第2章-电源变换和控制技术基础知识-《新能源转换与控制技术》电子课件.ppt
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1、第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识1机械工业出版社 第第2 2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识2机械工业出版社 绪论绪论电力电子技术的发展与现状电力电子技术的发展与现状 2.1 常用电力电子器件及其分类常用电力电子器件及其分类 2.2 半导体功率器件的驱动与保护半导体功率器件的驱动与保护 2.3 常用脉宽调制(常用脉宽调制(PWM)技术)技术 2.4 现代电力电子的应用现代电力电子的应用电源变换的基本拓扑电源变换的基本拓扑 2.5 电力电子技术的发展趋势电力电子技术的发展趋势
2、 主要内容主要内容第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识3机械工业出版社 现代电力电子技术的构成现代电力电子技术的构成 电力电子器件的发展历程电力电子器件的发展历程 半导体功率器件的现状半导体功率器件的现状 电力电子装置的发展历程电力电子装置的发展历程 绪绪 论论 电力电子技术的发展与现状电力电子技术的发展与现状第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识4机械工业出版社 1.1.现代电力电子技术(电力电子学)的构成现代电力电子技术(电力电子学)的构成 电力技术(电力设备、电力网络)电力技术(电力设备、电力网络)电子技术(电子器件、电子电路)电子技
3、术(电子器件、电子电路)控制技术(连续、离散)控制技术(连续、离散)第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识5机械工业出版社19741974年美国学者年美国学者W.NewellW.Newell用于表征电力电子技术的倒三角用于表征电力电子技术的倒三角第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识6机械工业出版社 2.2.电电力力电电子子器件的发展历程器件的发展历程第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识7机械工业出版社 3.半导体功率器件的现状半导体功率器件的现状第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识8机
4、械工业出版社 4.4.电电力力电电子子装置的发展历程装置的发展历程1 1)从低频(工频)技术为主的传统电力电子学,向)从低频(工频)技术为主的传统电力电子学,向以高频技术为主的现代电力电子学方向转变。以高频技术为主的现代电力电子学方向转变。2 2)电力电子装置的发展起始于)电力电子装置的发展起始于2020世纪世纪5050年代末年代末6060年年 代初的硅整流器件(代初的硅整流器件(SCRSCR),先后经历了:),先后经历了:整流整流 器、逆变器、开关电源(器、逆变器、开关电源(UPSUPS)和变频器)和变频器时代。时代。3 3)2020世纪世纪8080年代末期和年代末期和9090年代初期以功率
5、年代初期以功率MOSFETMOSFET和和 IGBTIGBT为代表的集高频、高压和大电流于一身的全为代表的集高频、高压和大电流于一身的全 控型功率半导体复合器件,表明传统电力电子技控型功率半导体复合器件,表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。术已经进入现代电力电子时代。第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识9机械工业出版社 2.12.1 常用电力电子器件及其分类常用电力电子器件及其分类 电力电子及其特性电力电子及其特性 电力电子器件的分类电力电子器件的分类 几种典型的电力电子器件几种典型的电力电子器件 第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基
6、础知识10机械工业出版社 2.1.12.1.1电力电子器件的特征和分类电力电子器件的特征和分类电力电子器件被广泛用于处理电能的主电路中,是实电力电子器件被广泛用于处理电能的主电路中,是实现电能的传输、变换或控制的电子器件。现电能的传输、变换或控制的电子器件。1.电力电子器件具有的主要特征电力电子器件具有的主要特征电力电子器件处理的电功率的大小是其主要的特征参数;电力电子器件处理的电功率的大小是其主要的特征参数;电力电子器件往往工作在开关状态;电力电子器件往往工作在开关状态;在实际应用中因此需要驱动电路对控制信号进行放大。在实际应用中因此需要驱动电路对控制信号进行放大。第第2章章 电源变换和控制
