第2章材料合成与制备的基本途径资料课件.ppt
- 【下载声明】
1. 本站全部试题类文档,若标题没写含答案,则无答案;标题注明含答案的文档,主观题也可能无答案。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
2. 本站全部PPT文档均不含视频和音频,PPT中出现的音频或视频标识(或文字)仅表示流程,实际无音频或视频文件。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
3. 本页资料《第2章材料合成与制备的基本途径资料课件.ppt》由用户(ziliao2023)主动上传,其收益全归该用户。163文库仅提供信息存储空间,仅对该用户上传内容的表现方式做保护处理,对上传内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知163文库(点击联系客服),我们立即给予删除!
4. 请根据预览情况,自愿下载本文。本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
5. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007及以上版本和PDF阅读器,压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 材料 合成 制备 基本 途径 资料 课件
- 资源描述:
-
1、2023-5-13/6:08:20材料合成与制备材料合成与制备赵雷赵雷 李亚伟李亚伟 无机非金属材料系无机非金属材料系22023-5-13/6:08:20第二章第二章 材料合成与制备的基本途径材料合成与制备的基本途径p 材料合成与制备的基本途径:材料合成与制备的基本途径:E 基于基于液相液相固相固相转变的材料制备转变的材料制备E 基于基于固相固相固相固相转变的材料制备转变的材料制备E 基于基于气相气相固相固相转变的材料制备转变的材料制备32023-5-13/6:08:212.1基于基于液相液相固相固相转变的材料制备转变的材料制备p 基于液相基于液相固相转变的材料制备一般可分为固相转变的材料制备
2、一般可分为两类:两类:(1)(1)是从是从熔体熔体出发,通过降温固化得到固相材料,出发,通过降温固化得到固相材料,如果条件适合并且降温速率足够慢可以得到如果条件适合并且降温速率足够慢可以得到单晶体,如果采用快冷技术可以制备非晶单晶体,如果采用快冷技术可以制备非晶(玻玻璃态璃态)材料;材料;(2)(2)从从溶液溶液出发,在溶液中合成新材料或有溶液出发,在溶液中合成新材料或有溶液参与合成新材料,再经固化得到固相材料。参与合成新材料,再经固化得到固相材料。42023-5-13/6:08:212.1.1 2.1.1 从熔体制备单晶材料从熔体制备单晶材料p 单晶材料单晶材料 Single crystal
3、:atoms are in a repeating or periodic array over the entire extent of the material Polycrystalline material:comprised of many small crystals or grains.The grains have different crystallographic orientation.There exist atomic mismatch within the regions where grains meet.These regions are called grai
4、n boundaries.52023-5-13/6:08:21单晶材料单晶材料Basic Characteristic of Crystals各向异性均一性 同质性 Homogeneity Under macroscopic observation,the physics effect and chemical composition of a crystal are the same.Anisotropy Physical properties of a crystal differ according to the direction of measurement.62023-5-13/6
5、:08:21Anisotropy Different directions in a crystal have different packing.For instance,atoms along the edge of FCC unit cell are more separated than along the face diagonal.This causes anisotropy in the properties of crystals,for instance,the deformation depends on the direction in which a stress is
