第6章LED技术指标和测量方法12 1课件.ppt
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1、第6章LED技术指标和测量方法12-1.pptOA段:正向死区段:正向死区VA为开启为开启LED发光的电压。开启电压对于不同发光的电压。开启电压对于不同LED其值不同,其值不同,GaAs为为1V,红色,红色GaAsP为为1.2V,GaP为为1.8V,GaN为为2.5V。AB段:工作区段:工作区在这一区段,一般是随着电压增加电流也跟着增加,发光亮度也跟在这一区段,一般是随着电压增加电流也跟着增加,发光亮度也跟着增大。但在这个区段内要特别注意,如果不加任何保护,当正向电压着增大。但在这个区段内要特别注意,如果不加任何保护,当正向电压增加到一定值后,那么发光二极管的正向电压会减小,而正向电流会加增加
2、到一定值后,那么发光二极管的正向电压会减小,而正向电流会加大。如果没有保护电路,会因电流增大而烧坏发光二极管。大。如果没有保护电路,会因电流增大而烧坏发光二极管。OC段:反向死区段:反向死区发光二极管加反向电压是不发光的(不工作),但有反向电流。这发光二极管加反向电压是不发光的(不工作),但有反向电流。这个反向电流通常很小,一般在几个反向电流通常很小,一般在几A之内。在之内。在19901995年,反向电流定为年,反向电流定为10A,19952000年为年为5A;目前一般是在;目前一般是在3A以下,但基本上是以下,但基本上是0A。CD段:反向击穿区段:反向击穿区发光二极管的反向电压由于所用化合物
3、材料种类不同,各种发光二极管的反向电压由于所用化合物材料种类不同,各种LED的的反向击穿电压反向击穿电压VC也不同,一般不要超过也不同,一般不要超过10V,最大不得超过,最大不得超过15V。超过这。超过这个电压,就会出现反向击穿,导致个电压,就会出现反向击穿,导致LED报废。报废。1.LED的的I-V特性特性2.LED的电学指标的电学指标对于LED器件,一般常用的电学指标有以下几项:l正向电压正向电压VF:通过LED的正向电流为规定值时,在两极间产生的电压降。发光二极管正向工作电压VF一般在1.43V。在外界温度升高时,VF将下降。l正向电流正向电流IF:加载在LED两端的正向电压为规定值时,
4、流过LED的电流。l反向漏电流反向漏电流IR:按LED以前的常规规定,指反向电压在5V时的反向漏电流。如上面所说,随着发光二极管性能的提高,反向漏电流会越来越小,但大功率LED芯片尚未明确规定。l工作时的耗散功率工作时的耗散功率PD:即正向电流乘以正向电压。3.LED的极限参数的极限参数对于对于LED器件,一般常用的极限参数有以下几项:器件,一般常用的极限参数有以下几项:l最大允许耗散功率最大允许耗散功率Pmax:允许加于:允许加于LED两端正向直流电压两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。发热、损坏。当流过当流过LED的
5、电流为的电流为IF、管压降为、管压降为UF则功率消耗为则功率消耗为P=UFIF。l最大允许工作电流最大允许工作电流IFM:允许加的最大的正向直流电流。超:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。一般只用到最大电流过此值可损坏二极管。一般只用到最大电流IFM的的60%为好。为好。l最大允许正向脉冲电流最大允许正向脉冲电流IFP:一般是由占空比与脉冲重复频:一般是由占空比与脉冲重复频率来确定。率来确定。LED工作于脉冲状态时,可通过调节脉宽来实现工作于脉冲状态时,可通过调节脉宽来实现亮度调节,例如亮度调节,例如LED显示屏就是利用这个手段来调节亮度的。显示屏就是利用这个手段来调节亮度的。
