第5章-光刻技术课件.ppt

1、1一、光刻材料及设备一、光刻材料及设备二、光刻工艺二、光刻工艺三、刻蚀工艺三、刻蚀工艺四、光刻质量检测四、光刻质量检测第第5章章 光刻技术光刻技术2 光刻是一种将图像复印同刻蚀相结合的综合性技术。先光刻是一种将图像复印同刻蚀相结合的综合性技术。先用照像复印的方法，将光刻掩膜的图形精确的复印到涂覆在用照像复印的方法，将光刻掩膜的图形精确的复印到涂覆在介质（多晶硅、氮化硅、二氧化硅、铝等介质薄层）表面上介质（多晶硅、氮化硅、二氧化硅、铝等介质薄层）表面上的光致抗蚀剂（光刻胶）上面。然后，在光致抗蚀剂的保护的光致抗蚀剂（光刻胶）上面。然后，在光致抗蚀剂的保护下对待刻材料进行选择性刻蚀，从而在待刻蚀材

2、料上得到所下对待刻材料进行选择性刻蚀，从而在待刻蚀材料上得到所需的图形。集成电路的制造过程中需要经过许多次的光刻，需的图形。集成电路的制造过程中需要经过许多次的光刻，所以，光刻环节的质量是影响集成电路性能、成品率以及可所以，光刻环节的质量是影响集成电路性能、成品率以及可靠性的关键因素之一。靠性的关键因素之一。3光刻胶光刻胶 光刻胶（光刻胶（PR）也叫光致抗蚀剂，受到光照后其特性会）也叫光致抗蚀剂，受到光照后其特性会发生改变。可用来将掩膜版上的图形转移到基片上，也可作发生改变。可用来将掩膜版上的图形转移到基片上，也可作为后序工艺时的保护膜。光刻胶有正胶和负胶之分，正胶经为后序工艺时的保护膜。光刻

3、胶有正胶和负胶之分，正胶经过曝光后，受到光照的部分会变得容易溶解，经过显影处理过曝光后，受到光照的部分会变得容易溶解，经过显影处理之后被溶解，只留下光未照射的部分形成图形；而负胶和正之后被溶解，只留下光未照射的部分形成图形；而负胶和正胶恰恰相反。胶恰恰相反。41.光刻胶组成光刻胶组成（1）感光剂，感光剂是光刻胶的核心部分，曝光时间、光）感光剂，感光剂是光刻胶的核心部分，曝光时间、光源所发射光线的强度都根据感光剂的特性选择决定的；源所发射光线的强度都根据感光剂的特性选择决定的；（2）增感剂，增感剂，感光剂的感光速度都较慢，生产上效率太感光剂的感光速度都较慢，生产上效率太低，因此向光刻胶中添加了提

4、高感光速度的增感剂；低，因此向光刻胶中添加了提高感光速度的增感剂；（3）聚合树脂，聚合树脂用来将其它材料聚合在一起的粘）聚合树脂，聚合树脂用来将其它材料聚合在一起的粘合剂，光刻胶的粘附性、胶膜厚度等都是树脂给的；合剂，光刻胶的粘附性、胶膜厚度等都是树脂给的；（4）溶剂，感光剂和增感剂都是固态物质，为了方便均匀）溶剂，感光剂和增感剂都是固态物质，为了方便均匀的涂覆，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态物质。的涂覆，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态物质。52.光刻胶的物理特性光刻胶的物理特性（1）分辨率，是指光刻胶可再现图形的最小尺寸；）分辨率，是指光刻胶可再现图形的最小尺寸；（2）对比度，是指光

5、刻胶对光照区与非光照区间的过渡；）对比度，是指光刻胶对光照区与非光照区间的过渡；（3）灵敏度，是光刻胶要形成良好的图形所需入射光的最）灵敏度，是光刻胶要形成良好的图形所需入射光的最低能量；低能量；（4）粘滞性，与时间有关，光刻胶中的溶剂挥发会使粘滞）粘滞性，与时间有关，光刻胶中的溶剂挥发会使粘滞性增加；性增加；（5）粘附性，粘附性是指光刻胶与基片之间的粘着强度；）粘附性，粘附性是指光刻胶与基片之间的粘着强度；（6）抗蚀性，化学稳定性一定要很高，能抵抗各种腐蚀。）抗蚀性，化学稳定性一定要很高，能抵抗各种腐蚀。6光刻掩膜版光刻掩膜版 掩膜版质量的优劣直接影响光刻图形的质量。在掩膜版质量的优劣直接影

6、响光刻图形的质量。在IC制造制造中需要经过多次光刻，每次光刻都需要一块掩膜版，每块掩中需要经过多次光刻，每次光刻都需要一块掩膜版，每块掩膜版都会影响光刻质量，光刻次数越多，成品率就越低。所膜版都会影响光刻质量，光刻次数越多，成品率就越低。所以，要有高的成品率，就必须制作出品质优良的掩膜版，而以，要有高的成品率，就必须制作出品质优良的掩膜版，而且一套掩膜版中的各快掩膜版之间要能够相互精确的套准。且一套掩膜版中的各快掩膜版之间要能够相互精确的套准。71.掩膜版的制备流程掩膜版的制备流程 掩膜版有铬版掩膜版有铬版(chrome)、超微粒干版、氧化铁版等，、超微粒干版、氧化铁版等，主要为基板和不透光材

