静电知识-经典版课件.ppt
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- 静电 知识 经典 课件
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1、认识静电放电认识静电放电静电放电(ESD)简介 认识静电放电认识静电放电 静电与静电放电 电学上的意义 Triboelectric Charging 静电与环境的关系 认识静电放电防制认识静电放电防制 静电放电对产品的影响静电放电对产品的影响你感受过静电吗你感受过静电吗?认识静电放电 日常生活中的静电实例日常生活中的静电实例 邻近区域发生静电放电时,可于收音机中听间杂音 于地毯上走动或从椅子站 起来后,碰触导体 由干衣机中取出衣物时 通常再气温与溼度较低通常再气温与溼度较低 时较易感受到静电时较易感受到静电什么是静电什么是静电?原因:摩擦、感应、剥离.机制:物质因失去或得到电子而带电 若未接触
2、其他导体则静电将继续存在于物体上隐藏的危险隐藏的危险 静电防电静电防电认识静电放电 原因:电位不同物体间的电荷移转 不一定伴随有电弧或火花发生 一般可感受到的静电压为3.5KV 低于此值时元件仍非常容易损坏 静电放电防制计划静电放电防制计划认识静电放电 十五世纪时十五世纪时,欧洲开始出现静电放电防制的程序欧洲开始出现静电放电防制的程序 ESD Control Program 针对公司实际情形定订防制计划 设置相关仪器及设备 持续的追踪与量测 可能发生在制程中或使用中的任何阶段可能发生在制程中或使用中的任何阶段 process,assemble,pack,label,service,test,i
3、nspect transport,in the field parts,assemblies,equipment常用的数量级符号常用的数量级符号认识静电放电 数量级数量级 全名全名 符号符号 1012 tera T 109 giga G 106 mega M 103 kilo k 10-3 milli m 10-6 micro 10-9 nano n 10-12 pico p Examples:1 kilovolts=1 103 volts 5 picofarads=5 10-12 farads静电的能量静电的能量认识静电放电E=1/2 CV2 E:能量(焦耳)C:电容(法拉)V:电压差(伏特
4、)E=1/2(110-10F)(3103V)2 =4.510-4 Joule静电的电压静电的电压认识静电放电V=q/C q:电量电量(库库 仑仑)总电量不变总电量不变,若电容值改变则电压值随之改变若电容值改变则电压值随之改变 位置变化时,电压变化可能很大 Ex:带电元件接近接地之机械设备 元件接近机械设备时,电容较大-电压小 元件远离机械设备时,电容较小-电压大 此时接地则可能发生严重的ESD事件 若元件未带电,则无ESD事件隔离或绝缘的导体间会因接触而放电隔离或绝缘的导体间会因接触而放电 放电后两物体电压相同 电量与电容有关剥离生电剥离生电认识静电放电任两个物体或材料接触后再分开会产生静电任
5、何进入工作区域内之物件或材料皆需注意(如人员、电子元件、手持设备、包装材料等等)影响摩擦生电电量的因素影响摩擦生电电量的因素认识静电放电物质材料相对湿度摩擦频率接触面积材料的影响材料的影响认识静电放电所有材料皆可摩擦生电 正正(Positive)钢(Steel)空气(Air)木(Wood)人手(Hands)橡胶(Rubber)玻璃(Glass)金(Gold)毛发(Hair)多元脂(Polyester)石英(Quartz)聚胺脂(Polyethylene)尼龙(Nylon)聚乙烯(Polyethylene)羊毛(Wool)聚丙烯(Polypropylene)丝绸(Silk)乙烯基(Vinyl)铝
6、(Aluminum)硅(Silicon)纸(Paper)铁弗龙(Teflon)棉(Cotton)负负(Negative)溼度的影响溼度的影响认识静电放电适度的溼度控制若干制程需在低溼度环境下进行 部份IC制程 (例如需使用光阻时)Soldering(建议使用静电消散材料 在EPA外-建议使用静电放电屏蔽材料 Anti-Static Material 抗静电材料 能抑制摩擦生电的材料(ESDA ADV.1.0)抗静电材料并不需要量测其表面电阻率或 体积电阻率来决定其特性人员安全人员安全认识静电放电防制 制定制定ESD计划时应把人员安全列为主要考量计划时应把人员安全列为主要考量 ANSI ESD