6、l反向击穿电压反向击穿电压VR:所允许加的最大反向电压,反向击穿电:所允许加的最大反向电压,反向击穿电压通常不能超过压通常不能超过20V。4.LED的其他电学参数的其他电学参数在高频电路中使用在高频电路中使用LED时,还要考虑以下两个因素:时,还要考虑以下两个因素:l结电容结电容Cjl响应时间:上升时间响应时间:上升时间tr,下降时间,下降时间tf当当LED接在高频电路中使用时,要考虑到结电容和接在高频电路中使用时,要考虑到结电容和上升、下降时间,否则上升、下降时间,否则LED无法正常工作。无法正常工作。相对亮度IF 响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。现有几种显示响应时间表征某一显
7、示器跟踪外部信息变化的快慢。现有几种显示LCD(液晶显(液晶显示)约示)约10-310-5S,CRT、PDP、LED都达到都达到10-610-7S(us级)。级)。响应时间响应时间响应时间从使用角度来看,就是响应时间从使用角度来看,就是LED点亮与熄灭点亮与熄灭所延迟的时间,即图中所延迟的时间,即图中tr、tf。图中。图中t0值很小,可忽值很小,可忽略。略。响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。及电路阻抗。LED的点亮时间的点亮时间上升时间上升时间tr是指接通电源是指接通电源使发光亮度达到正常的使发光亮度达到正常的10%开始,一直到发光
8、亮度开始,一直到发光亮度达到正常值的达到正常值的90%所经历的时间。所经历的时间。LED熄灭时间熄灭时间下降时间下降时间tf是指正常发光减是指正常发光减弱至原来的弱至原来的10%所经历的时间。所经历的时间。不同材料制得的不同材料制得的LED响应时间各不相同;如响应时间各不相同;如GaAs、GaAsP、GaAlAs其响应时间其响应时间10-9S,GaP为为10-7S。因此它们可用在。因此它们可用在10100MHZ高频系统。高频系统。&LED的光学指标的光学指标2发光强度(发光强度(LuminousIntensity):):定义:定义:点光源点光源在给定方向上单位立体角内发射的光通在给定方向上单位
9、立体角内发射的光通量,也可解释为在一定方向上单位立体角内所发出的光量,也可解释为在一定方向上单位立体角内所发出的光通量。符号:通量。符号:,单位:流明单位:流明/球面度(球面度(lm/sr)或)或坎德拉坎德拉(cd);vIddIev其中:坎德拉(坎德拉(cd)是国际单位制()是国际单位制(SI)的基本单位)的基本单位,等等于一个发射频率于一个发射频率5.4X1014Hz的单色光,辐射强度为的单色光,辐射强度为1/683(W/sr)的光源的发光强度。的光源的发光强度。注意:发光强度的概念不能直接应用于不可看作为点注意:发光强度的概念不能直接应用于不可看作为点光源的众多光源。光源的众多光源。1.发
10、光强度发光强度 在光度学物理量的基本定义中都要引用到立体在光度学物理量的基本定义中都要引用到立体角这一概念,而且立体角在照明计算中也经常用到角这一概念,而且立体角在照明计算中也经常用到。lAoB(a)sAAr(b)or=rl=2rS平面角和立体角发光强度发光强度I:光源在指定方向上单位立体角内发出的光通量,:光源在指定方向上单位立体角内发出的光通量,是光通量的立体角密度发光强度,简称光强。发光强度是表示光源是光通量的立体角密度发光强度,简称光强。发光强度是表示光源发光强弱程度的物理量,单位:坎德拉(发光强弱程度的物理量,单位:坎德拉(cd),其具体表达式为:,其具体表达式为:I=/。它表征发光
