热生长二氧化硅膜课件.pptx

1、二氧化硅膜的用途：二氧化硅膜的用途：1.作为掺杂的掩蔽膜；作为掺杂的掩蔽膜；2.MIS栅介质膜；栅介质膜；3.介质隔离；介质隔离；4.保护层或缓冲层。保护层或缓冲层。SiO2Si4.14.1二氧化硅膜的结构和性质二氧化硅膜的结构和性质1.结构特点：长程无序，短程有结构特点：长程无序，短程有序。序。2.组成单元：硅氧四面体。组成单元：硅氧四面体。3.二氧化硅中也可能存在各种杂二氧化硅中也可能存在各种杂质，如氢氧根（替代氧）；硼、质，如氢氧根（替代氧）；硼、磷（替代硅）；钾、钠、钙、磷（替代硅）；钾、钠、钙、钡、铅、铝（填隙杂质），从钡、铅、铝（填隙杂质），从而对其物理性质产生重要的影而对其物理性

2、质产生重要的影响。响。SiO1.硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为氧化硅层，厚度约为250埃。埃。2.如果需要得到更厚的氧化层，必须在氧气如果需要得到更厚的氧化层，必须在氧气气氛中加热。气氛中加热。3.硅的氧化反应是发生在硅的氧化反应是发生在Si/SiO2界面，这是界面，这是因为：因为：Si在在SiO2中的扩散系数比中的扩散系数比O的扩散的扩散系数小几个数量级。系数小几个数量级。4.24.2二氧化硅膜的制备方法二氧化硅膜的制备方法 制备二氧化硅膜的方法有：热生长氧化法、制备二氧化硅膜的方法有：热生长氧化法、化学气相沉积等。但目前主要使用的

3、还是化学气相沉积等。但目前主要使用的还是热生长氧化法。热生长氧化法。热生长氧化法优点热生长氧化法优点：致密、纯度高、膜厚：致密、纯度高、膜厚均匀等；均匀等；缺点缺点：需要暴露的硅表面、生长速率低、：需要暴露的硅表面、生长速率低、需要高温。需要高温。热生长二氧化硅的方法热生长二氧化硅的方法1.干氧法干氧法：硅和分子氧反应生成：硅和分子氧反应生成SiO2特点：氧化速度慢，但氧化层致密。特点：氧化速度慢，但氧化层致密。2.水汽氧化水汽氧化：硅和水汽反应生成：硅和水汽反应生成SiO2特点：氧化速度快，但氧化层疏松。特点：氧化速度快，但氧化层疏松。3.湿氧法湿氧法：硅同时和氧分子及水汽反应生成：硅同时和

4、氧分子及水汽反应生成SiO2特点：氧化速度介于干氧和水汽氧化之间。特点：氧化速度介于干氧和水汽氧化之间。4.3迪尔格罗夫氧化模型迪尔格罗夫氧化模型J1J2J3CgCsC0Ci1()ggsJh CC2oiooxCCJDt3siJKCossCHPHkTC123JJJ自由气自由气体层体层Cg离硅片表面较远处氧浓度；离硅片表面较远处氧浓度；Cs硅片表面处的氧浓度；硅片表面处的氧浓度；Co硅片表面氧化层中的氧浓度；硅片表面氧化层中的氧浓度；Ci在在Si/SiO2界面处的氧浓度；界面处的氧浓度；hg质量输运系数；质量输运系数；D是氧在是氧在SiO2中的扩散系数；中的扩散系数；Ks是硅与氧反应生成是硅与氧反

5、应生成SiO2的化学反应速率常数；的化学反应速率常数；H是亨利气体常数；是亨利气体常数；Pg氧化炉内氧气的分压。氧化炉内氧气的分压。111sgoxss oxoHk PdtJRNdtKK tNhD氧化层生长速率为：氧化层生长速率为：其中其中N1是是SiO2中氧原子浓度（中氧原子浓度（4.41022 cm-3）除以）除以氧源中氧原子数量。（比如以氧源中氧原子数量。（比如以O2为氧源，则除以为氧源，则除以2；以以H2O为氧源，则除以为氧源，则除以1）边界条件边界条件：T0时刻氧化层厚度假设为时刻氧化层厚度假设为t0，则有：，则有：2()oxoxtAtB t其中：其中：120112()2sggoADk

