第02章晶体三极管已修改课件.ppt

1、第第02章晶体三极管已修改章晶体三极管已修改2023-2-152N+NP集电结集电结Jc发射结发射结JeP+NP三极管内部结构特点三极管内部结构特点:发射区高掺杂发射区高掺杂;基区很薄基区很薄;集电结面积大。集电结面积大。2.0 概概 述：述：2023-2-153 除了发射极上的箭头方向不同外，其他都相同，除了发射极上的箭头方向不同外，其他都相同，但箭头方向都是由但箭头方向都是由P P指向指向N N，即，即PNPN结的正向电流方向。结的正向电流方向。2.0 概概 述：述：2023-2-154发射结发射结正正偏，集电结偏，集电结反反偏：偏：放大模式放大模式发射结发射结正正偏，集电结偏，集电结正正

2、偏：偏：饱和模式饱和模式发射结发射结反反偏，集电结偏，集电结反反偏：偏：截止模式截止模式（最常用）（最常用）（用于开关电路中）（用于开关电路中）2.0 概概 述：述：放大模式放大模式截止模式截止模式放大模式放大模式+5V+0.7V0V+12V+2V+12V 0V-5.3V-6V-5V-5.7V-5.3V饱和模式饱和模式N NP PN NP PN NP PN NP PN NN NP PN N2023-2-155eb 基区：减少基区向发射区发射的多子，提高发射效基区：减少基区向发射区发射的多子，提高发射效率。率。基区的作用：基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输到集电结边界。将发射到基区的多

3、子，自发射结传输到集电结边界。基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机会，保证绝大部分基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。载流子扩散到集电结边界。集电结反偏、且集电结面积大：集电结反偏、且集电结面积大：保证扩散到集电结边界的载流子全部漂保证扩散到集电结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。移到集电区，形成受控的集电极电流。IEnIBpICBOIBnICnIEICIB2.1.1 放大模式下晶体三极管的工作原理：放大模式下晶体三极管的工作原理：2023-2-1510注意：注意：NPN型管与型管与PNP型管工作原理相似，但由于它们型管

4、工作原理相似，但由于它们形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流方向相形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流方向相反，加在各极上的电压极性相反。反，加在各极上的电压极性相反。V1PNN+V2-+-+-+-+IEICIBNPP+V2V1+-+-IEICIB2.1.1 放大模式下晶体三极管的工作原理：放大模式下晶体三极管的工作原理：2023-2-1511q 观察输入信号作用在那个电极上，输出信号从那观察输入信号作用在那个电极上，输出信号从那个电极取出，此外的另一个电极即为组态形式。个电极取出，此外的另一个电极即为组态形式。三极管的三种连接方式三极管的三种连接方式三种组态三种组态BCEBTIC

5、IEECBETICIBCEBCTIEIB（共发射极）（共发射极）（共基极）（共基极）（共集电极）（共集电极）q 放大电路的组态是针对交流信号而言的。放大电路的组态是针对交流信号而言的。2023-2-1512 共基极直流电流传输方程共基极直流电流传输方程BCEBTICIE共基极直流电流传输系数：共基极直流电流传输系数：ECECBOCEnCnIIIIIII直流电流传输方程：直流电流传输方程：CECBOIII 共发射极直流电流传输方程共发射极直流电流传输方程ECBETICIB1CBOCEO)1(IICBCEOIII直流电流传输方程：直流电流传输方程：其中：其中：CBEIIICBOECIII2023-

6、2-1513 的物理含义：的物理含义：ECnECn/1/1IIII 表示，受发射结电压控制的复合电流表示，受发射结电压控制的复合电流IBB，对集电，对集电极正向受控电流极正向受控电流ICn的控制能力。的控制能力。若忽略若忽略ICBO，则：，则：BCCnECnIIIIIECBETICIB 可见，可见，为共发射极电流放大系数。为共发射极电流放大系数。BBCnCnECnIIIII2023-2-1514 ICEO的物理含义：的物理含义：ICEO指基极开路时，集电极指基极开路时，集电极直通到发射极的电流。直通到发射极的电流。IB=0IEPICBOICnIEn+_VCENPN+CBEICEOIB=0 IE