11、器件发光强弱的重要性能。若光源向空间发。它表征发光器件发光强弱的重要性能。若光源向空间发射的光通量为射的光通量为,由于光源总立体角为,由于光源总立体角为4,则平均光强为,则平均光强为I=/4。图1 指向性强(21/2小)图2 指向性弱(21/2大)0人眼感光2发光峰值波长发光峰值波长p及其光谱分布及其光谱分布LED发光强度或光功率输出发光强度或光功率输出随着波长变化而不同,绘成一随着波长变化而不同,绘成一条分布曲线条分布曲线光谱分布曲线。光谱分布曲线。当此曲线确定之后,器件的有当此曲线确定之后,器件的有关主波长、纯度等相关色度学关主波长、纯度等相关色度学参数亦随之而定。参数亦随之而定。LED的
12、光谱分布与制备所的光谱分布与制备所用化合物半导体种类、性质及用化合物半导体种类、性质及pn结结构(外延层厚度、掺杂结结构(外延层厚度、掺杂杂质)等有关,而与器件的几杂质)等有关,而与器件的几何形状、封装方式无关何形状、封装方式无关。1蓝光蓝光InGaN/GaN2绿光绿光GaP:N3红光红光GaP:Zn-O4红外红外GaAs5Si光敏光电管光敏光电管6标准钨丝灯标准钨丝灯上图绘出几种由不同化合物半导体及掺杂制得上图绘出几种由不同化合物半导体及掺杂制得LED光谱响应曲光谱响应曲线。其中线。其中LED光谱分布曲线:光谱分布曲线:是蓝色是蓝色InGaN/GaN发光二极管,发光谱峰发光二极管,发光谱峰p
13、=460465nm;是绿色是绿色GaP:N的的LED,发光谱峰,发光谱峰p=550nm;是红色是红色GaP:Zn-O的的LED,发光谱峰,发光谱峰p=680700nm;是红外是红外LED使用使用GaAs材料,发光谱峰材料,发光谱峰p=910nm;是是Si光电二极管,通常作光电接收用。光电二极管,通常作光电接收用。p峰值波长峰值波长p:上述分析可知,无论什么材料制成的LED,都有一个相对光强度最强处(光输出最大),与之相对应有一个波长,此波长叫峰值波长,用p表示。只有单色光才有p波长。它是一种纯粹的物理量,一般应用于波形比较对称的单色光检测。p谱线宽度谱线宽度(FWHM:Fullwidthath
14、alfmaximum):在LED谱线的峰值两侧处,存在两个光强等于峰值(最大光强度)一半的点,此两点分别对应p-,p+之间宽度叫谱线宽度,也称半功率宽度或半高宽度,简称半宽度或带宽。半宽度反映谱线宽窄,即LED单色性的参数,LED半宽小于40 nm。p主波长主波长d:指人眼所能观察到的,由LED发出主要单色光的波长。有的LED发光不单是单一色,即不仅有一个峰值波长;甚至有多个峰值,并非单色光。为此描述LED色度特性而引入主波长。单色性越好,则p也就是主波长。2发光峰值波长发光峰值波长p及其光谱分布及其光谱分布V()x1x2p峰值波长峰值波长p及谱线宽度及谱线宽度对对主波长的进一步解释主波长的进
15、一步解释:任何一个颜色都可以看作为用:任何一个颜色都可以看作为用某一个光谱色按一定比例与一个参照光源(如某一个光谱色按一定比例与一个参照光源(如CIE标准光标准光源源A、B、C等,等能光源等,等能光源E,标准照明体,标准照明体D65等)相混合等)相混合而匹配出来的颜色,这个光谱色就是颜色的而匹配出来的颜色,这个光谱色就是颜色的主波长主波长。颜色。颜色的主波长相当于人眼观测到的颜色的色调(心理量)。若的主波长相当于人眼观测到的颜色的色调(心理量)。若已获得被测已获得被测LED器件的色度坐标,就可以采用等能白光器件的色度坐标,就可以采用等能白光C光源(光源(x00.3333,y00.3333)作为
