氧化物半导体材料课件.ppt
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1、第第1111章章 氧化物半导体材料氧化物半导体材料1金属氧(族)化物和硫化物概述金属氧化物 复合氧化物;固溶体、杂多酸、混晶等复合氧化物;固溶体、杂多酸、混晶等金属氧化物催化剂的应用:催化烃类选择氧化(降解等)催化烃类选择氧化(降解等)金属氧化物在催化中的作用和功能 主催化剂、助催化剂、载体等主催化剂、助催化剂、载体等所用催化剂主要分三类:1 1)过渡金属氧化物过渡金属氧化物,2 2)金属氧化物金属氧化物,3 3)原态原态为金属,但其表面吸附氧形成氧化层为金属,但其表面吸附氧形成氧化层。金属硫化物:半导体型化合物。单、复合组分系。应用:加氢、异构和氢解等。2过渡金属氧(硫)化物的应用及类型A.
2、过渡金属氧(硫)化物的应用及其特点a.过渡金属氧(硫)化物的应用345I.I.金属氧化物催化剂金属氧化物催化剂主要是主要是VBVBVIIIVIII族和族和IBIB,IIBIIB族元素氧化物族元素氧化物II.II.催化剂催化剂多由两种或多种多由两种或多种氧化物组成氧化物组成III.III.氧化物氧化物具有半导体特性故为半导体催化剂具有半导体特性故为半导体催化剂IV.IV.这些氧化物应用与这些氧化物应用与氧化还原反应与过渡氧化还原反应与过渡金属电子特性有关金属电子特性有关。6b.过渡金属氧(硫)化物催化物的电子特性I.I.过渡金属氧化物中过渡金属氧化物中金属阳离子的金属阳离子的d d电子层容电子层
3、容易得到或失去,具有较强氧化还原性易得到或失去,具有较强氧化还原性II.II.过渡金属氧化物具有过渡金属氧化物具有半导体特性半导体特性。III.III.其中金属氧化物中的金属离子内层轨道保其中金属氧化物中的金属离子内层轨道保留原子轨道特性,留原子轨道特性,与外来轨道相遇时,可重新与外来轨道相遇时,可重新组合成新轨道,利于化学吸附组合成新轨道,利于化学吸附IV.IV.与过渡金属催化剂相比,金属氧化物催化剂与过渡金属催化剂相比,金属氧化物催化剂耐热、抗毒、光敏、热敏、杂质敏感,耐热、抗毒、光敏、热敏、杂质敏感,适于调变适于调变。7B.过渡金属氧(硫)化物催化物的结构类型a.M2O型和MO型氧化物I
4、.M2O型:Cu2O,CO加H2制甲醛 Ag2O8II.MO型:NaCl型:以离子键为主,金属与氧原子配位数以离子键为主,金属与氧原子配位数均是均是6 6,为正八面体结构,为正八面体结构。典型例子:TiO、VO、MnO、FeO、CoO。属立方晶系,低温下偏离理想结构变为三方或属立方晶系,低温下偏离理想结构变为三方或四方。四方。纤维锌矿型:金属离子与氧为四面体型结构,四金属离子与氧为四面体型结构,四个个M M2+2+-O-O2-2-不一定等价不一定等价。典型例子:ZnO、PdO、PtO、CuO、AgO、NbO。9b.M2O3型:C-M2O3型型:与萤石结构(CaF2)类似,取走其中1/4的O2-
