认识静电放电静电放电简介课件.pptx
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- 认识 静电 放电 简介 课件
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1、認識靜電放電認識靜電放電靜電放電(ESD)簡介 認識靜電放電認識靜電放電 靜電與靜電放電 電學上的意義 Triboelectric Charging 靜電與環境的關係 認識靜電放電防制認識靜電放電防制 靜電放電對產品的影響靜電放電對產品的影響你感受過靜電嗎你感受過靜電嗎?認識靜電放電 日常生活中的靜電實例日常生活中的靜電實例 鄰近區域發生靜電放電時,可於收音機中聽間雜音 於地毯上走動或從椅子站 起來後,碰觸導體 由乾衣機中取出衣物時 通常再氣溫與溼度較低通常再氣溫與溼度較低 時較易感受到靜電時較易感受到靜電什麼是靜電什麼是靜電?原因:摩擦、感應、剝離.機制:物質因失去或得到電子而帶電 若未接觸
2、其他導體則靜電將繼續存在於物體上隱藏的危險隱藏的危險 靜電防電靜電防電認識靜電放電 原因:電位不同物體間的電荷移轉 不一定伴隨有電弧或火花發生 一般可感受到的靜電壓為3.5KV 低於此值時元件仍非常容易損壞 靜電放電防制計劃靜電放電防制計劃認識靜電放電 十五世紀時十五世紀時,歐洲開始出現靜電放電防制的程序歐洲開始出現靜電放電防制的程序 ESD Control Program 針對公司實際情形定訂防制計劃 設置相關儀器及設備 持續的追蹤與量測 可能發生在製程中或使用中的任何階段可能發生在製程中或使用中的任何階段 process,assemble,pack,label,service,test,i
3、nspect transport,in the field parts,assemblies,equipment常用的數量級符號常用的數量級符號認識靜電放電 數量級數量級 全名全名 符號符號 1012 tera T 109 giga G 106 mega M 103 kilo k 10-3 milli m 10-6 micro 10-9 nano n 10-12 pico p Examples:1 kilovolts=1 103 volts 5 picofarads=5 10-12 farads靜電的能量靜電的能量認識靜電放電E=1/2 CV2 E:能量(焦耳)C:電容(法拉)V:電壓差(伏特
4、)E=1/2(110-10F)(3103V)2 =4.510-4 Joule靜電的電壓靜電的電壓認識靜電放電V=q/C q:電量電量(庫庫 侖侖)總電量不變總電量不變,若電容值改變則電壓值隨之改變若電容值改變則電壓值隨之改變 位置變化時,電壓變化可能很大 Ex:帶電元件接近接地之機械設備 元件接近機械設備時,電容較大-電壓小 元件遠離機械設備時,電容較小-電壓大 此時接地則可能發生嚴重的ESD事件 若元件未帶電,則無ESD事件隔離或絕緣的導體間會因接觸而放電隔離或絕緣的導體間會因接觸而放電 放電後兩物體電壓相同 電量與電容有關剝離生電剝離生電認識靜電放電任兩個物體或材料接觸後再分開會產生靜電任
5、何進入工作區域內之物件或材料皆需注意(如人員、電子元件、手持設備、包裝材料等等)影響摩擦生電電量的因素影響摩擦生電電量的因素認識靜電放電物質材料相對濕度摩擦頻率接觸面積材料的影響材料的影響認識靜電放電所有材料皆可摩擦生電 正正(Positive)鋼(Steel)空氣(Air)木(Wood)人手(Hands)橡膠(Rubber)玻璃(Glass)金(Gold)毛髮(Hair)多元脂(Polyester)石英(Quartz)聚胺脂(Polyethylene)尼龍(Nylon)聚乙烯(Polyethylene)羊毛(Wool)聚丙烯(Polypropylene)絲綢(Silk)乙烯基(Vinyl)鋁
6、(Aluminum)矽(Silicon)紙(Paper)鐵弗龍(Teflon)棉(Cotton)負負(Negative)溼度的影響溼度的影響認識靜電放電適度的溼度控制若干製程需在低溼度環境下進行 部份IC製程 (例如需使用光阻時)Soldering(建議使用靜電消散材料 在EPA外-建議使用靜電放電屏蔽材料 Anti-Static Material 抗靜電材料 能抑制摩擦生電的材料(ESDA ADV.1.0)抗靜電材料並不需要量測其表面電阻率或 體積電阻率來決定其特性人員安全人員安全認識靜電放電防制 制定制定ESD計劃時應把人員安全列為主要考量計劃時應把人員安全列為主要考量 ANSI ESD
