第三讲尖端科技下课件.ppt
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1、尖端科技尖端科技(下下)世界科学研究热点世界科学研究热点(六六)让古老的光学重新焕发出青春让古老的光学重新焕发出青春 激光技术激光技术1917年年,爱因斯坦提出了一套全新的技术理论爱因斯坦提出了一套全新的技术理论“受激辐射受激辐射”。这一理论指出。这一理论指出:在组成物质的原子在组成物质的原子中中,有不同数量的电子分布在不同的能级上有不同数量的电子分布在不同的能级上,在高在高能级上的电子受到某种光子的激发能级上的电子受到某种光子的激发,会从高能级会从高能级跳到跳到(跃迁跃迁)到低能级上到低能级上,这时受激原子将会发出一这时受激原子将会发出一个与激发它的光子相同的光子个与激发它的光子相同的光子,
2、在大量相同原子在大量相同原子被激发的状态下被激发的状态下,就能出现一个弱光激发出一个就能出现一个弱光激发出一个强光的现象强光的现象,这就叫做这就叫做“受激辐射的光放大受激辐射的光放大”,简称简称激光。激光。1960年年5月月15日日,美国加利福尼亚州休斯实验室美国加利福尼亚州休斯实验室的科学家梅曼宣布获得了波长为的科学家梅曼宣布获得了波长为0.6943微米的微米的激光激光,这是人类有史以来获得的第一束激光这是人类有史以来获得的第一束激光,梅曼梅曼因而也成为世界上第一个将激光引入实用领域的因而也成为世界上第一个将激光引入实用领域的科学家。科学家。1960年年7月月7日日,梅曼研制成功世界上第一台
3、红宝梅曼研制成功世界上第一台红宝石激光器石激光器,梅曼的方案是梅曼的方案是:利用一个高强闪光灯管利用一个高强闪光灯管,来刺激在红宝石水晶里的铬原子来刺激在红宝石水晶里的铬原子,从而产生一条从而产生一条相当集中的纤细红色光柱相当集中的纤细红色光柱,当它射向某一点时当它射向某一点时,可可使其达到比太阳表面还高的温度。使其达到比太阳表面还高的温度。1962年年,发明半导体二极管激光器发明半导体二极管激光器,这是今天小型这是今天小型商用激光器的支柱。商用激光器的支柱。美国非致命激光枪美国非致命激光枪 1971年年,美国的美国的J.Maday在他的博士论文中首次在他的博士论文中首次提出的自由电子激光的概
4、念提出的自由电子激光的概念,自由电子激光的基本自由电子激光的基本原理是通过自由电子和辐射的相互作用原理是通过自由电子和辐射的相互作用,电子将电子将能能量量转送给辐射而使辐射强度增大。这种激光的特转送给辐射而使辐射强度增大。这种激光的特点是激光波长和脉冲结构可以根据需要进行设计点是激光波长和脉冲结构可以根据需要进行设计,并且能够在大范围内连续调节并且能够在大范围内连续调节,有着重要的应用前有着重要的应用前景。而普通激光器都基于原子、分子或凝聚态物景。而普通激光器都基于原子、分子或凝聚态物质中束缚电子的跃迁质中束缚电子的跃迁,因而产生的激光受到束缚能因而产生的激光受到束缚能态的限制态的限制,通常只
5、能产生某种波长的激光。通常只能产生某种波长的激光。1974年年,第一个超市条形码扫描器出现。第一个超市条形码扫描器出现。1975年年,IBM投放第一台商用激光打印机。投放第一台商用激光打印机。1976年年,J.Maday和他的同事们在斯坦福大学和他的同事们在斯坦福大学 实现了远红外自由电子激光。实现了远红外自由电子激光。1982年年,第一台紧凑碟片第一台紧凑碟片(CD)播放机出现。播放机出现。1983年年,里根总统发表了里根总统发表了“星球大战星球大战”的演讲的演讲,描绘描绘 了基于太空的激光武器。了基于太空的激光武器。1988年年,北美和欧洲间架设了第一根光纤北美和欧洲间架设了第一根光纤,用
