第二章-传输线理论课件.ppt
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- 第二 传输线 理论 课件
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1、Microwave Technique引言引言Microwave Technique基本概念基本概念长线长线(long line):传输线几何长度与工作波长):传输线几何长度与工作波长可比拟,需用分布参数可比拟,需用分布参数电路描述。电路描述。u 短线短线(short line):传输线几何长度与工作波长):传输线几何长度与工作波长相比可忽略不计,可相比可忽略不计,可用集总参数分析。用集总参数分析。u二者分界:二者分界:l/0.05u 分布参数分布参数(distributed parameter):R、L、C和和G。分布在传输线上,随频率改变;分布在传输线上,随频率改变;单位长度上:分布电阻、
2、分布电感、分布电容和分布电导(单位长度上:分布电阻、分布电感、分布电容和分布电导(均匀、非均均匀、非均匀匀)。)。Microwave Techniqueu传输线传输线(transmission line)是以是以TEM导模的方式传送电磁波导模的方式传送电磁波能量或信号的导行系统。能量或信号的导行系统。u 特点特点:横向尺寸:横向尺寸 工作波长工作波长。u 结构结构:平行双导线平行双导线 同轴线同轴线 带状线带状线 微带线(准微带线(准TEM模)模)u广义传输线广义传输线:各种传输:各种传输TETE模模TMTM模或其混合模的波导都可以认为模或其混合模的波导都可以认为是广义传输线。是广义传输线。传
3、输线概述传输线概述Microwave Technique 微波技术中常用的传输线是微波技术中常用的传输线是同轴线同轴线和和微带线微带线。同轴线同轴线:由同轴的管状外导体和柱状内导体构成。:由同轴的管状外导体和柱状内导体构成。分为分为硬同轴线硬同轴线和和软同轴线软同轴线两种。两种。硬同轴线又称硬同轴线又称同轴管同轴管,软同轴线又称,软同轴线又称同轴电缆同轴电缆。微带线微带线:带状导体、介质和底板构成。:带状导体、介质和底板构成。严格说,由于介质严格说,由于介质(有耗、色散)的引入,微带有耗、色散)的引入,微带 线中传输的不是真正的线中传输的不是真正的TEMTEM波,而是波,而是准准TEMTEM波
4、波。Microwave Technique普通支路网络电缆普通支路网络电缆电梯电缆电梯电缆Microwave Technique数字局用同轴射频电缆数字局用同轴射频电缆 数字局用对称射频电缆数字局用对称射频电缆 机房等场合用阻燃软电缆机房等场合用阻燃软电缆普通主干网络电缆普通主干网络电缆Microwave TechniqueMicrowave Technique传输线传输线谐振器谐振器 电路元件电路元件反射系数反射系数驻波比驻波比输入阻抗输入阻抗原理原理集总集总元件模型元件模型传输线传输线 方程方程 波动解波动解传输线分析中的基本概念传输线分析中的基本概念Smith Smith 圆图圆图传输线
5、问题传输线问题图解图解Microwave Technique2.1 传输线的集总元件电路模型传输线的集总元件电路模型传输线方程传输线方程传输线上传输线上无穷小长度无穷小长度z的一段线的一段线2.1(a)可等效为可等效为2.1(b)图图2.1 传输线的一个长度增量(传输线的一个长度增量(a)电压电流()电压电流(b)等效电路)等效电路12在在1处使用处使用KVL:0)t,zz(vtt,zizL)t,z(ziR)t,z(v 0)t,zz(itt,zzvzC)t,zz(zvG)t,z(i 在在2处使用处使用KCL:Microwave Technique上述方程,对于简谐稳态上述方程,对于简谐稳态ej
6、t而言,可以简化为相量的形式:而言,可以简化为相量的形式:(2.2a)(2.2b)这些方程就是这些方程就是传输线方程传输线方程或或电报方程电报方程的时域形式。的时域形式。移项,并取移项,并取z0时的极限:时的极限:t)t,z(iL)t,z(Riz)t,z(v t)t,z(vC)t,z(Gvz)t,z(i )z(YV)z(V)CjG(dz)z(dI)z(ZI)z(I)LjR(dz)z(dV 物理意义物理意义:传输线上的电压是由于串联阻抗降压作用造成的,传输线上的电压是由于串联阻抗降压作用造成的,而电流变化则是由于并联导纳的分流作用造成的而电流变化则是由于并联导纳的分流作用造成的。电电报报方方程程
