集成电路制造工艺流程课件-参考.ppt

1、集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心第一章第一章 集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程集成电路（集成电路（Integrated Circuit）制造工艺是集成电路实现的手段，制造工艺是集成电路实现的手段，也是集成电路设计的基础。也是集成电路设计的基础。2013-4-18韩良1集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心引言引言1.无生产线集成电路设计技术?随着集成电路发展的过程，其发展的总趋势是革新工艺、提高集成度和速度革新工艺、提高集成度和速度。?设计工作由有生产线集成电路设计有生产线集成电路设计到无生无生产线集成电路设计产线集成电路设计的发展过程。?无生产线无生产线（Fab

2、less）集成电路设计公司。如美国有200多家、台湾有100多家这样的设计公司。2013-4-18韩良2集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心引言引言2.代客户加工（代工）方式?芯片设计单位和工艺制造单位的分离芯片设计单位和工艺制造单位的分离，即芯片设计单位可以不拥有生产线而存在和发展，而芯片制造单位致力于工艺实现，即代客户加工（简称代工）方式代客户加工（简称代工）方式。?代工方式已成为集成电路技术发展的一个重要特征重要特征。2013-4-18韩良3集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心引言引言3.PDK文件?首先，代工单位代工单位将经过前期开发确定的一套 工艺工艺?设计文件设

3、计文件PDK（Pocess Design Kits)通过因特网传送给设计单位。PDK文件包括：工艺电路模拟用的 器件的器件的SPICESPICE（Simulation Program with IC Emphasis）参参数数，版图设计用的层次定义层次定义，设计规则设计规则，晶体管晶体管、电阻、电容等元件和通孔（、电阻、电容等元件和通孔（VIAVIA）、焊盘等基）、焊盘等基本结构的版图本结构的版图，与设计工具关联的 设计规则检查设计规则检查（DRCDRC）、参数提取（）、参数提取（EXTEXT）和版图电路对照（）和版图电路对照（LVSLVS）用的文件。）用的文件。韩良42013-4-18集成电

4、路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心引言引言4.电路设计和电路仿真?设计单位设计单位根据研究项目研究项目提出的技术指标技术指标，在自己掌握的电路与系统知识电路与系统知识的基础上，利用PDK提供的工艺数据工艺数据和CAD/EDACAD/EDA工具工具，进行电路设计、电电路设计、电路仿真（或称模拟）和优化、版图设计、设计规路仿真（或称模拟）和优化、版图设计、设计规则检查则检查DRCDRC、参数提取和版图电路图对照、参数提取和版图电路图对照 LVSLVS，最终生成通常称之为GDS-GDS-格式的版图文件。再通过因特网传送到代工单位。2013-4-18韩良5集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电

5、子中心引言引言5.掩模与流片?代工单位代工单位根据设计单位提供的 GDS-GDS-格式的版图版图数据数据，首先制作掩模（制作掩模（MaskMask），将版图数据定义的图形固化到铬板等材料的一套掩模上。?一张掩模一方面对应于版图设计中的一层的图形，另一方面对应于芯片制作中的一道或多道工艺。?在一张张掩模的参与下，工艺工程师完成 芯片的芯片的流水式加工流水式加工，将版图数据定义的图形最终有序的将版图数据定义的图形最终有序的固化到芯片上固化到芯片上。这一过程通常简称为“流片流片”。2013-4-18韩良6集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心引言引言6.代工工艺代工（代工（FoundryFo

6、undry）厂家）厂家很多，如：?无锡上华（0.6/0.5?mCOS和4?mBiCMOS工艺)上海先进半导体公司(1?mCOS工艺)首钢NEC(1.2/0.18?mCOS工艺)上海华虹NEC(0.35?mCOS工艺)上海中芯国际(8英寸晶圆0.25/0.18?mCOS工艺)韩良72013-4-18集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心引言引言6.代工工艺代工（代工（FoundryFoundry）厂家）厂家很多，如：?宏力8英寸晶圆0.25/0.18?mCMOS工艺华虹NEC 8英寸晶圆0.25?mCMOS工艺台积电(TSMC)在松江筹建8英寸晶圆0.18?mCMOS工艺联华(UMC)在

