半导体二极管及其基本电路课件.ppt
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- 半导体 二极管 及其 基本 电路 课件
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1、电子技术电子技术 第二章 半导体二极管模拟电路部分模拟电路部分第二章第二章 半导体二极管及其基本电路半导体二极管及其基本电路2.1 2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识2.2 2.2 PNPN结的形成及特性结的形成及特性2.3 2.3 半导体二极管半导体二极管2.4 2.4 二极管基本电路及其分析方法二极管基本电路及其分析方法2.5 2.5 特殊二极管特殊二极管半导体的基本知识(1)自然界的物体根据其导电能力自然界的物体根据其导电能力(电阻率电阻率)的不的不同,可划分为导体、绝缘体和半导体。同,可划分为导体、绝缘体和半导体。u半导体半导体 SemiconductorSemiconducto
2、ru半导体的特性半导体的特性 1 1)当受外界热和光的作用时,它的)当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。导电能力明显变化。2 2)往纯净的半导体中掺入某些杂质,)往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使它的导电能力明显改变会使它的导电能力明显改变。共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子形成共价键后,每个原子的最外层电子是八个,形成共价键后,每个原子的最外层电子是八个,构成稳定结构。构成稳定结构。半导体的基本知识(4)共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子束缚电子,常温下束
3、缚电子很难脱离共价键成为常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子自由电子,因此半导体,因此半导体中的自由电子极少,所以半导体在常温下几乎不导电。中的自由电子极少,所以半导体在常温下几乎不导电。共价键有很强的结合力,使原子规共价键有很强的结合力,使原子规则排列,形成则排列,形成晶体晶体。+4+4+4+4半导体的基本知识(5)本征半导体(1)本征半导体本征半导体(Intrinsic Semiconductors)(Intrinsic Semiconductors)完全纯净的完全纯净的(纯度达到99.9999999%)、结构完整的半导体晶体。、结构完整的半导体晶体。本征半导体的导电机理本征半导体的导
4、电机理在绝对在绝对0 0(T T=0K=0K)和没有外界激发时和没有外界激发时,价电子完全价电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有可以运动的带电粒被共价键束缚着,本征半导体中没有可以运动的带电粒子(即子(即载流子载流子),它的导电能力为),它的导电能力为 0 0,相当于绝缘体,相当于绝缘体。在常温下,由于热激发(在常温下,由于热激发(本征激发本征激发),),使一些价电使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子自由电子,同时共价键上留下一个空位,称为同时共价键上留下一个空位,称为空穴空穴。+4+4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束
5、缚电子本征半导体本征半导体中存在中存在数量相等数量相等的自由电子和空穴。的自由电子和空穴。电子空穴对电子空穴对由热激发而产生的自由电子和空穴对。由热激发而产生的自由电子和空穴对。本征半导体(2)+4+4+4+4在其它力的作用下,空在其它力的作用下,空穴吸引附近的电子来填穴吸引附近的电子来填补,这样的结果相当于补,这样的结果相当于空穴的迁移,而空穴的空穴的迁移,而空穴的迁移相当于正电荷的移迁移相当于正电荷的移动,因此可以认为空穴动,因此可以认为空穴是载流子。是载流子。本征半导体(3)温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半
6、导体性能的一个重要导电能力越强,温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。的外部因素,这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成:本征半导体中电流由两部分组成:1.1.自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。2.2.空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。本征半导体(4)杂质半导体(1)u 杂质半导体杂质半导体(Extrinsic Semiconductors)(Extrinsic Semiconductors)在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,在本征半导体中掺入某些微量
7、元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是主要是三价三价或或五价五价元素。掺入杂质的本征半导体元素。掺入杂质的本征半导体称为称为杂质半导体杂质半导体。N N型半导体型半导体掺入掺入五价五价杂质元素(如磷)的半导体。杂质元素(如磷)的半导体。P P型半导体型半导体掺入掺入三价三价杂质元素(如硼)的半导体。杂质元素(如硼)的半导体。杂质半导体(2)u N N型半导体型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键,而多余的一个半导体原子中的价电子形成共价键,而多余
