电子元件的识别与检测二极管三极管电容电阻教学课件.ppt

1、电子元件的识别与检测二极管三极管电容电阻看一看、认一认电子电路中主要包括以下元件：电子电路中主要包括以下元件：1）电阻器：）电阻器：是电子电路中使用率最高的耗能元件。在电路中有稳定和调节电流、电压的作用，可以作为分流器、分压器等使用。2）电容器：）电容器：是电子电路中使用率仅次于电阻器的一种能够储存电场能的元件，具有“隔直流通交流”的本领，通常起滤波、旁路、耦合等作用。3）电感器：）电感器：是一种能够储存磁场能的元件，具有“通直流阻交流”的本领，通常用于滤波、振荡、延迟等电路中。4）二极管：）二极管：具有单向导电特性。二极管有普通和特殊之分，可以起到整流、稳压、检波、保护及发光等作用。5）晶体

2、管：）晶体管：具有电流放大和开关作用。元器件选择元器件选择序号序号名称名称数量数量1 1MF47 MF47 型万用表型万用表1 12 2 电阻器电阻器各种类型若干各种类型若干3 3电容器电容器各种类型若干各种类型若干4 4电感器电感器各种类型若干各种类型若干5 5二极管二极管各种类型若干各种类型若干6 6晶体管晶体管各种类型若干各种类型若干元器件明细表元器件明细表任务1 正确使用万用表 500型万用表型万用表 MF47 型万用表型万用表 数字式万用表数字式万用表一、MF47型指针式万用表的组成主要包括三部分主要包括三部分介绍面板介绍面板表头表头转换开关转换开关（又称选择（又称选择开关）开关）测

3、量线路测量线路1.表头表头采用高灵敏表头采用高灵敏度的磁电系测量度的磁电系测量机构，是测量的机构，是测量的显示装置。表头显示装置。表头上的表盘印有多上的表盘印有多种符号、刻度线种符号、刻度线和数值。和数值。标度尺 MF47型万用表是多用途、多量程仪表。它的刻型万用表是多用途、多量程仪表。它的刻度盘上共有六条度盘上共有六条 标度尺，不同项目或挡位的测量，标度尺，不同项目或挡位的测量，分别从对应标度尺上读取数据分别从对应标度尺上读取数据直流电阻的测量交流电压的测量直流电压的测量直流电流的测量晶体管放大倍数的测量电容的测量电感的测量音频电平的测量2.转换开关电阻挡直流电流挡 晶体管放大倍数挡 直流电

4、压挡交流电压挡3.测量线路二、指针式万用表的使用 1.电阻的测量 1）选挡位：欧姆挡 2）选量程：使指针尽量指在欧姆挡刻度尺1/2左右处（欧姆中心值处）3）欧姆调零：短接红、黑两只表笔，调整“”调零旋钮，使指针指在0位置 4）连接电阻：把两只表笔分开任意去接被测电阻的两端 5）读数：电阻值刻度值该挡倍率 2.交流电压的测量 1）选挡位：交流电压挡 2）选量程：当不知电压范围时先用高挡再换低挡，使指针落在满刻度2/3以上区域 3）选刻度：选标有“V”刻度线，读取合适的刻度 4）测量：表笔与被测电路并联，不分极性 5）读数：根据所选量程来选择合适标度尺，读取被测电压数值 3.直流电压的测量 1）选

5、挡位：直流电压挡 2）选量程：当不知电压范围时先用高挡再换低挡，使指针落在满刻度2/3以上区域 3）选刻度：选标有“V-”刻度线，读取合适的刻度 4）测量：表笔与被测电路并联。红笔接电路高电位端，黑笔接电路低电位端 5）读数：根据所选量程来选择合适标度尺，读取被测电压数值 4.直流电流的测量 1）选挡位：直流电流挡 2）选量程：当不知电流范围时先用高挡再换低挡，使指针落在满刻度2/3以上区域 3）选刻度：选标有“mA”刻度线，读取合适的刻度 4）测量：断开被测电路，将万用表红、黑表笔串入，电流从红笔入黑笔出 5）读数：根据所选量程来选择合适标度尺，读取被测电流数值 5.晶体管hFE的测量 1）

