第2章数字电子广东文理学院教学课件.ppt
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1、第2章 集成逻辑门电路2.1 分立元件门电路2.2 TTL集成逻辑门电路2.3 CMOS集成逻辑门电路2.4 集成逻辑门电路的应用1.2.1 分立元件门电路下一页返回用以实现各种基本逻辑关系的电子电路称为门电路;用以实现各种基本逻辑关系的电子电路称为门电路;门电路的主要类型:门电路的主要类型有与门、或门、门电路的主要类型:门电路的主要类型有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。1、门电路的概念2、逻辑变量与两状态开关 在二值逻辑中,逻辑变量的取值不是在二值逻辑中,逻辑变量的取值不是0 0就是就是1 1,是一种,是一种二值量。在数字电路中
2、,与之对应的是电子开关的两种二值量。在数字电路中,与之对应的是电子开关的两种状态。半导体二极管、三极管和状态。半导体二极管、三极管和MOSMOS管是构成这种电子开管是构成这种电子开关的基本开关元件。关的基本开关元件。2.3、分立元件门电路和集成门电路 1 1)用分立的元器件和导线连接起来构成的门电路,称)用分立的元器件和导线连接起来构成的门电路,称为分立元件门电路。为分立元件门电路。2 2)把构成门电路的元器件和连线都制作在一块半导体)把构成门电路的元器件和连线都制作在一块半导体芯片上,再封装起来,便构成了集成门电路。芯片上,再封装起来,便构成了集成门电路。3.2.1.1二极管门电路1.半导体
3、的开关特性 1 1)静态特性)静态特性 断开时,其等效电阻断开时,其等效电阻ROFF,通过其中的电流,通过其中的电流IOFF0 0。闭合时,其等效电阻闭合时,其等效电阻RON0 0,其两端电压,其两端电压UAK0 0。2 2)动态特性)动态特性 开通时间开通时间ton0 0,即开关由断开状态转换到闭合状,即开关由断开状态转换到闭合状态不需要时间,可以瞬间完成。态不需要时间,可以瞬间完成。关断时间关断时间toff0 0,即开关由闭合状态转换到断开状,即开关由闭合状态转换到断开状态不需要时间,可以瞬间完成。态不需要时间,可以瞬间完成。AKS理想开关理想开关4.半导体二极管最显著的特点是具有单向导电
4、性能。半导体二极管最显著的特点是具有单向导电性能。2 2、半导体二极管的开关特性、半导体二极管的开关特性R导通导通截止截止S3V0VSRRD3V0V5.(一)静态特性(一)静态特性 1 1、半导体二极管的结构示意图、符号和伏安特性、半导体二极管的结构示意图、符号和伏安特性 半导体二极管的结构示意图、符号和伏安特性如下图半导体二极管的结构示意图、符号和伏安特性如下图所示。所示。6.2 2、半导体二极管的开关作用、半导体二极管的开关作用 开关应用举例开关应用举例 下图是最简单硅半导体二极管开关电路。输入电压为下图是最简单硅半导体二极管开关电路。输入电压为uI,其低电平其低电平UIL2V,高电平为高
5、电平为UIH3V。uI UIL时,时,半导体二极管反偏,半导体二极管反偏,D处于反向截止区,如同一个处于反向截止区,如同一个断开了的开关,直流等效电路如图断开了的开关,直流等效电路如图(b)。uI UIH时,时,半导体二极管正偏,半导体二极管正偏,D工作在正向导通区,如同一工作在正向导通区,如同一个具有个具有0.7V压降、闭合了的开关,直流等效电路如图压降、闭合了的开关,直流等效电路如图(c)。7.、静态开关特性、静态开关特性 硅半导体二极管具有下列静态开关特性:硅半导体二极管具有下列静态开关特性:导通条件及导通时的特点:导通条件及导通时的特点:当外加正向电压当外加正向电压UD0.7V时,二极
