半导体物理课件.ppt
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- 半导体 物理 课件
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1、第一章第一章 半导体的一般特性半导体的一般特性 (Basic Semiconductor Properties)1 导体、绝缘体和半导体能带(导体、绝缘体和半导体能带(enery band)2 电导率电导率 (Conductivity)介于导体与绝缘体之间介于导体与绝缘体之间导体导体 104105 scm-1绝缘体绝缘体 10-18 10-10 scm-1半导体半导体 10-10 104 scm-1与温度、光照、湿度等密切相关与温度、光照、湿度等密切相关3 半导体材料种类半导体材料种类(1)元素)元素 (Elemental)(2)化合物)化合物 (Compounds)(3)合金)合金 (All
2、oys)P 2 Table 1.1指两种或多种金属混合,形成某种化合物4 晶体结构晶体结构 Crystal structure金刚石结构:金刚石结构:Si、Ge。闪锌矿结构:闪锌矿结构:ZnSZnS、GaAsGaAs、InPInP。P 12晶向指数和晶面指数晶向指数和晶面指数P 16 Table 1.6晶面间距晶向夹角222lkhad21222222212121212121)()cos(lkhlkhl lkkhh5 能带结构能带结构准自由电子模型紧束缚模型克龙尼克克龙尼克-潘纳模型潘纳模型(Kronig-Penney model)将晶体势场看作是由方形势阱势垒周期性排列组成将晶体势场看作是由方
3、形势阱势垒周期性排列组成.0000 xbVcxxV n n为为任任意意整整数数n na ax xV Vx xV V在在其其它它区区域域,代代入入定定态态薛薛定定谔谔方方程程x xu ue ex x将将i ik kx x xExxVdxdm2220222222ukVEmdxduikdxud得分区域求解上述方程分区域求解上述方程kaaaaPcoscossin22abP222mE禁带出现在:禁带出现在:2,2,1,1,n na an n,a a2 2,a ak k第一布里渊区:第一布里渊区:aa第二布里渊区:第二布里渊区:aaaa2,2对称性对称性 E(k)=E(-k)a a2 2n nk kE E
4、k kE E周期性周期性等能面等能面(Constant-Energy Surface)zzzyyyxxxmkkmkkmkkkEkE20202020)()()(2)()(金刚石结构的第一布里渊区金刚石结构的第一布里渊区等能面等能面(Constant-Energy Surface)Ge、Si、GaAs硅导带底附近等能面是100方向的旋转椭球面。E-k 关系图(关系图(Ge、Si)3.3.2p75锗:Eg=0.74eV硅:Eg=1.17eVE-k 关系图(关系图(GaAs)GaAs:Eg=1.42 eV第二章第二章 平衡载流子的统计分布平衡载流子的统计分布2.1 本征半导体和掺杂半导体本征半导体和掺
5、杂半导体 (4.4.3)1.本征半导体(本征半导体(intrinsic semiconductor)本征半导体本征半导体:是指一块没有杂质和缺陷的半导体是指一块没有杂质和缺陷的半导体.(Equilibrium Carrier Statistics)本征激发本征激发:T0K时时,电子从价带激发到导带电子从价带激发到导带,同时价同时价 带中产生空穴带中产生空穴.n0=p0=ni n0 p0=ni 2 ni-本征载流子浓度本征载流子浓度*从从si的共价键平面图看的共价键平面图看:P15:1S22S22P63S23P3 P有五个价电子,其中四个与周围的四个Si原子形成共价键,多余的那个价电子束缚在正电
6、中心P+的周围.这种束缚比共价键的束缚弱得多这种束缚比共价键的束缚弱得多,只要很少的能量就可以只要很少的能量就可以使它挣脱束缚使它挣脱束缚,成为导带中的自用粒子成为导带中的自用粒子.这个过程称这个过程称杂质电离杂质电离.掺杂半导体掺杂半导体(Doped/extrinsic Semiconductor)施主杂质施主杂质(Donor)n型半导体型半导体 族元素硅、锗中掺族元素硅、锗中掺族元素族元素,如如P:*从从SiSi的电子能量图的电子能量图看看:结论结论:磷杂质在硅、锗中电离时,能够释放电子而磷杂质在硅、锗中电离时,能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。这种杂质称产生导电电子并形成正电中心