7、S20.20要求需對可能使用人員暴露要求需對可能使用人員暴露 於觸電的程序或設備加以規範於觸電的程序或設備加以規範 員工須被告之人員安全的相關文件是不能被任何 其他需求所取代的 購買設備時須顧及法規、管理規定、對內及對外政策 依ESDA的標準測試ESDC相關材料 廠區中的電壓可能遠比測試時的電壓高 材料接觸大電流源時,電阻值可能劇烈改變接地電位接地電位認識靜電放電防制 所有設備及工具的表面在任何時間皆須接在 同一個接地電位上 在EPA中可能出現Ground Faults及高電壓 使用Ground Fault Circuit lnterrupters(GFCI)偵測到高漏電流時將電路斷路 使用限
8、流電阻 靜電環必須使用 桌墊與地墊可考慮使用靜電放電對產品的影響靜電放電對產品的影響靜電放電(ESD)簡介 靜電放電對產品的影響 電子元件ESD故障的構因 故障分析 ESD/EOS故障案例ESD的影響的影響靜電放電對產品的影響 ESD事件事件-因因局部高溫或電位差局部高溫或電位差,造成半導體元件的損壞造成半導體元件的損壞 嚴重損壞、參數飄移、潛在性故障 測試時的條件與實際狀況可能有差異測試時的條件與實際狀況可能有差異 從製程到使用的任何階段從製程到使用的任何階段ESD皆可能破壞產品皆可能破壞產品 未進行ESDC的工作環境或訓練不足 成本問題、客戶抱怨、商譽的損失成本問題、客戶抱怨、商譽的損失電
9、子元件電子元件ESD故障之構因故障之構因靜電放電對產品的影響 ESD故障事件故障事件 ESD to the Device ESD from the Device 電廠感應放電 電子元件遭受破壞後可能無法再正常工作電子元件遭受破壞後可能無法再正常工作 功率相關:接面崩潰,金屬熔融.Power=1ESDVOperating 電壓相關:介面質損壞.潛在性故障潛在性故障:功能劣化功能劣化ESD to the Device靜電放電對產品的影響 最常發生的靜電破壞事件 行走後會在身上累積靜電,若再碰觸 ESDS ltems 將可能造成破壞 帶靜電的導體對ESDS ltems放電 ESD對ESDS ltem
10、s破壞的程度取決於元件對 靜電能量的消散能立即對高壓電的承受能力 即所謂的靜電敏感程度(ESD Sensitivity)Latent ESD Failures ESD傷及部分半導體結構,但元件仍能正常工作 將仍有可靠性的問題 元件將過早發生故障 需花費更多心力才能 修復造成的損失更大 若元件組裝至系統 故障將難以發現 做好ESD防制計劃將 有效創造優勢故障分析基本步驟故障分析基本步驟靜電放電對產品的影響找出找出PC板上之故障元件板上之故障元件基本電性量測基本電性量測DecapsulateX-ray lnspection定位故障點定位故障點Liquid CrystalEMMI(Backside)
11、Optical Microscope Delayer Cross-sectionRequirement for EMMI靜電放電對產品的影響 After Decap and Uncovered Socket (If Socket is Necessary)Pin Assignment power&ground pins Applied Voltage&Current Lightless Device Back-side Detection polishESD/EOS靜電放電對產品的影響 時間時間 ESDns EOS(Electrical Over-Stress)s 能量能量 E=iv dt電子
12、元件及產品之電子元件及產品之ESD測試測試靜電放電實務 電子元件及產品之ESD測試 靜電放電的模型 如何進行元件ESD測試 傳輸線觸波產生器測試 系統產品的ESD測試 ESD行政配套措施行政配套措施 電子產品在製造作業中之靜電防制措施電子產品在製造作業中之靜電防制措施靜電放電的模型靜電放電的模型電子元件及產品之ESD測試 靜電放電的模型 人體帶電模型(Human Body Model,HBM)Discharge to the Device 機器帶電模型(Machine Model,MM)Discharge to the Device 元件帶電模型(Charged Device Model,CD
13、M)Discharge from the DeviceHuman Body Model電子元件及產品之ESD 測試 模擬由站立個人之手指尖端放電至元件的現象HBM的波形的波形電子元件及產品之ESD測試 lpeak=1.33A(for 2 KV)Rise time=2 10 nsHBM的基本防制規則的基本防制規則電子元件及產品之ESD測試 HBM是最古老且最常發生的模式,但並非 最嚴重的危害模式 不同模型的不同模型的ESD事件對元件會造成不同的破壞事件對元件會造成不同的破壞 HBM敏感度02kV的元件 CCDS,Thin Film Resistors,MR Heads,Laser Diodes.
