电路与模拟电子技术基础习题(DOC 14页).doc

1、电路与模拟电子技术基础习题习 题 77.1 确定图7.1所示电路的漏极电流。图7.1 习题7.1图(a) UGSQ=2V，(b) UGSQ=3V，ID=12(13/6)=3(mA)7.2 电路如图7.2所示，MOSFET的UT = 2V，K = 50mA/V2，确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。7.3 试求图7.3所示每个电路图的UDS，已知|IDSS| = 8mA。(a) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDDIDQRd = 1281=4(V)(b) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDDIDQRd = 1581.2=5.4(V)(c)

2、 UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDDIDQRd = 9+80.56=4.52(V) 图7.2 习题7.2电路图 图7.3 习题7.3电路图7.4 某MOSFET的IDSS = 10mA且UP = 8V。(1) 此元件是P沟道还是N沟道？(2) 计算UGS = 3V是的ID；(3) 计算UGS = 3V时的ID。(1) N沟道；(2) (3) 7.5 图7.4所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压（或夹断电压）约是多少。图7.4 习题7.5图(a) N沟道 耗尽型FET UP=3V；(b) P沟道 增强型FET UT=4V；(

3、c) P沟道 耗尽型FET UP=2V。7.6 图7.5所示为场效应管的输出特性曲线，分别判断各场效应管属于何种类型（结型、绝缘栅型、增强型、耗尽型、N沟道或P沟道），说明它的夹断电压（或开启电压）为多少。图7.5 习题7.6图(a) JFET P沟道 UP=3V；(b) 耗尽型 N沟道FET UP=1.0V7.7 画出下列FET的转移特性曲线。(1)UP = 6V，IDSS = 3mA的JFET；(2) UP = 6V，IDSS = 1mA的MOSFET；(3) UT = 8V，K = 0.2mA/V2的MOSFET。(1) (2) (3) 7.8 试在具有四象限的直角坐标上分别画出各种类型

4、场效应管的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。 7.9 判断图7.6所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。图7.6 习题7.9电路图(a) 能放大 (b) 不能放大，增强型不能用自给偏压 (c) 能放大7.10 试判断图7.7所示电路中，哪些具有电压放大作用，如不具有电压放大作用，如何改正才能使其有电压放大作用。(a) 不能放大，缺少Rd(b) 不能放大，共漏，可增加Rd，并改为共源放大(c) 不能放大，增强型不能采用自给偏压，须改为分压偏置(d) 能放大图7.7 习题7.10电路图7.11 图7.8(a)所示电路中的场效应管的转移特性为图7.8(b)所示，试求解该电路的、和。图7

5、.8 习题7.11图 由图(a) 可知：UGS= 1V，由图(b)可得 ID=2mA，可求得：UDS=1225=2V7.12 电路如图7.8所示，已知FET的IDSS = 3mA、UP = 3V、U(BR)DS = 10V。试问在下列三种条件下，FET各处于哪种状态？(1) Rd = 3.9k；(2) Rd = 10k；(3) Rd = 1k。UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=3mA(1) UDSQ=1533.9=3.3(V) 处于恒流区；(2) UDSQ=15310=15(V) 处于可变电阻区；(3) UDSQ=1531=12(V) 处于击穿区。7.13 电路如图7.9所示，已知VT在U

6、GS = 5V时的ID = 2.25mA，在UGS = 3V时的ID = 0.25mA。现要求该电路中FET的VDQ = 2.4V、IDQ = 0.64mA，试求：(1) 管子的K和UT的值；(2) Rd和RS的值应各取多大？ID=K(UGS-UT)22.25= K(5-UT)2 0.25= K(3-UT)2 UT1=3.5(V) (不合理，舍去)，UT2=2(V)求得：K=0.25mA/V2，UT=2VVDQ=VDD-IDQRd 2.4=120.64Rd Rd=15k UGSQ1=0.4(V)(不合理，舍去) UGSQ2=3.6(V)UGSQ=100.64Rs Rs=10k7.14 电路如图

7、7.10所示，已知FET的UT = 3V、K = 0.1mA/V2。现要求该电路中FET的IDQ = 1.6mA，试求Rd的值应为多大？ 图7.8 习题7.12图 图7.9 习题7.13图 图7.10 习题7.14图1.6=0.1(UGSQ3)2 UGSQ1=7(V) UGSQ2=1(V)(不合理，舍去)UDSQ=UGSQ=7(V) UDSQ=151.6Rd Rd=5k7.15 电路如图7.11所示，已知场效应管VT的UT = 2V，U(BR)DS = 16V、U(BR)GS = 30V，当UGS = 4V、UDS = 5V时的ID = 9mA。请分析这四个电路中的场效应管各工作在什么状态(截