7、p+(IEn-ICn)=IE-ICn=ICBO 因此：因此：CBOCBOCBOCBOCnCEO)1(IIIIIICBOCnII 即：即：CnCBOCnECIIIII12023-2-1515三极管的正向受控作用，服从指数函数关系式：三极管的正向受控作用，服从指数函数关系式：数学模型（指数模型）数学模型（指数模型）TBETBEe)1e(SEBSEVVVVCIIII IS指发射结反向饱和电流指发射结反向饱和电流IEBS转化到集电极转化到集电极上的电流值，它不同于二极管的反向饱和电流上的电流值，它不同于二极管的反向饱和电流IS。EBSSII式中式中：2.1.3 放大模式下三极管的模型：放大模式下三极管

8、的模型：2023-2-1516电路模型电路模型VBE+-ECBEICIBIB ECBETICIB共发射极共发射极直流简化电路模型直流简化电路模型VBE(on)ECBEICIBIB+-VBE(on)为发射结导通电压，工程上一般取：为发射结导通电压，工程上一般取：硅管硅管VBE(on)=0.7V锗管锗管VBE(on)=0.25V2023-2-1517v 三极管参数的温度特性三极管参数的温度特性q 温度每升高温度每升高1 C，/增大（增大（0.50.5 1 1）%，即：，即：q 温度每升高温度每升高1 C ，VBE(on)减小减小（2 2.5）mV,即：即：q 温度每升高温度每升高10 C ，ICB

9、O 增大一倍，即：增大一倍，即：101CBO2CBO122)()(TTTITI005.0(TC/)01.0 2(BE(on)TVC/mV)5.2 CEOBCBOBCIIIII ）（1因而因而温度温度对三极管的影响集中体现在对对三极管的影响集中体现在对集电极电流集电极电流的影响。的影响。2023-2-1518PNN+V1V2R2R12.2.12.2.1 饱和模式饱和模式(E E结正偏，结正偏，C C结正偏结正偏)-+IF FIF+-IR RIRIE=IF-RIRICIC=FIF-IRIE 结论：结论：三极管失去正向受控作用。三极管失去正向受控作用。2023-2-1519ECBETICIB共发射极

10、共发射极通常，饱和压降通常，饱和压降VCE(sat)硅管硅管VCE(sat)0.3V锗管锗管VCE(sat)0.1V电路模型电路模型VBE+-ECBEICIB+-VCE(sat)直流简化电路模型直流简化电路模型VBE(on)ECBEICIB+-+-VCE(sat)若忽略饱和压降，三极管输出端近似短路。若忽略饱和压降，三极管输出端近似短路。即三极管工作于饱和模式时，相当于开关闭合。即三极管工作于饱和模式时，相当于开关闭合。2023-2-15202.2.22.2.2 截止模式截止模式(E E结反偏，结反偏，C C结反偏结反偏)若忽略反向饱和电流，三极管若忽略反向饱和电流，三极管IB 0，IC 0。

11、即三极管工作于截止模式时，相当于开关断开。即三极管工作于截止模式时，相当于开关断开。ECBETICIB共发射极共发射极电路模型电路模型VBE+-ECBEICIB直流简化电路模型直流简化电路模型ECBEIC 0IB 02023-2-1521 若忽略反向饱和电流，三极管若忽略反向饱和电流，三极管IB 0，IC 0。即三极管工作于截止模式时，相当于开关断开。即三极管工作于截止模式时，相当于开关断开。电路模型电路模型VBE+-ECBEICIB直流简化电路模型直流简化电路模型ECBEIC 0IB 02.2.2 截止模式截止模式(Je结反偏，结反偏，Jc结反偏结反偏)：2023-2-15222.2.3 晶

12、体管三极管直流电路分析步骤：晶体管三极管直流电路分析步骤：当电路满足两个条件：1、直流偏置得当（晶体三极管工作在放大区，场效应管工作在饱和区）2、交流输入足够小（微变）我们就可以把该电路看作是线性电路，利用叠加定理进行直流和交流分析。注意：先直流分析，再交流分析注意：先直流分析，再交流分析直流分析直流分析直流通路：交流电源置零旁路，耦合电容开路直流通路：交流电源置零旁路，耦合电容开路交流分析交流分析交流通路：直流电源置零旁路，耦合电容短路交流通路：直流电源置零旁路，耦合电容短路（在合适的工作频率）（在合适的工作频率）2023-2-15231.1.先确定三极管工作模式先确定三极管工作模式(以以N

