第七章光电式传感器优质课件.ppt
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1、第七章光电式传感器第七章光电式传感器优选第七章光电式传感器优选第七章光电式传感器实验实验锌板锌板铜网铜网弧光灯弧光灯紫外光照射时电流计指针发生偏转紫外光照射时电流计指针发生偏转灵敏电灵敏电流计流计1、光电效应、光电效应光的粒子学说:光可以认为是由具有一定能量的光的粒子学说:光可以认为是由具有一定能量的粒子所组成,而每个光子所具有的能量粒子所组成,而每个光子所具有的能量E与其频率大与其频率大小成正比。小成正比。光照射在物体上就可看成是一连串的具有能量为光照射在物体上就可看成是一连串的具有能量为E的粒子轰击在物体上。的粒子轰击在物体上。E=hfh普朗克常数,普朗克常数,6.62610-34Js;f
2、光的频率(光的频率(s-1)光电效应:物体吸收能量为光电效应:物体吸收能量为E的光后,转换为该的光后,转换为该物体中某些电子的能力,从而产生的电效应。物体中某些电子的能力,从而产生的电效应。光电子向外发射的电子。光电子向外发射的电子。1)外光电效应)外光电效应 在光线的作用下,物体内的电子逸出物体表面向在光线的作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。外发射的现象称为外光电效应。基于外光电效应的光电器件:光电管、光电倍增管等基于外光电效应的光电器件:光电管、光电倍增管等爱因斯坦假设:一个光子的能量只能给一个电子爱因斯坦假设:一个光子的能量只能给一个电子结论:一个电子要从物体
3、中逸出表面,必须是光子结论:一个电子要从物体中逸出表面,必须是光子能量能量E大于表面逸出功大于表面逸出功A0。逸出表面的电子就具有。逸出表面的电子就具有动能动能Ek0221AhfmvEk0221AhfmvEk光电子能否产生,取决于光子的能量是否大于该光电子能否产生,取决于光子的能量是否大于该物体的电子表面逸出功。这意味着每种物体都有物体的电子表面逸出功。这意味着每种物体都有一个对应的光频阈值,称为红限频率。一个对应的光频阈值,称为红限频率。入射光的频谱成分不变时,产生的光电流与光强入射光的频谱成分不变时,产生的光电流与光强成正比,光强越强意味着入射的管子数目越多,成正比,光强越强意味着入射的管
4、子数目越多,逸出的电子数目就越多。逸出的电子数目就越多。光电子逸出物体表面具有初始动能。光电子逸出物体表面具有初始动能。1)外光电效应)外光电效应光照射在物体上,使物体的电阻率发生变化,或光照射在物体上,使物体的电阻率发生变化,或产生光生电动势的现象称为内光电效应。产生光生电动势的现象称为内光电效应。a)光电导效应)光电导效应 某些半导体,在黑暗环境中电阻值很高;当光照某些半导体,在黑暗环境中电阻值很高;当光照射在物体上,在光线作用下,电子吸收光子能量从键射在物体上,在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,从而加强了导电性能,使电合状态过渡到自由状态,从而加强了导电性能,使电阻
5、值降低。阻值降低。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。2)内光电效应)内光电效应b)光生伏特效应)光生伏特效应 在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。的现象叫做光生伏特效应。光线照射光线照射PN结时,产生电子空穴对,在阻挡层内结时,产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用下,被光激发的电子移向电场的作用下,被光激发的电子移向N区外侧,被光激区外侧,被光激发的空穴移向发的空穴移向P区外侧,从而使区外侧,从而使P区带正电,区带正电,N区带负区带负电,形成光电动势。电,形成光电动势。基于该效应的光电器件
6、有光电池和光敏二极管、三极管基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极管2)内光电效应)内光电效应 构造 光电管有真空光电管和充气光电管有真空光电管和充气光电管或称电子光电管和离子光电管或称电子光电管和离子阳极光电阴极光窗2、光电元件及其特性、光电元件及其特性1)光电管与光电倍增管)光电管与光电倍增管图图7-2 光电管的结构图光电管的结构图光电管两类。两者结构相似,如图。它们由一个阴光电管两类。两者结构相似,如图。它们由一个阴极和一个阳极构成,并且密封在一只真空玻璃管内。极和一个阳极构成,并且密封在一只真空玻璃管内。阴极装在玻璃管内壁上,其上涂有光电发射材料。阴极装在玻璃管内壁上,其上涂有