7、苏州筹建8英寸晶圆0.18?mCMOS工艺等等。2013-4-18韩良8集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心7.境外代工厂家一览表2013-4-18韩良9集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心引言引言8.芯片工程与多项目晶圆计划?F&F(Fabless and Foundry)模式工业发达国家通过组织 无生产线IC设计的芯片计划来促进集成电路设计的专业发展、人才培养、技术研究和中小企业产品开发，而取得成效。这种芯片工程芯片工程通常由大学或研究所作为龙头单位负责人员培训、技术指导、版图汇总、组织芯片的工艺实现，性能测试和封装。大学教师、研究生、研究机构、中小企业作为工程受益群体

8、，自愿参加，并付一定费用。韩良102013-4-18集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心Relation of F&F(无生产线与代工的关系无生产线与代工的关系)8.芯片工程与多项目晶圆计划2013-4-18韩良11集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心引言引言8.芯片工程与多项目晶圆计划?多项目晶圆多项目晶圆MPWMPW（multi-project wafer)技术服务是一种国际科研和大学计划的流行方式。MPW技术把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片（宏芯片（Macro-ChipMacro-Chip）上然后以步进的方式排列到一到多个晶圆上，制版和硅片加工费用由几十种

9、芯片分担，极大地降低芯片研制成本，在一个晶圆上可以通过变换版图数据交替布置多种宏芯片。2013-4-18韩良12集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心代工单位与其他单位关系图代工单位与其他单位关系图2013-4-18韩良13集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心集成电路制造工艺分类集成电路制造工艺分类1.双极型工艺（双极型工艺（bipolar）2.MOS工艺工艺3.BiMOS工艺工艺2013-4-18韩良14集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1-1双极集成电路典型的双极集成电路典型的PN结隔离工艺结隔离工艺2013-4-18韩良15集成电路设计原理集成电路设计原理国

10、际微电子中心思考题思考题1.需要几块光刻掩膜版需要几块光刻掩膜版(mask)?2.每块掩膜版的作用是什么？每块掩膜版的作用是什么？3.器件之间是如何隔离的？器件之间是如何隔离的？4.器件的电极是如何引出的？器件的电极是如何引出的？5.埋层的作用？埋层的作用？2013-4-18韩良16集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心双极集成电路的基本制造工艺，可以粗双极集成电路的基本制造工艺，可以粗略的分为两类：一类为在元器件间要做隔离略的分为两类：一类为在元器件间要做隔离区。隔离的方法有多种，如区。隔离的方法有多种，如PN结隔离结隔离，全介全介质隔离质隔离及及PN结结-介质混合隔离介质混合隔离等

11、。另一类为等。另一类为器件间的自然隔离。器件间的自然隔离。典型典型PN结隔离工艺是实现集成电路制结隔离工艺是实现集成电路制造的最原始工艺，迄今为止产生的各种双极造的最原始工艺，迄今为止产生的各种双极型集成电路制造工艺都是在此工艺基础上改型集成电路制造工艺都是在此工艺基础上改进而来的。进而来的。2013-4-18韩良17集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.1.1典型典型PN结隔离工艺流程结隔离工艺流程衬底准衬底准备备氧氧化化埋层光埋层光刻刻埋层扩埋层扩散散生长外生长外延延氧氧化化隔离光隔离光刻刻发射区扩发射区扩散、氧化散、氧化发射区发射区光刻光刻基区扩散、再基区扩散、再分布（氧化）

