半导体照明课件第12章LED封装技术.ppt

1、第十二章第十二章 LEDLED封装技术封装技术 LED LED器件的设计包括器件的设计包括电学、热学、光学和结构电学、热学、光学和结构设计设计，这四方面是互相关联的，有时还有矛盾，考，这四方面是互相关联的，有时还有矛盾，考虑的原则是以虑的原则是以光学参数光学参数(特别是光通量和光强特别是光通量和光强)为主为主的最佳折中。的最佳折中。这就是半导体发光器件设计的最佳化。这就是半导体发光器件设计的最佳化。一、设计原则一、设计原则 PNPN结发光器件的外量子效率为：结发光器件的外量子效率为：uijex 为电子注入效率，为电子注入效率，为转化为光子的内量子为转化为光子的内量子效率，效率，为取光效率，提高

2、这三个效率就可以为取光效率，提高这三个效率就可以提高器件的外量子效率。提高器件的外量子效率。uji 方法：外延层的载流子浓度不能太少。方法：外延层的载流子浓度不能太少。）注入的少数载流子与多子复合的概率与多子浓度成正比。注入的少数载流子与多子复合的概率与多子浓度成正比。）浓度太低会增加器件串联电阻，增加压降，导致器件过）浓度太低会增加器件串联电阻，增加压降，导致器件过热，增加温升，降低发光效率。热，增加温升，降低发光效率。但浓度太高又会导致俄歇过程这种非辐射复合中心的增但浓度太高又会导致俄歇过程这种非辐射复合中心的增加，并且会增加晶体不完整性，甚至出现杂质沉淀物或各种络加，并且会增加晶体不完整

3、性，甚至出现杂质沉淀物或各种络合物，从而降低发光效率。合物，从而降低发光效率。二、电学设计二、电学设计电学设计问题主要在电学设计问题主要在外延外延和和芯片制作芯片制作时考虑。时考虑。1、提高、提高PN结注入效率结注入效率2、衬底完整性要好。衬底完整性要好。因为较多的缺陷会使外延因为较多的缺陷会使外延层完整性降低，造成非辐射复合中心，严重影层完整性降低，造成非辐射复合中心，严重影响器件的发光效率。响器件的发光效率。二、电学设计二、电学设计热学设计的原则是使器件结构具有热学设计的原则是使器件结构具有低的热阻低的热阻。它不仅与器件的可靠性有关，还直接影响到它不仅与器件的可靠性有关，还直接影响到发光效

4、率，因为一般半导体发光效率均随结温升发光效率，因为一般半导体发光效率均随结温升高而降低。高而降低。三、热学设计三、热学设计1、热阻、热阻(thermal resistance)结构对热功率传输所产生的阻力称为热阻。结构对热功率传输所产生的阻力称为热阻。DTPTR式中式中RT为两点间的热阻，为两点间的热阻，为两点间的温度为两点间的温度差，差，PD为两点间的热功率流。为两点间的热功率流。T表示单位耗散功率所引起的结温升高表示单位耗散功率所引起的结温升高(CW，或，或K/W。)三、热学设计三、热学设计结温结温：是指管芯 PN 结的平均温度，用 TJ 表示。LED结温高低直接影响到LED出光效率、器件

5、寿命、可靠性、发射波长等。是LED器件封装和器件应用设计必须着重解决的核心问题.总热阻为各层热阻之和 热阻：是指反映阻止热量传递能力的综合参量。单位：热阻：是指反映阻止热量传递能力的综合参量。单位：/W导热系数是指在稳定传热条件下，导热系数是指在稳定传热条件下，1m厚的材料，两侧表面的厚的材料，两侧表面的温差为温差为1C,在在1小时内，通过小时内，通过1平方米面积传递的热量，用平方米面积传递的热量，用表表示示(W/m)。SFT-LEDSFT-LED热阻对比表热阻对比表 从上表中我们可以看出，我公司从上表中我们可以看出，我公司LEDLED的热阻远远低于同行的热阻远远低于同行的热阻，这为我公司的热