7、料。以下是基本的制造流程：主要为基板和不透光材料。以下是基本的制造流程：（1）制备空白版，常见的空白版有铬版、氧化铁版、超微）制备空白版，常见的空白版有铬版、氧化铁版、超微粒干版三种；粒干版三种；（2）数据转换，将）数据转换，将IC版图经过分层、运算、格式等步骤转版图经过分层、运算、格式等步骤转换为制版设备所知的数据形式；换为制版设备所知的数据形式；（3）刻画，利用电子束或激光等通过原版对空白版进行曝）刻画，利用电子束或激光等通过原版对空白版进行曝 光，将图形转移到光刻胶上，即刻画；光，将图形转移到光刻胶上，即刻画；8（4）形成图形，对铬膜、氧化铁膜或明胶等进行刻蚀，形）形成图形，对铬膜、氧化

8、铁膜或明胶等进行刻蚀，形成图形，最后除去残胶；成图形，最后除去残胶；（5）检测与修补，测量关键尺寸，检测针孔或残余遮光膜）检测与修补，测量关键尺寸，检测针孔或残余遮光膜等缺陷并对其进行修补；等缺陷并对其进行修补；（6）老化与终检，在）老化与终检，在200300的温度下烘烤几个小的温度下烘烤几个小时，对其进行老化。时，对其进行老化。9 2.掩膜版的质量要求掩膜版的质量要求（1）图形尺寸要精确，间距符合要求，而且不能发生畸变；）图形尺寸要精确，间距符合要求，而且不能发生畸变；（2）各块掩膜版间要能够精确地套准，对准误差尽可能小；）各块掩膜版间要能够精确地套准，对准误差尽可能小；（3）图形边缘清晰，

9、过渡小，无毛刺，透光区与遮光区的）图形边缘清晰，过渡小，无毛刺，透光区与遮光区的反差要大；反差要大；（4）掩膜版的表面光洁度要达到一定的要求，无划痕、针）掩膜版的表面光洁度要达到一定的要求，无划痕、针孔、小岛等缺陷，掩膜版还要坚固耐磨、不易变形。孔、小岛等缺陷，掩膜版还要坚固耐磨、不易变形。103.几种掩膜版几种掩膜版 常见的传统掩膜版有乳胶掩膜版、硬面铬膜掩膜版以及常见的传统掩膜版有乳胶掩膜版、硬面铬膜掩膜版以及抗反射铬膜掩膜版三种。抗反射铬膜掩膜版三种。乳胶掩膜版是在玻璃衬底上涂覆一层光乳胶掩膜版是在玻璃衬底上涂覆一层光敏乳胶，再经过图形转移而成；敏乳胶，再经过图形转移而成；硬面铬膜掩膜版

10、是在石英玻璃上溅射硬面铬膜掩膜版是在石英玻璃上溅射一层厚约一层厚约60nm左右的铬膜，再经过图形左右的铬膜，再经过图形转移而成；转移而成；11 为了提高掩膜版的分辨率、降低掩膜为了提高掩膜版的分辨率、降低掩膜版对光的反射，在硬面铬膜掩膜版的铬膜版对光的反射，在硬面铬膜掩膜版的铬膜上增加了一层厚约上增加了一层厚约20nm的氧化铬膜，这的氧化铬膜，这种就是抗反射铬膜掩膜版。种就是抗反射铬膜掩膜版。此外，还有将掩膜版与此外，还有将掩膜版与wafer合二为一的复合掩膜版，合二为一的复合掩膜版，也叫原位掩膜版；在传统掩膜版的基础上增加了相移层的相也叫原位掩膜版；在传统掩膜版的基础上增加了相移层的相移掩膜

11、版；移掩膜版；X射线掩膜版等不同类型的掩膜版射线掩膜版等不同类型的掩膜版。12光刻对准曝光方式光刻对准曝光方式 光刻对准曝光的发展经历了五个阶段，接触式曝光、接光刻对准曝光的发展经历了五个阶段，接触式曝光、接近式曝光、投影式曝光、扫描投影式曝光以及步进扫描投影近式曝光、投影式曝光、扫描投影式曝光以及步进扫描投影曝光。曝光。接触式曝光是最早期的光刻机，结构简单，生产效率接触式曝光是最早期的光刻机，结构简单，生产效率高，曝光时掩膜版和高，曝光时掩膜版和wafer上的光刻胶直接接触。接近式曝上的光刻胶直接接触。接近式曝光，掩膜版与光，掩膜版与wafer之间约有之间约有2.5 25m 的距离。投影的距

12、离。投影式曝光，接触式和接近式曝光由于污染、衍射、分辨率等问式曝光，接触式和接近式曝光由于污染、衍射、分辨率等问题都已不再使用，投影式曝光仍然广泛使用。投影式曝光又题都已不再使用，投影式曝光仍然广泛使用。投影式曝光又 分为扫描投影曝光和步进扫描曝光。分为扫描投影曝光和步进扫描曝光。131415 步进投影曝光方式有很多优点，掩模版寿命加长、掩步进投影曝光方式有很多优点，掩模版寿命加长、掩模制造简单、分辨率高，但对环境的要求非常高，微小的模制造简单、分辨率高，但对环境的要求非常高，微小的振动都会影响曝光精度；而且光路复杂，设备昂贵。振动都会影响曝光精度；而且光路复杂，设备昂贵。16非光学曝光非光学

13、曝光1.电子束曝光电子束曝光 由于电子束在电磁场的作用由于电子束在电磁场的作用下可以聚焦、偏转一定的角度，下可以聚焦、偏转一定的角度，所以，电子束曝光是很重要的曝所以，电子束曝光是很重要的曝光方法。目前，最有应用前途的光方法。目前，最有应用前途的是限角度投影式电子束光刻。限是限角度投影式电子束光刻。限角度投影式电子束光刻利用散射角度投影式电子束光刻利用散射式掩膜版通过步进扫描光刻机进式掩膜版通过步进扫描光刻机进 行缩小投影式曝光。行缩小投影式曝光。17 这种曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工艺容限这种曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工艺容限大，而且生产效率高，但由于电子束在光刻胶膜内的散射