7、技术基础知识电源变换和控制技术基础知识11机械工业出版社2.2.电力电子器件电力电子器件的分类的分类(1 1)按可控性分类)按可控性分类 1 1)不控型器件:不控型器件:不能用控制信号控制其导通和关断的电力不能用控制信号控制其导通和关断的电力电子器件电子器件。如,。如,功率二极管功率二极管(Power Diode)、整流二)、整流二极管等。极管等。第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识12机械工业出版社 2)半控型器件:)半控型器件:可以通过控制极(门极)控制可以通过控制极(门极)控制器件导通,但不能控制其关断的电力电子器件。器件导通,但不能控制其关断的电力电子器件。
8、晶闸管晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件及其大部分派生器件(除除GTO及及MCTMOSFET控制晶闸管等复合器件外控制晶闸管等复合器件外),器,器件的关断一般依靠其在电路中承受反向电压或减件的关断一般依靠其在电路中承受反向电压或减小通态电流使其恢复阻断。小通态电流使其恢复阻断。第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识13机械工业出版社3)全控型器件:)全控型器件:既可以通过器件的控制极(门极)控制既可以通过器件的控制极(门极)控制其导通,又可控制其关断的器件。主要有:功率晶体管其导通,又可控制其关断的器件。主要有:功率晶体管(GTR)、绝缘栅双极型晶体管)、
9、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、门极可关断晶、门极可关断晶闸管(闸管(GTO)和电力场效应晶体管)和电力场效应晶体管(P-MOS)等。等。第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识14机械工业出版社(2 2)按)按驱动信号类型分类驱动信号类型分类 1)电流驱动型:电流驱动型:通过对控制极注入或抽出电流,实现通过对控制极注入或抽出电流,实现其开通或关断的电力电子器件称为电流驱动型器件,其开通或关断的电力电子器件称为电流驱动型器件,如如Thyrister,GTR,GTO等。等。2)电压驱动型:电压驱动型:通过对控制极和另一主电极之间施加通过对控制极和另一主电极之间施加控制电压
10、信号,实现其开通或关断的电力电子器件控制电压信号,实现其开通或关断的电力电子器件称为电压驱动型器件,如称为电压驱动型器件,如PMOSFET,IGBT等。等。第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识15机械工业出版社3.几种几种典型的电力电子器件典型的电力电子器件 l 不可控器件不可控器件电力二极管电力二极管l 半控型器件半控型器件晶闸管晶闸管l 电力场效应晶体管电力场效应晶体管P-MOSFETl 绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管IGBT第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识16机械工业出版社1.1.不可不可控器件控器件电力二极管电力二极管(
11、1)电力二极管的基本特性:)电力二极管的基本特性:电力二极管(电力二极管(Power Diode)承受的反)承受的反向电压耐力与阳极通流能力均比普通二极管大得多,但它的工作原理向电压耐力与阳极通流能力均比普通二极管大得多,但它的工作原理和伏安(和伏安(VA)特性与普通二极管基本相同,都具有正向导电性和)特性与普通二极管基本相同,都具有正向导电性和反向阻断性。电力二极管的电路符号和静态特性(即伏安特性)如下反向阻断性。电力二极管的电路符号和静态特性(即伏安特性)如下图所示。图所示。图图2-1 电力二极管电路符号及伏安(电力二极管电路符号及伏安(VA)特性)特性第第2章章 电源变换和控制技术基础知
12、识电源变换和控制技术基础知识17机械工业出版社(2 2)电力二极管的主要参数)电力二极管的主要参数l 正向平均电流正向平均电流IF(AV):电力二极管在连续运行条件电力二极管在连续运行条件时,器件在额定结温和规定的散热条件下,允许时,器件在额定结温和规定的散热条件下,允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。流过的最大工频正弦半波电流的平均值。l 反向重复峰值电压反向重复峰值电压URRM:指对电力二极管所能重指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压,通常是雪崩击穿电复施加的反向最高峰值电压,通常是雪崩击穿电压压URBO的的2/3。第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知