13、PNNPN为例为例)。用相应简化电路模型替代三极管。用相应简化电路模型替代三极管。(可略）可略）分析电路直流工作点分析电路直流工作点 。只要只要VBE （发射结反偏）（发射结反偏）截止模式截止模式假定放大模式，估算假定放大模式，估算VCE:若若VE 放大模式放大模式若若VE饱和模式饱和模式2.2.3 晶体管三极管直流电路分析步骤：晶体管三极管直流电路分析步骤：先断开三极管，判断先断开三极管，判断VBE大小大小：2023-2-1524解：解：三极管若断开三极管若断开,VBE=6VVBE(on)A53BBE(on)CCBQRVVImA59.1BQCQIIV41.4CCQCCCEQRIVVVCCRC

14、RB(+6V)1k 100k T因为因为 VCEQ0.3V，所以三极管工作在，所以三极管工作在放大模式放大模式 。VC=VCEQ=4.41V 2.2.3 晶体管三极管直流电路分析步骤：晶体管三极管直流电路分析步骤：假设假设T工作在放大模式工作在放大模式2023-2-1525解：解：假设假设T工作在放大模式工作在放大模式 A530BBE(on)CCBQRVVImA9.15BQCQIIV9.9CCQCCCEQRIVVVCCRCRB(+6V)1k 10k T因为因为 VCEQ0.3V，所以三极管工作在，所以三极管工作在饱和模式。饱和模式。mA7.5CCE(sat)CCCSRVVIV3.0CE(sat

15、)CVV2.2.3 晶体管三极管直流电路分析步骤：晶体管三极管直流电路分析步骤：2023-2-1526解：解：所以所以三极管三极管工作在工作在截止模式截止模式。VCCRCRB1(+6V)1k 100k TRB22k+-VBBRBBRC+-VCCV12.0B2B1CCB2BBRRVRVk95.1/21BBBBRRR0.3V后，曲线移动可忽略不计。后，曲线移动可忽略不计。因此当因此当VBE一定时一定时：VCEVCB 复合机会复合机会 IB 曲线右移。曲线右移。2.4 晶体三极管伏安特性曲线：晶体三极管伏安特性曲线：2023-2-1532 输出特性曲线输出特性曲线VCE/VIB=40 A30 A20

16、 A10 A0 由输出特性曲线可由输出特性曲线可划分四个区域：划分四个区域：0IC/mAV(BR)CEO2.4 晶体三极管伏安特性曲线：晶体三极管伏安特性曲线：2023-2-1533IC/mAVCE/V0IB=40 A30 A20 A10 A0特点：特点：条件：条件：发射结正偏，集电结正偏。发射结正偏，集电结正偏。IC不受不受IB控制，而受控制，而受VCE影响。影响。VCE略增，略增，IC显著增加。显著增加。2.4 晶体三极管伏安特性曲线：晶体三极管伏安特性曲线：2023-2-1534IC/mAVCE/V0IB=40 A30 A20 A10 A0特点特点条件条件发射发射结正偏结正偏集电集电结反

17、偏结反偏VCE曲线略上翘曲线略上翘具有正向受控作用具有正向受控作用满足满足IC=IB+ICEO2.4 晶体三极管伏安特性曲线：晶体三极管伏安特性曲线：2023-2-1535说明：说明：IC/mAVCE/V0VA上翘程度上翘程度取决于厄尔利电压取决于厄尔利电压VA上翘原因上翘原因基区宽度调制效应基区宽度调制效应（VCE IC略略）2.4 晶体三极管伏安特性曲线：晶体三极管伏安特性曲线：在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流IC的的修正方程为修正方程为：)1(eACESCTBEVVIIVV 基区宽度基区宽度WB越小越小调制效应对调制效应对IC影响越大影响越大则则

18、VA 越小。越小。2023-2-1536 与与I IC C的关系：的关系：I IC C0 0 考虑上述因素，考虑上述因素，IB等量增加时，输出曲线等量增加时，输出曲线不再等间隔平行上移。不再等间隔平行上移。I IC CV VCECE0 02.4 晶体三极管伏安特性曲线：晶体三极管伏安特性曲线：在在IC一定范围内一定范围内 近似为常数。近似为常数。IC过小过小使使IB造成造成 。IC过大过大发射效率发射效率 造成造成 。2023-2-1537IC/mAVCE/V0IB=40 A30 A20 A10 A0特点：特点：条件：条件：发射结反偏，集电结反偏。发射结反偏，集电结反偏。IC 0，IB 0近似