5、。M3+配位数是6。典型例子:Mn2O3、Sc2O3、Y2O3、-Bi2O3(右图).刚玉型刚玉型:氧原子为六方密堆积,2/3八面体间隙被金属原子填充。M3+配位数是6,O2-配位数是4。典型例子:Fe2O3、V2O3、Cr2O3、Rh2O3、Ti2O310c.MO2型:萤石型萤石型:r(M4+)/r(O2-)较大,例子:ZrO2、HFO2、CeO2、ThO2、VO2。金红石型金红石型:r(M4+)/r(O2-)其次,例子:TiO2、VO2、CrO2、MoO2、WO2、MnO2等。硅石型硅石型:r(M4+)/r(O2-)最小,11d.M2O5型和MO3型:I.M2O5型型:V2O5,层状结构,
6、V5+被六个O2-包围但实际只有5个,成扭曲三角双锥 12II.MO3型型:WO3、MoO3、ReO3。13B、半导体分类:n-型半导体 ZnO;施主能级 提供电子的附加能级(靠近空带)p-型半导体 NiO;受主能级 空穴产生的附加能级(靠近价带)。145.2.2.n型和p型半导体生成A.n型半导体的生成a.含有过量金属原子的非化学计量化合物如:氧化锌中含过量锌 ZnO Zn+0.5O2,ZnO+H2 Zn+H2O15b.用高价离子取代晶格中的正离子c.通过向氧化物晶格间隙掺入颠覆性较小的杂质 如:ZnO中掺入Li,以生成Zn+,Li+16a.氧化物中正离子缺位的非化学计量化合物b.用低价正离
7、子取代晶格中的正离子c.向晶格中掺入电负性较大的间隙原子B.p型半导体的生成17n型半导体生成条件A)非化学计量比化合物中含有过量的金属原子或低价离子可生成n型半导体。B)氧缺位C)高价离子取代晶格中的正离子D)引入电负性小的原子。P型半导体生成条件A)非化学计量比氧化物中出现正离子缺位。B)用低价正电离子取代晶格中正离子。C)向晶格掺入电负性在的间隙原子。18化学吸附化学吸附A.受电子气体吸附(以受电子气体吸附(以O2为例)为例)(1)n型半导体型半导体O O2 2电负性大,容易夺导带电子,随氧压增大而电负性大,容易夺导带电子,随氧压增大而使导带中自由电子减少,导电率下降。另一方使导带中自由
8、电子减少,导电率下降。另一方面在表面形成的负电层不利于电子进一步转移,面在表面形成的负电层不利于电子进一步转移,结果是氧在表面吸附是有限的。结果是氧在表面吸附是有限的。(2)p型半导体型半导体O2相当于受主杂质,可接受满带的电子增加满相当于受主杂质,可接受满带的电子增加满带空穴量,随氧压的增加导电率增大,由于满带空穴量,随氧压的增加导电率增大,由于满带中有大量电子,因此吸附可一直进行,表面带中有大量电子,因此吸附可一直进行,表面吸附氧浓度较高吸附氧浓度较高19B.施电子气体吸附(以施电子气体吸附(以H2为例)为例)对于对于H2来说,不论在来说,不论在n型还是型还是p型氧化物上以型氧化物上以正离
9、子正离子(H+)吸附于表面,在表面形成正电荷,吸附于表面,在表面形成正电荷,起施主作用。起施主作用。20例:CO在NiO上氧化反应CO+1/2O2=CO2 H=272KJ/mol(1)O2在在NiO上发生吸附时,电导率由上发生吸附时,电导率由10-11-1cm-1上升为上升为10-7 -1cm-1。(2)测得测得O2转为转为O-吸时量热法测得微分吸附热为吸时量热法测得微分吸附热为41.8 kJ/mol,(3)测得测得CO在在NiO上微分吸附热是上微分吸附热是33.5kJ/mol,而,而在已经吸附了在已经吸附了O2的催化剂表面微分吸附热是的催化剂表面微分吸附热是293 kJ/mol。这表明这表明