7、(2.3a)(2.3b)Microwave Technique电报方程可变为独立二阶齐次线性常微分方程形式电报方程可变为独立二阶齐次线性常微分方程形式0)()(0)()(222222zIdzzIdzVdzzVd式中式中复数传播系数,是频率的函数。复数传播系数,是频率的函数。ZY)CjG)(LjR(j (2.4a)(2.4b)2.1.1 传输线上的波传播传输线上的波传播类比类比亥姆亥姆霍兹霍兹方程方程Microwave Technique电报方程的行波解电报方程的行波解 z0z0eVeV)z(V z0z0eIeI)z(I 均匀传输线上电压、电流都呈现为朝均匀传输线上电压、电流都呈现为朝+z方向和
8、朝方向和朝-z方向传方向传播的播的两个行波两个行波,可称为,可称为入射波入射波和和反射波反射波;在无损传输线;在无损传输线上,它们是等幅行波;电压行波与同方向的电流行波的上,它们是等幅行波;电压行波与同方向的电流行波的振幅之比为振幅之比为特性阻抗特性阻抗,其正负号取决于,其正负号取决于 z 坐标正方向的坐标正方向的选定。选定。电报方程解的意义电报方程解的意义(2.6a)(2.6b)Microwave Technique z0z0eVeVLjR)z(I 根据式根据式(2.3a)和和(2.6a)可得线上电流可得线上电流:与式(与式(2.6b2.6b)相比较,得到)相比较,得到特性阻抗特性阻抗为为:
9、CjGLjRLjRZ0(2.7)特性阻抗与传输线上电压、电流的关系特性阻抗与传输线上电压、电流的关系 00000IVZIVMicrowave Technique瞬时电压波形瞬时电压波形z0z0e)ztcos(Ve)ztcos(V)t,z(v 这时,这时,是复数电压是复数电压 0V的相位角。的相位角。2相速相速fvP波长波长(2.9)(2.10)(2.11)Microwave Technique电报方程解的讨论电报方程解的讨论zzzzeZVeZVzIeVeVzV00_)0()0()()0()0()(1、一般情况:、一般情况:(有耗)(有耗)RGLCCGLRCjGLjRjYZ2222222)(21
10、RGLCCGLR2222222)(21CGjLRjCLCjGLjRZ110传输线上衰传输线上衰减减,相位,相位常数常数,阻,阻抗抗Z0均与频均与频率有关率有关Microwave TechniqueGCRL,GRZRG0,0,2、低频大损耗情况、低频大损耗情况(工频传输线)(工频传输线)传输线上不呈现波动过程,只带来一定衰减,衰减传输线上不呈现波动过程,只带来一定衰减,衰减为常数。为常数。GCRL,LCjCLGLCRYZ22LCCLGLCR22CGLRjCLZ2103、高频小损耗情况:、高频小损耗情况:传输线上呈现波动过程,传输线上呈现波动过程,衰减衰减为常数。为常数。CjGLjRjMicrow
11、ave TechniqueCjGLjRjLCCLZ04、无损耗情况:、无损耗情况:R=0,G=0此时传输线上电压、电流呈现正向和反向的等幅行波。此时传输线上电压、电流呈现正向和反向的等幅行波。特征阻抗特征阻抗Z0为实数,即电流与电压同向。为实数,即电流与电压同向。称无耗传输线或理想传输线。称无耗传输线或理想传输线。(微波技术中最常用微波技术中最常用)Microwave TechniqueLCjLC0无损传输线无损传输线特性阻抗特性阻抗为实数:为实数:CLZ 02.1.2 无耗传输线无耗传输线CjGLjRjMicrowave TechniquezeVVzV0z-j0e)(zjzjeZVeZVzI
12、0000)(波长波长LC22相速相速LCvP1无耗传输线上的电压电流的一般解为无耗传输线上的电压电流的一般解为:(2.14a)(2.14b)(2.15)(2.16)Microwave Technique2.2 传输线的场分析传输线的场分析 一段一段1 1米长的均匀米长的均匀TEMTEM波传输线,其上电磁场分布如图波传输线,其上电磁场分布如图2.22.2所示。所示。zjeV0图图2.2 任意任意TEM传输线上的电磁场传输线上的电磁场zjeI0沿线电流沿线电流导体间电压导体间电压2.2.1 传输线参量传输线参量Microwave Technique平均磁储能:平均磁储能:SdSHHILm/H20d