7、S20.20要求需对可能使用人员暴露要求需对可能使用人员暴露 于触电的程序或设备加以规范于触电的程序或设备加以规范 员工须被告之人员安全的相关文件是不能被任何 其他需求所取代的 购买设备时须顾及法规、管理规定、对内及对外政策 依ESDA的标准测试ESDC相关材料 厂区中的电压可能远比测试时的电压高 材料接触大电流源时,电阻值可能剧烈改变接地电位接地电位认识静电放电防制 所有设备及工具的表面在任何时间皆须接在 同一个接地电位上 在EPA中可能出现Ground Faults及高电压 使用Ground Fault Circuit lnterrupters(GFCI)侦测到高漏电流时将电路断路 使用限
8、流电阻 静电环必须使用 桌垫与地垫可考虑使用静电放电对产品的影响静电放电对产品的影响静电放电(ESD)简介 静电放电对产品的影响 电子元件ESD故障的构因 故障分析 ESD/EOS故障案例ESD的影响的影响静电放电对产品的影响 ESD事件事件-因局部高温或电位差因局部高温或电位差,造成半导体元件的损坏造成半导体元件的损坏 严重损坏、参数飘移、潜在性故障 测试时的条件与实际状况可能有差异测试时的条件与实际状况可能有差异 从制程到使用的任何阶段从制程到使用的任何阶段ESD皆可能破坏产品皆可能破坏产品 未进行ESDC的工作环境或训练不足 成本问题、客户抱怨、商誉的损失成本问题、客户抱怨、商誉的损失故
9、障回复现象故障回复现象静电放电对产品的影响Failure Mode Distribution电子元件电子元件ESD故障之构因故障之构因静电放电对产品的影响 ESD故障事件故障事件 ESD to the Device ESD from the Device 电厂感应放电 电子元件遭受破坏后可能无法再正常工作电子元件遭受破坏后可能无法再正常工作 功率相关:接面崩溃,金属熔融.Power=1ESDVOperating 电压相关:界面质损坏.潜在性故障潜在性故障:功能劣化功能劣化ESD to the Device静电放电对产品的影响 最常发生的静电破坏事件 行走后会在身上累积静电,若再碰触 ESDS
10、ltems 将可能造成破坏 带静电的导体对ESDS ltems放电 ESD对ESDS ltems破坏的程度取决于元件对 静电能量的消散能立即对高压电的承受能力 即所谓的静电敏感程度(ESD Sensitivity)Latent ESD Failures ESD伤及部分半导体结构,但元件仍能正常工作 将仍有可靠性的问题 元件将过早发生故障 需花费更多心力才能 修复造成的损失更大 若元件组装至系统 故障将难以发现 做好ESD防制计划将 有效创造优势故障分析基本步骤故障分析基本步骤静电放电对产品的影响找出找出PC板上之故障元件板上之故障元件基本电性量测基本电性量测DecapsulateX-ray l
11、nspection定位故障点定位故障点Liquid CrystalEMMI(Backside)Optical Microscope Delayer Cross-sectionX-rayinspectionEmissionMicroscopyEmissionMicroscopyRequirement for EMMI静电放电对产品的影响 After Decap and Uncovered Socket (If Socket is Necessary)Pin Assignment power&ground pins Applied Voltage&Current Lightless Device
12、Back-side Detection polishSample 1Sample 2SEMSample 3DelayerSample 4Sample 5Sample 5(contd)Sample 6-EOS damageESD/EOS静电放电对产品的影响 时间时间 ESDns EOS(Electrical Over-Stress)s 能量能量 E=iv dt电子元件及产品之电子元件及产品之ESD测试测试静电放电实务 电子元件及产品之ESD测试 静电放电的模型 如何进行元件ESD测试 传输线触波产生器测试 系统产品的ESD测试 ESD行政配套措施行政配套措施 电子产品在制造作业中之静电防制措施电