14、，大，而且生产效率高，但由于电子束在光刻胶膜内的散射，使得图案的曝光剂量会受到临近图案曝光剂量的影响（即临使得图案的曝光剂量会受到临近图案曝光剂量的影响（即临近效应），造成的结果是，显影后，线宽有所变化或图形畸近效应），造成的结果是，显影后，线宽有所变化或图形畸变。虽然如此，限角度投影式电子束光刻仍是目前最具前景变。虽然如此，限角度投影式电子束光刻仍是目前最具前景的非光学光刻的非光学光刻。182.X射线曝光射线曝光 X射线曝光选用的是特殊材质的射线曝光选用的是特殊材质的X射线掩膜版。射线掩膜版。X射线射线经过专用掩膜版投射到经过专用掩膜版投射到wafer上，与光刻胶作用达到曝光的上，与光刻胶作

15、用达到曝光的效果。效果。X射线的衍射、反射、折射以及散射都很小，很适合射线的衍射、反射、折射以及散射都很小，很适合亚微米尺寸的曝光。其优点有：分辨率高，可实现纳米工亚微米尺寸的曝光。其优点有：分辨率高，可实现纳米工艺；对于小尺寸工艺，其衍射现象可以忽略；穿透力强，不艺；对于小尺寸工艺，其衍射现象可以忽略；穿透力强，不会污染会污染wafer等。缺点是光刻机以及掩膜版制作麻烦；等。缺点是光刻机以及掩膜版制作麻烦；wafer对准比较困难；对准比较困难；X射线能量太高，会使掩膜版热膨胀射线能量太高，会使掩膜版热膨胀 变形等。变形等。X射线曝光的发展空间也很大。射线曝光的发展空间也很大。193.离子束曝

16、光离子束曝光 离子束曝光是将聚焦后的离子束投影到光刻胶上达到曝离子束曝光是将聚焦后的离子束投影到光刻胶上达到曝光的目的。离子束和电子束同样具有很高的分辨率，而且因光的目的。离子束和电子束同样具有很高的分辨率，而且因为离子的质量比电子大，所以在光刻胶中的散射要比电子束为离子的质量比电子大，所以在光刻胶中的散射要比电子束弱的多，可达到弱的多，可达到50nm的高分辨率。的高分辨率。20光刻工艺光刻工艺 光刻工艺的过程非常复杂，整个过程包括底膜处理、涂光刻工艺的过程非常复杂，整个过程包括底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀以及去胶七个步骤。胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀以及去胶七个步骤。1.

17、底膜处理底膜处理 底膜处理是光刻工艺的第一步，主要目的处理底膜处理是光刻工艺的第一步，主要目的处理wafer表表面，以增强面，以增强wafer与光刻胶之间的粘附性。与光刻胶之间的粘附性。Wafer制造过制造过程中许多问题都是由于表面污染和缺陷造成的，程中许多问题都是由于表面污染和缺陷造成的，wafer表面表面的处理对于成品率是相对重要的。的处理对于成品率是相对重要的。21 底膜处理包括以下步骤：底膜处理包括以下步骤：（1）清洗）清洗 洁净、干燥的表面才能与光刻胶良好接触。洁净、干燥的表面才能与光刻胶良好接触。wafer表面表面的杂质会影响光刻胶的粘附，进入曝光区之前，要清洗掉表的杂质会影响光刻

18、胶的粘附，进入曝光区之前，要清洗掉表面的杂质颗粒、表面沾污以及自然氧化层等。面的杂质颗粒、表面沾污以及自然氧化层等。（2）烘干）烘干 Wafer表面的水汽会影响光刻胶的粘附性，所以需将表面的水汽会影响光刻胶的粘附性，所以需将其表面烘烤干燥。通常是在真空或充满氮气温度高达其表面烘烤干燥。通常是在真空或充满氮气温度高达200 的烘箱内干燥以除掉水汽。的烘箱内干燥以除掉水汽。22（3）增粘处理）增粘处理 增粘的作用是增强增粘的作用是增强wafer与光刻胶之间的粘着力，增与光刻胶之间的粘着力，增粘剂有二甲基二氯硅烷和六甲基硅亚胺，增粘剂的涂覆有粘剂有二甲基二氯硅烷和六甲基硅亚胺，增粘剂的涂覆有旋转法和

19、气相法两种方法。旋转法和气相法两种方法。232.涂胶涂胶 涂胶就是将光刻胶均匀的涂覆在涂胶就是将光刻胶均匀的涂覆在wafer表面。光刻胶表面。光刻胶的涂覆有滴涂法和自动喷涂法两种，前者在工艺和设备上的涂覆有滴涂法和自动喷涂法两种，前者在工艺和设备上都比较简单，所以使用也比较广泛。都比较简单，所以使用也比较广泛。（1）涂胶步骤）涂胶步骤 滴胶滴胶 旋转铺开旋转铺开 甩胶甩胶 溶剂挥发溶剂挥发24（2）胶膜质量要求）胶膜质量要求 涂覆在基片上的光刻胶涂覆在基片上的光刻胶应符合以下要求：胶膜的厚应符合以下要求：胶膜的厚度应符合要求；膜厚均匀；度应符合要求；膜厚均匀；在胶膜表面看不到干涉花在胶膜表面看