13、识18机械工业出版社l 正向通态压降正向通态压降UF:在额定结温下,电力二极管在在额定结温下,电力二极管在导通状态流过某一稳态正向电流(导通状态流过某一稳态正向电流(IF)所对应的正)所对应的正向压降。正向压降越低,表明其导通损耗越小。向压降。正向压降越低,表明其导通损耗越小。l 反向恢复电流反向恢复电流IRP及反向恢复时间及反向恢复时间trr:反向恢复时反向恢复时间间trr通常定义为从电流下降为零至反向电流衰减至通常定义为从电流下降为零至反向电流衰减至反向恢复电流峰值反向恢复电流峰值25的时间。反向恢复电流的时间。反向恢复电流IRP及恢复时间及恢复时间trr与正向导通时的正向电流与正向导通时
14、的正向电流IF及电流下及电流下降率降率diF/dt密切相关。密切相关。l 反向恢复过程:反向恢复过程:受二极管受二极管PN结中空间电荷区存储结中空间电荷区存储电荷的影响,向正向导通的二极管施加反向电压时,电荷的影响,向正向导通的二极管施加反向电压时,二极管不能立即转为截止状态,只有存储电荷完全二极管不能立即转为截止状态,只有存储电荷完全复合后,二极管才呈现高阻状态。复合后,二极管才呈现高阻状态。第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识19机械工业出版社2 2.半控型器件半控型器件晶闸管晶闸管图图2-2 晶闸管电路符号及伏安(晶闸管电路符号及伏安(VA)特性)特性 优点:
15、优点:晶闸管可以承晶闸管可以承受的电压、电流在功受的电压、电流在功率半导体中均为最高率半导体中均为最高,具有价格便宜、工,具有价格便宜、工作可靠的优点,尽管作可靠的优点,尽管其开关频率较低,但其开关频率较低,但在大功率、低频电力在大功率、低频电力电子装置中仍占主导电子装置中仍占主导地位。地位。第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识20机械工业出版社(1)基本特性:)基本特性:l 电流触发特性电流触发特性:当晶闸管当晶闸管A AK K极间承受正向电压极间承受正向电压时,如果时,如果G GK K极间流过正向触发电流,就会使晶极间流过正向触发电流,就会使晶闸管导通。闸管导通
16、。l 单向导电特性单向导电特性:当承受反向电压时,此时无论门当承受反向电压时,此时无论门极有无触发电流,晶闸管都不会导通。极有无触发电流,晶闸管都不会导通。l 半控型特性半控型特性:晶闸管一旦导通,门极就失去作用;晶闸管一旦导通,门极就失去作用;此时,不论门极电流是否存在、触发电流极性如此时,不论门极电流是否存在、触发电流极性如何,晶闸管都维持导通。要使导通的晶闸管恢复何,晶闸管都维持导通。要使导通的晶闸管恢复关断,可对其关断,可对其A AK K极间施加反向电压或使其流过极间施加反向电压或使其流过的电流小于维持电流(的电流小于维持电流(I IH H)。)。第第2章章 电源变换和控制技术基础知识
17、电源变换和控制技术基础知识21机械工业出版社(2)主要参数主要参数l额定电压额定电压UT:晶闸管在额定结温、门极开路时,允许重复晶闸管在额定结温、门极开路时,允许重复施加的正、反向断态重复峰值电压施加的正、反向断态重复峰值电压U UDRMDRM和和U URRMRRM中较小的一个中较小的一个电压值称为晶闸管的额定电压电压值称为晶闸管的额定电压U UT T。l正、反向断态重复峰值电压正、反向断态重复峰值电压UDRM、URRM:晶闸管门极开晶闸管门极开路路(I Ig g=0)=0)、器件在额定结温时,允许重复加在器件上的正、器件在额定结温时,允许重复加在器件上的正、反向峰值电压。一般分别取正、反向断
18、态不重复峰值电压反向峰值电压。一般分别取正、反向断态不重复峰值电压(U UDSMDSM、U URSMRSM)的的90%90%。正向断态不重复峰值电压应小于转。正向断态不重复峰值电压应小于转折电压(折电压(U Ubobo)。)。第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识22机械工业出版社l通态通态平均电流平均电流IT(AV):在环境温度为在环境温度为4040和规定的和规定的散热条件下、稳定结温不超过额定结温时,晶闸散热条件下、稳定结温不超过额定结温时,晶闸管允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。管允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。这也是额定电流的参数。这也是额定电流