13、子产品在制造作业中之静电防制措施静电放电的模型静电放电的模型电子元件及产品之ESD测试 静电放电的模型 人体带电模型(Human Body Model,HBM)Discharge to the Device 机器带电模型(Machine Model,MM)Discharge to the Device 元件带电模型(Charged Device Model,CDM)Discharge from the DeviceHuman Body Model电子元件及产品之ESD 测试 模拟由站立个人之手指尖端放电至元件的现象HBM的波形的波形电子元件及产品之ESD测试 lpeak=1.33A(for 2
14、 KV)Rise time=2 10 nsHBM的基本防制规则的基本防制规则电子元件及产品之ESD测试 HBM是最古老且最常发生的模式,但并非 最严重的危害模式 不同模型的不同模型的ESD事件对元件会造成不同的破坏事件对元件会造成不同的破坏 HBM敏感度02kV的元件 CCDS,Thin Film Resistors,MR Heads,Laser Diodes.ANSI/ESD S 20.20提供了HBM 100V的行为准则 须对EPA及其他的防制计划进行周期性的稽核Machine Model电子元件及产品之ESD测试 70年代,日本人认为HBM不足以代表 worst-case 而提出,适用于
15、自动组装之 制造环境 HBM与与MM波形的比较波形的比较电子元件及产品之ESD测试 MM的电容值较的电容值较HBM大大储存的电荷较多储存的电荷较多 R很小很小电流较大电流较大,速度较快速度较快Machine Model电子元件及产品之ESD测试 未妥善接地的仪器设备 电荷储存于杂散电容中 导线中绝缘体与导体间 亦会储存电荷 导体接触或插入仪器、PCB时发生电荷移转问题研讨问题研讨电子元件及产品之ESD测试Charged Device Model电子元件及产品之ESD测试 放电时放电时,1ns内电流可上升到内电流可上升到15A 再高频时再高频时,电容几乎可视为短路电容几乎可视为短路 因此因此CD
16、M电流会由电流会由Gate oxide放电放电 Die size较大的元件较大的元件CDM较严重较严重 电容较大储存电荷较多 制程越先进Gate oxide越薄Charged Device Model电子元件及产品之ESD测试 I=充电时充电时,t很长很长 电流很小电流很小 不易造成破坏不易造成破坏 Charged Device Model电子元件及产品之ESD测试 现代自动化组装之制造环境中现代自动化组装之制造环境中 最重要的最重要的ESD模型模型 观念简单,再生困难 速度快,难保护 CDM Event的来源的来源 测试机台 自动插件 IC的包装(Tube)ESD Sensitivity 测
17、试测试-CDM电子元件及产品之ESD测试 CDM测试的充电方法测试的充电方法 Direct-charging Method Field-induced Method CDM测试的放电方法测试的放电方法ESD by Induction电子元件及产品之ESD测试A)DEVICE IN STATIC FIELD B)FIRST EVENT-GROUNDING IN FIELD C)DEEICE LEFT WITH NET D)SECOND EVENT-GROUNDING IN CHARGE LATER STEPESD的三种模型的三种模型电子元件及产品之ESD测试 HBM与与MM人体、机器或环境带电人
18、体、机器或环境带电 MM造成的故障与HBM类似,但电压却远低于HBM,速度 亦较HBM快 CDM元件带电元件带电 模拟一带电的元件经由 一脚接地而放电的现象 造成ESD故障的主要原因 上升时间最快速电子产品之电子产品之ESD破坏模式介绍破坏模式介绍电子元件及产品之ESD测试 静电放电的模式静电放电的模式 HBM-人体充电及放电 MM-起子,手工具充电及放电 CDM-IC或PCB摩擦充电后碰触到接地的手上、金属、导电材料上 FIM-感应充电及放电 Induced Charge and Discharge 静电环的功效静电环的功效 静电消散材料对静电消散材料对CDM的抑制的抑制Why ESD Te
19、st?电子元件及产品之ESD测试 为何要作为何要作ESD测试测试?静电敏感零组件(ESD-Sensitive Item)分级 故障分析设计改善、制程改善 影响影响ESD Sensitivity之因素之因素 ESD之来源及其特性 元件之种类 IC,MR,FPD 小尺寸、高工作频率、高电路密度 半导体制程 保护线路之设计ESDS元件敏感等级元件敏感等级电子元件及产品之ESD测试 ESDS元件敏感等级元件敏感等级-Human Body Model ESD STM5.1-1998 ESD/JESD22-A114-B:2000 Class Voltage Range Class 0 250V Class
