光电子学模板课件.ppt
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1、半导体发光器件半导体发光器件半导体材料的基本性质半导体材料的基本性质半导体材料的分类半导体材料的分类n晶体是由原子或分子在空间按一定规律周期性地重复排晶体是由原子或分子在空间按一定规律周期性地重复排列构成的固体物质,具有规则几何外形列构成的固体物质,具有规则几何外形。n半导体材料的分类半导体材料的分类结构类型结构类型晶胞类型晶胞类型半导体材料半导体材料金刚石型金刚石型面心立方晶体面心立方晶体SiSi,金刚石,金刚石,GeGe闪锌矿型闪锌矿型面心立方晶体面心立方晶体GaAsGaAs,ZnOZnO,GaNGaN,SiCSiC纤锌矿型纤锌矿型六方晶体六方晶体InNInN,GaNGaN,ZnOZnO,
2、SiCSiC按有无杂质分类:本征半导体和杂质半导体按有无杂质分类:本征半导体和杂质半导体按元素种类分类:元素半导体和化合物半导体按元素种类分类:元素半导体和化合物半导体n制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。半导体材料的基本性质半导体材料的基本性质半导体的能带结构半导体的能带结构原子能级能带允带禁带允带允带禁带n当当N个原子互相靠近结合成晶体个原子互相靠近结合成晶体后,每个电子都要受到周围原子势后,每个电子都要受到周围原子势场的作用,其结果是每一个原来孤场的作用,其结果是每一个原来孤立的能级分裂成彼此相距很近的立的能级分裂成彼此相距很近的N个能级,准连续的
3、,可看作一个能个能级,准连续的,可看作一个能带。带。n制造半导体器件所用的单晶体由靠的很密的原子周期性重复排列而成,相邻原子制造半导体器件所用的单晶体由靠的很密的原子周期性重复排列而成,相邻原子间距只有零点几个纳米。由于原子间距离很小,原来孤立原子的各个能级将发生不间距只有零点几个纳米。由于原子间距离很小,原来孤立原子的各个能级将发生不同程度的交叠。同程度的交叠。n相邻原子距离越近,能带宽度相邻原子距离越近,能带宽度越大。能量越低的态,能带宽度越大。能量越低的态,能带宽度越小。越小。演示半导体材料的电子状态半导体材料的电子状态半导体材料的基本性质半导体材料的基本性质Eg 6 eVEg绝缘体绝缘
4、体半导体半导体价带价带导带导带导体导体n固体按其导电性分为:导体、固体按其导电性分为:导体、半导体、绝缘体。半导体、绝缘体。valence band:the highest band containing e-conduction band:the band e-in which can conduct net current价带价带导带导带满带满带半满带半满带1.电子在核外排列先分布在低能级轨道上电子在核外排列先分布在低能级轨道上,使整个原子系统能量最低;使整个原子系统能量最低;2.Pauli不相容原理:每个原子轨道中最多容纳两个自旋方式相反的电子;不相容原理:每个原子轨道中最多容纳两个自旋
5、方式相反的电子;3.Hund 规则:在能级简并的轨道上,电子尽可能自旋平行地分占不同的轨道。规则:在能级简并的轨道上,电子尽可能自旋平行地分占不同的轨道。全充满、半充满、全空的状态比较稳定。全充满、半充满、全空的状态比较稳定。n电子分布原则:电子分布原则:Ex.C crystal:1s2 2s2 2p2碳晶体是导体?碳晶体是导体?碳晶体是绝缘体!碳晶体是绝缘体!轨道杂化作用轨道杂化作用IV族元素晶体的导电性能族元素晶体的导电性能 半导体材料的基本性质半导体材料的基本性质n价带顶部的电子被激发到导带后,价带中就留下一个空状态,把价带中空着的价带顶部的电子被激发到导带后,价带中就留下一个空状态,把
6、价带中空着的状态看成是带正电的粒子,称为状态看成是带正电的粒子,称为空穴空穴。空穴不仅有正电荷。空穴不仅有正电荷q,还具有正的有效,还具有正的有效质量。质量。半导体中的载流子半导体中的载流子电子和空穴电子和空穴n价带顶部的电子被激发到导带后,形成了传导价带顶部的电子被激发到导带后,形成了传导电子电子,传导电子参与导电,电子带有,传导电子参与导电,电子带有负电荷负电荷q,还具有负的有效质量。,还具有负的有效质量。半导体中的杂质和缺陷半导体中的杂质和缺陷n本征半导体:由单一元素组成的结构完整的半导体晶体。本征半导体:由单一元素组成的结构完整的半导体晶体。其中自由电子数目其中自由电子数目n和空穴数目