6、光脉用光脉 冲来传输数据。冲来传输数据。1990年年,激光用于制造业激光用于制造业,包括集成电路和汽车制造。包括集成电路和汽车制造。1991年年,第一次用激光治疗近视第一次用激光治疗近视,海湾战争中第一海湾战争中第一 次用激光制导导弹。次用激光制导导弹。1993年年,中国科学院高能所制成我国第一台自由中国科学院高能所制成我国第一台自由 电子激光装置。电子激光装置。1996年年,东芝推出数字多用途光盘东芝推出数字多用途光盘(DVD)播放器。播放器。激光的特点激光的特点:定向发光定向发光,亮度极高亮度极高,颜色极纯颜色极纯,能量密度极大。能量密度极大。激光核聚变激光核聚变(又叫惯性约束核聚变又叫惯
7、性约束核聚变)惯性约束核聚变是把几毫克的氘和氚的混合气体惯性约束核聚变是把几毫克的氘和氚的混合气体或固体或固体,装入直径约几毫米的小球内。从外面均匀装入直径约几毫米的小球内。从外面均匀射入激光束或粒子束射入激光束或粒子束,球面因吸收能量而向外蒸发球面因吸收能量而向外蒸发,受它的反作用受它的反作用,球面内层向内挤压球面内层向内挤压(反作用力是一种反作用力是一种惯性力惯性力,靠它使气体约束靠它使气体约束,所以称为惯性约束所以称为惯性约束),小球小球内气体受挤压而压力升高内气体受挤压而压力升高,并伴随着温度的急剧升并伴随着温度的急剧升高。当温度达到所需要的点火温度高。当温度达到所需要的点火温度(大概
8、需要几十大概需要几十亿度亿度)时时,小球内气体便发生爆炸小球内气体便发生爆炸,并产生大量热能。并产生大量热能。这种爆炸过程时间很短这种爆炸过程时间很短,只有几个皮秒只有几个皮秒(1皮等于皮等于1万万亿分之一亿分之一)。如每秒钟发生三四次这样的爆炸并且。如每秒钟发生三四次这样的爆炸并且连续不断地进行下去连续不断地进行下去,所释放出的能量就相当于百所释放出的能量就相当于百万千瓦级的发电站。万千瓦级的发电站。1986年年,我国激光核聚变实验装置我国激光核聚变实验装置“神光神光”研制成功。研制成功。2010年年,美国国家核安全管理局表示美国国家核安全管理局表示,美国洛仑兹美国洛仑兹国家实验室的国家点火
9、装置国家实验室的国家点火装置,通过使用通过使用192束激光束激光来束缚核聚变的反应原料氢的同位素氘和氚来束缚核聚变的反应原料氢的同位素氘和氚,解决了激光核聚变的一个关键困难。解决了激光核聚变的一个关键困难。点火使用点火使用192个巨型激光装置个巨型激光装置,中间的球是点火的中间的球是点火的核心核心,激光通过各个孔汇聚到球的中心固态冰冻激光通过各个孔汇聚到球的中心固态冰冻的氢原子珠上的氢原子珠上,加热那里的聚变燃料。整个激光加热那里的聚变燃料。整个激光装置提供装置提供500万亿瓦的能量万亿瓦的能量,相当于美国总发电量相当于美国总发电量的的1000倍倍,维持仅仅维持仅仅4纳秒纳秒(一纳秒等于十亿分
10、之一一纳秒等于十亿分之一秒秒),把一百八十万焦耳的热量汇聚在一个立方毫米把一百八十万焦耳的热量汇聚在一个立方毫米的体积上的体积上,发生聚变反应时发生聚变反应时,温度可达到温度可达到1亿度亿度,压力压力超过超过1000亿个大气压。亿个大气压。“国家点火装置国家点火装置”如果成功如果成功,核聚变释放出的能量将达到触发反应所需能量的核聚变释放出的能量将达到触发反应所需能量的10倍至倍至100倍。在核聚变过程中实现倍。在核聚变过程中实现“能量收益能量收益”。1998年年,美国能源部开始在劳伦斯利弗莫尔国家美国能源部开始在劳伦斯利弗莫尔国家实验室启动实验室启动“国家点火装置工程国家点火装置工程”。这项军