6、hDHPBNtAtB1、若氧化层厚度足够薄：、若氧化层厚度足够薄：2、若氧化层厚度足够厚：、若氧化层厚度足够厚：()oxBttA()oxtB t反应速率控制反应速率控制扩散控制扩散控制B/A被称为线性速率系数；而被称为线性速率系数；而B被称为抛物线速率系数被称为抛物线速率系数自然氧化层自然氧化层1.迪尔格罗夫模型在迪尔格罗夫模型在薄氧化层范围内薄氧化层范围内不适用。不适用。2.在薄氧化阶段，氧化速率非常快，其氧化机理在薄氧化阶段，氧化速率非常快，其氧化机理至今仍然存在争议，但可以用经验公式来表示。至今仍然存在争议，但可以用经验公式来表示。3.由于薄氧化阶段的特殊存在，迪尔格罗夫模由于薄氧化阶段

7、的特殊存在，迪尔格罗夫模型需要用型需要用来修正。来修正。硅（硅（100）晶面干氧氧化速率与氧化层）晶面干氧氧化速率与氧化层厚度的关系厚度的关系薄氧阶段的经验公式薄氧阶段的经验公式其中：其中：tox为氧化层厚度；为氧化层厚度；L1和和L2是特征距离，是特征距离，C1和和C2是比例常数。是比例常数。12/122oxoxtLtLoxoxdtBC eC edttA硅的氧化系数硅的氧化系数温度温度()干氧干氧湿氧湿氧A(m)B(m2/h)(h)A(m)B(m2/h)8000.370.001199200.2350.00491.40.50.20310000.1650.01170.370.2260.28711

8、000.090.0270.0760.110.5112000.040.0450.0270.050.72其中：其中：是考虑到自然氧化层的因素，是考虑到自然氧化层的因素，250左右。左右。计算在计算在120分钟内，分钟内，920水汽氧化（水汽氧化（640Torr）过）过程中生长的二氧化硅层的厚度。假定硅片在初始状程中生长的二氧化硅层的厚度。假定硅片在初始状态时已有态时已有1000埃的氧化层。埃的氧化层。o2222022(0.10.1=920 CA=0.50 mB=0.203 m/hm)+0.5 mm0.2030.295h()AA4()m=0.482/hmAooxoxoxoxtAtBtAtB tB t

9、tt据公查表得知，时，式有：，这种情况下不能注意：用近似法。4.4影响氧化速率的因素影响氧化速率的因素1.温度温度：氧化速率随温度升高而增大。：氧化速率随温度升高而增大。2.气氛气氛：适量掺氯气氛可以增加氧化速率。：适量掺氯气氛可以增加氧化速率。3.氧化剂分压氧化剂分压：氧化速率与氧化剂分压成正比。：氧化速率与氧化剂分压成正比。4.硅衬底掺杂硅衬底掺杂：一般情况下硅中的掺杂会增加氧化速率。：一般情况下硅中的掺杂会增加氧化速率。5.硅片晶向硅片晶向：硅原子密度大的晶面上氧化速率大，：硅原子密度大的晶面上氧化速率大，R(111)R(110)R(100)。()oxBttA()oxtB t1112()

10、2sggADkhDHPBN温度的影响分析温度的影响分析1.对于抛物线速率常数对于抛物线速率常数B，温度的影响，温度的影响是通过扩散系数是通过扩散系数D体现的。体现的。具体表现具体表现在干氧和水汽氧化具有不同的激活能，在干氧和水汽氧化具有不同的激活能，这是因为干氧和水汽在硅中的扩散激这是因为干氧和水汽在硅中的扩散激活能不一样。活能不一样。2.对于线性速率常数对于线性速率常数B/A，温度的影响，温度的影响则主要是通过反应速率常数则主要是通过反应速率常数Ks体现的。体现的。具体表现在干氧和湿氧具有相同的激具体表现在干氧和湿氧具有相同的激活能，这是因为干氧和水汽氧化本质活能，这是因为干氧和水汽氧化本质

