Ion-Implanter-Presentati教学讲解课件.ppt

1、Implanter PresentationImplanter Presentation 老朽出品老朽出品 Agenda 1 Basic theory 2 Hardware configuration 3 Recipe setting 4 Process application in 0.18Logic 5 Process concern&Trouble-shooting Basic Theory The basic definition of Implantation The basic electric conduction theory of semiconductor The proc

2、ess of Implant Channeling EffectWhat is IMPL离子注入离子注入 将带有一定电荷和能量的离子将带有一定电荷和能量的离子束，经过电场加速和磁场选择后射束，经过电场加速和磁场选择后射入到晶片中，以改变或调整晶片内入到晶片中，以改变或调整晶片内某些部分的电性。某些部分的电性。离子注入过程 刻蚀刻蚀 去光阻去光阻 隧道效应 中电流中电流(Medium Current):1E+14/cm2 NISSIN EXCEED 2000AH/Beam Current 5mA 2300AH Energy 250KeV 高电流高电流(High Current):1E14Dose

3、 1E16/cm2 AMAT Quantum 80/Leap Beam Current 20mA Energy 200KeV 高高能量能量(High Energy):Dose 1E14/cm2 Axcelis GSD/HE Beam Current 1mA Energy Ii)Ii)eeOverDose issue (真空真空不良不良)Ie600VeIb電中性離子Ic當真空不佳帶正電離子與氣体分子碰撞,產生電中性離子,此電中性離子在植入至基板時並不會引起任何電子補位而無所謂Ic電流產生.但此電中性離子在特性上依舊屬於“不純物”亦即載子濃度依然受其影響.因此真空不良常造成-Overdose.(O

4、verdose.(IcIc Ii)Ii)Recipe settingThe naming rule of Implanter recipeSome definition of recipe parameterA050K30E3T00SpeciesEnergyDosage TiltSpecies:As 砷 AP 磷 PB 硼 BBF2 二氟化硼 FIn 铟 DEnergy:至少为三位，不足位补零至少为三位，不足位补零当能量大于当能量大于1K小于小于1000K时，后面加时，后面加K,如：如：005K，080K，100K，440K当能量小于当能量小于1K时，后面加时，后面加V,如：如：540V,80

5、0V当能量大于当能量大于1000K时，后面加时，后面加M,如：如：100MDosage:小数点后为零时，保留整数部分和小数点后一位；小数点后不是零时，保留有效数字，但写时没有小数点.幂值取个位。20E2 表示表示2.01012,21E5 表示表示 2.11015 125E3表示表示1.251013Tilt:Beam 入射方向和入射方向和wafer的法线方向的夹角。的法线方向的夹角。一般为一般为0度度 7度度 30度度Twist:Beam 在在wafer上的投影和上的投影和Notch与与wafer圆心之间连圆心之间连线的夹角。线的夹角。不写表示为默认值不写表示为默认值 22.5度。其余表示为三位度。其余表示为三位数字，比如数字，比如 W000 W112 W375特殊程式要打Rotation,如：R445,R400R 即 Rotation4 即 注入过程中wafer要旋转四次，每次90度45或00 指开始注入时wafer的twist