6、选挡调零：将转换开关拨到ADJ挡，调零后将开关拨到hFE挡 2）测量：将E、B、C三引脚插入万用表对应插座,其中PNP管插P座内,NPN管插N座内 3）读表：在hFE刻度线上读出被测晶体管hFE的值任务2 学会识别电子元件合金管大功率管（耗散功率不低于1W）大功率管（耗散功率不低于1W）1）选挡位：欧姆挡交流电流放大系数（hfe）：集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比，即：测试：调节电位器RP可改变基极电流IB。IE=IB+IC发射极是输入、输出回路的公共端这样在判别基极的同时又确认了管型，还可测定晶体管的两个PN结是否完好2）IE ICIB电子技术中常用的半导体材料是硅和锗电子电路中主要

7、包括以下元件：合金管电容器的单位：国际单位是法拉（F）。2）选量程：当不知电压范围时先用高挡再换低挡，使指针落在满刻度2/3以上区域此时的反向电流称为反向饱和电流。3）集电极最大允许耗散功率PCM两位有效数字的阻值色标法（1）首先要看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。4）色标法：是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上，可分两位、三位有效数字的阻值色标法一、识别电阻器电阻器的分类 常用电阻器实物及图形符号1.电阻器标称阻值和偏差的标注方法电阻器的单位：国际单位

8、是欧姆（电阻器的单位：国际单位是欧姆（），常用单位：千欧（），常用单位：千欧（K），兆欧（），兆欧（M）。）。1 M 103 k 106 。1）直标法：是用阿拉伯数字和单位符号将电阻值 直接标注在电阻体上 2）文字符号法：是用阿拉伯数字和文字符号两者 有规律的组合来表示标称阻值。如5K1表示 5.1K，51表示5.1，4M7表示4.7M 3）数码法：是用两位或三位阿拉伯数字表示电阻 值。前面的数字表示有效数字,末位数字表示 零的个数。三位数字，如“103”表示10000。4）色标法：是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上，可分两位、三位有效数字的阻值色标法两

9、位有效数字的阻值色标法两位有效数字的阻值色标法棕红棕红1 1、2 2，橙是，橙是3 3；4 4、5 5黄绿，黄绿，6 6是蓝；是蓝；7 7紫、紫、8 8灰，白取灰，白取9 9；黑色圆圆是黑色圆圆是0 0蛋；蛋；金银代表负金银代表负1 1、2 2，颜色数码要记全。颜色数码要记全。常用电阻四个常用电阻四个环，环，环靠哪头从哪算，环靠哪头从哪算，一、二环是有效数，一、二环是有效数，三环乘倍是关键，三环乘倍是关键，四环表示误差数，四环表示误差数，一般使用不用管。一般使用不用管。三位有效数字的阻值色标法三位有效数字的阻值色标法 精密电阻有五环，精密电阻有五环，前三环是有效数，前三环是有效数，倍乘误差四五

10、环，倍乘误差四五环，运用自如真方便。运用自如真方便。举例：1.四环电阻色环顺序：棕黑黑金阻值为10 ,误差为5%2.五环电阻色环顺序：灰红黑黑金阻值为820 ,误差为5%2.电阻器的额定功率 电阻器长期连续工作并能满足规定的性能要求时，所允许耗散的最大功率称为电阻器的额定功率二、识别电容器常见电容及其图形符号常见电容及其图形符号1.电容器的标注方法电容器的单位：国际单位是法拉（电容器的单位：国际单位是法拉（F）。常用单位有微法（）。常用单位有微法（F）、微微法（）、微微法（PF）。）。1F106F1012PF 1）直标法 2）数字表示法 3）数字字母法 4）数码法 5）色标法例1直标法耐压耐压