11、上都是硅硅键的断裂，具有相同的上都是硅硅键的断裂，具有相同的激活能。激活能。1112()2sggADkhDHPBN抛物线速率常数抛物线速率常数B随温度的变化（阿列尼乌斯曲线）随温度的变化（阿列尼乌斯曲线）线性速率常数线性速率常数B/A随温度的变化（阿列尼乌斯曲线）随温度的变化（阿列尼乌斯曲线）氯气氛的影响分析氯气氛的影响分析在氧化气氛中加入氯可以使在氧化气氛中加入氯可以使SiO2的质量得到很大的改善，的质量得到很大的改善，并可以增大氧化速率，主要有以下方面：并可以增大氧化速率，主要有以下方面：钝化可动离子，特别是钠离子；钝化可动离子，特别是钠离子；增加硅中少数载流子的寿命；增加硅中少数载流子的

12、寿命；减少中的缺陷，提高了抗击穿能力；减少中的缺陷，提高了抗击穿能力；降低界面态密度和固定电荷密度；降低界面态密度和固定电荷密度；减少硅中的堆积层错。减少硅中的堆积层错。氯对氧化速率的影响氯对氧化速率的影响氧化剂分压的影响分析氧化剂分压的影响分析1.A与氧化剂分压无关，而与氧化剂分压无关，而B与氧化与氧化剂分压成正比。剂分压成正比。2.通过改变氧化剂分压可以达到调整通过改变氧化剂分压可以达到调整SiO2生长速率的目的，因此出现了生长速率的目的，因此出现了高压氧化和低压氧化技术。高压氧化和低压氧化技术。1112()2sggADkhDHPBN氧化速率常数随温度和压强的关系氧化速率常数随温度和压强的

13、关系硅片晶向的影响分析硅片晶向的影响分析1.B与晶向无关与晶向无关，因为分压一定的情况，因为分压一定的情况下，氧化速率与氧化剂在下，氧化速率与氧化剂在SiO2中的扩中的扩散系数散系数D有关，而有关，而SiO2是无定形的，是无定形的，所以扩散具有各向同性。所以扩散具有各向同性。2.A与晶向有关与晶向有关，因为反应速率常数严，因为反应速率常数严重依赖于硅表面的键密度。显然，重依赖于硅表面的键密度。显然，（111）晶面的键密度大于（）晶面的键密度大于（100）晶面，所以（晶面，所以（111）晶面上的氧化速）晶面上的氧化速率最大。率最大。1112()2sggADkhDHPBN掺杂的影响分析掺杂的影响分

14、析硅中常见杂质如硼、磷，都倾向于使氧化速率增大。硅中常见杂质如硼、磷，都倾向于使氧化速率增大。1.对于硼来说，氧化过程中大量的硼进入到对于硼来说，氧化过程中大量的硼进入到SiO2中，中，破坏了破坏了SiO2的结构，从而使氧化剂在的结构，从而使氧化剂在SiO2中的扩散中的扩散能力增强，因此增加氧化速率。能力增强，因此增加氧化速率。2.对于磷来说，虽然进入对于磷来说，虽然进入SiO2的磷不多，但在高浓度的磷不多，但在高浓度时，高浓度磷掺杂会改变硅的费米能级，使硅表面时，高浓度磷掺杂会改变硅的费米能级，使硅表面空位增多空位增多（存在争议）（存在争议），从而提供了额外的氧化点，从而提供了额外的氧化点，

