《单片机原理及接口技术》课件第八章 半导体存储器.ppt

1、基本要求：熟悉半导体存储器分类，能根据实际需要 扩充外部RAM和ROM。第八章第八章 MCS-51单片机存储器扩展应用技术单片机存储器扩展应用技术第一节第一节 存储器扩展存储器扩展概述概述存储器存储器M RAM（Random Access Memory)ROM(Read Only Memory)SRAM(Static RAM)DRAM(Dynamic RAM)NVRAM(Non Volative RAM)掩模掩模ROMPROM（Programable ROM)EPROM(Erasable PROM)E2PROM(Electrically EPROM)一、存储器分类 P2 ALE P080518

2、751 /PSEN /WR /RD地址地址 锁存器锁存器CBDBABA8-A15A0-A7D0-D7二、二、MCS-51的最小系统的最小系统图8-28031ROM时钟时钟电路电路复位复位电路电路一、一、ROM存储器扩充步骤存储器扩充步骤1、首先根据已知、首先根据已知ROM芯片参数和所求参数求得芯片参数和所求参数求得 所需芯片数所需芯片数=所需容量所需容量/每片容量（假设字长相同）每片容量（假设字长相同）2、求得芯片的地址线、数据线根数、求得芯片的地址线、数据线根数3、连接连接AB、DB和和CB中的中的/PSEN、/RD DB AB /PSEN、/RD单片机：单片机：存储器：存储器：P0P2+P

3、0读读ROM RAM读读 Di（I/Oi)Ai（=16根）根）+/CE（/CS）/OE(/RD)/OE(/RD)第二节第二节 程序存储器程序存储器ROM的扩展技术的扩展技术 例例 用用2764（8K*8bit即即8KB)扩展扩展16K字节的字节的EPROMP2.7P2.6P2.5P2.4P2.3P2.2P2.1P2.08051P0.0P0.1P0.7ALE/PSEN 74LS373GA12 A11 A8 /CEA7 2764A0 O0 /OEO7 A12 A11 A8 /CEA7 2764A0 O0 /OEO7？对于片选信号有以下三种连接方法（一）线选法（一）线选法/CE#1/CE#2/CE#

4、3/CE#4 A15A14A13A12A11 A10A8A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0#1：#2：#3：#4：0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 01 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0*7000H77FFH*1 1 0 16800H6FFFH5800H5FFFH3800H3FFFHA11A12A13A14A0A10DB0-7（二）全译码法（二）全译码法A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A01#：0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 01 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0000H07

5、FFH2#：0 0 0 0 10800H-0FFFH3#：1000H-17FFH4#：1800H-1FFFH Q0 5-32 译 Q3码 器 Q31/CE#4/CE#3/CE#2/CE#1A11-A15A0-A10A0-A15DB0-7（三）部分译码法（三）部分译码法 Q0 2-4 译 Q3码 器 /CE#4/CE#3/CE#2/CE#1A11-A12A0-A10A0-A12DB0-71#：A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A00 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0*0 0 00 0 11 1 100

6、00H2000HE000H地址重叠地址重叠图88 单片程序存储器扩展连接图 二、扩充ROM芯片举例例1 用一片2716（2K*8b）扩充8031 外部EPROM2KB，试画出连接图。检验一下三总线的连接是否正确图89 两片程序存储器扩展连接图例2 试用2764（8K*8b）扩充16K*8b的EPROM。图8-9所示。图817 译码法扩展三片 8KB EPROM 例例3 3 译码法扩展三片译码法扩展三片 8 8KB EPROMKB EPROM 补例补例 扩展扩展16K字节字节EPROM P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 8051 P0.0 P0.1

7、P0.2 P0.3/PSEN P0.4 P0.5 P0.6ALE P0.7 /CE A13 A12 A11 A10 A9 A8 O7 O6 O5 27128 O4 O3 O2 O1 O0 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 /OE 74LS373G第三节第三节 数据存储器数据存储器RAM的扩展技术的扩展技术一、一、RAM存储器扩充步骤存储器扩充步骤与与ROM扩充类似，只是多画一根线：扩充类似，只是多画一根线：将将MCS-51的的/WR与与RAM的的/WE（/WR）相连。相连。图813 单片RAM扩展连接图 例例4 单片单片RAMRAM的扩展的扩展图814 多片 RAM 扩展连接图例

8、例5 多片多片 RAM的的 扩展扩展补例补例 线选法扩展线选法扩展4KB RAM（6116：2K*8bit)P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.08051 P0.0-P0.7 ALE/RD /WR8282A10 /CS A9 A8 6116A0-A7 D0-D7 /OE /WE A10 /CS A9 A8 6116A0-A7 D0-D7 /OE /WE 2:4/Y0/G译译/Y1A 码码 B 器器/Y3补例补例 部分译码法扩展部分译码法扩展4KBRAM P2.7 P2.6 P2.5 P2.2 P2.0 ALEP0.0-P0.78031 /WR /RDG 74LS373A0-A10 /

9、CE2#6116/WE /OE D7-D0A0-A10 /CE1#6116/WE /OE D7-D0#1：0000H07FFH#2：2000H27FFH图819 扩展4K RAM和2K ROM的8031系统第四节第四节 存储器综合扩展技术存储器综合扩展技术例例6 扩展扩展8031 4K RAM和和2K ROM补例补例 扩展扩展2K字节字节E2PROMP1.0/WR/RD/PSEN8051 P2.7 P2.2 P2.1 P2.0 ALE P0.7-P0.0RDY/BUSY /WE /OE 2817/CE A10 A9 A8 A7-A0 I/O0-I/O7G74LS373地址重叠区地址重叠区16个。个。2:4/Y0/G译/Y1A 码/Y2B 器/Y3补例补例 同时扩展同时扩展ROM和和RAM P2.7 P2.6 P2.5 P2.2 P2.0 ALEP0.0-P0.78031 /WR/PSEN/RDG 74LS373A0-A12 /CE3#6264/WE /OE D7-D0A0-A12 /CE2#6264/WE /OE D7-D0A0-A12 /CE1#2764 /OE D7-D01#：0000H1FFFH，2#：2000H3FFFH，3#：4000H5FFFH