11、 容量容量 极性极性 负极负极 正极正极表示容量为表示容量为220 F，耐压为，耐压为50V的电解电容器的电解电容器要记住：在两次测量中所测阻值较小的一次中，与黑表笔相接的一端为二极管的正极，与红表笔相接的一端为二极管的负极。2）测量：将E、B、C三引脚插入万用表对应插座,其中PNP管插P座内,NPN管插N座内1）选挡位：欧姆挡1F106F1012PF击穿后会因电流过大会将管子损坏，因此除稳压二极管外，普通二极管不允许出现反向击穿现象。小功率管（耗散功率小于1W）测试：调节电位器RP可改变基极电流IB。5.（2）杂质半导体及分类一、认识晶体管外形、分类与符号PN结加反向电压，即N区接电源正极，

12、P区接电源负极，这时外电场与内电场方向一致，增强了内电场，使PN结的反向电阻大，处于反向截止状态。不允许手接触表笔的金属部分，以免引起测量误差。二、指针式万用表的使用基极和发射极作为信号输入端基极和发射极作为信号输入端当VPVN，则称PN结正偏，反之称为反偏。二、指针式万用表的使用这样在判别基极的同时又确认了管型，还可测定晶体管的两个PN结是否完好合金管（3）叛别集电极和发射极 确定基极后，假设余下管脚之一为集电极C，另一为发射极E，用手指分别捏住C极与B极的同时，将万用表两表笔分别与C、E接触。例2数字表示法容量：容量：6800pF耐压：耐压：1500V表示容量为表示容量为6800pF 耐压

13、为耐压为1500V 圆片瓷介电容器圆片瓷介电容器涤纶薄膜电容涤纶薄膜电容耐压：耐压：400V容量：容量：33X104F误差：误差：J为为5表示容量为表示容量为33X104F 误差为误差为5 耐压为耐压为400V 涤纶薄膜电容器涤纶薄膜电容器耐压为耐压为“2A”1.0102=100V 容量为容量为“104”10104pF误差为误差为“J”5涤纶薄膜电容器涤纶薄膜电容器 涤纶电容器耐压的标注是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V（伏）。字母=数值 A=1.0 B=1.25 C=1.6 D=2.0 E=2.5 F=3.15 G=4.0 H=5.0 J=6.3

14、K=8.0 Z=9.0 例如：2A代表 1.0*100=100V 1J代表 6.3*10=63V 2G代表 4.0*100=400V 1K代表 8.0*10=80V 例3数字表示法CL 涤纶薄膜电容容量为容量为47n=47 103pF误差为误差为J 5耐压为耐压为63V三、识别电感器电感器实物及图形符号电感器的单位及符号 电感器用L表示，单位为亨利，符号为H。常用单位还有毫亨（mH）、微亨（H），换算关系：1H103mH=106H。容量容量任务3 认识二极管一、常用二极管实物及图形符号常用二极管实物展示二极管图形符号：文字符号：VD箭头方向表示二极管正向导通时电流的方向 实物外形正负电极的识别

15、 涤纶电容器耐压的标注是采用一个数字和一个字母组合而成。2）选量程：当不知电压范围时先用高挡再换低挡，使指针落在满刻度2/3以上区域（1）电流放大系数 它是表征晶体管电流放大能力的参数。2）IE ICIB二、用万用表检测电容器只是本征半导体中的截流子很少，导电性能很差，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半导体。二、指针式万用表的使用3）选刻度：选标有“mA”刻度线，读取合适的刻度1F106F1012PF误差为“J”5（2）极间反向饱和电流 这是衡量晶体管质量优劣的重要指标（1）选挡 功率在1W以下的中、小功率晶体管，可用万用表的“R1k”或“R100”挡测量；正常导通时，发射结正向压降UBE：硅

