XPS谱图的形式课件.ppt
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- XPS 形式 课件
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1、第第4 4章、谱图的一般特征章、谱图的一般特征1.1.XPSXPS谱图的初级结构谱图的初级结构2.2.XPSXPS谱图的次级结构谱图的次级结构4.0、XPS谱图的形式谱图的形式XPSXPS谱图的采集:谱图的采集:lXPSXPS谱图是通过用谱图是通过用X X射线照射样品材料的同时测量从射线照射样品材料的同时测量从材料表面出射的电子的能量和数目而得到的。材料表面出射的电子的能量和数目而得到的。XPSXPS谱图的形式:谱图的形式:l光电子信号强度光电子信号强度I 随能量的变化关系随能量的变化关系(I EB);数据采集模式:数据采集模式:l全扫描谱全扫描谱(Survey scan)(Survey sc
2、an):扫描能量范围宽:扫描能量范围宽(0 0 1100eV1100eV),灵敏度高),灵敏度高(分辨力低分辨力低),元素鉴别。,元素鉴别。l高分辨谱高分辨谱(Detail scan)(Detail scan):扫描能量范围窄:扫描能量范围窄(20eV(20eV左左右右),分辨力高,主要用于元素化学态分析。,分辨力高,主要用于元素化学态分析。4.0、XPS谱图的形式谱图的形式在在XPSXPS谱图中可观察到多种类型的谱峰。谱图中可观察到多种类型的谱峰。一部分是基本的并总可观察到一部分是基本的并总可观察到初级结构初级结构 另一些依赖于样品的物理和化学性质另一些依赖于样品的物理和化学性质次级结次级结
3、构构光电发射过程常被设想为三步(三步模型)光电发射过程常被设想为三步(三步模型)光吸收和电离(初态效应);光吸收和电离(初态效应);原子响应和光电子发射(终态效应);原子响应和光电子发射(终态效应);电子向表面输运并逸出(外禀损失)。电子向表面输运并逸出(外禀损失)。所有这些过程都对所有这些过程都对XPSXPS谱的结构有贡献。谱的结构有贡献。4.1、XPS谱图的初级结构谱图的初级结构1.1.光电子谱峰光电子谱峰2.2.俄歇电子谱峰俄歇电子谱峰3.3.价带谱价带谱4.1.1、光电子谱峰、光电子谱峰(photoelectron lines)由于由于X X射线激发源的光子能量较高,可以同时激发出多个
4、射线激发源的光子能量较高,可以同时激发出多个原子轨道的光电子,因此在原子轨道的光电子,因此在XPSXPS谱图上会出现多组谱峰。谱图上会出现多组谱峰。由于大部分元素都可以激发出多组光电子峰,因此可以利由于大部分元素都可以激发出多组光电子峰,因此可以利用这些峰排除能量相近峰的干扰,非常有利于元素的定性用这些峰排除能量相近峰的干扰,非常有利于元素的定性标定。标定。最强的光电子线最强的光电子线是谱图中强度最大、峰宽最小、对称性最是谱图中强度最大、峰宽最小、对称性最好的谱峰,称为好的谱峰,称为XPSXPS的的主谱线主谱线。每一种元素都有自己的具每一种元素都有自己的具有表征作用的光电子线。它是元素定性分析
5、的主要依据有表征作用的光电子线。它是元素定性分析的主要依据。光电子峰的标记光电子峰的标记:以光电子发射的元素和轨道来标记,如以光电子发射的元素和轨道来标记,如C1sC1s,Ag3d5/2Ag3d5/2等等此外,由于相近原子序数的元素激发出的光电子的结合能此外,由于相近原子序数的元素激发出的光电子的结合能有较大的差异,因此相邻元素间的干扰作用很小。有较大的差异,因此相邻元素间的干扰作用很小。(1)光电子谱线特征光电子谱线特征l峰位置峰位置(结合能结合能)。与元素及其能级轨道和化学态有关。与元素及其能级轨道和化学态有关。l峰强度峰强度。与元素在表面的浓度和原子灵敏度因子成正比。与元素在表面的浓度和
6、原子灵敏度因子成正比。l对称性对称性。金属中的峰不对称性是由金属。金属中的峰不对称性是由金属E EF F附近小能量电附近小能量电子子-空穴激发引起,即价带电子向导带未占据态跃迁。空穴激发引起,即价带电子向导带未占据态跃迁。不对称度正比于费米能级附近的电子态密度。不对称度正比于费米能级附近的电子态密度。l峰宽峰宽(FWHM)光电子线的谱线宽度来自于样品元素本光电子线的谱线宽度来自于样品元素本质信号的自然宽度、质信号的自然宽度、X X射线源的自然线宽、仪器参数以射线源的自然线宽、仪器参数以及样品自身状况的宽化因素等四个方面的贡献。及样品自身状况的宽化因素等四个方面的贡献。一般高分辨主峰峰宽值在一般
7、高分辨主峰峰宽值在0.30.31.7 eV1.7 eV之间。之间。(2)非弹性本底非弹性本底XPSXPS谱显示出一特征的阶梯状本底,光电发射峰谱显示出一特征的阶梯状本底,光电发射峰的高结合能端本底总是比低结合能端的高。这的高结合能端本底总是比低结合能端的高。这是由于体相深处发生的非弹性散射过程(外禀是由于体相深处发生的非弹性散射过程(外禀损失)造成的。损失)造成的。平均来说,只有靠近表面的平均来说,只有靠近表面的电子才能无能量损失地逸出,电子才能无能量损失地逸出,分布在表面中较深处的电子分布在表面中较深处的电子将损失能量并以减小的动能将损失能量并以减小的动能或增大的结合能的面貌出现,或增大的结
8、合能的面貌出现,在表面下非常深的电子将损在表面下非常深的电子将损失所有能量而不能逸出。失所有能量而不能逸出。元素分布深度估计元素分布深度估计TougaardTougaard利用元素光电子主峰与其背景比值变化研究元素利用元素光电子主峰与其背景比值变化研究元素不同类型的深度分布。不同类型的深度分布。D D0 0=A Ap p/B B其中其中A Ap p为元素主峰面积,为元素主峰面积,B B为背景抬升高度为背景抬升高度(取主峰高结合取主峰高结合能端能端3030eVeV处处)。均相过渡金属的均相过渡金属的D D0 0是一个普适常数,与均相材料中元素种是一个普适常数,与均相材料中元素种类、浓度、峰形、主
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