模拟电子技术复习提纲资料(DOC 11页).doc
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1、 模拟电子技术复习提纲 (各章重点及公式汇编)半导体 N型 P型 掺杂5价施主杂质3价受主杂质多子电子空穴少子空穴电子第三章1. 半导体 2PN结正偏时: 反偏时 : 削弱内电场 增强内电场 PN结变窄,导通; PN结变宽,截止第四章1、三极管工作在放大区 2、电流分配关系条件关系式NPN型PNP型BE结正偏BC结反偏Ic=Ib放大功能VBE= 0.7V(Si) 0.2V(Ge)UCE1VVBE=- 0.7V (Si)-0.2V (Ge)UCE-1V IE = IC+IB3、三极管热稳定性差; IE ICIB 反向饱和电流ICBO;穿透电流ICEO = (1+) ICBO4、共射放大器 (2)
2、最大不失真Vom(振幅)计算(1)图解方法: UCES为饱和压降 (3)NPN管共射放大的失真 及消除方法 U(t)截止失真波形 U(t)饱和失真波形(4)直流通路和交流通路要求能熟练掌握(5)三极管小信号等效电路(6)放大电路的计算 共射放大(固定偏置) 共射放大(分压式偏置) 共集放大静态工作点Q的计算电 路动态计算特点和应用 Av1; Vo与Vi反相; Av 1 电压跟随 Ai = Io/Ii1 Ai =1+ Ri,Ro 中等. Ri大,Ro小 应用于中间放大级 应用于输入级,输出级,中间隔离级共基放大等点: Av1; Vo与Vi同相, Ai =1, Ri小,Ro大 应用于高频放大(8)
3、增益的db表示方法第五章FET N沟道JFET 耗尽型N-MOS 增强型N-MOS1、符号及等性(包括转移特性和输出特)2、FET的特点: Ri大(IG=0); VGS控制ID; 多子导电为单极型晶体管,噪声小,热稳定性好.3、参数及 等效电路第8章1、功放主要指标:输出功率Po 效率 非线性失真小;功放安全工作。2、电路及指标计算:类型 电 路 一般情况指标计算 尽限运用 选管原则OCL甲乙类双电源OTL乙类单电源 第六章1、差分放大电路特点 克服温漂 抑制共模Vic; 放大差模信号Vid IC1 = IC2 = Io/22、四种差分放大电路指标计算 3、FET差分式放大器 特点: 输入电阻
4、高, 输入偏置电流小。4、集成运放的符号和组成框图第七章 直流负反馈 用于稳定静态工作点 1、负反馈 交流负反馈 电压串联负反馈; 输入端 输出端 类型 (改善性能) 电压并联负反馈; (V=0)串联 电压Uo; (Xf Uo) 电流串联负反馈; 电流串并负反馈; (I=0)并联 电流Io; (Xf Io)2、负反馈放大框图3、负反馈电路4、交流负反馈对放大器性能的影响: 以牺牲增益为代价,换来以下各项性能的改善。第二章1、理想运放应满足: 2、理想运放线性运用时(电路上有负反馈)AVO =; Rid = ; 有:虚短 VP=VN (Vid=Vo/AVO= 0)Ro = 0 ; KCMR =
5、; 虚断 IP=IN= 0 (Rid=) VIO = 0及温漂为0 ; IIO = 03、基本电路第九章第十章1、整流(半波整流、全波整流和桥式整流)2、滤波(电容滤波和电感滤波) 模拟电子技术模拟试卷题号及题型一 二 判别题 分析回答计算题总分填空题选择题12123456得分一、 填空题(20分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入_价元素,其多数载流子是 _ 。2、(图13)所示电路,二极管D的工作状态为_,输出电压Uo =_。3、某三极管已知=0.98,当IE=2mA时,IB=_, =_。 (图13)4、测得某三极管VBE= 0.7V,VCE=0.3V,则该管工作在_区,管型和材料为_。测
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