11、民两用。这项军民两用的高能激光核聚变研究工程总投资为的高能激光核聚变研究工程总投资为22亿美元。亿美元。美国国家点火装置美国国家点火装置将燃料放入燃料舱将燃料放入燃料舱(圆柱体圆柱体)工程技术人员调整靶位工程技术人员调整靶位 激光照射靶球时激光照射靶球时,燃料舱两端的光线情况。燃料舱两端的光线情况。(七七)细微的新材料细微的新材料 纳米技术纳米技术纳米技术是研究结构尺寸在纳米技术是研究结构尺寸在0.1至至100纳米范围纳米范围内材料的性质和应用。它的最终目标是直接以内材料的性质和应用。它的最终目标是直接以原子或分子来构造具有特定功能的产品。原子或分子来构造具有特定功能的产品。1959年年,著名
12、物理学家、诺贝尔奖获得者费曼著名物理学家、诺贝尔奖获得者费曼在底部还有很大空间在底部还有很大空间的演讲中预言的演讲中预言,人类可人类可以用小的机器制作更小的机器以用小的机器制作更小的机器,最后将变成根据最后将变成根据人类意愿人类意愿,逐个地排列原子逐个地排列原子,制造产品制造产品,这是关于这是关于纳米技术最早的梦想。纳米技术最早的梦想。1982年年,科学家发明研究纳米的重要工具科学家发明研究纳米的重要工具扫描隧道显微镜扫描隧道显微镜,为我们揭示一个可见的原子、为我们揭示一个可见的原子、分子世界分子世界,对纳米科技发展产生了积极促进作用。对纳米科技发展产生了积极促进作用。1990年年,IBM公司
13、阿尔马登研究中心的科学家公司阿尔马登研究中心的科学家成功在镍表面用成功在镍表面用36个氙原子排出个氙原子排出“IBM”,纳米纳米技术取得一项关键突破。技术取得一项关键突破。1991年年,碳纳米管被发现碳纳米管被发现,它的质量是相同体积钢它的质量是相同体积钢的六分之一的六分之一,强度却是钢的强度却是钢的10倍倍,成为纳米技术研成为纳米技术研究的热点。究的热点。1997年年,美国科学家首次成功地用单电子移动单美国科学家首次成功地用单电子移动单电子电子,利用这种技术可望在利用这种技术可望在20年后研制成功速度年后研制成功速度和存贮容量比现在提高成千上万倍的量子计算机。和存贮容量比现在提高成千上万倍的
14、量子计算机。1999年年,巴西和美国科学家在进行纳米碳管实验巴西和美国科学家在进行纳米碳管实验时发明了世界上最小的时发明了世界上最小的“秤秤”,它能够称量十亿分它能够称量十亿分之一克的物体之一克的物体,即相当于一个病毒的重量即相当于一个病毒的重量;此后不此后不久久,德国科学家研制出能称量单个原子重量的秤德国科学家研制出能称量单个原子重量的秤,打破了美国和巴西科学家联合创造的纪录打破了美国和巴西科学家联合创造的纪录;同年同年,美国科学家在单个分子上实现有机开关美国科学家在单个分子上实现有机开关,证实在证实在分子水平上可以发展电子和计算装置。分子水平上可以发展电子和计算装置。到到1999年年,纳米
15、技术逐步走向市场纳米技术逐步走向市场,全年基于纳米全年基于纳米产品的营业额达到产品的营业额达到500亿美元。亿美元。2003年年,美国加利福尼亚大学伯克利分校的科学家美国加利福尼亚大学伯克利分校的科学家用碳纳米管研制出世界上最小的用碳纳米管研制出世界上最小的纳米电动机纳米电动机。2006年年,美国佐治亚理工学院教授王中林等成功地美国佐治亚理工学院教授王中林等成功地在纳米尺度范围内将机械能转换成电能在纳米尺度范围内将机械能转换成电能,研制出世研制出世界上最小的发电机界上最小的发电机纳米发电机纳米发电机。(八八)微电子工业的基础微电子工业的基础 半导体技术半导体技术半导体指常温下导电性能介于导体半