8、的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在在N N型半导体中型半导体中自由电子自由电子是是多数载流子多数载流子(多子多子),),它主要由杂质原子提供;它主要由杂质原子提供;空穴空穴是是少数载流子少数载流子(少子少子),由热激发形成。由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子正离子,因此五价杂质原子也称为,因此五价杂质原子也称为施主杂质施主杂质。电子空穴对电子正电荷量正电荷量=施主原子施主原子+本征激发的空穴本征激发的空穴负电荷量负电荷量=施主释放的电子施主释放的电子+本征激发的本征
9、激发的电子电子电子空穴对(平衡)不能移动不能移动N N型半导体整体呈型半导体整体呈电中性电中性,电子是多数载流子,电子是多数载流子杂质半导体(3)uP P型半导体型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时,缺因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时,缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。在在P P型半导体中型半导体中空穴空穴是是多数载流子,多数载流子,它主要由掺杂它主要由掺杂形成;形成;自由自由电子电子是是少数载流子,少数载流子,由热激发形成。由热激发形成。空穴很容易俘获电子,使杂质原子成为负离子。空穴很容易俘获电子,使杂质原子成为负离子。三价杂质三价杂
10、质 因而也称为因而也称为受主杂质受主杂质。空穴电子空穴对负电荷量负电荷量=受主原子受主原子+本征激发的本征激发的电子电子正电荷量正电荷量=硅失电子释放的硅失电子释放的空穴+本征激发的本征激发的空穴电子空穴对(平衡)不能移动不能移动P P型半导体整体呈型半导体整体呈电中性电中性,空穴空穴是多数载流子是多数载流子PN结的形成 在在N N型半导体和型半导体和P P型半型半导体的结合面上形成如下导体的结合面上形成如下物理过程物理过程:因浓度差因浓度差空间电荷区空间电荷区形成形成内电场内电场 内电场促使内电场促使少子漂移少子漂移 内电场阻止内电场阻止多子扩散多子扩散 多子的多子的扩散扩散和少子的和少子的
11、漂移漂移达到达到动态平衡动态平衡,PNPN结形成。结形成。多子的多子的扩散扩散运动运动由由杂质离子形成杂质离子形成空间电荷区空间电荷区 P区N区空间电荷区内电场1.1.空间电荷区中没有载流子空间电荷区中没有载流子。2.2.空间电荷区中内电场阻碍空间电荷区中内电场阻碍P P 区中的空穴区中的空穴.N N区中的电子(区中的电子(都是多子都是多子)向对方运动()向对方运动(扩扩散运动散运动)。)。3.3.P P 区中的电子和区中的电子和N N 区中的空穴(区中的空穴(都是少子都是少子)数量有限,因此由它们的运动(数量有限,因此由它们的运动(漂移漂移运动运动)形成的电流很小。形成的电流很小。注意注意:
12、PN结的特性PN结的性质PNPN结的单向导电性(结的单向导电性(1 1)当外加电压使当外加电压使PNPN结中结中P P区的电位高于区的电位高于N N区的电位,称为加区的电位,称为加正正向电压向电压,简称,简称正偏正偏(Forward Bias)(Forward Bias)uPNPN结加结加正向正向电压时电压时(Forward-Based PN Junction)Forward-Based PN Junction)特点特点:低电阻:低电阻 大的正向扩散电流大的正向扩散电流 iD/mA1.00.50.51.00.501.0 D/VPN结的伏安特性结的伏安特性PN结加正向电压时的导电情况结加正向电压
13、时的导电情况外电场PN结的性质-PNPN结的单向导电性(结的单向导电性(2 2)PN结的伏安特性结的伏安特性 当外加电压使当外加电压使PNPN结中结中P P区的电位低于区的电位低于N N区的电位,称为区的电位,称为加加反向电压反向电压,简称,简称反偏反偏(Reverse Bais)(Reverse Bais)。u PNPN结加结加反向反向电压时电压时(Reverse-Based PN Junction)(Reverse-Based PN Junction)特点特点:高电阻高电阻 很小的反向漂移电流很小的反向漂移电流PN结加反向电压时的导电情况结加反向电压时的导电情况外电场iD/mA1.00.5
14、iD=IS0.51.00.501.0 D/VPN结的性质PNPN结的单向导电性(结的单向导电性(3 3)PNPN结加正向电压时,呈现低电阻,结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;具有较大的正向扩散电流;PNPN结加反向电压时,呈现高电阻,结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论:由此可以得出结论:PNPN结具有单结具有单向导电性。向导电性。PNPN结的结的的电容效应(1 1)PNPN结具有一定的电容效应,它由两方面的因素决定。结具有一定的电容效应,它由两方面的因素决定。一是势垒电容一是势垒电容C CB B(反偏反偏)二是扩散电容
15、二是扩散电容C CD D(正偏正偏)(1)势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时,离子薄层的厚度也相应地随之改变,这相当PN结中存储的电荷量也随之变化,犹如电容的充放电。扩散电容是由多子扩散后,在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时,由N区扩散到P区的电子,与外电源提供的空穴相复合,形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近,形成一定的多子浓度梯度分布曲线。(2)扩散电容CD 反之,由P区扩散到N区的空穴,在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。当外加正向电压不同时,扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧
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