半导体制程技术课件.ppt
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- 半导体 技术 课件
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1、半導體製程技術碩研電子一甲碩研電子一甲 M9830118 呂鎧伊呂鎧伊IC 製造基本流程製造基本流程單晶塊材成長單晶塊材成長 矽單晶通常以柴氏法或浮區法成長。圖為柴氏法成長單晶示意矽單晶通常以柴氏法或浮區法成長。圖為柴氏法成長單晶示意圖。大致上是將矸鍋中,盛有高純度矽的熔融液圖。大致上是將矸鍋中,盛有高純度矽的熔融液(維持在矽熔點攝氏維持在矽熔點攝氏14141414度以上的高溫度以上的高溫)利用長條狀的晶種與熔液接觸,再緩緩升起。單利用長條狀的晶種與熔液接觸,再緩緩升起。單晶在固體晶種與熔液界面成長。目前矽單晶成長技術已相當成熟,可晶在固體晶種與熔液界面成長。目前矽單晶成長技術已相當成熟,可長
2、成一米長,直徑超過二十公分的龐大晶體。長成一米長,直徑超過二十公分的龐大晶體。純度可達到每十億矽原子中僅含一個雜質原子而晶體中幾乎全無缺陷。純度可達到每十億矽原子中僅含一個雜質原子而晶體中幾乎全無缺陷。Wafer 長成的圓柱形矽晶棒長成的圓柱形矽晶棒首先經切割成晶片。晶片首先經切割成晶片。晶片的厚度選取隨其直徑增加的厚度選取隨其直徑增加而增加,一般約數百微米。而增加,一般約數百微米。切割好的晶片再經機械研切割好的晶片再經機械研磨及化學侵蝕,將表面磨磨及化學侵蝕,將表面磨光平滑如鏡,即成為積體光平滑如鏡,即成為積體電路基底的晶圓。電路基底的晶圓。單晶成長單晶成長磊晶磊晶 磊晶矽薄膜的純度高、缺陷
3、磊晶矽薄膜的純度高、缺陷少、性質佳,但其製程溫度最高、少、性質佳,但其製程溫度最高、難度最高,因此在元件應用上有難度最高,因此在元件應用上有其限制,一般用在積體電路製程其限制,一般用在積體電路製程最前段。複晶矽薄膜則在積體電最前段。複晶矽薄膜則在積體電路中應用極廣,這要歸功於其製路中應用極廣,這要歸功於其製程溫度較低,耐高溫,與二氧化程溫度較低,耐高溫,與二氧化矽界面特性佳,可靠度好,而且矽界面特性佳,可靠度好,而且能均勻覆蓋不平坦的結構。另一能均勻覆蓋不平坦的結構。另一方面,更低溫複晶矽薄膜製程,方面,更低溫複晶矽薄膜製程,則是用在以玻璃為基材的液晶顯則是用在以玻璃為基材的液晶顯示器薄膜電晶
4、體。示器薄膜電晶體。IC 晶圓製造流程晶圓製造流程絕緣層披覆絕緣層披覆氧化氧化 處理晶元的最先步驟,通常為處理晶元的最先步驟,通常為在矽晶上成長二氧化矽絕緣層。二在矽晶上成長二氧化矽絕緣層。二氧化矽可由矽晶在氧化氣氛中加熱氧化矽可由矽晶在氧化氣氛中加熱生成。依需要氧化氣氛可為氧氣或生成。依需要氧化氣氛可為氧氣或水蒸氣。而加熱溫度則在攝氏水蒸氣。而加熱溫度則在攝氏900900一一10001000度間。加熱時間則由所需氧度間。加熱時間則由所需氧化層厚度決定。化層厚度決定。氧化層可用於製成積體電氧化層可用於製成積體電路圖形,摻入電活性雜質之障、保路圖形,摻入電活性雜質之障、保護層及閘極介電質等。在某
5、些製程護層及閘極介電質等。在某些製程中亦用到氮化矽中亦用到氮化矽(Si3N4)(Si3N4)的絕緣層。的絕緣層。氧化矽及氮化矽均可由化學氣相沉氧化矽及氮化矽均可由化學氣相沉積法生成,所需溫度在攝積法生成,所需溫度在攝氏氏250450250450度間。度間。金屬披覆金屬披覆 在積體電路中各電路元件,通在積體電路中各電路元件,通常由導線連絡。這些導線除在接面常由導線連絡。這些導線除在接面地區外,通常與矽晶基底有一絕緣地區外,通常與矽晶基底有一絕緣層間隔。導電層也用於電晶體接觸層間隔。導電層也用於電晶體接觸及金氧半電晶體閘極之電極導體接及金氧半電晶體閘極之電極導體接觸及閘極電極,一般要求導電性好觸及
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