16、导体指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体与绝缘体(insulator)之间的材料。这种材料在某之间的材料。这种材料在某个温度范围内随温度的升高个温度范围内随温度的升高,电阻率下降。电阻率下降。学习微电子学的关键是学习微电子学的关键是:始终知道电子往哪里跑!始终知道电子往哪里跑!本征半导体的导电能力很弱本征半导体的导电能力很弱,热稳定性也很差热稳定性也很差,因此不宜直接用它制造半导体器件。半导体因此不宜直接用它制造半导体器件。半导体器件多数是用含有一定数量的某种杂质的半器件多数是用含有一定数量的某种杂质的半导体制成。根据掺入杂质性质的不同导体制成。根据掺入杂质性质的不同,杂质半
17、杂质半导体分为导体分为P型半导体与型半导体与N型半导体型半导体,它们相互它们相互接触时接触时,其交界区域称为其交界区域称为PN结。结。PN结具有单结具有单向导电性。向导电性。半导体的基本原理是半导体在外加电压下半导体的基本原理是半导体在外加电压下,内部的一部分电子发生漂移内部的一部分电子发生漂移,从而产生电流。从而产生电流。通过巧妙的设计通过巧妙的设计,可以使电子在物体内部发生可以使电子在物体内部发生 局部聚集局部聚集,产生反电压产生反电压,实现单向导电。实现单向导电。P型半导体型半导体每掺入每掺入1个硼原子就可以提供个硼原子就可以提供1个空穴个空穴,又称为空穴型半导体。又称为空穴型半导体。N
18、型半导体型半导体每掺入每掺入1个磷原子就可产生个磷原子就可产生1个自由电子个自由电子,又称为电子型半导体。又称为电子型半导体。在一块完整的硅片上在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一用不同的掺杂工艺使其一边形成边形成N型半导体型半导体,另一边形成另一边形成P型半导体型半导体,那么那么在两种半导体交界面附近就形成了在两种半导体交界面附近就形成了PN结。结。2.有些电子从有些电子从N型区向型区向P型区扩散型区扩散,也有一些空穴也有一些空穴 从从P型区向型区向N型区扩散。型区扩散。1.将将P型半导体与型半导体与N型半导体制作在同一块硅上。型半导体制作在同一块硅上。3.扩散到扩散到P区的自由电子与
19、空穴复合区的自由电子与空穴复合,而扩散到而扩散到N 区的空穴与自由电子复合。区的空穴与自由电子复合。4.P区一侧失去空穴剩下不能移动的负离子区一侧失去空穴剩下不能移动的负离子,N区区 一侧失去电子而留下不能移动的正离子。这些一侧失去电子而留下不能移动的正离子。这些 不能移动的带电粒子就是空间电荷。不能移动的带电粒子就是空间电荷。5.扩散运动与漂移运动达到动态平衡时扩散运动与漂移运动达到动态平衡时,将在将在P区区和和N区的交界面附近形成一个很薄的稳定的空间区的交界面附近形成一个很薄的稳定的空间电荷区电荷区,称为称为PN结。结。6.空间电荷区将形成一个内电场空间电荷区将形成一个内电场,其方向从带正
20、电其方向从带正电 的的N区指向带负电的区指向带负电的P区区,阻止扩散运动的进行。阻止扩散运动的进行。7.空间电荷区具有一定的宽度空间电荷区具有一定的宽度,形成电位差形成电位差,在无外在无外 电场或其他因素激励时电场或其他因素激励时,电流为零。空间电荷区电流为零。空间电荷区 有时又称为耗尽区。扩散越强有时又称为耗尽区。扩散越强,空间电荷区越宽。空间电荷区越宽。PN结正偏时结正偏时,正向电流较大正向电流较大,相当于相当于PN结导通结导通;PN结反偏时结反偏时,反向反向电流电流很小很小,相当于相当于PN结截止。结截止。PN结的单向导电性结的单向导电性 当当PN结上加的反向电压增大到一定数值时结上加的