16、管约0.4）测量：表笔与被测电路并联，不分极性二、指针式万用表的使用二、二极管的导电特性实验（以NPN管为例PNP管与此相反）4）二极管：具有单向导电特性。（1）正负极的判别：如图所示。容量为“104”10104pF二、二极管的导电特性实验 观察二极管和导电特性 1.VD正接时电路原理图电路原理图VD正接时实物示意图 2.VD反接时电路原理图电路原理图VD反接时实物示意图为为何何不不亮亮？1.正向偏置正向偏置 灯泡亮时，与电源正极靠近的就是二极管正极，与电源负极靠近的就是二极管负极，这叫给二极管加上了正向电压称为正向偏置（简称正偏）。此时二极管的正向电阻很小，如同开关闭合。2.反向偏置反向偏置

17、 灯泡不亮时说明二极管两端加了反向电压，称为反向偏置（简称反偏），此时的反向电阻很大，二极管如同开关断开。结论二极管是有极性的器件，具有单向导电性，即加正向电压导通，加反向电压截止？三、二极管的结构与分类1.二极管的结构二极管的结构 二极管是由半导体材料制成的，其核心是PN结。PN结具有单向导电性，这也是二极管的主要特性。它是由管芯（主要是PN结）正、负极（从P区和N区分别焊出两根金属引线），封装外壳组成。半导体材料制成的奥妙之处！奥妙之处！PN结为何有单向导电性?认识半导体（1）半导体的定义）半导体的定义 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。它一般为四价元素,化学结构比较稳固，所以

18、非常纯净的半导体，即本征半导体导电能力很差。但半导体的导电能力随着掺入杂质、温度和光照的不同而发生很大变化，具有掺杂性、光敏性、热敏性等导电性。电子技术中常用的半导体材料是硅和锗电子技术中常用的半导体材料是硅和锗 载流子：载流子：能够运载电荷的粒子称为载流子。半导体中的载流子有两种：半导体中的载流子有两种：自由电子：带负电荷 空穴：带与自由电子等量的负电荷。特性：特性：载流子在外电场作用下可以做定向移动，形成电流。只是本征半导体中的截流子很少，导电性能很差，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半导体。本征半导体导电示意图本征半导体导电示意图（2）杂质半导体及分类）杂质半导体及分类定义：掺杂后的半导

19、体为杂质半导体。分类：按所掺入杂质类型不同，分为P型半导体和 N型半导体。1）P型半导体：型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的三价元素，就形成P型半导体（空穴型半导体）。其内部有两种运载电荷的粒子，即载流子,其中空穴是多数载流子（简称多子），自由电子是少数载流子（简称少子）。2）N型半导体：型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的五价元素，就形成N型半导体（或电子型半导体）。其中自由电子是多数载流子（简称多子），空穴是少数载流子（简称少子）。（3）PN结：结：1）定义：）定义：利用特殊的掺杂工艺，在一块晶片两边分别生成N型和P型半导体，两者的交界处就会出现一个特殊的接触面，称为PN

20、结 PN结的形成示意图结的形成示意图2）PN结结 的特性的特性 PN结上加正向电压结上加正向电压，即P区接电源正极，N区接电源负极，这时外加电压产生的外电场与PN结的内电场方向相反，内电场被削弱，形成较大的扩散电流，即正向电流。这时PN结的正向电阻很低，处于正向导通状态。PN结加反向电压结加反向电压，即N区接电源正极，P区接电源负极，这时外电场与内电场方向一致，增强了内电场，使PN结的反向电阻大，处于反向截止状态。所以说PN结具有单向导电性。实物外形正负电极的识别面接触型二、指针式万用表的使用3）欧姆调零：短接红、黑两只表笔，调整“”调零旋钮，使指针指在0位置一、认识晶体管外形、分类与符号1）

21、选挡位：直流电流挡三位有效数字的阻值色标法特性：载流子在外电场作用下可以做定向移动，形成电流。三、二极管的结构与分类若为零，则表明电容器已击穿；1）直标法：是用阿拉伯数字和单位符号将电阻值PN结具有单向导电性，这也是二极管的主要特性。一、用万用表检测电阻器结合图中所示的晶体管内部结构与PN结的正向偏置示意图，比较三个电极电位的高低，并判定晶体管工作状态。表示容量为6800pF三、二极管的结构与分类数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V（伏）。2）文字符号法：是用阿拉伯数字和文字符号两者（2）极间反向饱和电流 这是衡量晶体管质量优劣的重要指标2.分类 硅管 锗管 塑料 玻璃 金属封装 点接

