微机课件05第五章:内存储器和存储体系.ppt
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- 关 键 词:
- 微机 课件 05 第五 内存储器 存储 体系
- 资源描述:
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1、半导体存储器概述RAM和ROM存储器与微处理器连接并行存储器重点:硬件上CPU如何连接存储器?5.1 存储器概述CPU寄存器组寄存器组高速缓冲存储器高速缓冲存储器Cache主存储器主存储器磁带、磁盘磁带、磁盘 光盘光盘多多 级级 存存 储储 体体 系系 结结 构构存取速度快存取速度快位成本高位成本高容量小容量小存取速度慢存取速度慢位成本低位成本低容量大容量大高速缓存Cache(强调速度)位于主存和CPU之间,存取速度和CPU匹配,高于主存计算机正在执行的程序和数据主存计算机运行期间的程序和数据外存(容量)存放当前暂时不用的程序、数据或需要永久保存的信息双极型双极型RAMMOS型型RAM静态静态
2、SRAM动态动态DRAM掩膜式掩膜式ROM可编程可编程RPROM可擦式可擦式EPROM电可擦式电可擦式EEPROM随机存储器随机存储器RAM只读存储器只读存储器ROM存取容量存取时间存储周期存储带宽1024*4=N*M(存储单元(存储单元*单元存储位)单元存储位)=数据写入或读出的时间数据写入或读出的时间=连续连续2次读次读/写间隔的最小时间写间隔的最小时间=单位时间里存取的信息量单位时间里存取的信息量5.2.1 SRAM(静态RAM)由触发器电路构成基本单元有6个场效应管:由4个场效应管存储0和1另2个场效应管作为存储单元到用于读写的位线的控制开关每个基本单元可存储0或1掉电数据丢失DRAM
3、(动态RAM)利用电容存储电荷的多寡来表示0或1需要动态刷新,否则数据丢失掉电数据丢失ROM,不可擦写EPROM,紫外光可擦写EEPROM,高电压可擦写Flash EEPROM,按扇区擦写存储芯片(M*N)存放大量二进制位101110010110M个个存存储储单单元元存放存放N个二进制位个二进制位考虑的问题:CPU总线的负载能力CPU与存储器的速度匹配问题存储器地址分配与译码一个存储器往往由一定数量的芯片构成选择过程:选择存储芯片(片选)选择芯片内部的存储单元(字选)8K*81011100101108K个个存存储储单单元元存放存放8个二进制位个二进制位选择存储芯片内 2个8K*4组成一个16K
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