7、光电发射材料。阳极通常用金属丝弯曲成矩形或圆形,置于玻璃管阳极通常用金属丝弯曲成矩形或圆形,置于玻璃管的中央。的中央。图图7-3 光电倍增管的结构图光电倍增管的结构图 光电倍增管的玻璃泡光电倍增管的玻璃泡内除装有光电阴极和光内除装有光电阴极和光电阳极外,还装有若干电阳极外,还装有若干个光电倍增管极,且在个光电倍增管极,且在光电倍增管极涂有在电光电倍增管极涂有在电子轰击下可发射更多次子轰击下可发射更多次级电子的材料。级电子的材料。1)光电管与光电倍增管)光电管与光电倍增管构造特性-光电管a)光电特性)光电特性 阳极电流与入射在阴极上光通量之间的关系。阳极电流与入射在阴极上光通量之间的关系。1)光
8、电管与光电倍增管)光电管与光电倍增管b)伏安特性)伏安特性 当入射光的频谱及光通量一定时,阳极与阴极之当入射光的频谱及光通量一定时,阳极与阴极之间的电压同光电流的关系。间的电压同光电流的关系。当阳极电压比较低时,阴极所当阳极电压比较低时,阴极所发射的电子只有一部分到达阳发射的电子只有一部分到达阳极,其余部分受光电子在真空极,其余部分受光电子在真空中运动时所形成的负电场作用,中运动时所形成的负电场作用,回到阴极。回到阴极。随阳极电压的增强,光电流随之增大。随阳极电压的增强,光电流随之增大。当阴极发射的电子全部到达阳极时,阳极电流达到当阴极发射的电子全部到达阳极时,阳极电流达到饱和状态饱和状态特性
9、-光电管1)光电管与光电倍增管)光电管与光电倍增管光电管的光谱特性光电管的光谱特性c)光谱特性)光谱特性 保持光通量和阳极电压不变,阳极电流与波长保持光通量和阳极电压不变,阳极电流与波长之间的关系。之间的关系。铯氧银铯氧银 锑化铯锑化铯 人眼的视觉特征人眼的视觉特征红限频率红限频率特性-光电管1)光电管与光电倍增管)光电管与光电倍增管光电阴极的灵敏度:一个光子射在光电阴极的灵敏度:一个光子射在阴极上所能激发的电子数。阴极上所能激发的电子数。特性-光电倍增管倍增系数倍增系数M:暗电流:由于环境温度、热辐射和其他因素的影响,暗电流:由于环境温度、热辐射和其他因素的影响,即使没有光信号输入,加上电压
10、后阳极仍有电流。即使没有光信号输入,加上电压后阳极仍有电流。ncM光电倍增管的灵敏度:一个光子射光电倍增管的灵敏度:一个光子射后,阳极所得到的总电子数。后,阳极所得到的总电子数。本底电流:光电倍增管与闪烁体放在一处,在完全本底电流:光电倍增管与闪烁体放在一处,在完全屏蔽光的情况下,出现的电流。屏蔽光的情况下,出现的电流。1)光电管与光电倍增管)光电管与光电倍增管 光敏电阻用半导体材料制成光敏电阻用半导体材料制成,没有极性没有极性,纯粹是一个纯粹是一个电阻器件电阻器件,使用时既可加直流电压使用时既可加直流电压,也可以加交流电压也可以加交流电压构造 图图7-5 光敏电阻的结构及表示符号光敏电阻的结
11、构及表示符号 光敏电阻优点:灵敏度高,体积小,重量轻,光谱光敏电阻优点:灵敏度高,体积小,重量轻,光谱响应范围宽,机械强度高,耐冲击和振动,寿命长。响应范围宽,机械强度高,耐冲击和振动,寿命长。缺点:使用时需要有外部电源,同时当有电流通过缺点:使用时需要有外部电源,同时当有电流通过它时,会产生热的问题。它时,会产生热的问题。2)光敏电阻)光敏电阻4)光敏二极管及光敏三极管某些半导体,在黑暗环境中电阻值很高;4)光敏二极管及光敏三极管光电管有真空光电管和充气光电管或称电子光电管和离子阴极装在玻璃管内壁上,其上涂有光电发射材料。一、光导纤维的结构和传输原理1)模拟式光电传感器光纤在这类传感器中不仅
12、是传光元件,而且利用光纤本身的某些特性来感知外界因素的变化,所以它又是敏感元件。1)光电管与光电倍增管X射线、g射线等辐射会使光纤材料的吸收损耗增加,光纤的输出功率降低,从而形成强度调制。5)半导体光电元件的特性光纤的导光能力取决于纤芯和包层的性质,机械强度取决于塑料保护外套。62610-34Js;2)脉冲式光电传感器1)光电管与光电倍增管1)模拟式光电传感器d)辐射式:光源本身是被测物,被测物发出的光投射到光电元件上,光电元件的输出反映了光源的某些物理参数。优选第七章光电式传感器光电数字式转速表工作原理图它有较大面积的PN结,当光照射在PN结上时,在结的两端出现电动势。光敏电阻演示 当光敏电
13、阻受到当光敏电阻受到光照时,光照时,光生电子光生电子空穴对增加,阻值减空穴对增加,阻值减小,电流增大。小,电流增大。光敏电阻 光电池是基于光生伏特效应制成的,是自发光电池是基于光生伏特效应制成的,是自发电式有源器件。它有较大面积的电式有源器件。它有较大面积的PNPN结,当光照射结,当光照射在在PNPN结上时,在结的两端出现电动势。结上时,在结的两端出现电动势。+-PN构造3)光电池)光电池 硅光电池的制造原理:在硅光电池的制造原理:在N型衬底上制造一薄层型衬底上制造一薄层P型层作为光照敏感面,就构成最简单的光电池。当入射型层作为光照敏感面,就构成最简单的光电池。当入射光子的能量足够大时,光子的