6、阻，这为我公司LEDLED的高亮度低光衰提供了保障。的高亮度低光衰提供了保障。SLRT 当热量在物体内部以热传导的方式传递时，遇当热量在物体内部以热传导的方式传递时，遇到的热阻称为到的热阻称为结构层热阻结构层热阻(导热热阻导热热阻)。对于热流经。对于热流经过的截面积不变的平板，结构层热阻为过的截面积不变的平板，结构层热阻为其中其中L为平板的厚度，为平板的厚度，S为平板垂直于热流方为平板垂直于热流方向的截面积，向的截面积，为平板材料的热导率。为平板材料的热导率。2、结构层热阻、结构层热阻 RT三、热学设计三、热学设计3、扩展热阻、扩展热阻 当一热流通过一小面积进入无限固体中时，所产生的当一热流通

7、过一小面积进入无限固体中时，所产生的热阻称为热阻称为扩展热阻扩展热阻。它的大小除与其它的大小除与其无限固体的热导率无限固体的热导率有关外，还与有关外，还与接触接触面积面积和和形状形状有关。面积一定时，细长形接触的扩展热阻低有关。面积一定时，细长形接触的扩展热阻低于方形，环形的小于椭圆形的，更小于圆形的。于方形，环形的小于椭圆形的，更小于圆形的。三、热学设计三、热学设计实际器件的热阻包括结的扩展热阻、焊料层的热阻、实际器件的热阻包括结的扩展热阻、焊料层的热阻、引线架的扩展热阻、管壳的热阻和键合热阻。引线架的扩展热阻、管壳的热阻和键合热阻。器件的总温升为各热阻部分引起的温升之和。器件的总温升为各热

8、阻部分引起的温升之和。总热阻总热阻各结构层热阻各结构层热阻扩展热阻扩展热阻4、实际器件的热阻、实际器件的热阻三、热学设计三、热学设计5、降低热阻的措施、降低热阻的措施a、减少各结构层的厚度，采用高热导焊料，降低各、减少各结构层的厚度，采用高热导焊料，降低各结构层的热阻。结构层的热阻。b、采用适当形状的、采用适当形状的PN结或管芯，降低扩展热阻。结或管芯，降低扩展热阻。c、封装时选用高热导的引线架、降低管壳的热阻。、封装时选用高热导的引线架、降低管壳的热阻。d、加大键合面积，降低键合热阻。、加大键合面积，降低键合热阻。三、热学设计三、热学设计光学设计主要是为了获得较高的光学设计主要是为了获得较高

9、的光出射效率光出射效率。VARTAiiiiu4)1(式中，式中，为吸收系数，为吸收系数，V为管芯体积，为管芯体积，Ai为面积，为面积，Ti为透过率，为透过率，Ri为反射率。为反射率。由该式可见，要提高出光效率，就要减少管芯材料的体吸收由该式可见，要提高出光效率，就要减少管芯材料的体吸收和减少欧姆接触对光的吸收，并增大其他界面的透过率。和减少欧姆接触对光的吸收，并增大其他界面的透过率。四、光学设计四、光学设计模型：把管芯看作一个吸收系数为模型：把管芯看作一个吸收系数为 ，体积为，体积为V V的光的光学腔，它被面积为学腔，它被面积为A Ai i的几个面包围。的几个面包围。1、减少体吸收、减少体吸收

10、（1）使材料吸收光谱的能量大于发射光谱的能量。）使材料吸收光谱的能量大于发射光谱的能量。（2）高杂质补偿的）高杂质补偿的III-V族材料中，电发光辐射的能量远族材料中，电发光辐射的能量远低于带隙宽度，吸收系数较非补偿的低低于带隙宽度，吸收系数较非补偿的低n个数量级。个数量级。如高补偿的掺硅砷化镓如高补偿的掺硅砷化镓（GaAs）（3）在出光一侧做成透光性好的）在出光一侧做成透光性好的“窗口窗口”，可大大减少，可大大减少自吸收。自吸收。如，为提高如，为提高AlGaAs器件的出光效率，在出光面生器件的出光效率，在出光面生长一个带隙较宽的层。长一个带隙较宽的层。四、光学设计四、光学设计2、增大表面透过