22、触型 面接触型 平面型按封装形式分按封装形式分按材料分按材料分按管芯结构分按管芯结构分适宜在小电流状态下使用适合在大电流场合使用3.二极管的主要参数1最大整流电流最大整流电流IFM 指二极管长时间工作时允许通过的最大直流电流。使用二极管时，应注意流过二极管的正向电流不能大于这个数值，否则可能损坏二极管。2最高反向工作电压最高反向工作电压URM 指二极管正常使用时所允许加的最高反向电压。使用中如果超过此值，二极管将有被击穿的危险。分析二极管的单向导电特性 1定义：定义：用来描述二极管两端的电压和流过的电流之间二极管两端的电压和流过的电流之间的关系曲线叫作二极管的伏安特性。的关系曲线叫作二极管的伏

23、安特性。二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线（1）正向特性（纵轴右侧）：）正向特性（纵轴右侧）：表示二极管加正向电压时，该电压与流过二极管电流之间的关系。正向特性分为两个区：1）死区）死区（OA段）：当正向电压较小时，正向电流极小，二极管呈现很大的电阻，通常把这个范围称为死区。死区电压死区电压 2）正向导通区（）正向导通区（AB段）：段）：当正向电压超过死区电压时，二极管正向电阻变得很小，正向电流迅速增大，二极管正向导通。正向导通后，二极管有很小的管压降。管压降管压降0.5V（Si）0.2V（Ge）0.60.7V（Si）0.20.3V（Ge）（2）反向特性（纵轴左侧）：）反向特性（纵轴左侧

24、）：表示给二极管加反向电压时，该电压与流过二极管电流之间的关系。反向特性也分两个区：1）反向截止区（）反向截止区（OC段）：段）：当反向电压在一定数值范围内时，二极管反向电阻很大，反向电流很小，可以认为二极管反向截止。此时的反向电流称为反向饱和电流。在实际使用中，反向饱和电流值越小，二极管的单向导电性越好。2）反向击穿区（）反向击穿区（CD段）：段）：当反向电压增到一定数值时（图118中C点），反向电流急剧增大，这种现象叫反向击穿。C点对应的电压就叫反向击穿电压UBR。击穿后会因电流过大会将管子损坏，因此除稳压二极管外，普通二极管不允许出现反向击穿现象。结论：二极管的内阻不是常数，它是非线性器

25、件。任务4 学习晶体管一、认识晶体管外形、分类与符号常见的各种晶体管常见的各种晶体管晶体管的分类 小功率管（耗散功率小于1W）大功率管（耗散功率不低于1W）放大管 开关管 低频管（工作频率在3MH以下）高频管（工作频率不低于3MH）合金管 平面管 NPN型 PNP型 硅管 锗管按功率分按功率分 按用途分按用途分 按工作频率按工作频率按结构工艺分按结构工艺分按内部基本结构分按内部基本结构分按管芯所用半导体材料按管芯所用半导体材料内部结构及图形符号 PNP晶体管晶体管 NPN晶体管晶体管二、晶体管的电流放大作用看原理图看原理图连电路连电路实实物物示示意意图图因电容容量小看不到表针摆动，此时可用“R

26、10K”挡，测量方法如图所示。4）二极管：具有单向导电特性。测试：调节电位器RP可改变基极电流IB。三、二极管的结构与分类晶体管在使用时要注意：ICICM，UCE UCEO，PCIB3）欧姆调零：短接红、黑两只表笔，调整“”调零旋钮，使指针指在0位置二极管有普通和特殊之分，可以起到整流、稳压、检波、保护及发光等作用。一、MF47型指针式万用表的组成零的个数。（1）正负极的判别：如图所示。要记住：在两次测量中所测阻值较小的一次中，与黑表笔相接的一端为二极管的正极，与红表笔相接的一端为二极管的负极。二极管图形符号：只是本征半导体中的截流子很少，导电性能很差，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半导体。