6、 applied.72023-5-13/6:08:21p单晶材料的制备必须排除对材料性能有害的杂质原子和晶体缺陷。单晶材料的制备必须排除对材料性能有害的杂质原子和晶体缺陷。低杂质含量、结晶完美的单晶材料多由熔体生长得到。低杂质含量、结晶完美的单晶材料多由熔体生长得到。(1)(1)从熔体中结晶从熔体中结晶 当温度低于熔点时,晶体开始析出,也就是说,当温度低于熔点时,晶体开始析出,也就是说,只有当熔体过冷却时晶体才能发生。如水在温度低于零摄氏度时只有当熔体过冷却时晶体才能发生。如水在温度低于零摄氏度时结晶成冰;金属熔体冷却到熔点以下结晶成金属晶体。结晶成冰;金属熔体冷却到熔点以下结晶成金属晶体。(
7、2)(2)从熔体中结晶从熔体中结晶 当溶液达到过饱和时,才能析出晶体。其方式当溶液达到过饱和时,才能析出晶体。其方式有:有:1)1)温度降低,如岩浆期后的热桩越远离岩浆源则温度将渐次降温度降低,如岩浆期后的热桩越远离岩浆源则温度将渐次降低,各种矿物晶体陆续析出低,各种矿物晶体陆续析出.2)2)水分蒸发,如天然盐湖卤水蒸发,盐类矿物结晶出来水分蒸发,如天然盐湖卤水蒸发,盐类矿物结晶出来.3)3)通过化学反应,生成难溶物质。通过化学反应,生成难溶物质。82023-5-13/6:08:21Nonlinear Optical Crystal(LiB3O5)Scintillating Crystal(H
8、gI).Scintillating Crystal(Bi4Ge3O12)Laser Crystals(YAl5O12)Electro-Optic Crystals(Bi12SiO20)Optical Crystals(CaF2)Nonlinear Optical Crystals(KNbO3)Nonlinear Optical Crystals(KNbO3)Nonlinear Optical Crystals(KTiOPO4)92023-5-13/6:08:21直拉法直拉法(Czochralski 法法)p特点特点是所生长的晶体的质量高,速度快。是所生长的晶体的质量高,速度快。p熔体置于坩埚中
9、,一块小单晶,称为籽熔体置于坩埚中,一块小单晶,称为籽晶,与拉杆相连,并被置于熔体的液面处。晶,与拉杆相连,并被置于熔体的液面处。加热器使单晶炉内的温场保证坩埚以及熔体加热器使单晶炉内的温场保证坩埚以及熔体的温度保持在材料的熔点以上,籽晶的温度的温度保持在材料的熔点以上,籽晶的温度在熔点以下,而液体和籽晶的固液界面处的在熔点以下,而液体和籽晶的固液界面处的温度恰好是材料的熔点。随着拉杆的缓缓拉温度恰好是材料的熔点。随着拉杆的缓缓拉伸伸(典型速率约为每分钟几毫米典型速率约为每分钟几毫米),熔体不断,熔体不断在固液界面处结晶,并保持了籽晶的结晶学在固液界面处结晶,并保持了籽晶的结晶学取向。取向。为
10、了保持熔体的均匀和固液界面处温度为了保持熔体的均匀和固液界面处温度的稳定,籽晶和坩埚通常沿相反的方向旋转的稳定,籽晶和坩埚通常沿相反的方向旋转(转速约为每分钟数十转转速约为每分钟数十转).).直拉法单晶生长示意图直拉法单晶生长示意图1 1:籽晶;:籽晶;2 2:熔体;:熔体;3 3、4 4:加热器:加热器高压惰性气体高压惰性气体(如如Ar)Ar)常被通入单晶炉中防止污染并常被通入单晶炉中防止污染并抑制易挥发元素的逃逸抑制易挥发元素的逃逸.102023-5-13/6:08:21112023-5-13/6:08:21This technique originates from pioneering
11、 work by Czochralski in 1917 who pulled single crystals of metals.Since crystal pulling was first developed as a technique for growing single crystals,it has been used to grow germanium and silicon and extended to grow a wide range of compound semiconductors,oxides,metals,and halides.It is the domin