16、参照光源来计算决)作为参照光源来计算决定颜色的主波长。计算时根据色度图上连接参照光源色度定颜色的主波长。计算时根据色度图上连接参照光源色度点与样品颜色色度点的直线的斜率,查表读出直线与光谱点与样品颜色色度点的直线的斜率,查表读出直线与光谱轨迹的交点,确定主波长轨迹的交点,确定主波长d。2发光峰值波长发光峰值波长p及其光谱分布及其光谱分布V()主波长示意图主波长示意图pS点光源的主波长点光源的主波长d为为左图中左图中O点所对应的单色光点所对应的单色光波长。(波长。(C点为等能量白光点为等能量白光的参考光源点)的参考光源点)p色纯度色纯度Pe:如图所示:如图所示Pe=CS/CO。色纯度范围一。色纯
17、度范围一般在:般在:0-1之间。之间。p中心波长:光谱的发光中心波长:光谱的发光强度或辐射功率最大处所强度或辐射功率最大处所对应的波长。对应的波长。p色温或相关色温色温或相关色温Tc:高:高色温称为冷色调,低色温色温称为冷色调,低色温叫暖色调。叫暖色调。p显色指数显色指数Ra:最大为:最大为100.不同材料的LED的发光主波长 3光通量光通量光通量是光通量是指单位时间内辐射能量的大小,它是根据人眼指单位时间内辐射能量的大小,它是根据人眼对光的感觉来评价的对光的感觉来评价的。光通量的实质是表征光源辐射能量。光通量的实质是表征光源辐射能量的能力,是光度量概念中最基本的物理量,单位为流明的能力,是光
18、度量概念中最基本的物理量,单位为流明(lm)。)。光通量光通量是表征是表征LED总光输出的辐射能量,它标志器总光输出的辐射能量,它标志器件的性能优劣。件的性能优劣。为为LED向各个方向发光的能量之和,它向各个方向发光的能量之和,它与工作电流直接有关。随着电流增加,与工作电流直接有关。随着电流增加,LED光通量随之增光通量随之增大。大。LED向外辐射的功率向外辐射的功率光通量与芯片材料、封装工光通量与芯片材料、封装工艺水平及外加恒流源大小有关。艺水平及外加恒流源大小有关。4亮度亮度发光体在给定方向上单位投影面积上发射的发光体在给定方向上单位投影面积上发射的发光强度称为发光强度称为亮度亮度,用符号
19、,用符号L表示,单位为坎表示,单位为坎/米米2(cd/m2)。)。5.照度照度物体的照度不仅与它表面上的光通量有关,物体的照度不仅与它表面上的光通量有关,而且与它本身表面积的大小有关,即在单位面而且与它本身表面积的大小有关,即在单位面积上接收到的光通量称为照度,用符号积上接收到的光通量称为照度,用符号E表示,表示,单位为勒克斯(单位为勒克斯(lx)。照度是表征被照物接受光)。照度是表征被照物接受光通强弱的物理量。通强弱的物理量。常用光度学单位及其相互关系常用光度学单位及其相互关系vEvIvv=EvSv=IvIv=EL2 光通量v(lm)光强Iv(cd)照度Ev(lx)常用的光度测量定律常用的光
20、度测量定律a)照度的平方反比定律照度的平方反比定律ddsnEv=2vIlI 垂直于光线传播方向的照度与光源垂直于光线传播方向的照度与光源在该方向的光强成正比,与光源到表面在该方向的光强成正比,与光源到表面的距离的平方成反比。的距离的平方成反比。注意:只有点光源才符注意:只有点光源才符合距离平方反比定律。合距离平方反比定律。(测试距离不应少于灯测试距离不应少于灯具出光口面最大尺寸的具出光口面最大尺寸的1010倍。倍。)b)b)照度的余弦定律:照度的余弦定律:S1面:面:E1=;1Scos2SS2面:面:E2=;2S S1=S2cos 显而易见:显而易见:E2=E1cos 将它与照度的平方反比定律