10、CO与与NiO吸附不是一般的化学吸附而是化吸附不是一般的化学吸附而是化学反应。学反应。21CO在NiO上氧化反应机理Ni2+1/2 O2(g)Ni3+O-(吸)q吸=41.8kJ/molNi3+O-(吸)+CO(g)Ni2+CO2(吸)q吸=293kJ/molCO2(吸)CO2(g)q吸=-62.8kJ/mol1/2 O2(g)+CO(g)CO2(g)H=272kJ/mol2223氧化锌简介第三代半导体材料 禁带宽度:3.37eV纯氧化锌是N型半导体 又称宽禁带半导体或高温半导体 SiC,GaN,ZnO,AlN,金刚石 很多优异的性能 晶体中有填隙原子Zn和氧空位缺陷,锌是浅能级缺陷氧空位是深
11、能级缺陷ZnO的激子束缚能为60meV24氧化锌结构a.岩盐矿结构b.闪锌矿结构c.六方纤锌矿结构25氧化锌性能n 体积效应n 表面效应n 量子尺寸效应n 宏观量子隧道效应n 界面相关效应n 介电限域效应微粒分散在异质介质中由于微粒分散在异质介质中由于界面能的存在界面能的存在,引起体系介引起体系介电性能增强的现象。当微粒电性能增强的现象。当微粒的折射率和介质的折射率相的折射率和介质的折射率相差很大差很大,微粒表面和内部的微粒表面和内部的场强比入射场强显著增加场强比入射场强显著增加,引起的局部场强增加的现象引起的局部场强增加的现象就是介电限域效应。这种纳就是介电限域效应。这种纳米微粒的介电限域效
12、应对材米微粒的介电限域效应对材料的光吸收、光学非线性、料的光吸收、光学非线性、光化学性能等有非常重要的光化学性能等有非常重要的影响。影响。26氧化锌掺杂氧化锌掺杂压电性能 光学性能 气敏特性 电学性能 催化性能目的:改善性能杂质:稀土、铝、锡、氮、铜、银27+AZO、GZO、IZO最常见,为N型掺杂+另外,掺B,掺N、P、As、Sb等V族元素,掺Mo等VI族元素,掺F等VII族元素以及La系元素的N型掺杂均有研究,我们可以从这里得到一些启发,掺杂一种或多种元素来提高薄膜性能。+对于P型掺杂:掺IA族(Li、Na、K),IB族(Au、Ag、Cu),N、P、As、Sb等V族元素对ZnO中O的替换(
13、掺杂),H辅助掺杂,施主受主共掺杂(Al-N,Ga-N,In-N),以及双受主共掺杂。28+能带工程主要通过合金化来实现,对于ZnO有两种途径:ZnO与等价态的MO(M=Mg,Be,Cd)混溶实现ZnMO。ZnO与锌硫族化合物ZnX(X=S,Se)混溶实现ZnOX。+三元合金一般有两种晶体结构相同或相似化合物混溶得到,若两种晶体化合物禁带类型一致,则可实现禁带近似线性调制,若不一致则分段近似。化合物化合物晶体结构晶体结构晶格常数晶格常数A禁带宽度禁带宽度eVZnO纤锌矿a=3.249,c=5.2063.2MgO岩盐4.227.9CdO岩盐4.692.7BeO纤锌矿a=2.698,c=3.381
14、0.6ZnS纤锌矿a=3.814,c=6.2573.8闪锌矿4.0463.6ZnSe纤锌矿a=0.4,c=6.542.67闪锌矿5.6672.5829纳米氧化锌的应用30 n 用于制作气敏材料n 用于制作压电材料纳米ZnO 的传感原理是利用其电学性能,利用其电阻随周围气氛中气体组成的改变而改变的特点,用于对气体进行定性和定量测定、制备气体报警器和温度计等。31气敏传感材料及压电材料n 用于制作气敏传感器ZnO 是一种既具半导体性能又有是一种既具半导体性能又有压电性能的新型材料,这一优点使压电性能的新型材料,这一优点使得得ZnO 具备一些其他材料无可比拟具备一些其他材料无可比拟的独特功能。近年来