8、止、恒流、可变电阻、击穿)？图7.11 习题7.15图(a) 截止 (b) UDSQ=20VU(BR)DS，击穿(c) ID=K(UGS-UT)2 9=K(42)2 K=2.25mA/V2 UGSQ=3V IDQ=2.25(32)2 IDQ=2.25mA UDSQ=122.255=0.75(V)UGSQUT=1V 处于恒流区7.16 电路如图7.12所示，已知场效应管VT1的IDSS = 4mA、UP = 5V；VT2的K = 0.16mA/V2、UT = 3.5V；VT3的IDSS = 5mA、UP = 4V；VT4的IDSS = 2mA、UP = 2V。试分析这四个电路中的场效应管各工作在

9、截止区、恒流区、可变电阻区中的哪个区。(a) UGSQ=2V IDQ=4(12/5)2=1.44mA UDSQ=101.443=5.68(V)UGSQUP=3V 处于恒流区 (b) UGSQ=2VUT，截止(c)UGSQ=0V IDQ=IDSS=5mA UDSQ=10+53=5(V) 由电路图可知UDSQIDSS 处于可变电阻区(d) UGSQ=0V 假设处于恒流区，则IDQ=IDSS=2mA UDSQ=10+23=4(V)UGSQUP=2V 处于恒流区 图7.12 习题7.16图7.17 电路如图7.13所示(1) JFET的UP = 8V，IDSS = 16mA，确定电路Q点的IDQ和UD

10、SQ值。(2) 将VT换成UP = 10V，IDSS = 12mA的JFET，重新确定电路Q点的IDQ和UDSQ值图7.13 习题7.17图(1) UGSQ=5V UDSQ=102.252.2=5.05V(2) UGSQ=5V UDSQ=1032.2=3.4V7.18 图7.14所示场效应管工作于放大状态，忽略不计，电容对交流视为短路。跨导为。（1）画出电路的交流小信号等效电路；（2）求电压放大倍数和源电压放大倍数；（3）求输入电阻和输出电阻。图7.14 习题7.18电路图(1) (2) Ri=Rg3+Rg2/Rg1=2+0.3/0.1=2.075(M) Ro=Rd=10k(3) 7.19 电

11、路如图7.15所示，场效应管的，忽略不计。试求共漏电路的源电压增益、输入电阻和输出电阻。图7.15 习题7.19电路图Ri=Rg2/Rg1=240/240=120(k)Ro=R/=0.75/=79.27.20 源极输出器电路如图7.16所示，已知场效应管在工作点上的互导，忽略不计，其他参数如图中所示。求电压增益、输入电阻和输出电阻。图7.16 习题7.20电路图Ri=Rg3+Rg2/Rg1=2+0.3/0.1=2.075(M)Ro=R/=12/=1.02k7.21 放大电路如图7.17所示，已知场效应管的， = -4V，若要求场效应管静态时的，各电容均足够大。试求：（1）的阻值；（2）、及的值

12、。图7.17 习题7.21电路图 Rg1=1.2(M)Ri=Rg3+Rg2/Rg1=2+0.05/1.2=2.048(M)Ro=Rd=10k7.22 电路如图7.18所示，已知FET的UP = 1V，IDSS = 1mA，(1) 试求该电路的静态工作点参数UGSQ、IDQ、UDSQ的值；(2) 试求该电路的、Ri、Ro的值。(3) 若Cs开路，重求、Ri、Ro的值。(1) UGSQ1=-2.97V(UP，不合理，故舍去) UGSQ2=0.03VUDSQ=VDDIDQ(Rd+Rs)=180.93(10+1)=7.77V(2) Ri=Rg3+Rg2/Rg1=10+0.1/1.9=10.1(M)Ro=Rd=10k(3)Ri=Rg3+Rg2/Rg1=10+0.1/1.9=10.1(M)Ro=Rd=10k7.23 电路如图7.19所示，已知FET在Q点处的跨导gm = 2ms，试求该电路的、Ri、Ro的值。 图7.18 习题7.22电路图 图7.19 习题7.23电路图Ri=Rg2/Rg1=2/0.5=0.4(M)Ro=Rs/=3/=429()