19、为近似为IB0 0以下区域以下区域 严格说，截止区应是严格说，截止区应是IE=0即即IB=-ICBO以下的区域。以下的区域。2.4 晶体三极管伏安特性曲线：晶体三极管伏安特性曲线：因为因为IB 在在0 -ICBO时，仍满足时，仍满足CBOBC)1(III2023-2-1538特点：特点：VCE增大到一定值时，集电结反向击穿，增大到一定值时，集电结反向击穿，IC急剧增大。急剧增大。V(BR)CEO集电结反向击穿电压，随集电结反向击穿电压，随IB的增大而减小。的增大而减小。注意：注意：IB=0时，击穿电压为时，击穿电压为V(BR)CEOIE=0时，击穿电压为时，击穿电压为V(BR)CBOV(BR)

20、CBO V(BR)CEOIC/mAVCE/V0IB=40 A30 A20 A10 A0IB=-ICBO(IE=0)V(BR)CBO2.4 晶体三极管伏安特性曲线：晶体三极管伏安特性曲线：2023-2-1539VCE/VIB=40 A30 A20 A10 A0IC 0，IB 00IC/mAV(BR)CEO2.4 晶体三极管伏安特性曲线：晶体三极管伏安特性曲线：2023-2-1540ICVCE0V(BR)CEOICMPCM 最大允许集电极电流最大允许集电极电流ICM（若若ICICM 造成造成 ）反向击穿电压反向击穿电压V(BR)CEO（若若VCEV(BR)CEO 管子击穿管子击穿）VCE PCM

21、烧管烧管）PCPCM 要求要求IC ICM 2.4 晶体三极管伏安特性曲线：晶体三极管伏安特性曲线：2023-2-1541 放大电路小信号运用时，在静态工作点附近放大电路小信号运用时，在静态工作点附近的小范围内，特性曲线的非线性可忽略不计，近的小范围内，特性曲线的非线性可忽略不计，近似用一段直线来代替，从而获得一线性化的电路似用一段直线来代替，从而获得一线性化的电路模型，即小信号（或微变）电路模型。模型，即小信号（或微变）电路模型。三极管作为四端网络，选择不同的自变量，三极管作为四端网络，选择不同的自变量，可以形成多种电路模型。最常用的是可以形成多种电路模型。最常用的是混合混合型小型小信号电路

22、模型。信号电路模型。2.5 晶体三极管小信号电路模型晶体三极管小信号电路模型2023-2-1542 混合混合型电路模型的引出型电路模型的引出ibicbcerbb rb ecb ecb crb cb gmvb erce2.5 晶体三极管小信号电路模型：晶体三极管小信号电路模型：2023-2-1543 混合混合型小信号电路模型型小信号电路模型 若忽略若忽略rb c影响，整理即可得出混合影响，整理即可得出混合型电路模型。型电路模型。rb ercecb ccb erbb bcegmvb eb ibic 电路低频工作时，可忽略结电容影响，因此低电路低频工作时，可忽略结电容影响，因此低频混合频混合型电路模

23、型简化为：型电路模型简化为：rb ercerbb bcegmvb eb ibic2.5 晶体三极管小信号电路模型：晶体三极管小信号电路模型：2023-2-1544 小信号电路参数小信号电路参数 rbb 基区体电阻，基区体电阻，其其值较小，约几十欧，常忽略不计。值较小，约几十欧，常忽略不计。rb e三极管输入电阻三极管输入电阻，约千欧数量级约千欧数量级。BEEBEBBEEQQQ26(1)(1)beevivrriiiIrb ercerbb bcegmvb eb ibic2.5 晶体三极管小信号电路模型：晶体三极管小信号电路模型：2023-2-1545 跨导跨导gm表示三极管具有正向受控作用的增量电

24、导表示三极管具有正向受控作用的增量电导。CQebeEBEECQEBC5.38rIVIrviiivigTCQm rce三极管输出电阻，三极管输出电阻，数值较大数值较大。RL 放大模式放大模式若若VE饱和模式饱和模式2.2.3 晶体管三极管直流分析方法：晶体管三极管直流分析方法：工程近似法估算法工程近似法估算法(以以NPN为例为例)2023-2-1552解：解：三极管若断开三极管若断开,VBE=6VVBE(on)A53BBE(on)CCBQRVVImA59.1BQCQIIV41.4CCQCCCEQRIVVVCCRCRB(+6V)1k 100k T因为因为 VCEQ0.3V，所以三极管工作在，所以三

