形成正向电流扩散运动加强形成正向电流 IF。IF=I多子多子 I少子少子 I多子多子2.外加外加反向反向电压电压(反向偏置反向偏置)P 区区N 区区 +UR内电场内电场外电场外电场外电场使少子背离外电场使少子背离 PN 结结移动,移动,空间电荷区变宽。空间电荷区变宽。IRPN 结的单向导电性:正偏导通,呈小电阻,电流较大结的单向导电性:正偏导通,呈小电阻,电流较大;反偏截止,电阻很大,电流近似为零。反偏截止,电阻很大,电流近似为零。漂移运动加强形成反向电流漂移运动加强形成反向电流 IRIR=I少子少子 0第一章半导体
10、二极管第一章半导体二极管一、一、二极管的结构与符号二极管的结构与符号二、二、二极管的伏安特性二极管的伏安特性三、三、二极管的主要参数二极管的主要参数四、四、二极管电路的分析方法二极管电路的分析方法第一章半导体二极管第一章半导体二极管一、一、半导体二极管的半导体二极管的结构结构构成:构成:PN 结结+引线引线+管壳管壳=二极管二极管符号:符号:VD分类:分类:按材料分按材料分硅二极硅二极管管锗二极锗二极管管按结构分按结构分点接触点接触型型面接触面接触型型点接触型点接触型正极正极引线引线触丝触丝N 型锗片型锗片外壳外壳负极负极引线引线负极引线负极引线 面接触型面接触型N型锗型锗PN 结结 正极引线
11、正极引线铝合金铝合金小球小球底座底座金锑金锑合金合金平面型平面型正极正极引线引线负极负极引线引线集成电路中平面型集成电路中平面型PNP 型支持衬底型支持衬底第一章半导体二极管第一章半导体二极管二、二极管的伏安特二、二极管的伏安特性性OuV/ViV/mA正向特正向特性性Uth死死区区电电压压iV=0Uth=0.5 V 0.1 V(硅管硅管)(锗管锗管)U UthiV 急剧上升急剧上升0 U Uth Uth=(0.6 0.8)V 硅管硅管 0.7 V(0.1 0.3)V锗管锗管 0.2 V反向特反向特性性IRU BR反向击穿反向击穿UBR U 0 iV=IR 0.1 A(硅硅)几十几十 A(锗锗)
12、U UBR反向电流急剧增反向电流急剧增大大(反向击穿反向击穿)第一章半导体二极管第一章半导体二极管反向击穿类型:反向击穿类型:电击穿电击穿热击穿热击穿特别注意特别注意:温度对二极管的特性有显著影响。当温度对二极管的特性有显著影响。当温温度升高度升高时,时,正向特性曲线向左移,反向特性正向特性曲线向左移,反向特性曲线向下移。曲线向下移。变化规律是:变化规律是:在室温附近,温度每升高在室温附近,温度每升高1,正向压降约减小正向压降约减小22.5mV,温度每升高,温度每升高10,反向电流约反向电流约增大一倍增大一倍。PN 结未损坏,断电即恢结未损坏,断电即恢复。复。PN 结烧毁。结烧毁。第一章半导体
13、二极管第一章半导体二极管温度对二极管特性的影响温度对二极管特性的影响604020 0.0200.42550IV/mAUV/V20 C80 CT 升高时,升高时,UV(th)以以(2 2.5)mV/C 下降下降第一章半导体二极管第一章半导体二极管硅管的伏安特硅管的伏安特性性锗管的伏安特性锗管的伏安特性604020 0.02 0.040 0.4 0.82550IV/mAUV/VIV/mAUV/V0.20.4 25 50510150.010.020第一章半导体二极管第一章半导体二极管三、三、二极管的主要参数二极管的主要参数1.IF 最大整流电流最大整流电流(最大正向平均电流最大正向平均电流)2.UR
14、M 最高反向工作电压最高反向工作电压,为,为 UBR/2 3.IR 反向饱和电流反向饱和电流(越小单向导电性越好越小单向导电性越好)IVUVU(BR)I FURMO4.fM 最高工作频率最高工作频率(超过时单向导电性变超过时单向导电性变差差)第一章半导体二极管第一章半导体二极管影响工作频率的原影响工作频率的原因因 PN 结的电容效结的电容效应应 结论:结论:1.低频低频时,因结电容很小,对时,因结电容很小,对 PN 结影响很结影响很小。小。高频高频时,因容抗减小,使时,因容抗减小,使结电容分流结电容分流,导,导致致单向单向 导电性变差。导电性变差。2.结面积小时结电容小,工作频率高。结面积小时
15、结电容小,工作频率高。第一章半导体二极管第一章半导体二极管四、二极管电路的分析方法四、二极管电路的分析方法1、理想模型、理想模型特性特性uViV符号及符号及等效模型等效模型SS2、恒压降模型、恒压降模型uViVUthuv=Uth0.7 V(Si)0.2 V(Ge)Uth3、二极管的折线近似模型、二极管的折线近似模型uvivUth U IIUrv斜率斜率1/rDrvUth第一章半导体二极管第一章半导体二极管4、小信号模型、小信号模型如果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作,例如静态工作点如果二极管在它的伏安特性的某一小范围内工作,例如静态工作点Q(此时有(此时有。如果二极管在它的伏安特性的如果
16、二极管在它的伏安特性的某一某一小范围内小范围内工作,例如静态工作点工作,例如静态工作点Q Q 附近附近工作,则工作,则可把伏安特性看成一条直线可把伏安特性看成一条直线,其其斜率的倒数斜率的倒数就是所求的小信号模型的就是所求的小信号模型的微变电阻微变电阻。univ等效电路模等效电路模型型伏安特性伏安特性第一章半导体二极管第一章半导体二极管一、整流电路一、整流电路二、钳位电路二、钳位电路三、限幅电路三、限幅电路四、元器件保护电路四、元器件保护电路第一章半导第一章半导体二极管体二极管一、整流电路一、整流电路所谓整流,就是将交流电变成脉动直流电。所谓整流,就是将交流电变成脉动直流电。单相半波整流单相半
17、波整流桥式全波整流桥式全波整流二、钳位电路二、钳位电路 钳位电路是指能把一个周期信号转变为单向钳位电路是指能把一个周期信号转变为单向的(只有正向或只有负向)或叠加在某一直流电的(只有正向或只有负向)或叠加在某一直流电平上,而不改变它的波形的电路。平上,而不改变它的波形的电路。第一章半导体二极管及应用第一章半导体二极管及应用正钳位电路正钳位电路输出波形输出波形输入波形输入波形touO1t2t3ttiuO1t2t3tmUmU第一章半导第一章半导体二极管体二极管三、限幅电路三、限幅电路 当输入信号电压在一定范围内变化时当输入信号电压在一定范围内变化时,输出输出电压随输入电压相应变化;而当输入电压超出
18、该电压随输入电压相应变化;而当输入电压超出该范围时范围时,输出电压保持不变输出电压保持不变,这就是限幅电路。这就是限幅电路。上限幅上限幅下限幅下限幅上限幅电路上限幅电路下限幅电路下限幅电路第一章半导第一章半导体二极管体二极管touOmUmUtiuOmUmUtiuOmUmUtiuOmUmUE=0V时时0EUmV时时-UmE0V时时touOmUmUtouOmUmU第一章半导第一章半导体二极管体二极管四、元器件保护电路四、元器件保护电路 在电子电路中常用二极管来保护其他元器在电子电路中常用二极管来保护其他元器件免受过高电压损害的电路。件免受过高电压损害的电路。第一章半导第一章半导体二极管体二极管一、
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