15、增加了氧化速率。增加了氧化速率。4.5热氧化引起的缺陷热氧化引起的缺陷氧化诱生层错氧化诱生层错是热氧化产生的缺陷，它通常存在于是热氧化产生的缺陷，它通常存在于Si/SiO2界面附近硅衬底一侧。界面附近硅衬底一侧。产生原因产生原因：氧化过程中产生硅自填隙点缺陷，这些点缺：氧化过程中产生硅自填隙点缺陷，这些点缺陷凝聚起来，在（陷凝聚起来，在（111）面内形成层错。）面内形成层错。减少层错的措施减少层错的措施：a）磷、硼掺杂引入晶格失配缺陷作）磷、硼掺杂引入晶格失配缺陷作为点缺陷的吸收源；为点缺陷的吸收源；b）掺氯氧化可以吸收点缺陷，阻）掺氯氧化可以吸收点缺陷，阻止点缺陷凝聚长大；止点缺陷凝聚长大；

16、c）采用高压氧化，从而减少氧化）采用高压氧化，从而减少氧化温度和时间；温度和时间；d）采用（）采用（111）硅片。）硅片。4.6氧化层质量氧化层质量Si/SiO2界面界面1.固定电荷层固定电荷层：存在于：存在于Si/SiO2界面附近，是一些过剩的硅界面附近，是一些过剩的硅离子。这些过剩的硅在氧化过程中与晶格脱开，但还没离子。这些过剩的硅在氧化过程中与晶格脱开，但还没有与氧分子反应，于是形成固定电荷层。有与氧分子反应，于是形成固定电荷层。2.界面陷阱电荷界面陷阱电荷：硅表面出现晶格周期中断，从而导致界：硅表面出现晶格周期中断，从而导致界面处出现悬挂键，成为电子或空穴的陷阱，并在禁带中面处出现悬挂

17、键，成为电子或空穴的陷阱，并在禁带中引入能级，称为界面态。引入能级，称为界面态。3.可移动离子电荷可移动离子电荷：来自钾、钠等其它碱金属离子污染，：来自钾、钠等其它碱金属离子污染，在高温和电场的作用下可在氧化层内移动，非常有害。在高温和电场的作用下可在氧化层内移动，非常有害。4.氧化层陷阱电荷氧化层陷阱电荷：由氧化层内的缺陷引起，这些缺陷可：由氧化层内的缺陷引起，这些缺陷可以捕获电子或空穴。以捕获电子或空穴。改善改善Si/SiO2界面的方法界面的方法1.大多数氧化工艺在硅片从炉子里面拉出来大多数氧化工艺在硅片从炉子里面拉出来之前，有一个短时的氮气或氩气退火，可之前，有一个短时的氮气或氩气退火，

18、可以显著改善以显著改善Si/SiO2界面质量。界面质量。2.掺氯氧化可以减小可移动离子，减小界面掺氯氧化可以减小可移动离子，减小界面态和固定电荷。态和固定电荷。3.注意工艺过程中的洁净环境，尽可能减少注意工艺过程中的洁净环境，尽可能减少可动离子。可动离子。4.7SiO2氧化层的替代品氧化层的替代品随着微电子器件的小型化，随着微电子器件的小型化，SiO2氧化层已经不能满足需求，其矛盾在于：当氧化层已经不能满足需求，其矛盾在于：当SiO2层薄到一定程度时，其漏电流大幅度增加，从而造成器件的不稳定性及层薄到一定程度时，其漏电流大幅度增加，从而造成器件的不稳定性及高功耗。高功耗。而目前而目前Intel

19、公司新一代公司新一代45nm CPU工艺中即将采用工艺中即将采用氧化氧化铪铪高高K值绝缘层代替值绝缘层代替SiO2，并采用金属栅极代替传统的多晶硅栅极。，并采用金属栅极代替传统的多晶硅栅极。4.8氧化层厚度测量方法氧化层厚度测量方法1.台阶法台阶法：腐蚀部分：腐蚀部分SiO2膜得到台阶，然后用电镜膜得到台阶，然后用电镜或显微镜观测得到膜厚。或显微镜观测得到膜厚。2.光学法光学法：包括椭偏光法和干涉法。：包括椭偏光法和干涉法。3.电学测量电学测量：包括电压击穿法和电容电压法等。：包括电压击穿法和电容电压法等。4.9氧化系统氧化系统高压氧化系统高压氧化系统普通氧化系统普通氧化系统氧化炉实物图预清洗