12、ant technique for the commercial production of most of these materials.122023-5-13/6:08:21坩埚下降法(定向凝固法)坩埚下降法(定向凝固法)p 基本原理使装有熔体的坩基本原理使装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场。梯度的温场。p 开始时整个物料都处于熔开始时整个物料都处于熔融状态,当坩埚下降通过融状态,当坩埚下降通过熔点时,熔体结晶,随着熔点时,熔体结晶,随着坩埚的移动,固液界面不坩埚的移动,固液界面不断沿着坩埚平移,直至熔断沿着坩埚平移,直至熔体全部结晶。使用此方法,体全部结
13、晶。使用此方法,首先成核的是几个微晶,首先成核的是几个微晶,可使用籽晶控制晶体的生可使用籽晶控制晶体的生长。长。坩埚下降法单晶生长装置和温场示意图坩埚下降法单晶生长装置和温场示意图1 1:容器;:容器;2 2:熔体;:熔体;3 3:晶体;:晶体;4 4:加热器;:加热器;5 5:下降装置;:下降装置;6 6:热电偶;:热电偶;7 7:热屏:热屏132023-5-13/6:08:21区熔法p 沿坩埚的温场有一个峰值,沿坩埚的温场有一个峰值,在这个峰值附近很小的范围内在这个峰值附近很小的范围内温度高于材料的熔点。这样的温度高于材料的熔点。这样的温场由环形加热器来实现。在温场由环形加热器来实现。在多
14、晶棒的一端放置籽晶,将籽多晶棒的一端放置籽晶,将籽晶附近原料熔化后,加热器向晶附近原料熔化后,加热器向远离仔晶方向移动,熔体即在远离仔晶方向移动,熔体即在籽晶基础上结晶。加热器不断籽晶基础上结晶。加热器不断移动,将全部原料熔化、结晶,移动,将全部原料熔化、结晶,即完成晶体生长过程。即完成晶体生长过程。水平和悬浮区熔法单晶生长示意图水平和悬浮区熔法单晶生长示意图1 1:仔晶;:仔晶;2 2:晶体;:晶体;3 3:加热器;:加热器;4 4:熔体;:熔体;5 5:料棒;:料棒;6 6:料舟:料舟142023-5-13/6:08:21区熔法p 悬浮区熔法不用容器,污染较小,但不易得到悬浮区熔法不用容器
15、,污染较小,但不易得到大尺寸晶体。大尺寸晶体。p 利用溶质分凝原理,区熔法还被用来提纯单晶利用溶质分凝原理,区熔法还被用来提纯单晶材料,多次区熔提纯后使晶体中的杂质聚集在材料,多次区熔提纯后使晶体中的杂质聚集在材料的一端而达到在材料的其他部分提纯的目材料的一端而达到在材料的其他部分提纯的目的。的。152023-5-13/6:08:21液相外延液相外延(LPE)(LPE)p选择合适的衬底,可以从熔体中得到单晶薄膜选择合适的衬底,可以从熔体中得到单晶薄膜.液相外延生长技术示意图液相外延生长技术示意图1 1:热电偶;:热电偶;2 2:石墨料舟;:石墨料舟;3 3:不同组分的:不同组分的熔体;熔体;4
16、 4:衬底:衬底 料舟中装有待沉积的料舟中装有待沉积的熔体,移动料舟经过单熔体,移动料舟经过单晶衬底时,缓慢冷却在晶衬底时,缓慢冷却在衬底表面成核,外延生衬底表面成核,外延生长为单晶薄膜。在料舟长为单晶薄膜。在料舟中装人不同成分的熔体,中装人不同成分的熔体,可以逐层外延不同成分可以逐层外延不同成分的单晶薄膜。的单晶薄膜。工艺简单,能够制备高纯度结晶优良的外延层,但不适合生长较薄的外延层。工艺简单,能够制备高纯度结晶优良的外延层,但不适合生长较薄的外延层。162023-5-13/6:08:212.1.2 2.1.2 从熔体制备非晶材料从熔体制备非晶材料p 高温熔体处于无序的状态,使熔体缓慢降温高
17、温熔体处于无序的状态,使熔体缓慢降温到熔点,开始成核、晶核生长,结晶为有序到熔点,开始成核、晶核生长,结晶为有序的晶体结构。的晶体结构。p 随着温度的降低,过冷度增加,结晶的速率随着温度的降低,过冷度增加,结晶的速率加快。当温度降到一定值时,结晶速率达到加快。当温度降到一定值时,结晶速率达到极大值。进一步降低温度,因为熔体中原子极大值。进一步降低温度,因为熔体中原子热运动的减弱,成核率和生长速率都降低,热运动的减弱,成核率和生长速率都降低,结晶速率也因此而下降。结晶速率也因此而下降。172023-5-13/6:08:21从熔体制备非晶材料从熔体制备非晶材料p 如果能使熔体急速地降温,以至生长甚
18、至成如果能使熔体急速地降温,以至生长甚至成核都来不及发生就降温到原子热运动足够低核都来不及发生就降温到原子热运动足够低的温度,这样就可以把熔体中的无序结构的温度,这样就可以把熔体中的无序结构“冻结冻结”保留下来,得到结构无序的固体材保留下来,得到结构无序的固体材料,即非晶,或玻璃态材料。料,即非晶,或玻璃态材料。p 主要的急冷技术有雾化法、急冷液态溅射、主要的急冷技术有雾化法、急冷液态溅射、表面熔化和自淬火法。表面熔化和自淬火法。182023-5-13/6:08:22从熔体制备非晶材料从熔体制备非晶材料p 雾化法是将熔融金属用气流、液体或机械方法破碎成小雾化法是将熔融金属用气流、液体或机械方法