13、SHHWSm4平均电储能:平均电储能:ScdSEEW44/20ILWm根据电路理论:根据电路理论:单位长度自电感单位长度自电感为:为:求出单位长度的电感、电容、电阻和电导求出单位长度的电感、电容、电阻和电导1.单位长度自电感单位长度自电感2.单位长度电容单位长度电容SdSEEVCm/F204/20VCWc根据电路理论:根据电路理论:单位长度电容单位长度电容为:为:S是传输线的横截面是传输线的横截面(2.17)(2.18)Microwave Technique3.单位长度电阻单位长度电阻金属功率损耗:金属功率损耗:21m/20CCSdlHHIRRdlHHRPCCSc2122/20IRPc根据电路
14、理论:根据电路理论:单位长度电阻单位长度电阻为:为:C1C2表示整个导体边界上的积表示整个导体边界上的积分路径分路径是是导导体体的的表表面面电电阻阻SSR/1介质功率损耗:介质功率损耗:4.单位长度电导单位长度电导 SddSEEP22/20VGPd根据电路理论:根据电路理论:单位长度电导单位长度电导为:为:SdSEEVGm/S20)tan1(jj 的的虚虚部部是是复复介介电电常常数数(2.19)(2.20)Microwave Technique如右图所示的同轴线内部如右图所示的同轴线内部TEM波行波场可表示为:波行波场可表示为:zeabVEln0其中其中 是其传播常数,是其传播常数,假如导体的
15、表面假如导体的表面电阻为电阻为Rs,而导体间填充介质具有的而导体间填充介质具有的 j导磁率为导磁率为r0试确定传输线参量试确定传输线参量。例题例题2.12.1zeIH20复数介电常数为复数介电常数为Microwave Technique同轴线参量为同轴线参量为m/Hln21)2(2022abddLbam/Fln21)(ln2022abddabCba解m/112)11()2(2022022baRbdbadaRRSsm/Sln21)(ln2022abddabGba Microwave Techniqueu表表2.1中列出了同轴线、双线和薄带状线的参量。中列出了同轴线、双线和薄带状线的参量。u从下一
16、章可看到,大部分传输线的传播常数,特性阻抗和衰减是从下一章可看到,大部分传输线的传播常数,特性阻抗和衰减是直接由场论解法导出的。直接由场论解法导出的。u该例题先求等效电路参数该例题先求等效电路参数(L,C,R,G)的方法,只适用于相对的方法,只适用于相对较简单的传输线。虽然如此,它还是提供了一种有用的直观概念,较简单的传输线。虽然如此,它还是提供了一种有用的直观概念,将传输线和它的等效电路联系起来将传输线和它的等效电路联系起来。注意注意Microwave Technique 表表2.1 2.1 一些常用传输线的参量一些常用传输线的参量同轴线同轴线双线双线平板传输线平板传输线LCRGabln2W
17、ddWWRs2dW)2/(arccosaDh aRs)2/(arccosaDhab/ln2)11(2baRsab/ln2 aDh2arccosabDaawdMicrowave Technique2.2.2 由场分析导出同轴线的电报方程由场分析导出同轴线的电报方程对于如右图所示同轴线中的对于如右图所示同轴线中的TEM波波而言:而言:0zzHE由于角对称,由于角对称,改变,则改变,则场不随场不随同轴线内的电磁场:同轴线内的电磁场:EjHHjE条件一:条件一:0条件二:条件二:将以上两个条件代入并将以上两个条件代入并忽略导体损耗,在圆柱忽略导体损耗,在圆柱坐标中展开可得坐标中展开可得Microwav
18、e Technique)()(1HHjEzzEzE)()(1EEjHzzHzH(2.22a)(2.22b)必定具有以下形式:必定具有以下形式:和和为零,所以为零,所以HEz)(zfE)(zgH 0,Eba时,时,边界条件:边界条件:0E0H所以必须处处都有所以必须处处都有HjzEEjzH因此(因此(2.22)简化为)简化为)(zhE Microwave Technique因此上式可写为:因此上式可写为:)()(zgjzzh)()(zhjzzg(2.26a)(2.26b)两导体间的电压为:两导体间的电压为:abzhdzhdzEzVbabaln)()(),()(2.27a)a处的总电流为处的总电流
19、为20)(2),()(zgadzaHzI(2.27b)将利用将利用(2.27)消去(消去(2.26)中的)中的h(z)和和g(z)abzVjjzzIzIabjzzV/ln)(2)()()(2/ln)(Microwave Technique根据例题根据例题2.1中的结果,可以得到电报方程:中的结果,可以得到电报方程:)()()()()(zVCjGdzzdIzLIjdzzdV(2.28a)(2.28b)由于假定内外导体为理想导体,因此没有由于假定内外导体为理想导体,因此没有R项项Microwave Technique2.2.3 无耗同轴线的传播常数、阻抗和功率流无耗同轴线的传播常数、阻抗和功率流波