7、和空穴数目p一一对应,数量相等一一对应,数量相等np。N型半导体中,自由电子浓度远大于空穴的浓度,即型半导体中,自由电子浓度远大于空穴的浓度,即 n p。P型半导体中,空穴浓度远大于自由电子的浓度,即型半导体中,空穴浓度远大于自由电子的浓度,即 p n。n实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的,而是存在着各种缺陷:点缺陷、线缺实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的,而是存在着各种缺陷:点缺陷、线缺陷和面缺陷。陷和面缺陷。半导体材料的基本性质半导体材料的基本性质n杂质半导体:为了控制半导体的性质而人为的掺入杂质的半导体晶体。杂质半导体:为了控制半导体的性质而人为的掺入杂质的半导体晶体。分为:分为:N
8、型半导体和型半导体和P型半导体。型半导体。N型半导体型半导体n在硅或锗的晶体中掺入少量的在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,即构成价杂质元素,即构成 N 型半导体型半导体(或称电子型半或称电子型半导体导体)。常用的。常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。价杂质元素有磷、锑、砷等。V族杂质在硅中电离时,能够释放族杂质在硅中电离时,能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心,称为施主杂质。电子而产生导电电子并形成正电中心,称为施主杂质。l多余的价电子束缚在正电中心多余的价电子束缚在正电中心P的周围,但这种束缚的周围,但这种束缚作用比共价键的弱得多,只要很少的能量就可以使它摆作用比共价键的弱得
9、多,只要很少的能量就可以使它摆脱束缚,形成导电电子。脱束缚,形成导电电子。l使价电子摆脱束缚所需要的能量称为施主杂质电离能使价电子摆脱束缚所需要的能量称为施主杂质电离能半导体材料的基本性质半导体材料的基本性质ECEVEDEgDEEV 价带能级价带能级EC 导带能级导带能级ED 施主能级施主能级Eg 带隙宽度带隙宽度P型半导体型半导体n在硅或锗的晶体中掺入少量的在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素,即构成价杂质元素,即构成 P 型半导体型半导体(或称空穴型半或称空穴型半导体导体)。常用的。常用的 3 价杂质元素有硼、铝、镓、铟等。价杂质元素有硼、铝、镓、铟等。III族杂质在硅中电离时,能够
10、族杂质在硅中电离时,能够释放空穴而产生导电空穴并形成负电中心,称为受主杂质。释放空穴而产生导电空穴并形成负电中心,称为受主杂质。l多余的空穴束缚在负电中心多余的空穴束缚在负电中心Al的周围,但这种束缚作的周围,但这种束缚作用比共价键的弱得多,只要很少的能量就可以使它摆脱用比共价键的弱得多,只要很少的能量就可以使它摆脱束缚,形成导电空穴。束缚,形成导电空穴。l使空穴摆脱束缚所需要的能量称为受主杂质电离能使空穴摆脱束缚所需要的能量称为受主杂质电离能EV 价带能级价带能级EC 导带能级导带能级EA 受主能级受主能级Eg 带隙宽度带隙宽度半导体材料的基本性质半导体材料的基本性质半导体中载流子的态密度半
11、导体中载流子的态密度 n电子的态密度电子的态密度r(E)r(E)定义为:在晶体的单位体积内,能量处于定义为:在晶体的单位体积内,能量处于E E和和E E+dE之间的状态之间的状态数目,数目,可视为能量可视为能量E的状态数目。的状态数目。n设导带底的能量为设导带底的能量为EC,价带顶的能量为,价带顶的能量为Ev,则导带和价带的能量的态密度为:,则导带和价带的能量的态密度为:l价带电子态密度随能量增大而减小价带电子态密度随能量增大而减小l导带电子态密度随能量增大而增大导带电子态密度随能量增大而增大半导体材料的基本性质半导体材料的基本性质半导体材料的基本性质半导体材料的基本性质n电子在允带能级上的分
