快离子导体-课件.ppt
- 【下载声明】
1. 本站全部试题类文档,若标题没写含答案,则无答案;标题注明含答案的文档,主观题也可能无答案。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
2. 本站全部PPT文档均不含视频和音频,PPT中出现的音频或视频标识(或文字)仅表示流程,实际无音频或视频文件。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
3. 本页资料《快离子导体-课件.ppt》由用户(ziliao2023)主动上传,其收益全归该用户。163文库仅提供信息存储空间,仅对该用户上传内容的表现方式做保护处理,对上传内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知163文库(点击联系客服),我们立即给予删除!
4. 请根据预览情况,自愿下载本文。本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
5. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007及以上版本和PDF阅读器,压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 离子 导体 课件
- 资源描述:
-
1、天津理工大学天津理工大学3.4 快离子导体快离子导体天津理工大学天津理工大学 Eg 价带价带导带导带一些离子晶体:如NaCl AgCl MgO禁带宽度较大,这类离子晶体常温下是绝缘的,不能导电。但当一些条件改变时,这些离子晶体也能导电。3.4.1 经典离子类载流子导电天津理工大学天津理工大学l离子晶体的离子电导主要有两类离子晶体的离子电导主要有两类:第一类,固有离子电导(本征电导),第一类,固有离子电导(本征电导),源于晶体点阵的基本源于晶体点阵的基本离子的运动。离子自身随着热振动离开晶格形成热缺陷离子的运动。离子自身随着热振动离开晶格形成热缺陷。(高温下显著)(高温下显著)第二类,杂质电导第
2、二类,杂质电导,由固定较弱的离子运动造成的由固定较弱的离子运动造成的。(较低。(较低温度下杂质电导显著温度下杂质电导显著)载流子为离子或离子空位的电导载流子为离子或离子空位的电导离子电导离子电导天津理工大学天津理工大学1 固有电导(本征电导)提供载流子由晶体本身热缺陷弗仑克尔缺陷 肖脱基缺陷晶体的温度较高时,一些能量较高的的离子脱离格点形成“间隙离子”,或跑到晶体表面形成新的结点,原来的位置形成空位,从而破坏晶格的完整性,这种与温度有关的缺陷称之为晶体的热缺陷。本征电导:由热缺陷提供载流子形成的电导天津理工大学天津理工大学l弗仑克尔缺陷:弗仑克尔缺陷:一定温度下,一定温度下,格点原子在平衡位置
3、附近格点原子在平衡位置附近振动,其中某些原子能够获得较大的热运动能量,克服周围振动,其中某些原子能够获得较大的热运动能量,克服周围原子化学键束缚而挤入晶体原子间的空隙位置,形成间隙原原子化学键束缚而挤入晶体原子间的空隙位置,形成间隙原子,原先所处的位置相应成为空位。这种间隙原子和空位成子,原先所处的位置相应成为空位。这种间隙原子和空位成对出现的缺陷称为弗仑克尔缺陷。对出现的缺陷称为弗仑克尔缺陷。天津理工大学天津理工大学l肖特基缺陷:肖特基缺陷:一定温度下、一定温度下、表面附近的原子表面附近的原子A A和和B B依靠热运依靠热运动能量运动到外面新的一层格点位置上,而动能量运动到外面新的一层格点位
4、置上,而A A和和B B处的空位由晶处的空位由晶体内部原子逐次填充,从而在晶体内部形成空位,而表面则产体内部原子逐次填充,从而在晶体内部形成空位,而表面则产生新原子层,结果是晶体内部产生空位但没有间隙原子,这种生新原子层,结果是晶体内部产生空位但没有间隙原子,这种缺陷称为肖特基缺陷。缺陷称为肖特基缺陷。天津理工大学天津理工大学离子电导的微观机构离子电导的微观机构:载流子载流子(离子离子)的扩散的扩散 。离子的扩散过程就构成了宏观的离子离子的扩散过程就构成了宏观的离子“迁移迁移”。离子导电性:离子导电性:离子类载流子电场作用下,离子类载流子电场作用下,通过材料的长距离迁移。通过材料的长距离迁移。
