《电力电子技术》课件项目二变频电路.ppt
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1、学习目标学习目标u掌握变频电路中常用电力电子器件的基本工作原理u了解变频电路的概念和分类u能够独立完成典型变频电路工作过程的分析u掌握PWM控制技术的原理及典型电路的工作过程技能目标技能目标u独立完成大功率晶体管和绝缘栅双极型晶体管的性能测试u在实验装置中能够正确完成典型变频电路的接线u对变频电路的输出波形进行观察和测量,并记录实验数据进行分析【任务一】大功率晶体管【任务一】大功率晶体管(GTR)学习目标学习目标u掌握大功率晶体管的结构、符号及工作原理u了解大功率晶体管的优缺点及应用技能目标技能目标u认识GTR的外形和引脚u对GTR的导通和截止条件进行验证 大功率晶体管又可称为电力晶体管(Gi
2、ant Transistor,GTR),它是一种耐高压、大电流的双极型晶体管,其耗散功率(或输出功率)通常在1W以上。GTR的电气图形符号与普通晶体管相同,也是一种全控型电力电子器件,它具有控制方便、开关时间短、高频特性好、价格低廉等优点。GTR的三个发展阶段:双极单个晶体管 达林顿管和GTR GTR模块一、一、GTR的结构及其工作原理的结构及其工作原理图2-1-1 GTR的结构、电气符号和内部载流子的的运动二、二、GTR的特性的特性1GTR共发射极电路输的出特性(1)在截止区:IB 0(或IB=0),UBE 0,UBC 0,UBC 0,UBC 0,但是IC和IB之间不再呈线性关系,电流增益开
3、始减小,输出特性曲线开始弯曲。(4)在深饱和区:此时UBE 0,UBC 0,IB变化时IC不再改变,管压降UCE很小,可近似认为等于零,等效于理想开关的导通状态。2GTR的开关特性(1)开通时间(Ton)(2)关断时间(Toff)图2-1-2 共发射极电路的输出特性曲线图2-1-3 GTR的开关特性曲线三、三、GTR的主要参数的主要参数1电压参数(1)最高电压额定值(2)饱和压降UCES2电流参数(1)集电极连续直流电流额定值IC(2)集电极最大电流额定值ICM(3)基极电流最大允许值IBM3其他参数(1)最高结温TjM(2)最大额定功耗PCM4二次击穿与安全工作区四、GTR的驱动和保护电路1
4、 GTR驱动电路的设计要求 设计基极驱动电路必须考虑的3个方面:优化驱动特性、驱动方式和自动快速保护功能。(1)优化驱动特性 优化驱动特性就是以理想的基极驱动电流波形去控制器件的开关过程,保证较高的开关速度,减少开关损耗。优化的基极驱动电流波形与GTO门极驱动电流波形相似。(2)驱动方式 驱动方式按不同的情况有不同的分类方法。在此处,驱动方式是指驱动电路与主电路之间的连接方式,它有直接和隔离两种驱动方式:直接驱动方式分为简单驱动、推挽驱动和抗饱驱动等形式;隔离驱动方式分为光电隔离和电磁隔离形式。(3)自动快速保护功能 在故障情况下,为了实现快速自动切断基极驱动信号以免GTR遭到损坏,必须采用快
5、速保护措施。保护的类型一般有抗饱和、退抗饱和、过流、过压、过热和脉冲限制等。2典型基极驱动电路 GTR的基极驱动电路有恒流驱动电路、抗饱和驱动电路、固定反偏互补驱动电路、比例驱动电路、集成化驱动电路等多种形式。3双电源分立元件驱动电路图2-1-7 光电隔离驱动电路4 GTR保护电路(1)电流保护、电流变化率di/dt的限制。(2)GTR的过电流保护5集成GTR驱动电路【任务二任务二】绝缘栅双极型晶体管(绝缘栅双极型晶体管(IGBTIGBT)学习目标学习目标u掌握绝缘栅双极型晶体管的结构、符号及工作原理u了解绝缘栅双极型晶体管的优缺点及应用技能目标技能目标u认识IGBT的外形和引脚u对IGBT的
6、导通和截止条件进行验证 绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT),它将功率MOSFET和GTR的优点集于一身,既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的特点,又具有通态压降低、耐高压和承受电流大等优点。目前IGBT的产品已经系列化,最大电流容量达1800A,最高电压等级达4500V,工作频率达50kHz。IGBT在电机控制、中频电源、各种开关电源以及其他高速低损耗的中小功率领域中得到了广泛的应用。随着IGBT的生产水平进一步向高电压、大电流方向发展,可以预料它不仅在低压高频应用领域,而且在高压、大电流场合都会逐渐接近GTO的水
7、平而获得极为广泛的应用。一、一、IGBT的结构及其工作原理的结构及其工作原理1IGBT的结构 2-2-1 IGBT的结构、等效电路和电气符号2 IGBT的工作原理 IGBT也属于场控型器件,其驱动方法和MOSFET基本相同,相当于一个由P-MOSFET驱动的厚基区GTR,其简化等效电路如图2.2.1(b)所示。如果集电极C接电源正极,发射极E接电源负极,则它的导通和关断由栅极电压UGE来控制。当栅极施以正向电压UGE,且UGE大于开启电压UGE(TH)时,P-MOSFET栅极下形成导电沟道,为等效PNP型GTR提供基极电流,使IGBT导通。此时,从P+区注入到N层的空穴(少子)对N层进行电导调
8、制,减小了N层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,当栅极施以负电压UGE时,P-MOSFET内的沟道消失,PNP型GTR流过反向基极电流,使IGBT关断。二、二、IGBT的工作特性与主要参数的工作特性与主要参数1IGBT的伏安特性和转移特性 2-2-2 IGBT的伏安特性和转移特性2IGBT的开关特性 2-2-3 IGBT的开关特性3 IGBT的主要参数(1)最大集电极-发射极间电压UCEM(2)开启电压UGE(th)(3)最大栅极-发射极电压UGEM(4)通态压降UCE(on)(
9、5)集电极电流最大值ICM(6)最大集电极功耗PCM(7)输入阻抗(8)最高允许结温TJM 三、三、IGBT的安全工作区的安全工作区四、四、IGBT的栅极驱动电路及其保护的栅极驱动电路及其保护 2-2-5 IGBT的安全工作区【任务三任务三】变频电路的作用、原理和换流方式变频电路的作用、原理和换流方式学习目标学习目标u明确变频电路的定义及作用u了解变频电路的种类和基本工作过程技能目标技能目标u熟知不同换流方式的特点和使用范围u对交-直-交和交-交变频电路的工作原理进行分析和比较 目前常用的电源有两种,即工频交流电源和直流电源,这两种电源的频率都固定不变。但在实际的生产实践中,往往需要各种不同频
10、率的交流电源,可以通过变频电路即利用晶闸管或者其他电力电子器件,将工频交流电或直流电变换成各种所需频率的交流电提供给负栽,有时称这种电路为无源逆变电路。本章将结合实际电路介绍主要变频电路的工作原理及其电路形式。一、一、变频电路的作用变频电路的作用 在现代化生产中需要各种频率的交流电源,变频器的作用就是把工频交流电或直流电变换成频率可调的交流电供给负载,如:(1)标准50Hz电源,用于人造卫星、大型计算机等特殊要求的电源设备,对其频率、电压波形与幅值及电网干扰等参数,均有很高的精度要求。(2)不间断电源(UPS),平时电网对蓄电池充电,当电网发生故障停电时,将蓄电池的 直流电逆变成50Hz交流电
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