6、管导通,时,二极管导通,硅半导硅半导体二极管体二极管如同一个具有如同一个具有0.7V压降、闭合了的开关。压降、闭合了的开关。截止条件及截止时的特点:截止条件及截止时的特点:当外加正向电压当外加正向电压UD0.5V时,二极管截止,硅半导时,二极管截止,硅半导体二极管体二极管如同一个断开了的开关。如同一个断开了的开关。8.(二)动态特性(二)动态特性 1 1、二极管的电容效应、二极管的电容效应 二极管存在结电容二极管存在结电容Cj和扩散电容和扩散电容CD,Cj和和CD的存在的存在极大地影响了二极管的动态特性,无论是开通还是关断极大地影响了二极管的动态特性,无论是开通还是关断,伴随着,伴随着Cj、C
7、D的充、放电过程,都要经过一段延迟的充、放电过程,都要经过一段延迟时间才能完成。时间才能完成。2 2、二极管的开关时间、二极管的开关时间 下图所示是一个简单的二极管开关电路及相应的下图所示是一个简单的二极管开关电路及相应的uI和和iD的波形。的波形。9.开通时间开通时间 当输入电压当输入电压uI由由UIL跳变到跳变到UIH时,二极管时,二极管D要经过延迟时间要经过延迟时间td、上升时间上升时间tr之后,才能由截止状态转换到导通状态。半导体二极管之后,才能由截止状态转换到导通状态。半导体二极管的开通时间为:的开通时间为:ton=tdtr 关断时间关断时间 当输入电压当输入电压uI由由UIH 跳变
8、到跳变到UIL时,二极管时,二极管D要经过存储时间要经过存储时间ts、下降时间(也称为渡越时间)下降时间(也称为渡越时间)tf之后,才能由导通状态转换到截止之后,才能由导通状态转换到截止状态。半导体二极管的关断时间为:状态。半导体二极管的关断时间为:toff=tstf 10.3、二极管与门1)电路组成及逻辑符号11.电压关系表电压关系表 uA=uB=0时,时,D1、D2均导通均导通 uY=uA+uD1=uB+uD2=0+0.7V=0.7V uA=0、uB=3V时,由于时,由于uA、uB电电平不同,当平不同,当D1导通后,使导通后,使 uY=uA+uD1=0+0.7V=0.7V导致导致 uD2=
9、uYuB=0.732.3V,故,故D2截止。截止。D1导通后,导通后,uY被钳位在被钳位在0.7V。uA=3V、uB=0V时,与类似,时,与类似,D2导通,导通,D1截止,截止,D2导通后,导通后,uY被钳位被钳位在在0.7V。uA=3V、uB=3V时,时,D1、D2都都导导通。通。uY被钳位在被钳位在3.7V。2)工作原理电压关系表电压关系表 整理上述估算结果,可得右表所示整理上述估算结果,可得右表所示电压关系表。电压关系表。12.返回真值表真值表BAY 设定变量、状态赋值、设定变量、状态赋值、列真值表列真值表 设定变量:用设定变量:用A、B、Y分别表示分别表示uA、uB、uY。状态赋值:用
10、状态赋值:用0表示低电表示低电平,用平,用1表示高电平。表示高电平。列真值表:根据设定的列真值表:根据设定的变量和状态赋值情况,由电压变量和状态赋值情况,由电压关系表可列出右下表所示的与关系表可列出右下表所示的与门的逻辑真值表。门的逻辑真值表。综上所述,该电路确实实现综上所述,该电路确实实现了与的逻辑功能了与的逻辑功能Y=AB,所以,所以是一个二极管与门。是一个二极管与门。13.4、二极管或门上一页 下一页返回1)电路组成及逻辑符号14.2)工作原理 电压关系表电压关系表 uA=uB=0时,时,D1、D2均截止均截止 uY=0V。uA=0V、uB=3V时,时,D2导通,导通,D1截止,截止,u