20、不到干涉花纹；光刻胶膜内应无针孔、纹；光刻胶膜内应无针孔、回溅斑等缺陷；膜层表面应回溅斑等缺陷；膜层表面应无颗粒污染。无颗粒污染。253.前烘前烘 涂胶完成后，仍有一定量的溶剂残存在胶膜内，需要进涂胶完成后，仍有一定量的溶剂残存在胶膜内，需要进行前烘。前烘的主要目的有：使胶膜内的溶剂挥发，增加光行前烘。前烘的主要目的有：使胶膜内的溶剂挥发，增加光刻胶与衬底间的粘附性、光吸收以及抗腐蚀能力；缓和涂胶刻胶与衬底间的粘附性、光吸收以及抗腐蚀能力；缓和涂胶过程中胶膜内产生的应力等。过程中胶膜内产生的应力等。4.曝光曝光 曝光时，使掩膜版与涂上光刻胶的基片对准，用光源经曝光时，使掩膜版与涂上光刻胶的基片

21、对准，用光源经过掩膜版照射基片，使接受光照的光刻胶的光学特性发生变过掩膜版照射基片，使接受光照的光刻胶的光学特性发生变 化，达到曝光的目的。化，达到曝光的目的。26 曝光有光学曝光和非光学曝光两大类，详细的又有接触曝光有光学曝光和非光学曝光两大类，详细的又有接触式曝光、接近式曝光、投影式曝光、式曝光、接近式曝光、投影式曝光、X射线曝光、电子束曝射线曝光、电子束曝光、离子束曝光等。光、离子束曝光等。（1）曝光光源）曝光光源 常用的光学曝光光源是紫外光，常用的光学曝光光源是紫外光，根据紫外光的波长有紫外光、深紫根据紫外光的波长有紫外光、深紫外光、极深紫外光三种。其它先进外光、极深紫外光三种。其它先

22、进的或有特殊应用的曝光光源有的或有特殊应用的曝光光源有X射射 线、电子束和离子束。线、电子束和离子束。27（2）对准）对准 对准是掩膜版与光刻机之间的对准，二者均刻有对准标对准是掩膜版与光刻机之间的对准，二者均刻有对准标记，使标记对准即可达到掩膜版与光刻机的对准。对准就是记，使标记对准即可达到掩膜版与光刻机的对准。对准就是确定确定wafer上图形的位置、方向和变形的过程，然后利用这上图形的位置、方向和变形的过程，然后利用这些数据与掩膜版建立正确的关系。对准必须快速、重复以及些数据与掩膜版建立正确的关系。对准必须快速、重复以及精确。对准的结果用套准精度来衡量。套准容差说明了要形精确。对准的结果用

23、套准精度来衡量。套准容差说明了要形成的图形层与前图形层间的最大相对位移。成的图形层与前图形层间的最大相对位移。28 对准标记是对准标记是wafer和掩膜版上用来确定它们的位置和方和掩膜版上用来确定它们的位置和方向的可见图形，它可能是掩膜版上的一根或多根线，也可能向的可见图形，它可能是掩膜版上的一根或多根线，也可能是某种形状。是某种形状。29（3）曝光质量）曝光质量 曝光质量是影响光刻胶与曝光质量是影响光刻胶与wafer表面粘附性的重要因素表面粘附性的重要因素之一。曝光量过度的正胶，由于，感光剂反应不充分，显影之一。曝光量过度的正胶，由于，感光剂反应不充分，显影时聚合物会发生膨胀，从而引起图形畸

24、变，严重时部分图形时聚合物会发生膨胀，从而引起图形畸变，严重时部分图形会被溶解；曝光量不足的正胶不能彻底显影，会产生底膜，会被溶解；曝光量不足的正胶不能彻底显影，会产生底膜，使待刻蚀的膜层刻蚀不净。而负胶正好相反。使待刻蚀的膜层刻蚀不净。而负胶正好相反。生产中影响曝光量的因素有：光刻胶对光的吸收、光反生产中影响曝光量的因素有：光刻胶对光的吸收、光反射、射、临近效应。临近效应。30驻波引起的驻波引起的不均匀曝光不均匀曝光 底部底部抗反射涂层抗反射涂层31 顶部顶部抗反射涂层抗反射涂层临近效应临近效应32（4）曝光后烘烤）曝光后烘烤 曝光后的曝光后的wafer需要进行短时间的烘烤（需要进行短时间的

25、烘烤（PEB），其），其目的是提高光刻胶的粘附性和减少驻波。烘烤的温度均匀性目的是提高光刻胶的粘附性和减少驻波。烘烤的温度均匀性和时间是影响光刻胶的重要因素。和时间是影响光刻胶的重要因素。烘烤有两个作用，一是减少了光刻胶中溶剂的含量，从烘烤有两个作用，一是减少了光刻胶中溶剂的含量，从曝光前的曝光前的7%4%减少到减少到5%2%。其最大的好处是减。其最大的好处是减少了驻波的影响，由于高温导致感光剂在光刻胶中扩散，使少了驻波的影响，由于高温导致感光剂在光刻胶中扩散，使得曝光区与非曝光区的边界变得比较均匀。得曝光区与非曝光区的边界变得比较均匀。33345.显影显影 显影就是用显影液溶解掉不需要的光刻

26、胶，将掩膜版上显影就是用显影液溶解掉不需要的光刻胶，将掩膜版上的图形转移到光刻胶上。常见的显影问题有显影不足、不完的图形转移到光刻胶上。常见的显影问题有显影不足、不完全显影全显影以及过以及过显影三显影三种。种。35（1）显影方法）显影方法 显影主要有连续喷雾式显影和旋涂浸没式显影两种方显影主要有连续喷雾式显影和旋涂浸没式显影两种方法。连续喷雾式显影类似光刻胶的喷涂法，其优点是无污法。连续喷雾式显影类似光刻胶的喷涂法，其优点是无污染，但均匀度较差，而且显影液的用量比较大。近年来，已染，但均匀度较差，而且显影液的用量比较大。近年来，已逐渐被旋涂浸没式显影法所代替。旋涂与喷雾式使用的基本逐渐被旋涂浸