12、分布（氧化）基区光基区光刻刻隔离扩散、隔离扩散、推进推进(氧化氧化)引线孔引线孔光刻光刻淀积淀积金属金属反刻反刻金属金属淀积钝淀积钝化层化层光刻压光刻压焊点焊点合金化及合金化及后工序后工序2013-4-18韩良集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.1.1 工艺流程工艺流程衬底准备（衬底准备（P型）型）?氧化氧化?光刻光刻n+埋层区埋层区?n+埋层区注入埋层区注入?清洁表面清洁表面P-Sub2013-4-18韩良19集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.1.1 工艺流程工艺流程（续（续1）?生长生长n-外延外延?隔离氧化隔离氧化?光刻光刻p+隔离区隔离区?p+隔离注入隔离

13、注入?p+隔离推进隔离推进N+N-N+20N-P-Sub2013-4-18韩良集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.1.1 工艺流程工艺流程（续（续2）?光刻硼扩散区光刻硼扩散区?硼扩散硼扩散?氧化氧化P+P-Sub2013-4-18N+韩良N-P+N+21N-P+集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.1.1 工艺流程工艺流程（续（续3）?光刻磷扩散区光刻磷扩散区?磷扩散磷扩散?氧化氧化P+P-Sub2013-4-18PN+韩良N-P+PN+22N-P+集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.1.1 工艺流程工艺流程（续（续4）?光刻引线孔光刻引线孔?清洁表面

14、清洁表面P+P-Sub2013-4-18PN+韩良N-P+PN+23N-P+集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.1.1 工艺流程工艺流程（续（续5）?蒸镀金属蒸镀金属?反刻金属反刻金属P+P-Sub2013-4-18PN+韩良N-P+PN+24N-P+集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.1.1 工艺流程工艺流程（续（续6）?钝化钝化?光刻钝化窗口光刻钝化窗口?后工序后工序P+P-Sub2013-4-18PN+韩良N-P+PN+25N-P+集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.1.2 光刻掩膜版汇总光刻掩膜版汇总埋层区埋层区?隔离墙隔离墙?硼扩区硼扩区?磷

15、扩区磷扩区?引线孔引线孔?金属连线金属连线?钝化窗口钝化窗口GND Vi Vo VDDRT2013-4-18韩良26集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.1.3 外延层电极的引出外延层电极的引出欧姆接触电极：欧姆接触电极：金属与参杂浓度较低的外延金属与参杂浓度较低的外延层相接触易形成整流接触层相接触易形成整流接触（金半接触势垒二极（金半接触势垒二极管）管）。因此，。因此，外延层电极引出处应增加浓扩散。外延层电极引出处应增加浓扩散。钝化层钝化层EN+BPCN+SiO2E BN+CN+P光刻胶光刻胶SiO2N-epiP+PN-epiP+P-Sub2013-4-18韩良N+埋层埋层27集

16、成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.1.4 埋层的作用埋层的作用1.减小串联电阻减小串联电阻（集成电路中的各个电极均从（集成电路中的各个电极均从上表面引出，外延层电阻率较大且路径较长。上表面引出，外延层电阻率较大且路径较长。2.减小寄生减小寄生pnp晶体管的影响晶体管的影响（第二章介绍）（第二章介绍）钝化层钝化层EN+BN-epiCN+SiO2E BN+CN+P光刻胶光刻胶PP+PSiO2N-epiP+P-Sub2013-4-18韩良N+埋层埋层28集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.1.5 隔离的实现隔离的实现-N-epiN-epi1.P+隔离扩散要扩穿外延层，与隔

17、离扩散要扩穿外延层，与p型衬底连型衬底连通。通。因此，将因此，将n型外延层分割成若干个型外延层分割成若干个“岛岛”。P-SubP-SubP-SubPP(GND)(GND)(GND)2.P+隔离接电路最低电位，隔离接电路最低电位，使使“岛岛”与与+NN“岛岛”之间形成两个背靠背的反偏二极管。之间形成两个背靠背的反偏二极管。E+P光刻胶光刻胶BSiO2+NPN-epiCN+钝化层钝化层SiO2+PE BN+PN-epiCN+P+SiO2P-Sub2013-4-18韩良N+埋层埋层29集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.1.6 练习练习1 描述描述PN结隔离双极工艺的流程及光结隔离双极