14、ANSI/ESD S 20.20提供了HBM 100V的行為準則 須對EPA及其他的防制計劃進行週期性的稽核Machine Model電子元件及產品之ESD測試 70年代,日本人認為HBM不足以代表 worst-case 而提出,適用於自動組裝之 製造環境 HBM與與MM波形的比較波形的比較電子元件及產品之ESD測試 MM的電容值較的電容值較HBM大大儲存的電荷較多儲存的電荷較多 R很小很小電流較大電流較大,速度較快速度較快Machine Model電子元件及產品之ESD測試 未妥善接地的儀器設備 電荷儲存於雜散電容中 導線中絕緣體與導體間 亦會儲存電荷 導體接觸或插入儀器、PCB時發生電荷移
15、轉Charged Device Model電子元件及產品之ESD測試 放電時放電時,1ns內電流可上升到內電流可上升到15A 再高頻時再高頻時,電容幾乎可視為短路電容幾乎可視為短路 因此因此CDM電流會由電流會由Gate oxide放電放電 Die size較大的元件較大的元件CDM較嚴重較嚴重 電容較大儲存電荷較多 製程越先進Gate oxide越薄Charged Device Model電子元件及產品之ESD測試 I=充電時充電時,t很長很長 電流很小電流很小 不易造成破壞不易造成破壞 Charged Device Model電子元件及產品之ESD測試 現代自動化組裝之製造環境中現代自動化
16、組裝之製造環境中 最重要的最重要的ESD模型模型 觀念簡單,再生困難 速度快,難保護 CDM Event的來源的來源 測試機台 自動插件 IC的包裝(Tube)ESD Sensitivity 測試測試-CDM電子元件及產品之ESD測試 CDM測試的充電方法測試的充電方法 Direct-charging Method Field-induced Method CDM測試的放電方法測試的放電方法ESD by Induction電子元件及產品之ESD測試A)DEVICE IN STATIC FIELD B)FIRST EVENT-GROUNDING IN FIELD C)DEEICE LEFT WI
17、TH NET D)SECOND EVENT-GROUNDING IN CHARGE LATER STEPESD的三種模型的三種模型電子元件及產品之ESD測試 HBM與與MM人體、機器或環境帶電人體、機器或環境帶電 MM造成的故障與HBM類似,但電壓卻遠低於HBM,速度 亦較HBM快 CDM元件帶電元件帶電 模擬一帶電的元件經由 一腳接地而放電的現象 造成ESD故障的主要原因 上升時間最快速電子產品之電子產品之ESD破壞模式介紹破壞模式介紹電子元件及產品之ESD測試 靜電放電的模式靜電放電的模式 HBM-人體充電及放電 MM-起子,手工具充電及放電 CDM-IC或PCB摩擦充電後碰觸到接地的手上
18、、金屬、導電材料上 FIM-感應充電及放電 Induced Charge and Discharge 靜電環的功效靜電環的功效 靜電消散材料對靜電消散材料對CDM的抑制的抑制Why ESD Test?電子元件及產品之ESD測試 為何要作為何要作ESD測試測試?靜電敏感零組件(ESD-Sensitive Item)分級 故障分析設計改善、製程改善 影響影響ESD Sensitivity之因素之因素 ESD之來源及其特性 元件之種類 IC,MR,FPD 小尺寸、高工作頻率、高電路密度 半導體製程 保護線路之設計ESDS元件敏感等級元件敏感等級電子元件及產品之ESD測試 ESDS元件敏感等級元件敏感
19、等級-Human Body Model ESD STM5.1-1998 ESD/JESD22-A114-B:2000 Class Voltage Range Class 0 250V Class 1A 250V to 500V Class 1B 500V to 1000V Class 1C 1000V to 2000V Class 2 2000V to 4000V Class 3A 4000V to 8000V Class 3B 8000 VESDS元件敏感等級元件敏感等級電子元件及產品之ESD測試 ESDS元件敏感等級元件敏感等級 Machine Modle ESD STM5.2-1999
