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类型第19章电力电子技术.ppt

  • 上传人(卖家):hwpkd79526
  • 文档编号:6158721
  • 上传时间:2023-06-04
  • 格式:PPT
  • 页数:55
  • 大小:1.36MB
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    关 键  词:
    第19章 电力电子技术 19 电力 电子技术
    资源描述:

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    2、三极管均饱和导通,个三极管均饱和导通,此过程称触发导通。此过程称触发导通。211CCii 2BG21ii EGEA+_RGi2BiG21iG2i下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页GEA+_R T1T2Gi2BiGi21Gi2EGG2Bii 1BG22Ciii 211CCii 2BG21ii 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 必须使可控硅阳极电流减小必须使可控硅阳极电流减小,直到直到正反馈正反馈效应效应不能维持。不能维持。将阳极电源断开或者在晶闸管的将阳极电源断开或者在晶闸管的下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页URRMUF

    3、RMIG2 IG1 IG0 UBRIFUBOIHoUIIG0IG1IG2正向平均电流正向平均电流)(曲曲线线UfI 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页UFRM:晶闸管晶闸管控制极开路且正向阻断情况下控制极开路且正向阻断情况下,允允许重复加在许重复加在晶闸管晶闸管两端的正向峰值电压。两端的正向峰值电压。一般取一般取UFRM =80%UB0 。普通普通晶闸管晶闸管 UFRM 为为100V 3000V控制极开路时控制极开路时,允许重复作用在允许重复作用在晶闸管晶闸管元元 件上的反向峰值电压。件上的反向峰值电压。一般取一般取 URRM =80%UBR 普通普通晶闸管晶闸管 UR

    4、RM为为100V3000VURRM:下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页)(sin21m0mFIttdII 环境温度为环境温度为4040 C C及及标准散热条件下,标准散热条件下,晶闸晶闸管处于管处于全导通时全导通时可以连续通过的工频正弦可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。半波电流的平均值。IF t 2 i如果正弦半波电流的最大值为如果正弦半波电流的最大值为Im,则则普通晶闸管普通晶闸管IF为为1A 1000A。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页额定电压额定电压,用百位或千位数表示用百位

    5、或千位数表示取取UFRM或或URRM较小者较小者额定正向平均电流额定正向平均电流(IF)晶闸管晶闸管K P普通型普通型如如KP5-7表示表示额定正向平均电流为额定正向平均电流为5A,额定电压为额定电压为700V。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页A1A2G通过控制电压的控制可实现双向导通。通过控制电压的控制可实现双向导通。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页A1A2G下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 RC Tu双向二极管双向二极管下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页(1)电路电路。uuu To,0。0

    6、,To uuu+T下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 t1 2。uu,u T 0o:1t。0,To uuu tuO晶晶闸闸管管不不导导通通。,0,0g1 ut t。uuu To,0gu tO下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 tOuO 动画动画控制角控制角 t1 tuO tguO t22 tTuO导通角导通角下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 tuUd21O )d(sin221ttU 2cos145.0LLOO RURUI2cos145.0 U下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 +TLeL下一页下一

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    8、一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 tuUd1O )d(sin21ttUU 2cos19.0LO RURUI2cos19.0 U下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页两种常用可控整流电路两种常用可控整流电路电路电路特点特点1.该电路只用一只晶闸管,且其上该电路只用一只晶闸管,且其上 无反向电压。无反向电压。2.晶闸管和负载上的电流相同。晶闸管和负载上的电流相同。(1)uTD2D4u0RL+-+-下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页电路电路特点特点 1.该电路接入电感性负载时,该电路接入电感性负载时,D1、D2 便起便起 续流二极管

    9、作用。续流二极管作用。(2)动画动画2.由于由于T1的阳极和的阳极和T2的阴极相连,两管控的阴极相连,两管控 制极必须加独立的触发信号。制极必须加独立的触发信号。T1T2D1D2uuORL+-+-下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页动画动画u2a2 u2bu2ct1t2ut o下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 ,一旦发生过,一旦发生过电流时,温度急剧上升,可能将电流时,温度急剧上升,可能将PNPN结烧坏,造成元结烧坏,造成元件内部短路或开路。例如一只件内部短路或开路。例如一只100A的的晶闸管晶闸管过电流过电流为为400A400A时,仅允许持续时

    10、,仅允许持续0.020.02秒,否则将因过热而损秒,否则将因过热而损坏;坏;电压超过其反电压超过其反向击穿电压时,即使时间极短,也容易损坏。若正向击穿电压时,即使时间极短,也容易损坏。若正向电压超过转折电压时,则晶闸管误导通,导通后向电压超过转折电压时,则晶闸管误导通,导通后的电流较大,使器件受损。的电流较大,使器件受损。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页与晶闸与晶闸管串联管串联接在接在输入输入端端接在接在输出输出端端下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 RCRC 硒堆保护硒堆保护(硒整流片

    11、硒整流片)晶闸管元件晶闸管元件的阻容保护的阻容保护下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页NPPN结结N型硅片型硅片下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2B1B1BBB1BRRRUU BBBBBB1BUURR 分压比分压比(0.5 0.9)UBB+_+_RP+_+_RB1RB2AUBB+_RP+_+_下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页(3)维持单结管导通的最小维持单结管导通的最小 电压、电流。电压、电流。单结管由截止变导通单结管由截止变导通 所需发射极电压所需发射极电压。IpIVV截止区截止区P下一页下一页总目录总目录 章目录章目

    12、录返回返回上一页上一页 3.不同单结晶体管的谷点电压不同单结晶体管的谷点电压谷点电流谷点电流都都 不一样。谷点电压大约在不一样。谷点电压大约在2 5V之间。常选用之间。常选用 稍大一些,稍大一些,稍小的单结晶体管,以增大输稍小的单结晶体管,以增大输 出脉冲幅度和移相范围。出脉冲幅度和移相范围。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页Uvug下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页。uvOO下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页RLR1R2RPCRuZT1D1D2T2u2+C+R下一

    13、页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页U2MRu2+uo+uZU2MuOouOzuO下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页UP-UDR1R2RPCcRuZLugucuvUpRLT1D1D2T2OOUZuOO下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 uL L下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页单结晶体管触发电路单结晶体管触发电路T1+U1RE1-CT2RC1RE2R2T3T4D1D2DZR 输出脉冲可以直接从电阻输出脉冲可以直接从电阻R1引出引出(如前图如前图),

    14、也可,也可通过脉冲变压器输出。由于晶闸管控制极与阴极间通过脉冲变压器输出。由于晶闸管控制极与阴极间允许的反向电压很小,为了防止反向击穿,在脉冲允许的反向电压很小,为了防止反向击穿,在脉冲变压器副边串联二极管变压器副边串联二极管D1,可将反向电压隔开,而可将反向电压隔开,而并联并联D2,可将反向电压短路。,可将反向电压短路。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页R1AVR2R4R3RPDDZTC+_T1下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页。R1AV R2R4R3RP D DZTC+_ T1下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 R1AV R2R4R3RP D DZTC+_ T1下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页R1AV R2R4R3RP DDZTC+_待待充充电电瓶瓶 T1下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页

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