第4章第6讲MOS传输门逻辑电路课件.ppt
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- 关 键 词:
- MOS 传输 逻辑电路 课件
- 资源描述:
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1、14.6 MOS传输门逻辑电路传输门逻辑电路uMOS传输门的基本特性传输门的基本特性uMOS传输门逻辑电路传输门逻辑电路2MOS传输门的基本特性传输门的基本特性nNMOS/PMOS传输门特性传输门特性nCMOS传输门特性传输门特性3 MOS传输门结构传输门结构CLVcVoutVinCLVVVcinout NMOS传输门传输门 Pass Transistor 源、漏端不固定源、漏端不固定双向导通双向导通CMOS传输门传输门Transmission GateNMOS,PMOS并联并联源、漏端不固定源、漏端不固定栅极接相反信号栅极接相反信号两管同时导通或两管同时导通或截止截止CMOS反相器反相器NM
2、OS,PMOS串联串联源端接固定电位、源端接固定电位、漏端输出漏端输出栅极接相同信号栅极接相同信号两管轮流导通或两管轮流导通或截止截止4NMOS传输门传输高电平特性传输门传输高电平特性CLVcVoutVin源端源端(G)(D)(S)Hints:VD=VG,器件始器件始终处于饱和区终处于饱和区,直到截止直到截止Vin=VDD,Vc=VDD5NMOS传输高电平2)(outTNDDNDNVVVKIn输出电压:有阈值损失输出电压:有阈值损失n工作在饱和区,但是电流不恒定工作在饱和区,但是电流不恒定n低效传输高电平低效传输高电平(电平质量差,充电电流小电平质量差,充电电流小)CLVcVoutVinVin
3、=VDD,Vc=VDD,VoutVDDVthVOUT=VDD-VTN6NMOS传输门传输低电平特性传输门传输低电平特性CLVcVoutVin漏端漏端(G)(s)(D)Hints:器件先处于饱和区,器件先处于饱和区,后处于线性区后处于线性区(类似于(类似于CMOS反相器中反相器中 的的NMOS管)管)Vin=0VC=VDD7NMOS传输低电平n输出电压:没有阈值损失输出电压:没有阈值损失n先工作在饱和区,后进入线形区先工作在饱和区,后进入线形区n高效传输低电平高效传输低电平(电平质量好,充电电流大)(电平质量好,充电电流大)CLVcVoutVinVin=0,Vc=VDD,Vout0outTNDD
4、NDNVVVKI)(22VOUT=08NMOS传输高电平和传输高电平和低电平的输出波形低电平的输出波形CLVcVoutVin9 PMOS传输门传输特性传输门传输特性CLVcVoutVin漏端漏端(G)(s)(D)传输传输高高电平情况电平情况传输传输低低电平情况电平情况器件先处于饱和区,器件先处于饱和区,后处于线性区后处于线性区器件始终处于饱和区器件始终处于饱和区,直到截止直到截止VOUT=VDDVOUT=-VTP10传输管(传输管(NMOS/PMOS传输门)传输门)n结构简单结构简单n有阈值损失有阈值损失nNMOS高效传输低电平,低高效传输低电平,低效传输高电平效传输高电平nPMOS高效传输高
5、电平,低高效传输高电平,低效传输低电平效传输低电平CLVcVoutVinCLVVVcinoutVOUT=VDD-VTNVOUT=0VOUT=VDDVOUT=-VTP11nNMOS/PMOS传输门特性传输门特性nCMOS传输门特性传输门特性MOS传输门的基本特性传输门的基本特性12CMOS传输门传输高电平特性传输门传输高电平特性CLVVVDDDDout,outTPVV,TPoutDDTNVVVV传输高电平分为传输高电平分为3个阶段:个阶段:(1)NMOS和和PMOS都饱和;都饱和;(2)NMOS饱和饱和,PMOS线性;线性;(3)NMOS截止截止,PMOS线性。线性。,outDDTNVVVCLV
6、cVoutVin0VDDVDDVinVoutVDDVTPVTN单 管导 通双 管导 通单 管导 通-VOUT=VDD-VTNVOUT=0VOUT=VDDVOUT=-VTP13CMOS传输门传输低电平特性传输门传输低电平特性CLVVDDout0,outDDTNVVV,DDTNoutTPVVVV 传输低电平分为传输低电平分为3个阶段:个阶段:(1)NMOS和和PMOS都饱和;都饱和;(2)NMOS线性线性,PMOS饱和;饱和;(3)NMOS线性线性,PMOS截止。截止。,outTPVV CLVcVoutVin0VDDVDDVinVoutVDDVTPVTN单 管导 通双 管导 通单 管导 通-VOU
7、T=VDD-VTNVOUT=0VOUT=VDDVOUT=-VTP14CMOS传输门直流电压传输特性传输门直流电压传输特性0VDDVDDVinVoutVDDVTPVTN单 管导 通双 管导 通单 管导 通-CLVVDDoutVin始终有一个器始终有一个器件是导通的,件是导通的,可以传输全摆可以传输全摆幅的信号幅的信号15CMOS传输门导通电流的变化传输门导通电流的变化传输高电平传输高电平 传输低电平传输低电平CLVVCoutVin 16CMOS传输门导通电阻的变化传输门导通电阻的变化ponLtR C1111 2(2)onNPonDDTRRRRK VV对称设计时传输延迟时间传输延迟时间 传输低电平
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