18、工艺的流程及光刻掩膜版的作用；刻掩膜版的作用；2 说明埋层的作用。说明埋层的作用。2013-4-18韩良30集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2N阱硅栅阱硅栅CMOS集成电路制造工艺集成电路制造工艺2013-4-18韩良31集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心思考题思考题1.需要几块光刻掩膜版？各自的作用是什么？需要几块光刻掩膜版？各自的作用是什么？2.什么是局部氧化（什么是局部氧化（LOCOS)？（Local Oxidation of Silicon)3.什么是硅栅自对准什么是硅栅自对准(Self Aligned)？4.N阱的作用是什么？阱的作用是什么？5.NMOS

19、和和PMOS的源漏如何形成的？的源漏如何形成的？2013-4-18韩良32集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心2013-4-18韩良33集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心2013-4-18韩良34集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.1 N阱硅栅阱硅栅CMOS工艺主要流程工艺主要流程（参考参考P阱硅栅阱硅栅CMOS工艺流程）工艺流程）衬底准衬底准备备生长生长SiO2和和Si3N4N阱光刻、注入、阱光刻、注入、推进推进生长生长SiO2和和Si3N4场区光场区光刻刻阈值电压调整区光刻、阈值电压调整区光刻、注入注入清洁有源区表面、清洁有源区表面、长栅氧长栅氧场区

20、氧化场区氧化(局部局部氧化氧化)N管场区光刻、管场区光刻、注入注入多晶淀积、参杂、多晶淀积、参杂、光刻光刻N+接触孔光刻、接触孔光刻、注入注入淀积金属淀积金属1、反、反刻刻2013-4-18韩N管管LDD光刻、光刻、注入注入接触孔光接触孔光刻刻P管管LDD光刻、光刻、注入注入侧墙氧化物淀积、侧侧墙氧化物淀积、侧墙腐蚀墙腐蚀P+有源区光刻、有源区光刻、注入注入BPSG淀淀积积N+有源区光刻、有源区光刻、注入注入淀积金属淀积金属2、反刻反刻淀积绝缘介淀积绝缘介质质良通孔孔光通孔孔光刻刻淀积钝化层、淀积钝化层、光刻光刻集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.2 N阱硅栅阱硅栅CMOS工

21、艺主要流程工艺主要流程1.1.衬底准备衬底准备P P型单晶片型单晶片P P+/P/P外延片外延片2013-4-18韩良36集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.2 N阱硅栅阱硅栅CMOS工艺主要流程工艺主要流程2.氧化、光刻氧化、光刻N阱阱(nwell)-P-Sub2013-4-18韩良37集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.2 N阱硅栅阱硅栅CMOS工艺主要流程工艺主要流程3.N-阱注入，阱注入，N-阱推进阱推进,退火，清洁表面退火，清洁表面N阱P-Sub2013-4-18韩良38集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.2 N阱硅栅阱硅栅CMO

22、S工艺主要流程工艺主要流程4.长薄氧、长氮化硅、光刻场区长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版反版)N阱P-Sub2013-4-18韩良39集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.2 N阱硅栅阱硅栅CMOS工艺主要流程工艺主要流程5.场区氧化（场区氧化（LOCOS）,清洁表面清洁表面(场区氧化前可做场区氧化前可做N管场区注入和管场区注入和P管场区管场区注入）注入）P-Sub2013-4-18韩良40集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.2 N阱硅栅阱硅栅CMOS工艺主要流程工艺主要流程6.栅氧化栅氧化,淀积多晶硅，反刻多晶淀积多晶硅，反刻多晶（polysil