7、。这种杂质称施主杂施主杂质质 。掺施主杂质后,导带中的导电电子增多,增。掺施主杂质后,导带中的导电电子增多,增强了半导体的导电能力。强了半导体的导电能力。主要依靠导带电子导电的半导体称n型半导体。nmqEn12)4(2204电离能的计算电离能的计算:氢原子氢原子(2)受主杂质)受主杂质(Acceptor)p型半导体型半导体族元素硅、锗中掺族元素硅、锗中掺族元素族元素,如如硼(B):*从从si的共价键平面图看的共价键平面图看:B B1313:1S:1S2 22S2S2 22P2P6 63S3S2 23P3P1 1 B B有三个价电子有三个价电子,当它与周围的四当它与周围的四个个SiSi原子形成共
8、价键时,必须从别原子形成共价键时,必须从别处的硅原子中夺取一个价电子处的硅原子中夺取一个价电子,共价共价键中缺少一个价电子,产生空穴。键中缺少一个价电子,产生空穴。硼原子接受一个电子后,成为带负硼原子接受一个电子后,成为带负电的硼离子。电的硼离子。B B-负电中心负电中心.小结:纯净半导体中掺入受主杂质后,受主杂质电离,使价带小结:纯净半导体中掺入受主杂质后,受主杂质电离,使价带中的导电空穴增多,增强了半导体的导电能力。主要依靠价带中的导电空穴增多,增强了半导体的导电能力。主要依靠价带空穴导电的半导体称空穴导电的半导体称p p型半导体型半导体。*从从Si的电子能量图看的电子能量图看:(3)杂质
9、的补偿作用)杂质的补偿作用半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时,它们之间有相互半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时,它们之间有相互抵消的作用抵消的作用杂质补偿作用杂质补偿作用。*当当ND NA时,时,n=ND-NA ND 半导体是半导体是n型型*当当NDNA时,时,p=NA-ND NA 半导体是半导体是p型型*当当ND NA时,时,杂质的高度补偿杂质的高度补偿ND施主杂质浓度施主杂质浓度 NA受主杂质浓度受主杂质浓度 n导带电子浓度导带电子浓度 p价带空穴浓度价带空穴浓度2.2 Carrier Statistics半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布 (4.4)载流子浓度=(状态密
10、度g(E)分布函数f(E)dE)/V状态密度g(E)单位能量间隔中的量子态数(能级数)分布函数f(E)能量为E的量子态被一个粒子占据的几率.1.Electorn concentration(导带中的电子浓度)*状态密度状态密度(Density of states):金属自由电子金属自由电子g(E)半导体导带电子半导体导带电子gc(E)2123)(243cnEEhmVEg 2123324EhmVEg*分布函数分布函数f(E)半导体导带中的电子按能量的分布服从费米统计分布。TkFEEeEf011 TkEEFFeEfTkEE0,0当玻尔兹曼分布fermi function非简并半导体(nondege
11、nrrated semiconductor)简并半导体(degenrrated semiconductor)TkEcEtop0/E)(引入d dE E)E E-(E Ee eh h2 2m m4 4d dE EE Ef fE Eg gV V1 1V VN Nn n2 21 1c cT Tk kE EE EE E3 3n nE EE Ec c0 00 0F Fc c2 23 3t to op pc cd dE Ee eh h2 2m m4 4n n0 03 3n n0 02 23 3topTkEETkFc21)exp()(02/30*导带电子浓度导带电子浓度n令令 Etop 则则top 2)ex
12、p()()exp()(02/3002/3021TkEETkTkEETkFcFc3 3n n0 03 3n n0 0h h2 2m m4 4d dE Ee eh h2 2m m4 4n n2 23 32 23 3TkEEcTkEEnFcFceNehTkm00233022导带的有效状态密度Nc电子占据量子态Ec的几率*状态密度:状态密度:2123)(243EEhmVEgVpV2.Hole concenteation(价带中的空穴浓度价带中的空穴浓度)*分布函数分布函数fV(E)1110TkEEVFeEfEffV(E)表示空穴占据能态)表示空穴占据能态E的几率,即能态的几率,即能态E不被电子占据的几