27、没式显影法所代替。旋涂与喷雾式使用的基本设备相同。不同的是喷涂到设备相同。不同的是喷涂到wafer上的显影液会停留足够的上的显影液会停留足够的时间。旋涂浸没式显影使用很少的显影液，而且由于每片时间。旋涂浸没式显影使用很少的显影液，而且由于每片wafer都使用新的显影液，所以，都使用新的显影液，所以，wafer间的均匀性很高。间的均匀性很高。36喷喷雾雾式式显显影影（2）工艺参数）工艺参数 在显影工艺中，下列几在显影工艺中，下列几个关键工艺参数必须严加控个关键工艺参数必须严加控制：显影温度、显影时间、制：显影温度、显影时间、显影液剂量、清洗、排风、显影液剂量、清洗、排风、Wafer吸盘稳定性。吸

28、盘稳定性。376.坚膜坚膜 坚膜就是对显影后的基片进行烘烤，坚膜的目的是使坚膜就是对显影后的基片进行烘烤，坚膜的目的是使残留的光刻胶溶剂全部挥发，提高光刻胶与残留的光刻胶溶剂全部挥发，提高光刻胶与wafer表面的表面的粘附性以及光刻胶的抗腐蚀能力。使光刻胶能确实起到保粘附性以及光刻胶的抗腐蚀能力。使光刻胶能确实起到保护图形的作用，坚膜同时也除去了剩余的显影液和水。护图形的作用，坚膜同时也除去了剩余的显影液和水。坚膜的温度由光刻胶的生产商提供，操作时根据对粘坚膜的温度由光刻胶的生产商提供，操作时根据对粘附性和尺寸控制的要求进行相应调整。坚膜时间可以由几附性和尺寸控制的要求进行相应调整。坚膜时间可

29、以由几分钟到十几分钟不等，温度的时间都要合适。分钟到十几分钟不等，温度的时间都要合适。387.刻蚀刻蚀 为了获得真正的集成电路结构，必须将光刻胶上的图形为了获得真正的集成电路结构，必须将光刻胶上的图形转移到光刻胶下层的材料上，刻蚀就是来完成这一任务的。转移到光刻胶下层的材料上，刻蚀就是来完成这一任务的。刻蚀就是将涂胶前所淀积的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护刻蚀就是将涂胶前所淀积的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的部分除去。的部分除去。光刻胶的下层薄膜可能是二氧化硅、氮化硅、多晶硅以光刻胶的下层薄膜可能是二氧化硅、氮化硅、多晶硅以及各种金属材料中的一种，材料不同，刻蚀要求不同；图及各种金属材料中的一种

30、，材料不同，刻蚀要求不同；图形不同，也有不同的刻蚀要求。但刻蚀的正确性始终非常形不同，也有不同的刻蚀要求。但刻蚀的正确性始终非常重重 要，否则芯片无法工作。要，否则芯片无法工作。398.去胶去胶 光刻胶在光刻过程中作为从掩膜版到光刻胶在光刻过程中作为从掩膜版到wafer的图形转移的图形转移媒介以及刻蚀时不需刻蚀区域的保护膜。刻蚀完成后，光刻媒介以及刻蚀时不需刻蚀区域的保护膜。刻蚀完成后，光刻胶已经不再有用，需要彻底除掉，这一工序就是去胶，常用胶已经不再有用，需要彻底除掉，这一工序就是去胶，常用的去胶方法有溶剂去胶、氧化去胶以及等离子去胶三种。的去胶方法有溶剂去胶、氧化去胶以及等离子去胶三种。4

31、04142左边为负胶，右边为正胶左边为负胶，右边为正胶43刻蚀刻蚀1.刻蚀性能刻蚀性能 为了保证图形转移的准确性，刻蚀必须满足一些性能方为了保证图形转移的准确性，刻蚀必须满足一些性能方面的要求：面的要求：（1）刻蚀速率，刻蚀速率是指刻蚀过程中对待刻材料的腐）刻蚀速率，刻蚀速率是指刻蚀过程中对待刻材料的腐蚀速率，单位为蚀速率，单位为/min，刻蚀速率越高越好。刻蚀速率与，刻蚀速率越高越好。刻蚀速率与待刻材料、刻蚀图形、刻蚀机、待刻材料、刻蚀图形、刻蚀机、刻蚀剂以及刻蚀温度等有关。刻蚀剂以及刻蚀温度等有关。刻蚀速率为刻蚀厚度与刻蚀时刻蚀速率为刻蚀厚度与刻蚀时 间的比值。间的比值。44（2）刻蚀剖面

32、，刻）刻蚀剖面，刻蚀剖面是指刻蚀图形蚀剖面是指刻蚀图形的侧墙形状。各向同的侧墙形状。各向同性刻蚀会发生钻蚀，性刻蚀会发生钻蚀，这对分辨率有很大的这对分辨率有很大的影响，湿法刻蚀是各向同性刻蚀。各向异性刻蚀只在垂直与影响，湿法刻蚀是各向同性刻蚀。各向异性刻蚀只在垂直与基片表面的方向进行，可得到非常垂直的侧墙，高技术的集基片表面的方向进行，可得到非常垂直的侧墙，高技术的集成电路需要接近成电路需要接近90度的垂直侧墙，所以大多采用干法等离度的垂直侧墙，所以大多采用干法等离 子体实现各向异性刻蚀。子体实现各向异性刻蚀。45（3）刻蚀偏差，刻蚀偏差就是刻蚀后线宽与关键尺寸间距）刻蚀偏差，刻蚀偏差就是刻蚀