25、极管工作在放大模式放大模式 。VC=VCEQ=4.41V 2.2.3 晶体管三极管直流分析方法：晶体管三极管直流分析方法：假设假设T工作在放大模式工作在放大模式2023-2-1553解：解：假设假设T工作在放大模式工作在放大模式 A530BBE(on)CCBQRVVImA9.15BQCQIIV9.9CCQCCCEQRIVVVCCRCRB(+6V)1k 10k T因为因为 VCEQ0.3V，所以三极管工作在，所以三极管工作在饱和模式。饱和模式。mA7.5CCE(sat)CCCSRVVIV3.0CE(sat)CVV2.2.3 晶体管三极管直流分析方法：晶体管三极管直流分析方法：讨论：对此电路，当讨

26、论：对此电路，当RB与与RC在满足什么条件时，三极管在满足什么条件时，三极管工作在放大区和饱和区？工作在放大区和饱和区？2023-2-1554解：解：所以所以三极管三极管工作在工作在截止模式截止模式。VCCRCRB1(+6V)1k 100k TRB22k+-VBBRBBRC+-VCCV12.0B2B1CCB2BBRRVRVk95.1/21BBBBRRR VBE(on)V6CCCVV2.2.3 晶体管三极管直流电路分析步骤：晶体管三极管直流电路分析步骤：2023-2-1555 画交流通路画交流通路(直流电源置零，耦合、旁路电容短路直流电源置零，耦合、旁路电容短路)。用小信号电路模型代替三极管，得

27、小信号等效电路。用小信号电路模型代替三极管，得小信号等效电路。利用小信号等效电路分析交流指标。利用小信号等效电路分析交流指标。计算微变参数计算微变参数 gm、rb e。注意注意:小信号等效电路只能用来分析交流量的变化规律及小信号等效电路只能用来分析交流量的变化规律及动态性能指标，不能分析静态工作点。动态性能指标，不能分析静态工作点。2.6.2 晶体三极管的交流分析法：晶体三极管的交流分析法：2023-2-1556virb e ibibicRB+-RCRLvo+-viibicRBRC+-RL+-vok63.226)1(CQebIrvi+-iBVBBiCVCCRBRC+-+-RLC1C25k)/(

28、LCcoRRivLiRrvebLbRiV)(sin52.1t2.6.2 晶体三极管的交流分析法：晶体三极管的交流分析法：2023-2-1557作业作业 224 画出书上画出书上P256中图中图P 47(c)的交流通路的交流通路2023-2-1558 tvBE0QvBEiB0iCvCE0Q tiBIBQiC tICQ tvCE0-1/R LVCEQibvi+-iBVBBiCVCCRBRC+-vBE+-vCE+-+-RLC1C2viibicRBRC+-RL+-vo2.6.2 晶体三极管的交流分析法：晶体三极管的交流分析法：图解法图解法2023-2-1559 确定静态工作点确定静态工作点(方法同前方

29、法同前)。画交流负载线。画交流负载线。画波形，分析性能。画波形，分析性能。过过Q点、作斜率为点、作斜率为-1/R L的直线即的直线即交流负载线交流负载线。其中其中 R L=RC/RL图解法图解法分析步骤分析步骤:图解法直观、实用，容易看出图解法直观、实用，容易看出Q点设置是否合适，波点设置是否合适，波形是否产生失真，但不适合分析含有电抗元件的复杂电路形是否产生失真，但不适合分析含有电抗元件的复杂电路。同时在输入信号过小时作图精确度降低。同时在输入信号过小时作图精确度降低。2.6.2 晶体三极管的交流分析法：晶体三极管的交流分析法：2023-2-1560QiC tICQ tvCE0VCEQibQ

30、点在中点，动态范围最大，输出波形不易失真。点在中点，动态范围最大，输出波形不易失真。Q点波动对输出波形的影响：点波动对输出波形的影响：Q点升高，不失真动态范围减小，输出易饱和失真点升高，不失真动态范围减小，输出易饱和失真(底部失真底部失真)。Q点降低，不失真动态范围减小，输出易截止失真点降低，不失真动态范围减小，输出易截止失真(顶部失真顶部失真)。QibibiCvCE0Qvi+-iBVBBiCVCCRBRC+-vBE+-vCE+-+-RLC1C22.6.2 晶体三极管的交流分析法：晶体三极管的交流分析法：2023-2-1561 tvBE0QvBEiB0iCvCE0Q tiBIBQiC tICQ