21、反向电压增大到一定数值时,反向反向电流突然剧增电流突然剧增,这种现象称为这种现象称为PN结的反向击穿。结的反向击穿。1833年年,英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属温度的变化情况不同于一般金属,一般情况下一般情况下,金金属的电阻随温度升高而增加属的电阻随温度升高而增加,但巴拉迪发现硫化但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。半导体现象的首次发现。1839年年,法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结触形成的结,在光照下
22、会产生一个电压在光照下会产生一个电压,也就是也就是“光生伏特效应光生伏特效应”,这是被发现的半导体的第二个这是被发现的半导体的第二个特征。特征。1874年年,德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关与所加电场的方向有关,即它的导电有方向性即它的导电有方向性,在在它两端加一个正向电压它两端加一个正向电压,它是导通的它是导通的;如果把电压如果把电压极性反过来极性反过来,它就不导电它就不导电,这就是半导体的整流效这就是半导体的整流效应应,也是半导体所特有的第三种特性。也是半导体所特有的第三种特性。1873年年,英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下英国的史
23、密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应电导增加的光电导效应,这是半导体的第四种特性这是半导体的第四种特性。1947年年12月月,美国贝尔实验室总结了半导体的四美国贝尔实验室总结了半导体的四个特性个特性:负的电阻率温度特性负的电阻率温度特性,光生伏特特性光生伏特特性,整流整流特性特性,光电导特性。光电导特性。1969年年,中科院长春物理所研制成功中科院长春物理所研制成功LED(半导体半导体发光二极管发光二极管),半导体照明取代节能灯已经成为不半导体照明取代节能灯已经成为不可阻挡的趋势可阻挡的趋势。半导体在科学技术半导体在科学技术,工农业生产和生活中有着工农业生产和生活中有着广泛的应用。例
24、如:电视、半导体收音机、广泛的应用。例如:电视、半导体收音机、电子计算机、半导体照明电子计算机、半导体照明(LED灯灯)等。等。1954年年,第一台半导体计算机由贝尔电话公司第一台半导体计算机由贝尔电话公司研制成功。研制成功。1978年年,超大规模集成电路开始应用。超大规模集成电路开始应用。(九九)物质的第四种状态物质的第四种状态 等离子体研究等离子体研究等离子体又叫做电浆等离子体又叫做电浆,是由部分电子被剥夺后的是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质。等离子体是物质的第四态化气体状物质。等离子体是物质的第四态,即
25、电离即电离了的了的“气体气体”,它呈现出高度激发的不稳定态它呈现出高度激发的不稳定态,其中其中包括离子包括离子(具有不同符号和电荷具有不同符号和电荷)、电子、原子和、电子、原子和分子。分子。等离子体的运动主要受电磁力的支配等离子体的运动主要受电磁力的支配,在整体上在整体上呈电中性呈电中性,却是一种很好的导电体。利用经过巧却是一种很好的导电体。利用经过巧妙设计的磁场可以捕捉、移动和加速等离子体。妙设计的磁场可以捕捉、移动和加速等离子体。对于整个宇宙来讲对于整个宇宙来讲,几乎几乎99.9以上的物质都是以上的物质都是以等离子体态存在的。等离子体分为高温等离以等离子体态存在的。等离子体分为高温等离子体
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