11、率、增大表面透过率 由于由于LED晶体的折射率比较高，当光线射向晶体内表晶体的折射率比较高，当光线射向晶体内表面时，在晶体和空气的交界面上就要产生折射，容易发生面时，在晶体和空气的交界面上就要产生折射，容易发生全反射。全反射。采用拱形管芯可以增加临界角，调高出光效率。同理，采用拱形管芯可以增加临界角，调高出光效率。同理，在管芯表面涂覆具有中等折射率的介质层或淀积增透膜，在管芯表面涂覆具有中等折射率的介质层或淀积增透膜，可增大临界角减少全反射，提高出光效率。可增大临界角减少全反射，提高出光效率。四、光学设计四、光学设计3、反射器、反射器 采用合适的金属或塑料反射腔结构，可以使下部和侧采用合适的金

12、属或塑料反射腔结构，可以使下部和侧面的光经过反射到达器件前方，从而提高出光效率。面的光经过反射到达器件前方，从而提高出光效率。反射器件结构有抛物面结构、多面体结构等。反射器件结构有抛物面结构、多面体结构等。四、光学设计四、光学设计4、采用透镜控制光强分布、采用透镜控制光强分布 对对LED光强分布的控制有两种方法：光强分布的控制有两种方法：a、采用聚碳酸酯透明塑料制成的不同曲率的透镜，作为、采用聚碳酸酯透明塑料制成的不同曲率的透镜，作为功率功率LED器件的出光端；器件的出光端；b、直接将封装硅树脂采用模具封装成一定曲率的硅树脂、直接将封装硅树脂采用模具封装成一定曲率的硅树脂透镜，以达到各种光强分

13、布的目的。透镜，以达到各种光强分布的目的。四、光学设计四、光学设计 作为指示、显示器件乃至照明光源来说，还必须考虑作为指示、显示器件乃至照明光源来说，还必须考虑到人眼视觉这一主观性很强的因素，它除了不同的视感灵到人眼视觉这一主观性很强的因素，它除了不同的视感灵敏度外，还受视觉分辨能力、光源大小和观察距离敏度外，还受视觉分辨能力、光源大小和观察距离(视距视距)、颜色、反差等因素影响。颜色、反差等因素影响。五、视觉因素五、视觉因素三、三、LED封装的方式的选择封装的方式的选择 LED pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此并不是芯片

14、产生的所有光都可以发射有相同的几率，因此并不是芯片产生的所有光都可以发射出来。射出来。能发射多少光，取决于能发射多少光，取决于半导体材料的质量半导体材料的质量、芯片结构芯片结构、几何形状几何形状、封装内部材料封装内部材料等。等。因此，对因此，对LED封装，要根据封装，要根据LED芯片的大小芯片的大小、功率大功率大小小来选择合适的封装方式。来选择合适的封装方式。四、四、LED封装的发展过程封装的发展过程 LED封装技术的发展分三个阶段，也是封装技术的发展分三个阶段，也是LED器件的器件的功功率、光通量率、光通量、器件结构器件结构发展的三个阶段。发展的三个阶段。1962-1989 年主要是年主要是

15、3和和 5的的LED,用作数码管用作数码管和矩阵管的显示器和矩阵管的显示器驱动电流驱动电流20mA。1990-1999 年发展了大光通量年发展了大光通量LED食人鱼和食人鱼和snap,用用作汽车信号灯、景观照明作汽车信号灯、景观照明驱动电流驱动电流50-150mA。2000年年-至今生产了功率型至今生产了功率型LED,用于照明用于照明驱动电流驱动电流350mA。常规小功率常规小功率LED的封装形式主要有：的封装形式主要有：；n 3.表面贴装式表面贴装式SMD LED；n 4.食人鱼食人鱼Piranha LED。（二）引脚式封装原理（二）引脚式封装原理 顶部包封的环氧树脂做成一定形状，有这样几种