20、预清洗装载硅片装载硅片氧化氧化N2退火退火冷却冷却栅氧化步骤栅氧化步骤在在O2和和HCl混合气氛中，混合气氛中，1100 下下60分钟的氧分钟的氧化炉清洗，然后用化炉清洗，然后用N2吹扫，并降温到吹扫，并降温到800。在在O2和和N2混合气氛中装载硅片。混合气氛中装载硅片。在在O2和和HCl混合气氛中，混合气氛中，1000 下进行氧化。下进行氧化。1050，N2下进行退火以减少氧化层固定电荷。下进行退火以减少氧化层固定电荷。800 以下再拉出硅片。以下再拉出硅片。4.10二氧化硅的扩散掩蔽作用二氧化硅的扩散掩蔽作用实现扩散掩蔽对杂质扩散系数的要求：实现扩散掩蔽对杂质扩散系数的要求：1.杂质在二

21、氧化硅中的扩散系数要小；杂质在二氧化硅中的扩散系数要小；2.杂质在硅中的扩散系数要大。杂质在硅中的扩散系数要大。杂质镓和铝在二氧化硅中的扩散系数比在硅中大数百倍，而杂质镓和铝在二氧化硅中的扩散系数比在硅中大数百倍，而硼、磷、砷在二氧化硅中的扩散系数比在硅中小，所以硼、磷、砷在二氧化硅中的扩散系数比在硅中小，所以二氧二氧化硅可用于硼、磷、砷等杂质的扩散掩蔽，而不能用于镓、化硅可用于硼、磷、砷等杂质的扩散掩蔽，而不能用于镓、铝的扩散掩蔽铝的扩散掩蔽。镓、铝可以采用氮化硅作为掩蔽膜。镓、铝可以采用氮化硅作为掩蔽膜。4.11硅的局部氧化（硅的局部氧化（LOCOS）（local oxidation of

22、 silicon）当需要在硅片上进行局部氧化时，一般用氮化硅作掩蔽膜，当需要在硅片上进行局部氧化时，一般用氮化硅作掩蔽膜，因为致密的氮化硅能阻挡氧和水。因为致密的氮化硅能阻挡氧和水。由于硅氧化成二氧化硅后体积会膨胀，所以窗口会形成高由于硅氧化成二氧化硅后体积会膨胀，所以窗口会形成高度约为度约为0.55tox的台阶，而的台阶，而Si3N4膜受上述台阶的影响会翘起，膜受上述台阶的影响会翘起，形成所谓的形成所谓的“鸟嘴效应鸟嘴效应”。为消除鸟嘴，可在局部氧化之。为消除鸟嘴，可在局部氧化之前，先将窗口处的硅腐蚀掉，然后进行氧化。前，先将窗口处的硅腐蚀掉，然后进行氧化。习习 题题1.在某个双极工艺中，为

23、了隔离晶体管，需要生长在某个双极工艺中，为了隔离晶体管，需要生长1m厚厚的场氧化层，由于考虑到杂质扩散和堆跺层错的形成，的场氧化层，由于考虑到杂质扩散和堆跺层错的形成，氧化必须在氧化必须在1050下进行。如果工艺是在一个大气压下下进行。如果工艺是在一个大气压下的湿氧气氛中进行，计算所需要的氧化时间。假定抛物的湿氧气氛中进行，计算所需要的氧化时间。假定抛物线速率系数与氧化气压成正比，分别计算在线速率系数与氧化气压成正比，分别计算在5和和20个大个大气压下，氧化所需要的时间。（气压下，氧化所需要的时间。（1个大气压下，个大气压下，B0.4m2/h，B/A=2.4 m/h）。）。2.一块硅样品在一块硅样品在1200下采用干氧氧化下采用干氧氧化1小时，问：小时，问：1）生长的氧化层有多厚？生长的氧化层有多厚？2）再在）再在1200 采用湿氧氧化生采用湿氧氧化生长长0.1m需要多长时间？需要多长时间？