33、后线宽与关键尺寸间距的变化，的变化，Wb是刻蚀前光刻胶的线宽，是刻蚀前光刻胶的线宽，Wa是去胶后被刻材料是去胶后被刻材料的线宽，刻蚀偏差即为二者之差。的线宽，刻蚀偏差即为二者之差。46（4）选择比，选择比是两种不同材料的刻蚀速率比值，选）选择比，选择比是两种不同材料的刻蚀速率比值，选择比要高，即刻蚀时待刻材料的刻蚀速率远远大于不需刻蚀择比要高，即刻蚀时待刻材料的刻蚀速率远远大于不需刻蚀材料的刻蚀速率。材料的刻蚀速率。（5）刻蚀因子，刻蚀因子是刻蚀的深度和横向刻蚀量的比）刻蚀因子，刻蚀因子是刻蚀的深度和横向刻蚀量的比值。刻蚀因子越大，刻蚀的各向异性越好。值。刻蚀因子越大，刻蚀的各向异性越好。（6

34、）均匀性，要将较厚的薄膜刻蚀干净需要较长的时间，）均匀性，要将较厚的薄膜刻蚀干净需要较长的时间，这样就会使较薄处的薄膜刻蚀过渡；反之，则无法将较厚的这样就会使较薄处的薄膜刻蚀过渡；反之，则无法将较厚的薄膜刻蚀干净。为了获得完美的图形，要严格控制刻蚀的均薄膜刻蚀干净。为了获得完美的图形，要严格控制刻蚀的均匀性。匀性。472.湿法刻蚀湿法刻蚀 湿法刻蚀主要是借助刻蚀剂与待刻材料之间的化学反应湿法刻蚀主要是借助刻蚀剂与待刻材料之间的化学反应将待刻膜层溶解达到刻蚀的目的。湿法刻蚀的反应产物必须将待刻膜层溶解达到刻蚀的目的。湿法刻蚀的反应产物必须是气体或可溶于刻蚀剂的物质，否则会造成反应物的沉淀，是气体

35、或可溶于刻蚀剂的物质，否则会造成反应物的沉淀，影响刻蚀的正常进行。影响刻蚀的正常进行。刻蚀分三步进行：刻蚀剂扩散至待刻材料的表面；刻蚀刻蚀分三步进行：刻蚀剂扩散至待刻材料的表面；刻蚀剂与待刻材料反应；反应产物离开刻蚀表面扩散至溶液当剂与待刻材料反应；反应产物离开刻蚀表面扩散至溶液当中，随溶液被排出。中，随溶液被排出。48（1）硅的湿法刻蚀）硅的湿法刻蚀 单晶硅与多晶硅的刻蚀都是通过与硝酸和氢氟酸的混合单晶硅与多晶硅的刻蚀都是通过与硝酸和氢氟酸的混合溶剂反应来完成的。反应如下：溶剂反应来完成的。反应如下：（2）氮化硅的湿法刻蚀）氮化硅的湿法刻蚀 氮化硅化学性质比较稳定，通常利用氮化硅化学性质比较

36、稳定，通常利用180下浓度为下浓度为85%的磷酸来进行氮化硅的刻蚀。湿法刻蚀大多用于整层的磷酸来进行氮化硅的刻蚀。湿法刻蚀大多用于整层 氮化硅的去除，对于小面积刻蚀，通常选择干法刻蚀。氮化硅的去除，对于小面积刻蚀，通常选择干法刻蚀。2223424NOOHSiOHNOSiOHSiFHHFSiO26222649（3）二氧化硅的湿法刻蚀）二氧化硅的湿法刻蚀 典型的二氧化硅刻蚀剂是氟化铵与氢氟酸以典型的二氧化硅刻蚀剂是氟化铵与氢氟酸以6：1的体的体积比混合，它对氧化层的刻蚀速率约为积比混合，它对氧化层的刻蚀速率约为1000/min，其，其反应如下：反应如下：（4）铝的湿法刻蚀）铝的湿法刻蚀 铝刻蚀在生

37、产上常用的是经过加热的磷酸、硝酸、醋酸铝刻蚀在生产上常用的是经过加热的磷酸、硝酸、醋酸以及水的混合溶液，典型的比例是以及水的混合溶液，典型的比例是80：5：5：10。刻蚀反。刻蚀反应如下：应如下：OHSiFHHFSiO2622262342433262HPOHAlPOHAl50 湿法刻蚀设备简单、工艺操作方便，一般的常规生产湿法刻蚀设备简单、工艺操作方便，一般的常规生产均能满足要求。但各向同性刻蚀性太强，难以控制线宽，均能满足要求。但各向同性刻蚀性太强，难以控制线宽，而且刻蚀剂大多为腐蚀性较强的试剂，安全性较差。所而且刻蚀剂大多为腐蚀性较强的试剂，安全性较差。所以，已逐渐被干法刻蚀代替。以，已逐

38、渐被干法刻蚀代替。513.干法刻蚀干法刻蚀 干法刻蚀可分为物理性刻蚀和化学性刻蚀。干法刻蚀可分为物理性刻蚀和化学性刻蚀。物理性刻蚀是利用辉光放电使气体电离，再通过偏压使物理性刻蚀是利用辉光放电使气体电离，再通过偏压使正离子加速，溅击在待刻膜层表面，将待刻材料的原子击正离子加速，溅击在待刻膜层表面，将待刻材料的原子击出。这种刻蚀方向性好，可获得接近垂直的刻蚀侧墙；但因出。这种刻蚀方向性好，可获得接近垂直的刻蚀侧墙；但因为离子的溅击面太广，掩蔽层也遭到刻蚀，使得刻蚀选择性为离子的溅击面太广，掩蔽层也遭到刻蚀，使得刻蚀选择性降低；另外，被击出的是非挥发性物质，容易再次淀积，使降低；另外，被击出的是非