11、Y=30.7V=2.3V。uA=3V、uB=0V时,时,D1导通,导通,D2截止,截止,uY=30.7V=2.3V。uA=3V、uB=3V时,时,D1、D2均均导通。导通。uY=30.7V=2.3V。整理分析估算结果,即可得到电压整理分析估算结果,即可得到电压关系表如右表所示。关系表如右表所示。电压关系表电压关系表15.返回真值表真值表BAY 设定变量、状态赋值、设定变量、状态赋值、列真值表列真值表 设定变量:用设定变量:用A、B、Y分别表示分别表示uA、uB、uY。状态赋值:用状态赋值:用0表示低表示低电平,用电平,用1表示高电平。表示高电平。列真值表:根据设定的列真值表:根据设定的变量和状
12、态赋值情况,由电变量和状态赋值情况,由电压关系表可列出右下表所示压关系表可列出右下表所示的与门的逻辑真值表。的与门的逻辑真值表。综上所述,该电路确实实综上所述,该电路确实实现了或的逻辑功能现了或的逻辑功能Y=A+B,所以是一个二极管或门。所以是一个二极管或门。16.2.1.2 晶体管门电路1 1、半导体晶体管的开关特性、半导体晶体管的开关特性饱和饱和3V0VuO 0uO UCC+UCCuiRBRCuOTuO+UCCRCECuO+UCCRCEC3V0V17.一、静态特性一、静态特性 1 1、结构示意图、符号和输入、输出特性、结构示意图、符号和输入、输出特性 半导体三极管的结构示意图、符号如下图所
13、示。半导体三极管的结构示意图、符号如下图所示。18.半导体三极管的输入、输出特性如下图所示。半导体三极管的输入、输出特性如下图所示。输入特性指的是基极电流输入特性指的是基极电流iB和基极和基极-发射极间电压发射极间电压uBE之间的关系曲线。之间的关系曲线。输出特性指的是基极电流输出特性指的是基极电流iC和集电极和集电极-发射极间电压发射极间电压uCE之间的关系曲线。在数字电路中,半导体三极管不之间的关系曲线。在数字电路中,半导体三极管不是工作在截止区,就是工作在饱和区,而放大区仅仅是工作在截止区,就是工作在饱和区,而放大区仅仅是一种瞬间即逝的工作状态。是一种瞬间即逝的工作状态。19.2 2、半
14、导体三极管的静态开关特性、半导体三极管的静态开关特性 饱和导通条件及饱和时的特点饱和导通条件及饱和时的特点 饱和导通条件:三极管基极电流饱和导通条件:三极管基极电流iB大于其临界饱和大于其临界饱和时的数值时的数值IBS时,饱和导通。时,饱和导通。饱和导通时的特点:对于硅三极管,饱和导通后饱和导通时的特点:对于硅三极管,饱和导通后 uBE0.7V,uCEUCES0.3V如同闭合的开关。如同闭合的开关。20.截止条件及截止时的特点截止条件及截止时的特点 截止条件:截止条件:uBEUo0.5V 式中,式中,Uo是硅三极管发射结的死区电压。是硅三极管发射结的死区电压。截止时的特点:截止时的特点:iB0
15、,iC0如同断开的开关。如同断开的开关。21.二、动态特性二、动态特性 半导体三极管和二极管一样,在开关过程中也存在电半导体三极管和二极管一样,在开关过程中也存在电容效应,都伴随着相应电荷的建立和消散过程,因此都容效应,都伴随着相应电荷的建立和消散过程,因此都需要一定时间。需要一定时间。右图所示是三极管开关电路中右图所示是三极管开关电路中uI为矩形脉冲时,相为矩形脉冲时,相应应iC和和uO的波形。的波形。22.开通时间开通时间 当输入电压当输入电压uI由由UIL2V跳变到跳变到UIH3V时,三极管时,三极管需需要经过延迟时间要经过延迟时间td和上升时间和上升时间tr之后,才能由截止状之后,才能