15、应用的独特功能。近年来应用ZnO 制备制备了一种新兴器件了一种新兴器件纳米发电机。纳米发电机。n 用于制作压电器件32ZnO拥有宽禁带、高激子束缚能、高强度、高硬度和比TiO2 更大的电子迁移率,使得它很适合于DSSC。并且一维纳米氧化锌是单晶,无晶界等对传输电子的损耗,自由电子更容易漂移到导电玻璃上,所以用一维纳米氧化锌阵列替代TiO2可以在很大程度上提高电子的传输效率n 染料敏化太阳能电池n 场效应管太阳能电池及场效应管33n 相染料敏化太阳能电池n 场效应管太阳能电池和场效应管ZnO具有良好的稳定性、高热导率、小介电常数、低电子亲和势、高迁移率和高击穿电压,非常适合作为场发射阴极材料。已
16、成功应用于制作场效应晶体管34n 荧光体n 隐身技术纳米ZnO 是在低压电子射线下唯一可发荧光的物质,光色为蓝色和红色。隐身技术雷达波吸收材料雷达波吸收材料(简称吸波材料)指能有效地吸收入射雷达波并使其入射衰减的一类功能材料。利用等离子共振频移随颗粒尺寸变化的性质,可以改变颗粒尺寸,控制吸收边的位移,制造具有一定频宽的微波吸收纳米材料352 纺织和日化工业 纳米氧化锌无毒、无味,对皮肤无刺激性,不分解,不变质,热稳定性好,本身为白色。且纳米氧化锌在阳光或紫外线照射下,在水和空气(氧气)中,能自行分解出自由移动的带负电的电子(e-),同时留下带正电的空穴(H+)。这种空穴可以激活空气中的氧变为活
17、性氧,有极强的化学活性,能与多数有机物发生氧化反应(包括细菌在内的有机物),从而把大多数病菌和病毒杀死。纳米氧化锌吸收紫外线的能力强,对UVA(长波320400 nm)和UVB(中波280320 nm)均有屏蔽作用。可用于制造长期卧床病人和医院的消臭敷料、绷带、尿布、睡衣、窗帘及厕所以及防晒剂和抗菌剂。362 纺织和日化工业食品级纳米氧化锌食品级纳米氧化锌在合于优良制造过程或喂食过程前提下,一般被认为安全的食物添加物。锌广泛存在于活体中,也是人体含量最多的微量金属元素,所有生物皆需要锌,而锌是所有细胞成分之一,以作为许多基本酵素系统的共同因子(Cofactor)。每天锌需求量成人建议要有15m
18、g,而哺乳中母亲则要有25mg。纳米氧化锌因其粒径细度为纳米级别,更容易被人体吸收。同时纳米氧化锌具有广谱(UVA和UVB)的抗紫外线能力和抗菌、杀菌功能。加入到食品中可以抗菌、杀菌、保持食品新鲜,延缓食物变质。372 纺织和日化工业医药级纳米氧化锌医药级纳米氧化锌纳米氧化锌具有温和收敛及杀菌作用,可用于以下皮肤疾病及感染治疗:如湿疹小脓疹(impetigo)、轮癣(Ingworm)、静脉肿性溃疡、搔痒症及乾癣(Psoriasis)。383 陶瓷和玻璃工业 陶瓷工业陶瓷工业加有纳米加有纳米ZnO 的陶瓷制品具有抗菌的陶瓷制品具有抗菌除臭和分解有机物的自洁作用除臭和分解有机物的自洁作用,且降且降
19、低了陶瓷的烧成温度低了陶瓷的烧成温度,覆盖力强覆盖力强,使陶使陶瓷制品光亮如镜。经过纳米氧化锌抗瓷制品光亮如镜。经过纳米氧化锌抗菌处理过的产品可制浴缸、地板砖、菌处理过的产品可制浴缸、地板砖、墙壁、卫生间及桌石。墙壁、卫生间及桌石。393 陶瓷和玻璃工业玻璃工业玻璃工业纳米ZnO 对紫外线吸收率可达95%以上,却可透过大于或等于85%的可见光。因此,可以用于汽车玻璃和建筑用玻璃,这种含纳米ZnO 的玻璃在屏蔽紫外线的同时,还可以杀菌,从而也是自洁玻璃。404 橡胶、涂料工业 涂料工业涂料工业借助于传统的涂层技术,添加纳米材料,可进一步提高涂料防护能力,实现防紫外线照射、耐大气侵害和抗降解、变色