5、天津理工大学天津理工大学本征离子电导率的一般表达式为:本征离子电导率的一般表达式为:()()TBAkTWA1111exp=exp=B1W/kW1本征电导活化能本征电导活化能缺陷形成能 E迁移能 UkTqNA6=02211N1单位体积内离子结点数单位体积内离子结点数天津理工大学天津理工大学2杂质电导作为载流子的离子由杂质缺陷引起OOAlOAlOmgAlOAlOVTiTiOOVMgMgO422222.2.3232+新的载流子新的载流子杂质电导:由杂质提供载流子而形成的电导天津理工大学天津理工大学()()TBAkTWA2222exp=exp=kTqNA6=2222N2杂质离子浓度杂质离子浓度杂质离子
6、电导率的一般表达式为:杂质离子电导率的一般表达式为:B2W/kW2电导活化能电导活化能天津理工大学天津理工大学一般情况:一般情况:(1)杂质离子浓度远小于晶格格点数)杂质离子浓度远小于晶格格点数N2W2 (3)低温下离子晶体的电导率主要为杂质电导,)低温下离子晶体的电导率主要为杂质电导,高温下本征电导会占主体。高温下本征电导会占主体。()kTWA22exp=()kTWA22exp=本征电导率本征电导率杂质电导率杂质电导率天津理工大学天津理工大学 经典的离子晶体由于离子扩散可以形成导电。由于离子扩散可以形成导电。一般来说,这些晶体的导电率要低得多,一般来说,这些晶体的导电率要低得多,如如NaCl
7、:室温时室温时,=10-15Scm-1,在在200时时,=10-8Scm-1。天津理工大学天津理工大学3.4.2 快离子导体导电快离子导体:快离子导体:而另有一类离子晶体,在室温下电导而另有一类离子晶体,在室温下电导率可以达到率可以达到10-2 Scm-1,几乎可与熔盐的电导相似。,几乎可与熔盐的电导相似。我们将这类具有优良离子导电能力的材料称做我们将这类具有优良离子导电能力的材料称做快离快离子导体或固体电解质子导体或固体电解质,也有称作超离子导体。,也有称作超离子导体。天津理工大学天津理工大学()kTWAexp=快离子导体的电导率公式也服从:经典晶体经典晶体的活化能的活化能W在在12ev,快
8、离子导体快离子导体的活化能的活化能W在在0.5ev以下。以下。T1ln快离子导体肖特基弗仑弗仑克尔克尔天津理工大学天津理工大学 快离子导体不论是从电导,还是从结构上看,快离子导体不论是从电导,还是从结构上看,都可以视为普通离子固体和离子液体之间的一种都可以视为普通离子固体和离子液体之间的一种过渡状态:过渡状态:电解质溶液或电解质溶液或熔融电解质熔融电解质快离子导体快离子导体 普通离子固体普通离子固体 溶解或熔融溶解或熔融 相变相变 类似类似导电性导电性天津理工大学天津理工大学 1 总结:快离子导体的宏观特点总结:快离子导体的宏观特点快离子导体(固体电解质)既保持固态特点,又具有快离子导体(固体
9、电解质)既保持固态特点,又具有熔融强电解质或电解质水溶液相比拟的离子电导率。熔融强电解质或电解质水溶液相比拟的离子电导率。结构特点不同于正常态的离子固体,介于正常态与熔结构特点不同于正常态的离子固体,介于正常态与熔融态的中间相。融态的中间相。良好的快离子导体应具有非常低的电子电导率良好的快离子导体应具有非常低的电子电导率天津理工大学天津理工大学 2 快离子导体的微观结构特点快离子导体的微观结构特点 如:如:经典离子晶体:经典离子晶体:NaCl AgCl -AgI 载流子浓度载流子浓度 n=1018/cm3 快离子导体:快离子导体:-AgI 载流子浓度载流子浓度 n=1022/cm3 快离子导体
10、载流子浓度比一般离子晶体大了快离子导体载流子浓度比一般离子晶体大了1000倍。倍。快离子导体中的载流子主要是离子,电导活快离子导体中的载流子主要是离子,电导活化能低,在固体中可流动的数量相当大。化能低,在固体中可流动的数量相当大。天津理工大学天津理工大学快离子导体往往不是某一组成的某一材料,快离子导体往往不是某一组成的某一材料,而是指某一特定的相。而是指某一特定的相。如:如:AgI AgI -AgI -AgI 三个相,三个相,仅仅-AgI-AgI是快离子导体是快离子导体典型的快离子导体由两种晶格组成。典型的快离子导体由两种晶格组成。l 半径较大的离子形成刚性晶格,半径较大的离子形成刚性晶格,离
展开阅读全文