16、由截止状态转换到饱和导通状态。开通时间为态转换到饱和导通状态。开通时间为 ton=tdtr 关断时间关断时间 当输入电压当输入电压uI由由UIH3V 跳变到跳变到UIL2V时,三极时,三极管管需需要经过存储时间要经过存储时间ts、下降时间、下降时间tf之后,才能由饱和之后,才能由饱和导通状态转换到截止状态。半导体三极管的关断时间为导通状态转换到截止状态。半导体三极管的关断时间为 toff=tstf 半导体三极管开关时间的存在,影响了开关电路的工半导体三极管开关时间的存在,影响了开关电路的工作速度。由于作速度。由于toffton,所以减少饱和,所以减少饱和时基区存储电荷时基区存储电荷的数量,尽可
17、能地加速其的数量,尽可能地加速其消散过程,即缩短存储时间消散过程,即缩短存储时间 tS,是提高,是提高半导体三极管开关速度的关键。半导体三极管开关速度的关键。23.2、三极管非门上一页 下一页返回1.电路组成及逻辑符号24.设输人信号为+5 V或0V:(1)A=0V时,三极管截止,Y=5 V。(2)A=5 V时,三极管工作于饱和状态,Y=0.3 0 V。上一页 下一页返回2.工作原理工作原理AY 25.若用若用A、Y分别表示分别表示uI、uO,用用0表示低电平,用表示低电平,用1表表示高电平。则可由左下表所示的电压关系表得到右下表示高电平。则可由左下表所示的电压关系表得到右下表所示的真值表。由
18、右下表可知,下图所示电路实现了非所示的真值表。由右下表可知,下图所示电路实现了非逻辑功能逻辑功能,是一个三极管组成的非门。,是一个三极管组成的非门。50.305uO/VuI/V非门电压关系表非门电压关系表1001YA非门真值表非门真值表 半导体半导体三极管饱和导通以后也有钳位作用。如果发射三极管饱和导通以后也有钳位作用。如果发射极电位是不变的,那么它的集电极电位就被固定在比发极电位是不变的,那么它的集电极电位就被固定在比发射极高射极高0.3V的电位上;反之,若其集电极电位是不变的的电位上;反之,若其集电极电位是不变的,那么它的发射极电位就被固定在比集电极低,那么它的发射极电位就被固定在比集电极
19、低0.3V的电的电位上。位上。26.1 1)高电平和低电平:高电平和)高电平和低电平:高电平和低电平是两种状态,是两个不同的低电平是两种状态,是两个不同的可以截然区别开来的电压范围。可以截然区别开来的电压范围。右图右图2.42.45V5V范围内的电压,都范围内的电压,都称为称为高电平高电平,用,用U UH H表示。表示。0 00.8V0.8V范围内的电压,都称为范围内的电压,都称为低电平低电平,用,用U UL L表示。表示。2 2)正逻辑和负逻辑:用)正逻辑和负逻辑:用1 1表示表示高电平,用高电平,用0 0表示低电平,称为正表示低电平,称为正逻辑赋值,简称正逻辑。用逻辑赋值,简称正逻辑。用1
20、 1表示表示低电平,用低电平,用0 0表示高电平,称为负表示高电平,称为负逻辑赋值,简称负逻辑。逻辑赋值,简称负逻辑。2.1.3 高、低电平与正、负逻辑27.2.2 TTL集成逻辑门电路集成逻辑门电路下一页返回晶体管一晶体管逻辑晶体管一晶体管逻辑(Transistor-Transistor Logic)门门电路,简称电路,简称TTL电路电路2.2.1 2.2.1 TTL反相器反相器1 1、电路组成、电路组成 一、电路组成及其工作原理一、电路组成及其工作原理 输入级输入级 由由T1、R1、D1组成,组成,D1是保护二极管,是为防止输入是保护二极管,是为防止输入端电压过低而设置的;端电压过低而设置