20、动方程波动方程0222EzE传播常数传播常数22LC 传播常数与无损耗介质中平面波的结果相同,是传播常数与无损耗介质中平面波的结果相同,是TEM波传输线的一般波传输线的一般结果。结果。无耗介质中无耗介质中Microwave Technique波阻抗定义定义/W波阻抗与介质内阻抗一致,是波阻抗与介质内阻抗一致,是TEM波传输线的一般结果。波传输线的一般结果。Microwave Technique同轴线的特性阻抗同轴线的特性阻抗 2a/bln2a/bln2a/blnVr000 u由结果可见,特性阻抗与传输线的几何形状和填充的介质有关,由结果可见,特性阻抗与传输线的几何形状和填充的介质有关,不同传输
21、线结构,不同传输线结构,Z Z0 0的数值不同。的数值不同。Microwave Technique 200020021/ln22121basIVddabIVdsHEP这结果与用电路理论得出的结果完全一致,它表明传输线上的这结果与用电路理论得出的结果完全一致,它表明传输线上的功率流是完全通过两导体间的电磁场产生的,并不是通过导体功率流是完全通过两导体间的电磁场产生的,并不是通过导体本身传输的。如果导体的导电率有限,则部分功率还将进入导本身传输的。如果导体的导电率有限,则部分功率还将进入导体,并转化为热能,而不能传到负载去。体,并转化为热能,而不能传到负载去。同轴线上(同轴线上(+Z+Z方向)的功
22、率流方向)的功率流由坡印亭矢量有由坡印亭矢量有Microwave Technique2.3 端接负载的无耗传输线端接负载的无耗传输线LC 0CLZ0 R=0,G=0工程意义工程意义无耗传输线无耗传输线Microwave TechniqueZL=?ZS=?匹配负载:匹配负载:ZL=Z0,传输线上为,传输线上为纯行波纯行波(负载匹配)(负载匹配)匹配电源:匹配电源:ZS=Z0,电源完全吸收反射波(电源匹配),电源完全吸收反射波(电源匹配)完全失配:完全失配:ZL=0、,传输线上为,传输线上为纯驻波纯驻波(全反射)(全反射)一般情况:一般情况:ZL Z0、0、,线上为,线上为行驻波行驻波(部分反射)
23、(部分反射)传输线的匹配状态传输线的匹配状态Microwave Technique电长度概念电长度概念u电长度电长度=l/g,无单位,(,无单位,(l为实际线长)。为实际线长)。u电长度为电长度为1表示一个波长(表示一个波长(360度),故:度),故:/4 为为90度,度,/2为为180度。度。Microwave Technique zjzjzjzjeZVeZVzIeVeVzV 000000总电压和总电流的比值为总电压和总电流的比值为负载阻抗负载阻抗,所以在,所以在z=0z=0处有处有 0000000ZVVVVIVZL端接任意负载阻抗的无端接任意负载阻抗的无损传输线电压电流表达损传输线电压电流
24、表达式式(2.34b)(2.34a)Microwave Technique0000VZZZZVLL求得:求得:定义:电压反射波与电压入射波之比值为定义:电压反射波与电压入射波之比值为电压反射系数电压反射系数:0000ZZZZVVLL(2.35)这时,线上的总电压和总电流可写成这时,线上的总电压和总电流可写成 zjzjzjzjeeZVzIeeVzV 000(2.36b)(2.36a)上式表明,线上的电压和电流是由入射波和反射波叠加而成上式表明,线上的电压和电流是由入射波和反射波叠加而成驻波驻波。当当ZLZ0时,时,0 0,没有反射波,没有反射波匹配负载匹配负载复数:复数:je|Microwave
25、 Techniquel时间平均功率流:时间平均功率流:时间平均入射功率时间平均入射功率时间平均反射功率时间平均反射功率线上任意点的平线上任意点的平均功率为常数均功率为常数推导过程:推导过程:Microwave TechniqueMicrowave Techniquel回波损耗(回波损耗(return loss):dBRLlg20Microwave Technique11minmaxVVSWRSWR为实数,其数值变化范围为为实数,其数值变化范围为表表示示负负载载匹匹配配,11SWRSWR由于反射波的存在,传输线上的电压呈现驻波形式。由于反射波的存在,传输线上的电压呈现驻波形式。采用驻波比(采用驻
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