23、icon poly)P-Sub2013-4-18韩良41集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.2 N阱硅栅阱硅栅CMOS工艺主要流程工艺主要流程+7.Pactive注入注入（Pplus）（硅栅自对准）硅栅自对准）P-Sub2013-4-18韩良42集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.2 N阱硅栅阱硅栅CMOS工艺主要流程工艺主要流程8.+N active注入注入（NplusPplus反版）反版）（硅栅自对准）硅栅自对准）P-Sub2013-4-18韩良43集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.2 N阱硅栅阱硅栅CMOS工艺主要流程工艺主要流程9

24、.淀积淀积BPSG，光刻接触孔，光刻接触孔(contact)，回流回流P-Sub2013-4-18韩良44集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.2 N阱硅栅阱硅栅CMOS工艺主要流程工艺主要流程10.蒸镀金属蒸镀金属1，反刻金属，反刻金属1（metal1)P-Sub2013-4-18韩良45集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.2 N阱硅栅阱硅栅CMOS工艺主要流程工艺主要流程11.绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via)P-Sub2013-4-18韩良46集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.2 N阱硅栅阱硅栅CM

25、OS工艺主要流程工艺主要流程12.蒸镀金属蒸镀金属2，反刻金属，反刻金属2（metal2)P-Sub2013-4-18韩良47集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.2 N阱硅栅阱硅栅CMOS工艺主要流程工艺主要流程13.钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad)P-Sub2013-4-18韩良48集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.3 N阱硅栅阱硅栅CMOS工艺工艺光刻掩膜版汇总简图光刻掩膜版汇总简图N阱阱?有源区有源区?多晶多晶?Pplus?Nplus?接触孔接触孔?金属金属1?通孔通孔?金属金属2?PAD2013-4-18韩

26、良49集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.4 局部氧化的作用局部氧化的作用1.提高场区阈值电压提高场区阈值电压2.减缓表面台阶减缓表面台阶3.减小表面漏电流减小表面漏电流N-阱阱P-Sub2013-4-18韩良50集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.5 硅栅自对准的作用硅栅自对准的作用在硅栅形成后，利用硅栅的遮蔽作用在硅栅形成后，利用硅栅的遮蔽作用来形成来形成MOS管的沟道区，使管的沟道区，使MOS管的沟道管的沟道尺寸更精确，寄生电容更小。尺寸更精确，寄生电容更小。N-阱阱P-Sub2013-4-18韩良51集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.

27、2.6 MOS管衬底电极的引出管衬底电极的引出NMOS管和管和PMOS管的衬底电极都从管的衬底电极都从上表面引出，由于上表面引出，由于P-Sub和和N阱的参杂浓度阱的参杂浓度都较低，为了避免整流接触，电极引出处都较低，为了避免整流接触，电极引出处必须有浓参杂区。必须有浓参杂区。N-阱阱P-Sub2013-4-18韩良52集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.7 LDD注入注入 多晶硅栅多晶硅栅 侧墙氧化物侧墙氧化物 在在P+（N+）有源区）有源区注入前可以进行注入前可以进行LDD注注入，以便减小短沟道效入，以便减小短沟道效应和热载流子效应。应和热载流子效应。LDD 源漏区源漏区

28、 用用Pplus版光刻后进行版光刻后进行PMOS管管LDD注入，注入，用用Nplus版光刻后进行版光刻后进行NMOS管管LDD注入，注入，都是以光刻胶膜作为注入遮蔽膜。都是以光刻胶膜作为注入遮蔽膜。LDD注入之后，先制作侧墙，然后再进行注入之后，先制作侧墙，然后再进行P+（N+）有源区光刻、注入。）有源区光刻、注入。2013-4-18韩良集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.8 接触孔掺杂接触孔掺杂为了改善有源区接触孔特性，为了改善有源区接触孔特性，在光刻接触在光刻接触孔之后、回流之前，孔之后、回流之前，用用Nplus 版光刻，对接触孔进行版光刻，对接触孔进行N+注入注入用用P