13、率。不被电子占据的几率。TkEEFFeEfTkEE00当*价带空穴浓度价带空穴浓度p0 TkEEpVEEVVFVbottomehTkmdEEfEgVp023300221价带的有效状态密度Nv价带顶部EV态被空穴占据的几率3.施主能级上的电子浓度施主能级上的电子浓度*状态密度状态密度=所掺施主杂质的浓度所掺施主杂质的浓度ND(E=ED)*分布函数分布函数fD(E):施主杂质能级与导带中的能级不施主杂质能级与导带中的能级不同同,只能是以下两种情况之一只能是以下两种情况之一:(1)被一个有任一自旋被一个有任一自旋方向的电子所占据方向的电子所占据;(2)不接受电子不接受电子.11021TkEEDFDe
14、Ef*施主能级上的电子浓度施主能级上的电子浓度nD TkEEDDDDFDeNEfNn0211电离了的施主浓度电离了的施主浓度(ionized donors)TkEEDDDDDFeNnNN0214.受主能级上的空穴浓度受主能级上的空穴浓度*状态密度状态密度=所掺受主杂质的浓度所掺受主杂质的浓度NA(E=EA)12110TkEEAAFeEf*受主能级上的空穴浓度受主能级上的空穴浓度PA:TkEEAAAAAFeNEfNP0211*分布函数分布函数fA(E)(空穴占据受主能级的几率)(空穴占据受主能级的几率):TkEEAAAAFAeNPNN021电离了的受主杂质浓度电离了的受主杂质浓度(ionized
15、 acceptors)TkEEcFceNn00TkEEvvFeNp00TkEEDDDFeNN0211TkEEAAFAeNN0211分析:分析:n0、p0的大小的大小 与与 T、EF有关有关TkEVcTkEEVcgVceNNeNNpn0000EF 的高低反映了半导体的掺杂水平。的高低反映了半导体的掺杂水平。3 n0 与与p0的乘积与的乘积与EF无关即与掺杂无关。无关即与掺杂无关。4.Charge Neutrality Relationship(电中性关系电中性关系)1.intrinsic semiconductor2.3 Concentration and EF Calculations 本征半
16、导体的电中性方程本征半导体的电中性方程:n0=p0=niTkEEVTkEECVFFCeNeN00两边取对数并整理两边取对数并整理,得得:npVCCVVCFmmTkEENNTkEEEln4321ln212100P 125 4。5(载流子浓度和(载流子浓度和EF的计算)的计算)npVCimmTkEEEln43210eVTkmmnp026.0:,21ln0室温下一般VCiEEE21结论结论:本征半导体的费米能级本征半导体的费米能级Ei基本位于禁带中央基本位于禁带中央.本本征半导体的费米能级征半导体的费米能级EF一般用一般用Ei表示表示Intrinsic carrier concentration:(
17、本征载流子浓度本征载流子浓度)niTkEVCigeNNpnn02121200)()(结论结论:本征载流子浓度本征载流子浓度ni随温度升高而增加随温度升高而增加.lnni1/T基基 本是直线关系本是直线关系.电中性方程电中性方程:DANpNn00以施主为例来分析:DNn0分温区讨论:(1)低温弱电离区低温弱电离区0,0pNNDD电中性方程电中性方程 DNpn00TkEEDTkEEDDFDDFeNeNN0021212.extrinsic semiconductor (非本征/杂质半导体)Freeze-outTkEEDTkEECFDFCeNeN002两边取对数并整理两边取对数并整理,得得:)2ln(
18、21210CDDCFNNTkEEEED起了本征EV的作用TkECDTkEECDTkETkECTkEECDDCFCFCeNNeNNeeNeNn02102100022022载流子浓度:(2)中温强电离区中温强电离区0,0pNNDD电中性方程电中性方程 DNn 0DTkEECNeNFC0两边取对数并整理两边取对数并整理,得得:)ln(0CDCFNNTkEE载流子浓度:DNn 0(本征激发不可忽略)电中性方程电中性方程 020nnpi(3)过渡区过渡区00pNnD24220iDDnNNn200inpn又n0-多数载流子 p0-少数载流子(4)高温本征区高温本征区(本征激发产生的载流子远多于杂质电离产生
19、的载流子)电中性方程电中性方程 00pn CVVCiFNNTkEEEEln21210载流子浓度:00pn 温温 区区 低温 中温 高温 费米能级费米能级 载流子浓度载流子浓度)2ln(21210CDDCFNNTkEEETkECDDeNNn021202)ln(0CDCFNNTkEEDNn 0CVVCiFNNTkEEEEln21210TkEVCigeNNnpn021200(1)n T分析、讨论分析、讨论TkECDDeNNn021202DNn 0TkEVCigeNNn0212(2)EF T(3)EF 掺杂(掺杂(T一定,则NC也一定)T一定,ND越大,EF越靠近EC(低温:ND NC 时 ,ND (