19、破碎成小液滴,随后凝固成粉末。冷却速率一般为液滴,随后凝固成粉末。冷却速率一般为103105K103105Ks s;p 急冷液态溅射是将熔融金属或合金溅射到高速旋转的具急冷液态溅射是将熔融金属或合金溅射到高速旋转的具有高导热系数的辊面上,熔体在辊面上急速降温,形成有高导热系数的辊面上,熔体在辊面上急速降温,形成2050mm 2050mm 厚的非晶薄带。厚的非晶薄带。急冷液态溅射法制备非晶薄带示意图急冷液态溅射法制备非晶薄带示意图1 1 一铜辊;一铜辊;2 2 一加热器;一加热器;3 3 一熔体;一熔体;4 4 一非晶薄带一非晶薄带熔体被气压溅射到高速旋转的熔体被气压溅射到高速旋转的铜辊面上,降
20、温速率可达铜辊面上,降温速率可达105105K105105Ks s。192023-5-13/6:08:22从熔体制备非晶材料从熔体制备非晶材料p 表面熔化和自淬火法用激光束或电子束使合表面熔化和自淬火法用激光束或电子束使合金表面一薄层金表面一薄层(厚度厚度10 Ksp,沉淀,沉淀 /共沉淀。共沉淀。方法方法 化学共沉淀法是把含有各种离子的水溶液加进碱化学共沉淀法是把含有各种离子的水溶液加进碱类或沉淀剂,例如草酸等沉淀剂使水溶液形成氢类或沉淀剂,例如草酸等沉淀剂使水溶液形成氢氧化物或草酸盐沉淀,然后室温或升温陈化氧化物或草酸盐沉淀,然后室温或升温陈化(aging),使结构进一步稳定,最后煅烧。,
21、使结构进一步稳定,最后煅烧。362023-5-13/6:08:22沉淀法、共沉淀法之优缺点沉淀法、共沉淀法之优缺点优点优点 1 1各种离子在沉淀物中以离子状态混合,混合程度各种离子在沉淀物中以离子状态混合,混合程度通常非常良好,在溶解度限内不会有局部成份不通常非常良好,在溶解度限内不会有局部成份不均现象。均现象。2 2沉淀物是非晶态氢氧化物或低分解温度的草酸盐,沉淀物是非晶态氢氧化物或低分解温度的草酸盐,且因混合程度本已良好,可以降低煅烧温度。且因混合程度本已良好,可以降低煅烧温度。3 3由于低温煅烧,研磨时间可缩短,较易获得没有由于低温煅烧,研磨时间可缩短,较易获得没有受到磨球污染,粒径很细
22、的粉末。受到磨球污染,粒径很细的粉末。4 4化学共淀法具有自清作用,一些有害的杂质可以化学共淀法具有自清作用,一些有害的杂质可以尽量避免沉淀下来,以提高沉淀物的纯度。尽量避免沉淀下来,以提高沉淀物的纯度。372023-5-13/6:08:22沉淀法、共沉淀法之优缺点沉淀法、共沉淀法之优缺点缺点:缺点:1.1.化学共沉淀法所得非晶形沉淀物,其化学组成常受化学共沉淀法所得非晶形沉淀物,其化学组成常受不同离子在同一不同离子在同一pH pH 下溶解度不同,或极其不易沉淀下溶解度不同,或极其不易沉淀物种物种(如如LiLi+1+1),或不同沉淀剂盐类,或不同沉淀剂盐类(例如草酸盐例如草酸盐)的的溶解度不同
23、,而影响沉淀物的组成。溶解度不同,而影响沉淀物的组成。2.2.化学共沉淀法所得沉淀物为非晶形,仍需要相当高化学共沉淀法所得沉淀物为非晶形,仍需要相当高温的煅烧。温的煅烧。3.3.比起固相反应法费时、费力、耗用水量过多,及生比起固相反应法费时、费力、耗用水量过多,及生产过程过份复杂,成本高,以致至今被采用的例子产过程过份复杂,成本高,以致至今被采用的例子不多。不多。382023-5-13/6:08:22沉淀(共沉)法合成技术沉淀(共沉)法合成技术 随着无机非金属材料,特别是陶瓷材料的精密化发展,材料随着无机非金属材料,特别是陶瓷材料的精密化发展,材料成分的均匀性显得越来越重要。传统固相合成技术难
24、以使材成分的均匀性显得越来越重要。传统固相合成技术难以使材料达到分子或原子程度化学计量比混合,采用化学共沉淀法料达到分子或原子程度化学计量比混合,采用化学共沉淀法(chemical co-precipitation)(chemical co-precipitation)往往可以解决这个问题,从往往可以解决这个问题,从而达到较低生产成本、制备高性能陶瓷材料的目的。而达到较低生产成本、制备高性能陶瓷材料的目的。化学共沉淀法化学共沉淀法一般是把化学原料以溶液状态混合,并向溶液一般是把化学原料以溶液状态混合,并向溶液中加入适当的沉淀剂(中加入适当的沉淀剂(pH pH 调整剂或难溶化合物生成剂),调整剂
25、或难溶化合物生成剂),使溶液中已经混合均匀的各个组分按化学计量比共同沉淀出使溶液中已经混合均匀的各个组分按化学计量比共同沉淀出来,或者在溶液中先反应沉淀出一种中间产物来,或者在溶液中先反应沉淀出一种中间产物(precursor(precursor 前驱物前驱物),再把它煅烧,再把它煅烧(calcination)(calcination)分解,制备出微细粉末分解,制备出微细粉末产品。产品。392023-5-13/6:08:22沉淀(共沉)法合成技术沉淀(共沉)法合成技术 常用方法是以水溶液形式,将阴离子导入易溶性化常用方法是以水溶液形式,将阴离子导入易溶性化合物的水溶液中作为沉淀剂,并与含有金属
展开阅读全文