29、plus 版光刻，对接触孔进行版光刻，对接触孔进行P+注入注入BPSG P +N +P N-well+P-sub 良N +2013-4-18韩集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.9 其它其它MOS工艺简介工艺简介双层多晶：双层多晶：易做多晶电容、多晶电阻、叠易做多晶电容、多晶电阻、叠栅栅MOS器件，适合器件，适合CMOS数数/模混合电路、模混合电路、EEPROM等等多层金属：多层金属：便于布线，连线短，连线占面便于布线，连线短，连线占面积小，适合大规模、高速积小，适合大规模、高速CMOS电路电路P阱阱CMOS工艺工艺双阱双阱CMOS工艺工艺E/D NMOS工艺工艺2013-4

30、-18韩良集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.2.10 练习练习1.阐述阐述N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺的主要流程，说明流程中需要哪些光的主要流程，说明流程中需要哪些光刻掩膜版及其作用。刻掩膜版及其作用。2.何为硅栅自对准？何为硅栅自对准？2013-4-18韩良56集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.3其它集成电路制造工其它集成电路制造工艺简介艺简介2013-4-18韩良57集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.3.1 双层多晶、多层金属双层多晶、多层金属CMOS工艺工艺双层多晶：双层多晶：易做多晶电容、多晶电阻、叠易做多晶电容、多晶电阻、叠栅栅MO

31、S器件，适合器件，适合CMOS数数/模混合电路、模混合电路、EEPROM等等多层金属：多层金属：便于布线，连线短，连线占面便于布线，连线短，连线占面积小，适合大规模、高速积小，适合大规模、高速CMOS电路电路2013-4-18韩良58集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心1.3.2 双极型模拟集成电路工艺双极型模拟集成电路工艺磷穿透扩散：磷穿透扩散：减小串联电阻减小串联电阻离子注入：离子注入：精确控制参杂浓度和结深精确控制参杂浓度和结深光刻胶光刻胶EB+PN+SiO2PCN+PE BCNNP+P+P-Sub2013-4-18韩良N+埋层埋层59集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子

32、中心1.3.3 Bi CMOS工艺工艺双极工艺器件的特点是速度高、驱动双极工艺器件的特点是速度高、驱动能力强，但功耗大、集成度低；而能力强，但功耗大、集成度低；而CMOS工艺制造的器件功耗小、集成度高，但速工艺制造的器件功耗小、集成度高，但速度低、驱动能力差。度低、驱动能力差。在既要求高集成度又要求高速的领域中在既要求高集成度又要求高速的领域中可以采用二者的结合（即可以采用二者的结合（即Bi CMOS工艺），工艺），发挥各自的优点。发挥各自的优点。2013-4-18韩良60集成电路设计原理集成电路设计原理国际微电子中心双极型工艺与双极型工艺与MOS工艺相结合，双工艺相结合，双极型器件与极型器件

33、与MOS型器件共存，适合数型器件共存，适合数/模模电路。电路。1.以双极型工艺为基础的以双极型工艺为基础的Bi-MOS工艺工艺2.以以CMOS工艺为基础的工艺为基础的Bi-MOS工艺工艺2013-4-18韩良61集成电路设计原理集成电路设计原理以以P阱阱CMOS工艺为基础的工艺为基础的Bi-CMOS器件剖面器件剖面纵向纵向NPN国际微电子中心B E C NMOS PMOSN+N+N+N+P+P+P阱阱P阱阱NPN的集电极的集电极接衬底接衬底N-SUB以以N阱阱CMOS工艺为基础的工艺为基础的Bi-CMOS器件剖面器件剖面纵向纵向NPNB E C PMOS NMOSN+N+P+P+N+N+P N阱阱N阱阱P-SUB2013-4-18韩良62