第9章光电传感器-课件.ppt
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1、第9章光电式传感器9.1概述n9.1.1 光电式传感器的类别光电式传感器的类别n光电式传感器(或称光敏传感器)n是利用光电器件把光信号转换成电信号(电压、电流、电阻等)的装置。n按工作原理分类n光电效应传感器n红外热释电探测器n固体图像传感器n光纤传感器 n1、光电效应传感器、光电效应传感器n是应用光敏材料的光电效应制成的光敏器件。光照射到物体上使物体发射电子,或电导率发生变化,或产生光生电动势等等,这些因光照引起物体电学特性改变的现象称为光电效应。n2、红外热释电探测器、红外热释电探测器n主要是利用辐射的红外光(热)照射材料时引起材料电学性质发生变化或产生热电动势原理制成的一类器件。n3、固
2、体图像传感器、固体图像传感器n结构上分为两大类,一类是用CCD电荷耦合器件的光电转换和电荷转移功能制成CCD图像传感器,一类是用光敏二极管与MOS晶体管构成的将光信号变成电荷或电流信号的MOS金属氧化物半导体图像传感器。n4、光纤传感器、光纤传感器n它利用发光管(LED)或激光管(LD)发射的光,经光纤传输到被检测对象,被检测信号调制后,光沿着光导纤维反射或送到光接收器,经接收解调后变成电信号。特点n光电式传感器具有结构简单、响应速度快、高精度、高分辨率、高可靠性、抗干扰能力强(不受电磁辐射影响,本身也不辐射电磁波)、可实现非接触式测量等特点n可以直接检测光信号,间接测量温度、压力、位移、速度
3、、加速度等n其发展速度快、应用范围广,具有很大的应用潜力 9.1.2 光电式传感器的基本形式光电式传感器的基本形式n由光路及电路两大部分组成n光路部分实现被测信号对光量的控制和调制n电路部分完成从光信号到电信号的转换四种基本形式 n透射式 反射式n辐射式n开关式9.2 光电效应与光电器件n光子是具有能量的粒子,每个光子的能量可表示为 n光电效应方程 Eh v2012kEmvh vA 光电器件n光电器件是将光能转变为电能的一种传感器件。是构成光电式传感器的主要部件。n光电器件工件的物理基础:光电效应。n光电效应分为:内光电效应、外光电效应9.2.1 外光电效应型光电器件n当光照射到金属或金属氧化
4、物的光电材料上时,光子的能量传给光电材料表面的电子,如果入射到表面的光能使电子获得足够的能量,电子会克服正离子对它的吸引力,脱离材料表面而进入外界空间,这种现象称为外光电效应。n即外光电效应是在光线作用下,电子逸出物体表面的现象。n根据外光电效应做出的光电器件有光电管和光电倍增管。1、光电管及其基本特性、光电管及其基本特性光电管的伏安特性 光电管的光照特性曲线1表示氧铯阴极光电管的光照特性,光电流与光通量呈线性关系。曲线2为锑铯阴极的光电管光照特性,它呈非线性关系 光电管的光谱特性不同光电阴极材料的光电管,对同一波长的光有不同的灵敏度;同一种阴极材料的光电管对于不同波长的光的灵敏度也不同,这就
5、是光电管的光谱特性。曲线1、2分别为铯阴极、锑铯阴极对应不同波长光线的灵敏度,3为多种成分(锑、钾、钠、铯等)阴极的光谱特性曲线 2、光电倍增管及其基本特性、光电倍增管及其基本特性主要参数主要参数 n倍增系数 Mn阳极电流 n光电倍增管的电流放大倍数n光电阴极灵敏度和光电倍增管总灵敏度n暗电流n光电倍增管的光谱特性nIi Mi /nI i9.2.2 内光电效应型光电器件n内光电效应是指在光线作用下,物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的现象n这种效应可分为因光照引起半导体电阻率变化的光电导效应和因光照产生电动势的光生伏特效应两种 内光电效应分类内光电效应分类光电导效应 在光线作用下,对于半导
6、体材料吸收了入射光子能量,若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度,就激发出电子-空穴对,使载流子浓度增加,半导体的导电性增加,阻值减低的现象。如光敏电阻光生伏特效应 在光线的作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象。如光电池。(1)光敏电阻)光敏电阻n 1.光敏电阻的结构与工作原理光敏电阻的结构与工作原理n 光敏电阴是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。n无光照时,光敏电阻值(暗电阻)很大,电路中电流(暗电流)很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时,它的阻值(亮电阻)急剧减小,电路中电流迅速增大。n一般希望暗电阻越大越好,亮电阻越小越好,
7、此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级,亮电阻值在几千欧以下。光敏电阻的结构金 属 电 极半 导 体玻 璃 底 板电 源检 流 计RLEI(a)(b)(c)Ra光敏电阻结构(a)光敏电阻结构;(b)光敏电阻电极;(c)光敏电阻接线图2.光敏电阻的主要参数光敏电阻的主要参数n暗电阻 n光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻,此时流过的电流称为暗电流。n亮电阻 n光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。n光电流 n亮电流与暗电流之差3、光敏电阻的基本特性n伏安特性 在一定照度下,流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系。403020100I/mA1