19、的参数。l维持电流维持电流IH:维持晶闸管导通所必需的最小电流,维持晶闸管导通所必需的最小电流,一般为几十到几百一般为几十到几百mAmA。第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识23机械工业出版社3.3.电力电力场效应晶体管场效应晶体管电力电力MOSFET(1)基本特性基本特性图图2-3 电力电力MOSFET结构图和电路图形符号结构图和电路图形符号第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识24机械工业出版社a)转移特性转移特性 b)输出特性输出特性图图2-4 电力电力MOSFET的转移特性和输出特性的转移特性和输出特性第第2章章 电源变换和控制技术
20、基础知识电源变换和控制技术基础知识25机械工业出版社(2)主要参数主要参数l 漏极电压漏极电压UDSl 漏极直流电流额定值漏极直流电流额定值ID和漏极脉冲电流峰值和漏极脉冲电流峰值IDM l 漏源通态电阻漏源通态电阻RDS(on):在在栅源间施加一定电压(栅源间施加一定电压(101015V15V),漏源间的导),漏源间的导通电阻。通电阻。l 栅源电压栅源电压UGS:栅源之间的绝缘层很薄,当栅源之间的绝缘层很薄,当|U UGSGS|20V|20V时将导致时将导致绝缘层击穿。绝缘层击穿。第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识26机械工业出版社(2)主要参数)主要参数l极间
21、电容极间电容:MOSFETMOSFET的的3 3个电极之间分别存在极个电极之间分别存在极间电容间电容C CGSGS、C CGDGD、C CDSDS。一般生产厂商提供的是。一般生产厂商提供的是漏源极短路时的输入电容漏源极短路时的输入电容C Cississ、共源极输出电、共源极输出电容容C Cossoss和反向转移和反向转移电容电容C Crssrss 。Ciss=CGS+CGD (2-1)Crss=CGD (2-2)Coss=CDS+CGD (2-3)第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识27机械工业出版社4.4.绝缘绝缘栅双极型晶体管栅双极型晶体管IGBTIGBT(1)
22、基本)基本特性:特性:图图2-5 IGBT电路符号图形电路符号图形 静态特性与静态特性与P-MOSFET类似;类似;UGE=0时时IC=0,IGBT处于阻断状态(断态);处于阻断状态(断态);UGE足够大(一般为足够大(一般为515V),),IGBT进入导通状态(通态)进入导通状态(通态),当,当UCE大于一定值(一般大于一定值(一般2V左右)时左右)时IC0。优点:驱动功率小、开关速度高通流能力强、耐压等级高优点:驱动功率小、开关速度高通流能力强、耐压等级高 第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识28机械工业出版社(2)主要参数)主要参数l 最大集射极间电压最大集射
23、极间电压BUCES:该参数决定了器件的最高工作电压,该参数决定了器件的最高工作电压,这是由内部这是由内部PNP晶体管所能承受的击穿电压晶体管所能承受的击穿电压确定的。确定的。l 最大集电极电流最大集电极电流ICM:包括在一定壳温下的额定直流电流包括在一定壳温下的额定直流电流IC和和1ms脉宽最大脉宽最大电流电流ICP。l 最大集电极功耗最大集电极功耗PCM:在正常工作温度下允许的在正常工作温度下允许的最大耗散功率。最大耗散功率。l 集射极间饱和压降集射极间饱和压降UCE(sat):对栅极与发射极(对栅极与发射极(GE)间施加)间施加一定正向电压,在一定的结温及集电极电流条件下,集射极一定正向电
24、压,在一定的结温及集电极电流条件下,集射极(CE)间的饱和通态压降。此压降在集电极电流较小时,)间的饱和通态压降。此压降在集电极电流较小时,呈负温度系数,在电流较大时,为正温度系数,这一特性使呈负温度系数,在电流较大时,为正温度系数,这一特性使IGBT并联运行较为容易。并联运行较为容易。第第2章章 电源变换和控制技术基础知识电源变换和控制技术基础知识29机械工业出版社2.22.2 半导体功率器件的驱动与保护电路半导体功率器件的驱动与保护电路 实际的电力电子变换器是由主电路、驱动器及保护电实际的电力电子变换器是由主电路、驱动器及保护电路、控制电路、检测与显示电路等多个子系统构成。驱动路、控制电路
25、、检测与显示电路等多个子系统构成。驱动器接受控制系统输出的控制信号,经功率放大和隔离后,器接受控制系统输出的控制信号,经功率放大和隔离后,驱动功率开关器件的导通、关断,是连接功率器件与控制驱动功率开关器件的导通、关断,是连接功率器件与控制系统的桥梁。由于半导体功率开关器件种类繁多,不同的系统的桥梁。由于半导体功率开关器件种类繁多,不同的开关器件对驱动器的性能要求不尽相同,典型的驱动器分开关器件对驱动器的性能要求不尽相同,典型的驱动器分为为电流驱动型器件电流驱动型器件和和电压驱动型器件电压驱动型器件的两大类驱动器。电的两大类驱动器。电流驱动型器件主要有流驱动型器件主要有SCR、GTO和和GTR,
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