27、红笔接电路高电位端，黑笔接电路低电位端1.测试：测试：调节电位器RP可改变基极电流IB。晶体管各极电流晶体管各极电流2.实验数据分析实验数据分析1）晶体管各极电流分配关系是：IE=IB+IC 2）IE ICIB 2）IE ICIB 3）IB的微小变化会引起IC较大的变化注意：注意：晶体管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制较大的集电极电流信号，是“以小控大”的作用。晶体管放大作用的实现需要一定的外部条件，即必须保证发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。晶体管的电流放大作用：基极电流IB的微小变化会引起集电极电流IC的较大变化，这就是晶体管的电流放大作用。认识放大电路为共发射极

28、放大电路NPN型晶体管的型晶体管的共发射极接法共发射极接法 基基极极和和发发射射极极作作为为信信号号输输入入端端集集电电极极与与发发射射极极作作为为信信号号输输出出端端发射极是输入、输出回路的公共端发射极是输入、输出回路的公共端PNP型晶体管的型晶体管的共发射极接法共发射极接法 基基极极和和发发射射极极作作为为信信号号输输入入端端集集电电极极与与发发射射极极作作为为信信号号输输出出端端发射极是输入、输出回路的公共端发射极是输入、输出回路的公共端三、晶体管的主要参数（1）电流放大系数）电流放大系数 它是表征晶体管电流放大能力的参数。直流电流放大系数（hFE）：集电极直流电流与基极直流电流之比即:

29、交流电流放大系数（hfe）：集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比，即：（2）极间反向饱和电流）极间反向饱和电流 这是衡量晶体管质量优劣的重要指标1）集电极 基极反向饱和电流ICBO2）集电极 发射极反向饱和电流ICEOICBO测量电路 ICEO测量电路（3）极限参数）极限参数 指晶体管使用时电压、电流、及功率的极限值1）集电极最大允许电流ICM2）反向击穿电压：UCEO、UCBO、UEBO3）集电极最大允许耗散功率PCM 晶体管在使用时要注意：晶体管在使用时要注意：ICICM，UCE UCEO，PCPCM，晶体管才能长期安全工作，即应使晶体管工作在下图所示的安全工作区内。判定电路中晶体管的

30、工作状态 结合图中所示的晶体管内部结构与PN结的正向偏置示意图，比较三个电极电位的高低，并判定晶体管工作状态。分析工作状态 当VPVN，则称PN结正偏，反之称为反偏。（以NPN管为例PNP管与此相反）1）VCVBVE，为发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作处于放大状态。2）VBVCVE，为发射结正偏，集电结正偏，晶体管工作处于饱和状态。3）VCVEVB，为发射结反偏，集电结反偏，晶体管工作处于截止状态。分析晶体管的特性曲线分析晶体管的特性曲线测量晶体管特性的实验电路测量晶体管特性的实验电路1.输入特性曲线定义定义 指当晶体管的输出电压UCE为某一定值时，IB与UBE对应关系的曲线。输入特性曲线曲

31、线反映了输入回路电压和输入电流之间的 关系。正常导通时，正常导通时，发射结正向发射结正向压降压降UBE：硅管约硅管约0.7锗管为锗管为0.3V 死区电压：死区电压：硅管约硅管约0.5V，锗管约锗管约0.2V晶体管输入特性曲线类似于二极管的正向特性曲线2.输出特性曲线（1）定义）定义 是反映晶体管输出回路电压、电流之间的关系，指当晶体管的输入电流IB为某一定值时，集电极电流IC与集电极、发射极间的电压UCE之间对应关系的一族曲线。（2）分析）分析 晶体管的输出特性曲线可分为三个区域，即截止区、放大区和饱和区。晶体管各区工作状态特点见下表NPN晶体管截止、放大、饱和工作状态特点晶体管截止、放大、饱