21、将它与照度的平方反比定律结合起来就有结合起来就有:E2S2E1S1d为光源到S1平面的垂直距离Icos2lIE c)c)余弦立方定律余弦立方定律 E=cos=cos3 2Il2hIO光源hDAIE式中:式中:I点光源射向该点的光强;点光源射向该点的光强;h光源离该平面的高度;光源离该平面的高度;平面法线与入射光线的夹角;平面法线与入射光线的夹角;OA长度。长度。l6.半强度角半强度角半强度角:就是光源中心法线方向向四周张开,中心半强度角:就是光源中心法线方向向四周张开,中心光强光强I到周围的到周围的I/2之间的夹角,即为半强角度。之间的夹角,即为半强角度。I法线法线I/2I/2光源光源光源的半
22、强度角光源的半强度角&电电-光转换效率光转换效率3电电-光转换效率光转换效率FFVILED两端的加在发出光的功率总和p光功率效率:光功率效率:p发光效率:发光效率:PVILEDFF两端的加在发出光的总光通量发光效率与内量子效率和外量子效率有关。发光效率与内量子效率和外量子效率有关。在电在电-光转换效率中,存在以下的能量损失:光转换效率中,存在以下的能量损失:1)辐射过程的能量损失:)辐射过程的能量损失:(1)正向电压正向电压VF下,载流子在下,载流子在PN结中复合发射出光子,会造成能结中复合发射出光子,会造成能量的损失;量的损失;(2)由于由于PN结中有杂质、晶格缺陷等因素,每个电子渡越结中有
23、杂质、晶格缺陷等因素,每个电子渡越PN结与空穴复合时,并不是都能激发产生出一个光子,及内量子效率结与空穴复合时,并不是都能激发产生出一个光子,及内量子效率不可能达到不可能达到100%;(3)每个电子渡越每个电子渡越PN结耗能一定大于发射那个光子结耗能一定大于发射那个光子所具有的能量。所具有的能量。2)封装时的能量损失)封装时的能量损失3)激发过程的能量损失:)激发过程的能量损失:比如:对于白光比如:对于白光LED,由于用蓝光激发黄色,由于用蓝光激发黄色YAG荧光粉,因此在荧光粉,因此在激发的过程中存在能量损失:激发的过程中存在能量损失:(1)蓝光对黄色蓝光对黄色YAG荧光粉并非荧光粉并非100
24、%激激发,这与黄色发,这与黄色YAG荧光粉的颗粒大小和均匀度有关系;荧光粉的颗粒大小和均匀度有关系;(2)蓝色光子能蓝色光子能量大于激发出黄色光子的能量,在蓝色光子转化成黄色光子的过程中量大于激发出黄色光子的能量,在蓝色光子转化成黄色光子的过程中存在能量损失;存在能量损失;(3)温度升高,蓝光太强,非辐射现象增加,蓝光转换温度升高,蓝光太强,非辐射现象增加,蓝光转换成黄光的效率下降。成黄光的效率下降。&LED的热学指标的热学指标41.热阻热阻RthLED器件的热学性能会直接影响到器件发光效率、强器件的热学性能会直接影响到器件发光效率、强度、光谱特性、工作稳定性和使用寿命。度、光谱特性、工作稳定
25、性和使用寿命。LED热学设计的目的在于预言热学设计的目的在于预言LED芯片的结温,所芯片的结温,所谓谓结温是指结温是指LED芯片芯片PN结的温度。结的温度。Rth热阻热阻Rth:热流通道上的温度差与通道上耗散功率之比,:热流通道上的温度差与通道上耗散功率之比,单位摄氏度每瓦(单位摄氏度每瓦()。热阻越低,表明芯片中热)。热阻越低,表明芯片中热量传导的越快,有利于降低芯片中量传导的越快,有利于降低芯片中PN结的温度,从而延结的温度,从而延长长LED的寿命。的寿命。W/C。影响热阻的因素:影响热阻的因素:p与与LED的芯片本身的结构与材料有关;的芯片本身的结构与材料有关;p与与LED粘结所用的材料
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