12、布遵守电子在允带能级上的分布遵守Fermi-Dirac 分布:分布:1()1exp()Ff EEEKTf(E)称为费米分布函数,称为费米分布函数,EF为费米能级为费米能级电子占据能量为电子占据能量为E能级的几率为:能级的几率为:半导体中载流子的统计分布规律费米能级半导体中载流子的统计分布规律费米能级费米能级费米能级EF和温度、半导体材料的导电类型、和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关杂质的含量以及能量零点的选取有关费米能级标志了电子填充能级的水平费米能级标志了电子填充能级的水平,处于热处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级平衡状态的电子系统有统一的费米能级半导体材料
13、的基本性质半导体材料的基本性质半导体中载流子的统计分布规律半导体中载流子的统计分布规律n载流子的统计分布规律载流子的统计分布规律:电子:电子:空穴:空穴:n热平衡状态下导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度分别为:热平衡状态下导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度分别为:()()3233232,22,2FcccdevFvvdhEEnN ExpNm KTKThEEpN ExpNm KTKTh2gcviEnpN N ExpKTnni称为本征载流子浓度,是一个只和材料本身性质及热平衡温度有关的量称为本征载流子浓度,是一个只和材料本身性质及热平衡温度有关的量.温度一定时,两种载流子浓度乘积等于本征浓度的平方。
14、温度一定时,两种载流子浓度乘积等于本征浓度的平方。热平衡统计热平衡统计分布方程分布方程半导体中的平衡载流子半导体中的平衡载流子温度一定、无外界能量激发温度一定、无外界能量激发n掺杂半导体:掺杂半导体:半导体材料的基本性质半导体材料的基本性质n半导体中的电中性条件:半导体中的电中性条件:整块半导体的正电荷量与负电荷量恒等。整块半导体的正电荷量与负电荷量恒等。N型半导体中有型半导体中有nN=pN+ND,pN(pN+ND)=ni2 P型半导体中有型半导体中有pP=nP+NA,nP(nP+NA)=ni2 000exp()exp()exp()exp()FNcFcFNFFNFNcciEEEEEEEEnNN
15、nKTKTKTKT000exp()exp()exp()exp()vFPvFFFPFFPPvviEEEEEEEEpNNnKTKTKTKT重掺杂半导体:重掺杂半导体:N型半导体中有型半导体中有nN=ND,P型半导体中有型半导体中有pP=NAn本征半导体:本征半导体:n0p0=ni2,本征半导体费米能级位于禁带中心本征半导体费米能级位于禁带中心EF0附近附近N型半导体费米能级靠近导带底型半导体费米能级靠近导带底 P型半导体费米能级靠近价带顶型半导体费米能级靠近价带顶N型半导体中有型半导体中有P型半导体中有型半导体中有非平衡载流子的复合发光非平衡载流子的复合发光有外界能量作用有外界能量作用n平衡载流子
16、的跃迁是一种热跃迁,由平衡载流子复合时放出的能量激发出新的平平衡载流子的跃迁是一种热跃迁,由平衡载流子复合时放出的能量激发出新的平衡载流子,复合和激发处于动态平衡的过程。衡载流子,复合和激发处于动态平衡的过程。平衡载流子复合不会产生光辐射。平衡载流子复合不会产生光辐射。半导体材料的基本性质半导体材料的基本性质n非平衡载流子的寿命:从非平衡分布恢复到平衡态分布的时间。非平衡载流子的寿命:从非平衡分布恢复到平衡态分布的时间。寿命越短,复寿命越短,复合机率越大。合机率越大。n当有外界能量注入时,半导体中电子空穴对的产生率超过复合率,形成相对平当有外界能量注入时,半导体中电子空穴对的产生率超过复合率,
17、形成相对平衡分布过剩的非平衡载流子。衡分布过剩的非平衡载流子。只有非平衡载流子的复合才会产生光辐射。只有非平衡载流子的复合才会产生光辐射。非平衡态载流子的寿命与平衡载流子的浓度成反比,非平衡态载流子的寿命与平衡载流子的浓度成反比,掺杂可提高复合机率。掺杂可提高复合机率。非平衡态载流子的寿命与注入载流子的浓度成反比,非平衡态载流子的寿命与注入载流子的浓度成反比,强注入可提高复合机率强注入可提高复合机率。带间复合发光带间复合发光直接跃迁与间接跃迁直接跃迁与间接跃迁n价带的电子跃迁到导带时,只要求能量的改变,而电子的准动量不发生变化,价带的电子跃迁到导带时,只要求能量的改变,而电子的准动量不发生变化
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