39、挥发性物质，容易再次淀积，使刻蚀速率降低。因此，目前很少单独使用。刻蚀速率降低。因此，目前很少单独使用。52 化学性刻蚀是利用等离子将刻蚀气体电离产生化学活性化学性刻蚀是利用等离子将刻蚀气体电离产生化学活性极强的原子（分子）团，此原子（分子）团扩散至待刻膜层极强的原子（分子）团，此原子（分子）团扩散至待刻膜层表面，与待刻材料反应生成挥发性物质，这些挥发性物质被表面，与待刻材料反应生成挥发性物质，这些挥发性物质被真空设备抽离排出。化学反应刻蚀的过程可分为以下几步：真空设备抽离排出。化学反应刻蚀的过程可分为以下几步：反应气体电离产生等离子体；等离子体扩散至待刻膜层表反应气体电离产生等离子体；等离子

40、体扩散至待刻膜层表面；等离子体与待刻材料反应；产物脱离表面排除。这种刻面；等离子体与待刻材料反应；产物脱离表面排除。这种刻蚀具有类似于湿法刻蚀的优缺点：选择比高但却是各向同性蚀具有类似于湿法刻蚀的优缺点：选择比高但却是各向同性刻蚀，线宽控制性差。刻蚀，线宽控制性差。53 最广泛使用的是将物理性刻蚀与化学性刻蚀结合在一起最广泛使用的是将物理性刻蚀与化学性刻蚀结合在一起的反应离子刻蚀（的反应离子刻蚀（RIE），这种刻蚀方法兼具各向异性以及），这种刻蚀方法兼具各向异性以及高选择比等优点。刻蚀主要依靠化学反应进行，以获得高选高选择比等优点。刻蚀主要依靠化学反应进行，以获得高选择比，加入离子撞击的作用有

41、：破坏待刻材料表面的原子择比，加入离子撞击的作用有：破坏待刻材料表面的原子键，加快刻蚀速率；将再次淀积在待刻膜层表面的反应产物键，加快刻蚀速率；将再次淀积在待刻膜层表面的反应产物打掉，保证反应的持续进行。反应离子刻蚀已成为干法刻蚀打掉，保证反应的持续进行。反应离子刻蚀已成为干法刻蚀的主流方向。的主流方向。54（1）干法刻蚀设备）干法刻蚀设备 桶式刻蚀系统桶式刻蚀系统55下游式刻蚀系统下游式刻蚀系统56反应离子刻蚀系统反应离子刻蚀系统57磁场增强反应离子刻蚀系统磁场增强反应离子刻蚀系统58感应感应耦合耦合式等式等离子离子体刻体刻蚀系蚀系 统统59（2）二氧化硅的干法刻蚀）二氧化硅的干法刻蚀 氧化

42、物的等离子体刻蚀工艺大多采用含有氟碳化合物的氧化物的等离子体刻蚀工艺大多采用含有氟碳化合物的气体进行刻蚀。气体进行刻蚀。242CFFCFOSiFFSiO244244SiFFSiCOSiFCFSiO22422CSiFCFSi224260向反应气氛中加入氧气可改变氧化硅的刻蚀速率与硅的刻蚀向反应气氛中加入氧气可改变氧化硅的刻蚀速率与硅的刻蚀速率比，当氧气浓度约为速率比，当氧气浓度约为2040%时，氧化硅的刻蚀速率时，氧化硅的刻蚀速率明显高于硅的刻蚀速率，明显高于硅的刻蚀速率，40%以后，二者的刻蚀速率又开以后，二者的刻蚀速率又开始接近。也可通过加入氢气来降低硅的刻蚀速率，氢气的浓始接近。也可通过加

43、入氢气来降低硅的刻蚀速率，氢气的浓度约为度约为40%时，硅的刻蚀速率几乎为时，硅的刻蚀速率几乎为0，而氧化硅的刻蚀速，而氧化硅的刻蚀速率确基本不受影响。率确基本不受影响。61（3）氮化硅的干法刻蚀）氮化硅的干法刻蚀 主要用于氮化硅刻蚀的气体是主要用于氮化硅刻蚀的气体是 和氧气、氮气的混合和氧气、氮气的混合气体，氧、氮是用来提高刻蚀选择比的。对氮化硅的刻蚀气体，氧、氮是用来提高刻蚀选择比的。对氮化硅的刻蚀速率可达到速率可达到1200/min，刻蚀选择比可高达，刻蚀选择比可高达20：1。另外用于氮化硅刻蚀的气体有另外用于氮化硅刻蚀的气体有 、和和 等。等。4SiF3NF3CHF4CF62（4）多晶

44、硅的干法刻蚀）多晶硅的干法刻蚀 多晶硅的刻蚀要有很好的选择比、刻蚀侧墙等。通常选多晶硅的刻蚀要有很好的选择比、刻蚀侧墙等。通常选用卤素气体，氯气可实现各向异性刻蚀而且有很好的选择用卤素气体，氯气可实现各向异性刻蚀而且有很好的选择比；溴基气体可得到比；溴基气体可得到100：1的选择比；而的选择比；而HBr与氯气、氧与氯气、氧气的混合气体，则可提高刻蚀速率。而且卤素气体与硅的反气的混合气体，则可提高刻蚀速率。而且卤素气体与硅的反应产物淀积在侧墙上，可起到保护作用，形成很好的刻蚀剖应产物淀积在侧墙上，可起到保护作用，形成很好的刻蚀剖面。面。63（5）金属的干法刻蚀）金属的干法刻蚀 金属刻蚀主要是互连