14、能量足够大时,P型区每吸收一个光子就产生一型区每吸收一个光子就产生一对光生电子对光生电子空穴对,光生电子空穴对,光生电子空穴对的的扩散运动空穴对的的扩散运动使电子通过漂移运动被拉到使电子通过漂移运动被拉到N型区,空穴留在型区,空穴留在P区,所以区,所以N区带负电,区带负电,P区带正电。如区带正电。如果光照是连续的,经短暂的果光照是连续的,经短暂的时间,时间,PN结两侧就有一个稳结两侧就有一个稳定的光生电动势输出。定的光生电动势输出。3)光电池)光电池光电池外形光敏面光敏面3)光电池)光电池 图图7-6 光敏二极管光敏二极管 光敏二极管的基本结构也是一个光敏二极管的基本结构也是一个PN结,与一结
15、,与一般二极管相似、它装在透明玻璃外壳中,其般二极管相似、它装在透明玻璃外壳中,其PN结结装在管顶,可直接受到光照射。光敏二极管在电路装在管顶,可直接受到光照射。光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态,如图所示。中一般是处于反向工作状态,如图所示。构造4)光敏二极管及光敏三极管)光敏二极管及光敏三极管 当光不照射时:光敏二极管处于载止状态,这时当光不照射时:光敏二极管处于载止状态,这时只有少数载流子在反向偏压的作用下,渡越阻挡层只有少数载流子在反向偏压的作用下,渡越阻挡层形成微小的反向电流即暗电流;形成微小的反向电流即暗电流;受光照射时:受光照射时:PN结附近受光子轰击,吸收其能量结附近受光
16、子轰击,吸收其能量而产生电子而产生电子-空穴对,从而使空穴对,从而使P区和区和N区的少数载流子区的少数载流子浓度大大增加,因此在外加反向偏压和内电场的作浓度大大增加,因此在外加反向偏压和内电场的作用下,用下,P区的少数载流子渡越阻挡层进入区的少数载流子渡越阻挡层进入N区,区,N区区的少数载流子渡越阻挡层进入的少数载流子渡越阻挡层进入P区,从而使通过区,从而使通过PN结的反向电流大为增加,这就形成了光电流。结的反向电流大为增加,这就形成了光电流。4)光敏二极管及光敏三极管)光敏二极管及光敏三极管 光敏二极管的反向偏置接线及光电特性演示 在没有光照时,由在没有光照时,由于二极管反向偏置,反于二极管
17、反向偏置,反向电流(暗电流)很小向电流(暗电流)很小。当当光照增加光照增加时,时,光电流光电流I与光照度成正与光照度成正比关系。比关系。光敏光敏二二极管的极管的反向偏反向偏置接法置接法UO+光照光照 图图7-7 光敏三极管光敏三极管4)光敏二极管及光敏三极管)光敏二极管及光敏三极管a)光电特性)光电特性 开路电压开路电压短路电流短路电流硅光电池硅光电池 指半导体光电元指半导体光电元件产生的光电流与光件产生的光电流与光照之间的关系。照之间的关系。光敏晶体管光敏晶体管5)半导体光电元件的特性)半导体光电元件的特性硒光敏电阻硒光敏电阻b)伏安特性)伏安特性 光敏电阻光敏电阻硅光电池硅光电池 指光电元
18、件的端指光电元件的端电压与电流之间的关电压与电流之间的关系。系。光敏三极管光敏三极管5)半导体光电元件的特性)半导体光电元件的特性c)光谱特性)光谱特性 光敏电阻光敏电阻光电池光电池光敏三极管光敏三极管 只有能量大于半导体材只有能量大于半导体材料禁带宽度的那些光子才能料禁带宽度的那些光子才能激发出光生电子激发出光生电子空穴对。空穴对。5)半导体光电元件的特性)半导体光电元件的特性 要使光电式传感器能很好地工作,除了合理要使光电式传感器能很好地工作,除了合理选用光电转换元件外,还必须配备合适的光源和选用光电转换元件外,还必须配备合适的光源和测量线路。测量线路。3 3、光电式传感器的测量电路及应用
19、、光电式传感器的测量电路及应用光源光源发光二极管发光二极管钨丝灯泡钨丝灯泡电弧灯或石英灯电弧灯或石英灯激光激光 光电式传感器按其接收状态可分为模拟式和脉光电式传感器按其接收状态可分为模拟式和脉冲式光电传感器两大类。冲式光电传感器两大类。1)模拟式光电传感器模拟式光电传感器 模拟式光电传感器的工作原理是基于光电元件模拟式光电传感器的工作原理是基于光电元件的光电特性,其光通量是随被测量而变,光电流就的光电特性,其光通量是随被测量而变,光电流就成为被测量的函数,故称为光电传感器的函数运用成为被测量的函数,故称为光电传感器的函数运用状态。它的形式有吸收式、反射式、遮光式和辐射状态。它的形式有吸收式、反
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