20、EIA/JESD22-A115-A:1997*Class Voltage Range Class M1(A)*200V Class M2(B)*200V to 400V ESDS元件敏感等級元件敏感等級電子元件及產品之ESD測試 ESDS元件敏感等級元件敏感等級 Charged Device Model ESD STM5.3.1-1999 Class Voltage Range Class C1 125V Class C2 125V to 250V Class C3 250V to 500V Class C4 500V to 1000V Class C5 1000V to 1500V Clas
21、s C6 1500V to 2000V Class C7 2000 V EIA/JESD22-C101-A:2000 Class Voltage Range Class 200V Class 200V to 500V Class 500 V to 1000V IC的的ESD規格規格電子元件及產品之ESD測試 HBM MM CDM “Okay”2kV 200V 1kV “Safe”4kV 400V 1.5kV “Super”10kV 1kV 2kV 由所有測試結果中的最低值決定ESD Sensitivity 測試標準測試標準電子元件及產品之ESD測試 Human Body Model(HBM)M
22、IL-STD-883D Method 3015.7 ESD STM5.1-1998 EIA/JESD22-A114-B:2000 Machine Model(MM)EIAJ-IC-121 Method 20 ESD STM5.2-1999 EIA/JESD22-A115-A:1997 Charged Devic Model(CDM)ESD STM5.3.1-1999 EIA/JESD22-C101-A:2000ESD Sensitivity 測試測試電子元件及產品之ESD測試 測試電壓測試電壓 參見EIA/JEDEC Standard對於ESDS元件敏感等級之電壓值 每一腳位同一電壓值、同一電
23、壓極性測試次數每一腳位同一電壓值、同一電壓極性測試次數 ESDA Standard:3 pulses(STM5.1:2001 HBM 1pulse)EIA/JEDEC Standard:HBM,MM:1 pulse CDM:5 pulses 測試時間間隔測試時間間隔 ESD Standard:1s(STM5.1:2001 HBM0.3s)EIA/JEDEC Standard:HBM:0.3s MM:0.5s CDM:0.2sESD Sensitivity 測試測試電子元件及產品之ESD測試 Pin Combinations(For HBM,MM ESD Test)每支腳VS.每組電源腳 非電源
24、腳VS.其他非電源腳 離散元件(Discrete components)須測試每種組合 (one pin to one pin)不同的測試電壓值極不同的pin combination允許 更換另一組sample (ESD STM5.2)運算放大器之反相輸入腳 VS.對應之 非反相輸入腳ESD Sensitivity 測試測試電子元件及產品之ESD測試 樣本數樣本數(Sample Size)至少3個元件 增加Sample之數量 故障分析設計改善、製程改善 避免對high pin-count元件之誤判 Failure Criteria Functional Test ESD stress後,盡快在
25、最高工作頻率下進行完整功能測試 Leakage current Absolute or Relative Comparison Open or Short元件之元件之ESD保護線路簡介保護線路簡介ESD Protection Circuit簡介 如同在如同在IC內部安裝避雷針內部安裝避雷針,並安排適當之並安排適當之 路徑導掉電流路徑導掉電流 困難困難 Small geometry devices High ESD robustness Fast operating speedsTechnology RoadmapESD Protection Circuit簡介Feature Size(m)32
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