45、线及多层金属布线的刻蚀，刻蚀有金属刻蚀主要是互连线及多层金属布线的刻蚀，刻蚀有以下要求：高刻蚀速率（大于以下要求：高刻蚀速率（大于1000nm/min）；高选择）；高选择比；高的刻蚀均匀性；关键尺寸控制好；无等离子体损伤；比；高的刻蚀均匀性；关键尺寸控制好；无等离子体损伤；残留污染物少；不会腐蚀金属。残留污染物少；不会腐蚀金属。644.刻蚀检测刻蚀检测质量参数质量参数缺陷类型缺陷类型关键尺寸、偏差关键尺寸、偏差光刻胶线宽与刻蚀后图形的线宽存在过大的区别光刻胶线宽与刻蚀后图形的线宽存在过大的区别金属腐蚀金属腐蚀刻蚀后金属膜的侵蚀刻蚀后金属膜的侵蚀刻蚀后的侧墙污刻蚀后的侧墙污染物染物刻蚀后残留的侧

46、墙钝化物刻蚀后残留的侧墙钝化物污染物溅射到金属线条或通孔的侧墙上污染物溅射到金属线条或通孔的侧墙上65 刻蚀检查非常重要，任何微小的缺陷都可能使芯片报刻蚀检查非常重要，任何微小的缺陷都可能使芯片报废。最重要的检查是对特殊掩蔽层的检查，以确保关键尺寸废。最重要的检查是对特殊掩蔽层的检查，以确保关键尺寸 的正确。其它还有是否存在过刻蚀、欠刻蚀以及钻蚀等。的正确。其它还有是否存在过刻蚀、欠刻蚀以及钻蚀等。质量参数质量参数缺陷类型缺陷类型负载效应负载效应显微镜可见的不均匀刻蚀显微镜可见的不均匀刻蚀金属刻蚀后的短路金属刻蚀后的短路 刻蚀后金属线条的桥接导致短路刻蚀后金属线条的桥接导致短路刻蚀后的过多残留

47、刻蚀后的过多残留物物刻蚀后可能的的薄残留物；侵蚀残留物；栏杆状刻蚀后可能的的薄残留物；侵蚀残留物；栏杆状残留物；冠状残留物残留物；冠状残留物66光刻质量检测光刻质量检测 光刻的质量用分辨率、光刻精度以及缺陷密度等来衡光刻的质量用分辨率、光刻精度以及缺陷密度等来衡量。影响光刻质量的主要因素是：光刻胶、曝光方式、曝光量。影响光刻质量的主要因素是：光刻胶、曝光方式、曝光系统以及刻蚀方法等。系统以及刻蚀方法等。671.涂胶质量的检测涂胶质量的检测质量参数质量参数缺陷类型缺陷类型光刻胶粘附性光刻胶粘附性光刻胶脱落光刻胶脱落光刻胶覆盖光刻胶覆盖wafer的质量问题的质量问题光刻胶中有针孔光刻胶中有针孔光刻

48、胶的回溅光刻胶的回溅光刻胶起皮光刻胶起皮光刻胶膜厚度光刻胶膜厚度光刻胶的厚度不在控制范围内，光光刻胶的厚度不在控制范围内，光刻胶膜厚度不均匀刻胶膜厚度不均匀682.对准曝光质量检测对准曝光质量检测 质量参数质量参数缺陷类型缺陷类型光源的光强光源的光强曝光场中，光强不均匀曝光场中，光强不均匀光刻机与掩膜版的对准光刻机与掩膜版的对准掩膜版的对准标记不能与掩膜版的对准标记不能与wafer的对准标记对准的对准标记对准图形分辨率图形分辨率分辨率很低，线宽和孔径不符合要求分辨率很低，线宽和孔径不符合要求掩膜版质量掩膜版质量掩膜版上有灰尘或擦伤掩膜版上有灰尘或擦伤图形缺陷：线条断裂；特征图形桥接；几何图形丢

49、失；图形缺陷：线条断裂；特征图形桥接；几何图形丢失；铬溅射；线条穿孔；玻璃破裂；铬膜粘附差；不平整铬溅射；线条穿孔；玻璃破裂；铬膜粘附差；不平整693.显影质量检测显影质量检测 质量参数质量参数缺陷类型缺陷类型关键尺寸关键尺寸关键尺寸偏大关键尺寸偏大关键尺寸偏小关键尺寸偏小沾污沾污颗粒或光刻胶表面污染颗粒或光刻胶表面污染表面缺陷表面缺陷光刻胶表面划伤光刻胶表面划伤微粒、污染、瑕疵微粒、污染、瑕疵胶量不合适胶量不合适光刻胶图形的侧墙条痕光刻胶图形的侧墙条痕套准、对准套准、对准未对准或套准未对准或套准704.光刻质量分析光刻质量分析（1）溶胶）溶胶 在显影或刻蚀时，在显影或刻蚀时，wafer表面的

50、光刻胶膜会起皱或大面表面的光刻胶膜会起皱或大面积胶膜脱落，这种现象就是溶胶，也叫脱胶。溶胶出现的原积胶膜脱落，这种现象就是溶胶，也叫脱胶。溶胶出现的原因有：工艺湿度太高、因有：工艺湿度太高、Wafer表面的膜层不干净、前烘不足表面的膜层不干净、前烘不足或过度、曝光或显影不合适。或过度、曝光或显影不合适。（2）小岛）小岛 小岛是指残留在光刻窗口上的小面积待刻膜层，掺杂小岛是指残留在光刻窗口上的小面积待刻膜层，掺杂 时，这些小岛会阻挡杂质的进入，影响器件性能。时，这些小岛会阻挡杂质的进入，影响器件性能。71产生小岛的原因有：掩膜版上遮光区的小孔和透光区的铬点产生小岛的原因有：掩膜版上遮光区的小孔和