8、0010001 x500 mW1001 x功率200U/V101 x图 10.9硫化镉光敏电阻的伏安特性 光照特性n指光敏电阻的光电流I和光照强度之间的关系光敏电阻的光照特性 光谱特性n光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系。即光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用,即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。Sr/(%)/A2040608010001.53硫化铅硫化铊硫化镉 光敏电阻的光谱特性 频率特性n光敏电阻的光电流不能随着光强改变而立刻变化,即光敏电阻产生的光电流有一定的惰性,这种惰性通常用时间常数表示,对应着不同材料的频率特性。100806040200101001 00010 000硫
9、化镉硫化铅S /(%)f/Hz光敏电阻的频率特性 温度特性n光敏电阻和其它半导体器件一样,受温度影响较大。温度变化时,影响光敏电阻的光谱响应、灵敏度和暗电阻。n硫化铅光敏电阻受温度影响更大。1.02.03.04.00204060801002020/mS /(%)硫化铅光敏电阻的光谱温度特性(2)光电池)光电池n光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。即电源。n工作原理:基于“光生伏特效应”。n光电池实质上是一个大面积的PN结,当光照射到PN结的一个面,例如P型面时,若光子能量大于半导体材料的禁带宽度,那么P型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴,电子-空穴对从表面向内迅速扩散,在结电场
10、的作用下,最后建立一个与光照强度有关的电动势。光敏电阻的应用火灾探测光电池结构、符号光电池结构、符号光电池种类光电池种类 n光电池的种类很多,有硅光电池、硒光电池、锗光电池、砷化镓光电池、氧化亚铜光电池等n最受人们重视的是硅光电池。因为它具有性能稳定、光谱范围宽、频率特性好、转换效率高、能耐高温辐射、价格便宜、寿命长等特点。它不仅广泛应用于人造卫星和宇宙飞船作为太阳能电池,而且也广泛应用于自动检测和其它测试系统中n硒光电池由于其光谱峰值位于人眼的视觉范围,所以在很多分析仪器、测量仪表中也常常用到。光电池基本特性n光谱特性 n光电池对不同波长的光的灵敏度是不同的。0400600800 10001
11、20020406080100/nmS/%硒硅硅光电池的光谱特性 光照特性n光电池在不同光照度下,其光电流和光生电动势是不同的,它们之间的关系就是光照特性0.30.20.10光生电流/mA0.60.40.202 0004 000短路电流开路电压光生电压/V照度/lx 硅光电池的光照特性 频率特性1500 3000 4500 6000 7500020406080100f/Hz相对光电流/(%)硒光电池硅光电池温度特性n是描述光电池的开路电压和短路电流随温度变化的情况。2040608010001002003004005002.22.01.8开路电压短路电流温度/U/mVI/mA 硅光电池的温度特性(
12、3)光敏二极管和光敏三极管)光敏二极管和光敏三极管光敏二极管工作原理光敏二极管工作原理n光敏二极管的结构与一般二极管相似、光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态。n在没有光照射时,反向电阻很大,反向电流很小,这反向电流称为暗电流,当光照射在PN结上,光子打在PN结附近,使PN结附近产生光生电子和光生空穴对,它们在PN结处的内电场作用下作定向运动,形成光电流。光的照度越大,光电流越大。n光敏二极管在不受光照射时处于截止状态,受光照射时处于导通状态。光敏晶体管光敏晶体管与一般晶体管很相似,具有两个PN结,只是它的发射极一边做得很大,以扩大光的照射面积。大多数光敏晶体管的基极无引出线,当集电极加上
13、相对于发射极为正的电压而不接基极时,集电结就是反向偏压,当光照射在集电结时,就会在结附近产生电子空穴对,光生电子被拉到集电极,基区留下空穴,使基极与发射极间的电压升高,这样便会有大量的电子流向集电极,形成输出电流,且集电极电流为光电流的倍,所以光敏晶体管有放大作用。NPN型光敏晶体管结构和基本电路 光敏管的基本特性n光敏晶体管的光谱特性 n伏安特性 光照特性 频率特性 光敏二极管和三极管的主要差别 n光电流n光敏二极管一般只有几微安到几百微安,而光敏三极管一般都在几毫安以上,至少也有几百微安,两者相差十倍至百倍。光敏二极管与光敏三极管的暗电流则相差不大,一般都不超过1uA。n响应时间n光敏二极
14、管的响应时间在100ns以下,而光敏三极管为510us。因此,当工作频率较高时,应选用光敏二极管;只有在工作频率较低时,才选用光敏三极管。n输出特性n光敏二极管有很好的线性特性,而光敏三极管的线性较差。光敏管的应用数字转速表光电耦合器件总结9.3 CCD固体图像传感器n电荷耦合器件(Charge Couple Device,缩写为CCD)是一种大规模金属氧化物半导体(MOS)集成电路光电器件。n它以电荷为信号,具有光电信号转换、存储、转移并读出信号电荷的功能。特性参数:分辨率特性参数:分辨率n分辨率是指摄像器件对物像中明暗细节的分辨能力,是图像传感器最重要的特性,主要取决于感光单元之间的距离噪
15、声噪声 nCCD是低噪声器件,但由于其他因素产生的噪声会叠加到信号电荷上,使信号电荷的转移受到干扰。n噪声的来源有转移噪声、散粒噪声、电注入噪声、信号输入噪声等。9.3.4 CCD固体图像传感器的应用n CCD固体图像传感器的应用主要在以下几方面:n计量检测仪器:工业生产产品的尺寸、位置、表面缺陷的非接触在线检测、距离测定等。n光学信息处理:光学文字识别、标记识别、图形识别、传真、摄像等。n生产过程自动化:自动工作机械、自动售货机、自动搬运机、监视装置等。n军事应用:导航、跟踪、侦查(带摄像机的无人驾驶飞机、卫星侦查)。n大尺寸物体光学成像9.4光纤传感器光纤传感器n光纤传感器的特点:光纤传感
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