21、的;中间级中间级 由由T2、R2、R3组成,组成,T2集电极输出驱动集电极输出驱动T3,发射极输出驱,发射极输出驱动动T4;输出级输出级 由由T3、T4、D和和R4组成。组成。图图(a)(a)是是TTL反相器的典反相器的典型电路图,它有三部分组型电路图,它有三部分组成:成:中间级(a)AR14kT3T2T1YR4+5VT4R21.6kR31301kuIuOD+VCC输入级输出级3.6V0V3.6V0VD128.2、工作原理 、当电路输入端A接高电平(3.6V)时3.6V3.6V4.3V全导通全导通0.7V21.4V电位钳电位钳在在2.1V发射结反偏UBE12.13.61.5V0 T1管发射结处
22、于反向偏置,而集电结处于正向偏置,所以,T1管处于发射结和集电结倒置使用的工作状态。1VUC2UCES2Ube40.30.71VUC21V,该值不足以使T3、D导通,故T3、D截止。输入为1输出为0uO0.3VVCC(+5V)YR21.6KR14KT1AR31KR4130D1DT2T3T429.、当电路输入端接低电平(0V)时0V截止截止发射结导通Ub100.70.7V Ub10.7V,作用于T1 管的集电结和T2、T4管的发射结,不足以让T2、T4导通。故T2、T4截止。uOVCCUbe3UD50.70.73.6V输入为0输出为15V4.3V0.7V由于T2截止,VCC通过R2、T3和D管使
23、之工作在导通状态,T3发射结和D的导通压降均为0.7V。ib30VCC(+5V)YR21.6KR14KT1AR31KR4130D1DT2T3T43.6V 综上所述可知,上图所示电路确实实现了非运算,是非门,即反相器。30.输入特性是指输入特性是指输入电流与输入电压之间的关系曲线输入电流与输入电压之间的关系曲线,即即II=f(uI)的函数关系。典型的输入特性如图所示。的函数关系。典型的输入特性如图所示。二、静态特性二、静态特性 1、输入特性输入特性31.输入端短路电流输入端短路电流IIS 当当uI=UIL=0V时的输入电流称为时的输入电流称为输入端短路电流输入端短路电流IIS,是是uI=0即输入
24、端对地短接时,由反相器输入端流出来即输入端对地短接时,由反相器输入端流出来的电流。数值为:的电流。数值为:mAmARuViIiBECCBISI075.147.05111 输入漏电流输入漏电流IIH。当当uI=UIH=3.6V时的输入电流称为时的输入电流称为输入漏电流输入漏电流IIH,即即T1倒置工作时的反向漏电流,其电流值很小,倒置倒置工作时的反向漏电流,其电流值很小,倒置时其电流放大系数时其电流放大系数i=0.01=0.010.020.02,若取,若取i=0.02=0.02,则,则数值为:数值为:mAmARuViIiBECCiBiIHI0145.041.2502.011132.输入端负载特性
25、输入端负载特性 反映接在反相器输入端电阻反映接在反相器输入端电阻Ri两端的电压两端的电压uI和和Ri阻值之间关系的曲线称为输阻值之间关系的曲线称为输入端负载特性曲线,简称输入端负载特性如图所示。入端负载特性曲线,简称输入端负载特性如图所示。v 开门电阻开门电阻Ron 当当Ri=,即输入端悬空时,即输入端悬空时,iB1经经T1集电极流入集电极流入T2基极,使基极,使T2饱和导通。进饱和导通。进而使而使T4也饱和导通并导致也饱和导通并导致T3、D D截止,反相器处于导通状态,输出电压截止,反相器处于导通状态,输出电压uO=UOL0.3V,而,而uB1由于由于bc1、be2、be4结的钳位作用,被固
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