31、 tvCE0-1/R LVCEQibviibicRBRC+-RL+-vovi+-iBVBBiCVCCRBRC+-vBE+-vCE+-+-RLC1C22.6.2 晶体三极管的交流分析法：晶体三极管的交流分析法：2023-2-1562 tvBE0QvBEiB0iCvCE0Q tiBIBQiC tICQ tvCE0-1/R LVCEQibviibicRBRC+-RL+-vovi+-iBVBBiCVCCRBRC+-vBE+-vCE+-+-RLC1C22.6.2 晶体三极管的交流分析法：晶体三极管的交流分析法：2023-2-1563iCvCE0iBVCE(sat)iCR+-VQ+viB恒值恒值外电路外电

32、路(负载电路负载电路)2.7.1 电流源电流源 利用三极管放大区利用三极管放大区iB恒定时恒定时iC接近恒流的特性，可接近恒流的特性，可构成集成电路中广泛采用的一种单元电路构成集成电路中广泛采用的一种单元电路-电流源。电流源。该电流源不是普通意义的电流源，因它本身不提该电流源不是普通意义的电流源，因它本身不提供能量供能量,电流源电路的输出电流电流源电路的输出电流I0，由外电路中的直流，由外电路中的直流电源提供。电源提供。I0只受只受IB控制，与外电路在电流源两端呈现的电压控制，与外电路在电流源两端呈现的电压大小几乎无关。就这个意义而言，将其看作为电流源。大小几乎无关。就这个意义而言，将其看作为

33、电流源。2.7 晶体三极管应用原理晶体三极管应用原理2023-2-15642.7.2 放大器放大器放大器的作用就是将输入信号进行不失真的放大。放大器的作用就是将输入信号进行不失真的放大。q 放大原理放大原理+-iBviiCVCCRC+-+-VIQvoVIQ tvBE0IBQ tiB0 tviICQ tiC0VCEQ tvCE0 tvo0 利用利用ib 对对ic的控的控制作用实现放大。制作用实现放大。2.7.2 放大器：放大器：2023-2-1565q 放大实质放大实质 电源电源VCC提供的功率：提供的功率：20CCCD21tdiVPCQCCIV 三极管集电极上的功率：三极管集电极上的功率：20

34、CCEC21tdiVPC2cmCQCEQ21RIIV 负载电阻负载电阻RC 上的功率：上的功率：20C2L21tdRiPCC2cmC2CQ21RIRICCQCEQCCRIVVLCDPPP2.7.2 放大器：放大器：2023-2-1566注意：注意：放大器放大信号的实质放大器放大信号的实质：是利用三极管的正向受：是利用三极管的正向受控作用，将电源控作用，将电源VCC提供的直流功率，部分地转换为提供的直流功率，部分地转换为输出功率。输出功率。电源电源VCC 不仅要为三极管提供偏置，保证管子不仅要为三极管提供偏置，保证管子 工作在放大区，同时还是整个电路的能源。工作在放大区，同时还是整个电路的能源。

35、电源提供的功率电源提供的功率PD 除了转换成负载上有用的输出除了转换成负载上有用的输出功率功率PL 外，其余均消耗在晶体三极管上（外，其余均消耗在晶体三极管上（PC）。）。三极管仅是一个换能器。三极管仅是一个换能器。2.7.2 放大器：放大器：2023-2-1567 顺时针与逆时针方向顺时针与逆时针方向 三极管个数相等三极管个数相等;q 跨导线性环（跨导线性环（TL环）环）vBE2vBE4vBE6vBE8vBE10+-+-+-+-+vBE1vBE3vBE5vBE7vBE9+-+-+-+-+N个放大模式下工个放大模式下工 作的三极管发射结作的三极管发射结 连成一闭合回路连成一闭合回路;若各管发射

36、结面积相等，则：若各管发射结面积相等，则：CCWCCWCkkii若各管发射结面积不等，则：若各管发射结面积不等，则：CCWCCWCkkiiCCWCWkkSS其中其中:2.7.3 跨导线性电路：跨导线性电路：2023-2-1568q 跨导线性环应用电路跨导线性环应用电路由图知：由图知：VCCT1T2T3T4IXIYioX2C1CiiiY3CiiO4Cii由由TLTL环知：环知：4C3C2C1Ciiii则：则：Y2X4COiiii例例7 7：设各管发射结面积相等。：设各管发射结面积相等。当当iY为定值时，电路可实现对为定值时，电路可实现对iX的平方运算。的平方运算。2.7.3 跨导线性电路：跨导线性电路：