20、ln ND-ln2 NC)ND NC 时,ND|ln ND-ln2 NC|中温:由于T的升高,NC增加,使ND NC,ND|ln ND-ln2 NC|)T一定,NA越大,EF越靠近EV。TkETkEcFcEtop00/E/E)()(引入d dE Ee e1 1)E E-(E Eh h2 2m m4 4d dE EE Ef fE Eg gV V1 1V VN Nn nT Tk kE EE E2 21 1c cE E3 3n nE EE Ec c0 00 0F Fc c2 23 3t to op pc c1 载流子浓度载流子浓度2.4 简并半导体简并半导体(degenrrated semicond
21、uctor)对于简并半导体,导带底部的量子态基本被电子占满.电子分布函数不再能近似为玻尔兹曼分布函数了,而要用费米分布.费米积分)(21F)(21FP 119)(200TkEEFNPCFc)(2)(2120002121TkEEFNFNdxeNnCFccc 前面分析得知,如中温:由于T的升高,NC增加,一般来说ND NC,EF 2k0T 非简并2 简并化条件简并化条件0EC-EF 2k0T 弱简并EC-EF产生 n、p 复合 复合=产生(恢复热平衡)1单位时间内非子被复合掉的可能性单位时间内非子被复合掉的可能性 复合几率复合几率p单位时间、单位体积净复合消失的电子单位时间、单位体积净复合消失的电
22、子-空穴对(非子)空穴对(非子)复合率复合率在小注入时,与P无关,则 tcetp设t=0时,P(t)=P(0)=(P)0,那么C=(P)0,于是 teptp0 eppt0,时非平衡载流子的寿命主要与复合有关。t=0t=0时,光照停止,非子浓度的减少率为时,光照停止,非子浓度的减少率为 tpdttpd3.4.非平衡载流子的复合机制非平衡载流子的复合机制复合复合直接复合直接复合(direct recombination):(direct recombination):导带电子与价带空导带电子与价带空穴直接复合穴直接复合.间接复合间接复合(indirect recombinationdirect r
23、ecombination):通过位于禁带中的杂通过位于禁带中的杂质或缺陷能级的中间过渡。质或缺陷能级的中间过渡。表面复合表面复合(surface recombinationrecombination):在半导体表面发生的:在半导体表面发生的 复合过程。复合过程。俄歇复合:将能量给予其它载流子俄歇复合:将能量给予其它载流子,增加它们的动能量。增加它们的动能量。从释放能量的方法分从释放能量的方法分:辐射辐射(radiative)复合复合非辐射非辐射(non-radiative)复合复合1 1 直接复合直接复合 direct/band-to-band recombinationdirect/band
24、-to-band recombinationT +Light:净复合率净复合率=复合率复合率-产生率产生率U=R-G非平衡载流子的直接净复合非平衡载流子的直接净复合)(2000idnnprprnrnpGRUpnpppnnn00代入代入则:则:)(200pppnrUd非平衡载流子寿命:非平衡载流子寿命:ppnrUpd001小注入:小注入:001pnrUpdn型型材料:材料:p型型材料:材料:2 2 间接复合间接复合(indirect recombination)direct recombination)半导体中的杂质和缺陷在禁带中形成一定的能级,它们有促进复合的作用。这些杂质和缺陷称为复合中心复
25、合中心。nT:复合中心能级上的电子浓度:复合中心能级上的电子浓度NT:复合中心浓度:复合中心浓度pT:复合中心能级上的空穴浓度:复合中心能级上的空穴浓度*俘获电子俘获电子 Electron capture*发射电子发射电子 Electron emission*俘获空穴俘获空穴 Hole capture*发射空穴发射空穴 Hole emissionTnnpcTnneTppeTppnc电子俘获率:电子俘获率:空穴俘获率:空穴俘获率:电子产生率:电子产生率:空穴产生率:空穴产生率:热平衡时:电子俘获率电子俘获率=电子产生率电子产生率空穴俘获率空穴俘获率=空穴产生率空穴产生率000TnTTnnenNn
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