20、 1A 250V to 500V Class 1B 500V to 1000V Class 1C 1000V to 2000V Class 2 2000V to 4000V Class 3A 4000V to 8000V Class 3B 8000 VESDS元件敏感等级元件敏感等级电子元件及产品之ESD测试 ESDS元件敏感等级元件敏感等级 Machine Modle ESD STM5.2-1999 EIA/JESD22-A115-A:1997*Class Voltage Range Class M1(A)*200V Class M2(B)*200V to 400V ESDS元件敏感等级元件
21、敏感等级电子元件及产品之ESD测试 ESDS元件敏感等级元件敏感等级 Charged Device Model ESD STM5.3.1-1999 Class Voltage Range Class C1 125V Class C2 125V to 250V Class C3 250V to 500V Class C4 500V to 1000V Class C5 1000V to 1500V Class C6 1500V to 2000V Class C7 2000 V EIA/JESD22-C101-A:2000 Class Voltage Range Class 200V Class 2
22、00V to 500V Class 500 V to 1000V IC的的ESD规格规格电子元件及产品之ESD测试 HBM MM CDM “Okay”2kV 200V 1kV “Safe”4kV 400V 1.5kV “Super”10kV 1kV 2kV 由所有测试结果中的最低值决定ESD Sensitivity 测试标准测试标准电子元件及产品之ESD测试 Human Body Model(HBM)MIL-STD-883D Method 3015.7 ESD STM5.1-1998 EIA/JESD22-A114-B:2000 Machine Model(MM)EIAJ-IC-121 Met
23、hod 20 ESD STM5.2-1999 EIA/JESD22-A115-A:1997 Charged Devic Model(CDM)ESD STM5.3.1-1999 EIA/JESD22-C101-A:2000ESD Sensitivity 测试测试电子元件及产品之ESD测试 测试电压测试电压 参见EIA/JEDEC Standard对于ESDS元件敏感等级之电压值 每一脚位同一电压值、同一电压极性测试次数每一脚位同一电压值、同一电压极性测试次数 ESDA Standard:3 pulses(STM5.1:2001 HBM 1pulse)EIA/JEDEC Standard:HBM,
24、MM:1 pulse CDM:5 pulses 测试时间间隔测试时间间隔 ESD Standard:1s(STM5.1:2001 HBM0.3s)EIA/JEDEC Standard:HBM:0.3s MM:0.5s CDM:0.2sESD Sensitivity 测试测试电子元件及产品之ESD测试 Pin Combinations(For HBM,MM ESD Test)每支脚VS.每组电源脚 非电源脚VS.其他非电源脚 离散元件(Discrete components)须测试每种组合 (one pin to one pin)不同的测试电压值极不同的pin combination允许 更换另
25、一组sample (ESD STM5.2)运算放大器之反相输入脚 VS.对应之 非反相输入脚ESD Sensitivity 测试测试电子元件及产品之ESD测试 样本数样本数(Sample Size)至少3个元件 增加Sample之数量 故障分析设计改善、制程改善 避免对high pin-count元件之误判 Failure Criteria Functional Test ESD stress后,尽快在最高工作频率下进行完整功能测试 Leakage current Absolute or Relative Comparison Open or Short256-pin ESD/Latch-up
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