20、等。纳米氧化锌可以明显地提高涂料的耐老化性能,可作为涂料的抗老化添加剂。414 橡胶、涂料工业橡胶工业橡胶工业 橡胶工业是氧化锌消费的大户。高速耐磨的橡胶制品,如飞机轮胎、高级轿车用的轮胎等就是使用ZnO 做填充料,它能使橡胶制品抗摩擦着火,使用寿命长,难以老化。目前,普通氧化锌已逐渐被活性ZnO 取代。42The morphology of TiO243TiO2 Spheres4445涂料化妆品等方面的应用涂料化妆品等方面的应用陶瓷方面的应用陶瓷方面的应用异色效应颜料方面的应用异色效应颜料方面的应用超亲水效应方面的应用超亲水效应方面的应用纳米纳米TiO2在环境方面的应用在环境方面的应用在太阳
21、能利用方面的应用在太阳能利用方面的应用在传感器方面的应用在传感器方面的应用46 1972年,年,Fujishima 在在 n-型半导体型半导体TiO2电极上发现了水的光催化电极上发现了水的光催化分解作用,从而开辟了分解作用,从而开辟了半导体光催化这一新的领域半导体光催化这一新的领域。1977年,发现光照条件下,年,发现光照条件下,TiO2对丙烯环氧化具有光催化活性,对丙烯环氧化具有光催化活性,拓宽了光催化应用范围,拓宽了光催化应用范围,为有机物氧化反应提供了一条新思路为有机物氧化反应提供了一条新思路。此后,光催化技术在环保、卫生保健、有机合成等方面的应用研此后,光催化技术在环保、卫生保健、有机
22、合成等方面的应用研究发展迅速,半导体光催化成为国际上最活跃的研究领域之一。究发展迅速,半导体光催化成为国际上最活跃的研究领域之一。光催化除纯化空气和水外,在杀灭细菌和病毒类微生物、癌光催化除纯化空气和水外,在杀灭细菌和病毒类微生物、癌细胞失活,消除异味,产氢,固氮,捕获石油泄漏等方面细胞失活,消除异味,产氢,固氮,捕获石油泄漏等方面也有广泛的应用。也有广泛的应用。47钛为钛为地地壳壳元素中的第四大元素,元素中的第四大元素,TiO2为为n-型型半导体半导体,自然界中,自然界中TiO2存在锐钛矿存在锐钛矿(A-type)、金、金红红石石(R-type)及及板钛矿板钛矿(B-type),TiO2是一
23、种半导体氧化物,化学稳定性好是一种半导体氧化物,化学稳定性好(耐酸碱和光化学腐蚀耐酸碱和光化学腐蚀),无毒,廉价,原料来源丰富。无毒,廉价,原料来源丰富。TiO2在紫外光激发会产生电子空穴对,锐钛型在紫外光激发会产生电子空穴对,锐钛型TiO2激发需要激发需要3.2 eV的能量,对应于的能量,对应于380 nm左右的波长。左右的波长。光催化活性高光催化活性高(吸收紫外光性能强;能隙大,光生电子的还原性和吸收紫外光性能强;能隙大,光生电子的还原性和和空穴的氧化性强和空穴的氧化性强)。广泛应用于水纯化,废水处理,有毒污水控制,空气净化,杀菌广泛应用于水纯化,废水处理,有毒污水控制,空气净化,杀菌消毒
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