32、和工作状态特点操作指导操作指导？一、用万用表检测电阻器 1电阻器阻值测量电阻器阻值测量测量时应注意：测量时应注意：电阻器需从电路中断开，不允许带电测量；不允许手接触表笔的金属部分，以免引起测量误差。电阻器的万用表检测电阻器的万用表检测2检测电位器检测电位器（1）首先要看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。（2）用万用表测试时，选择合适的万用表的电阻挡位，先测其标称阻值是否正确，再测其阻值变化是否正常，如为0、或指针跳动，说明电位器已损坏或质量不佳。电阻器的万用表检测电阻器的万用表检测二、用万用表

33、检测电容器（1）容量大于）容量大于5100PF5100PF的电容的电容 选挡：用“R1K”或“R10K”挡测量（小容量电容选低挡测量，大容量电容选高挡测量）。表针向右摆后退回到为正常；如退不到而停在某一数值上，该数值就是电容器的绝缘电阻（也称漏电电阻)；若为零，则表明电容器已击穿；若表针不动，则表明电容器内部开路。正常电容正常电容 故障电容故障电容（2）容量在）容量在 5100PF5100PF以下的电容以下的电容 因电容容量小看不到表针摆动，此时可用“R10K”挡，测量方法如图所示。由于晶体管的放大作用就可以看到表针摆动小小容容量量电电容容的的检检测测三、万用表检测二极管（1）正负极的判别：如

34、图所示。要记住：要记住：在两次测量中所测阻值较小的一次中，与黑表笔相接的一端为二极管的正极，与红表笔相接的一端为二极管的负极。（2）二极管质量的简易判断：如表所示。结合图中所示的晶体管内部结构与PN结的正向偏置示意图，比较三个电极电位的高低，并判定晶体管工作状态。0*100=100V塑料耐压为1500V结合图中所示的晶体管内部结构与PN结的正向偏置示意图，比较三个电极电位的高低，并判定晶体管工作状态。4）测量：断开被测电路，将万用表红、黑表笔串入，电流从红笔入黑笔出合金管认识放大电路为共发射极放大电路电子技术中常用的半导体材料是硅和锗二、指针式万用表的使用1）选挡位：直流电流挡1）P型半导体：

35、在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的三价元素，就形成P型半导体（空穴型半导体）。2）反向击穿电压：UCEO、UCBO、UEBOCL 涤纶薄膜电容一、MF47型指针式万用表的组成红笔接电路高电位端，黑笔接电路低电位端大功率管（耗散功率不低于1W）晶体管在使用时要注意：ICICM，UCE UCEO，PCPCM，晶体管才能长期安全工作，即应使晶体管工作在下图所示的安全工作区内。二、二极管的导电特性实验硅管四、万用表检测晶体管 1.1.判别电极及管型判别电极及管型（1 1）选挡）选挡 功率在1W以下的中、小功率晶体管，可用万用表的“R1k”或“R100”挡测量；功率在1W以上的大功率晶体管，可用万用表的

36、“R1”或“R10”挡测量。（2 2）判别基极）判别基极 用黑表笔接晶体管的某一电极，红表笔分别去接触另外两个电极，如测得两次阻值均小（当出现两次阻值一个大一个小时，换一电极再测），约为几百欧到几千欧；此时黑表笔接的就是基极，而且是NPN型晶体管。这样在判别基极的同时又确认了管型，还可测定晶体管的两个PN结是否完好（3）叛别集电极和发射极）叛别集电极和发射极 确定基极后，假设余下管脚之一为集电极C，另一为发射极E，用手指分别捏住C极与B极的同时，将万用表两表笔分别与C、E接触。若被测管为NPN，则用黑表笔接触假设的C极、用红表笔接假设的E极（PNP管相反），观察指针偏转角度；然后再设另一管脚为C极，重复以上过程，比较两次测量指针的偏转角度，指针偏转大的一次表明IC大，管子处于放大状态，相应假设的C、E极正确。测量过程示意图如图所示。判别基极判别基极判别集电极和发射极判别集电极和发射极