16、作用：顶部包封的环氧树脂做成一定形状，有这样几种作用：保护管芯等不受外界侵蚀；保护管芯等不受外界侵蚀；采用不同的形状和材料性质（掺或不掺散色剂）起采用不同的形状和材料性质（掺或不掺散色剂）起透镜透镜或或漫射透镜漫射透镜功能，控制光的发散角。功能，控制光的发散角。2、平面式封装、平面式封装（一）平面式封装原理（一）平面式封装原理平面式封装平面式封装LED器件是由多个器件是由多个LED芯片组合而成的结芯片组合而成的结构型器件。构型器件。通过通过LED的适当连接（包括串联和并联）和合适的光的适当连接（包括串联和并联）和合适的光学结构，可构成发光显示器的发光段和发光点，然后由这学结构，可构成发光显示器

17、的发光段和发光点，然后由这些发光段和发光点组成各种发光显示器，如数码管、些发光段和发光点组成各种发光显示器，如数码管、“米米”字管、矩阵管等。字管、矩阵管等。2、平面式封装、平面式封装（二）平面式封装结构（二）平面式封装结构3、表贴式封装、表贴式封装（一）表贴式封装原理（一）表贴式封装原理表面贴片表面贴片LED（SMD）是一种新型的表面贴装式半导）是一种新型的表面贴装式半导体发光器件，具有体积小、散射角大、发光均匀性好、可体发光器件，具有体积小、散射角大、发光均匀性好、可靠性高等优点。靠性高等优点。其发光颜色可以是白光在内的各种颜色，可以满足表其发光颜色可以是白光在内的各种颜色，可以满足表面贴

18、装结构的各种电子产品的需要，特别是手机、笔记本面贴装结构的各种电子产品的需要，特别是手机、笔记本电脑。电脑。（二）表贴式封装结构（二）表贴式封装结构4、食人鱼式封装、食人鱼式封装（一）优点（一）优点为什么把着这种为什么把着这种LED称为食人鱼，因为它的形状很像称为食人鱼，因为它的形状很像亚马孙河中的食人鱼亚马孙河中的食人鱼Piranha。食人鱼食人鱼LED产品有很多优点，由于食人鱼产品有很多优点，由于食人鱼LED所用的所用的支架是铜制的，面积较大，因此支架是铜制的，面积较大，因此传热和散热快传热和散热快。LED点亮后，点亮后，pn结产生的热量很快就可以由支架的四结产生的热量很快就可以由支架的四

19、个支脚导出到个支脚导出到PCB的铜带上。的铜带上。（一）优点（一）优点食人鱼食人鱼LEDLED比比3mm3mm、5mm5mm引脚式的管子传热引脚式的管子传热快，从而可以延长器件的使用寿命。快，从而可以延长器件的使用寿命。一般情况下，食人鱼一般情况下，食人鱼LEDLED的热阻会比的热阻会比3mm3mm、5mm5mm管子的热阻小一半，所以很受用户的欢迎。管子的热阻小一半，所以很受用户的欢迎。4、食人鱼式封装、食人鱼式封装（二）结构（二）结构三、功率型封装三、功率型封装 功率型功率型LED是未来半导体照明的核心，大功率是未来半导体照明的核心，大功率LED有有大的耗散功率，大的发热量，大的耗散功率，大

20、的发热量，以及较高的出光效率，长寿命。以及较高的出光效率，长寿命。不能简单地套用传统的小功率不能简单地套用传统的小功率LED,必须在：必须在：封装结构设计；选用材料；选用设备等方面重新考虑，封装结构设计；选用材料；选用设备等方面重新考虑，研究新的封装方法。研究新的封装方法。三、功率型封装三、功率型封装 目前功率型目前功率型LED主要有以下主要有以下6种封装形式：种封装形式：沿袭引脚式沿袭引脚式 LED封装思路的大尺寸环氧树脂封装封装思路的大尺寸环氧树脂封装2 仿食人鱼式环氧树脂封装仿食人鱼式环氧树脂封装三、功率型封装三、功率型封装三、功率型封装三、功率型封装3.铝基板（铝基板（MCPCB）式封

21、装）式封装三、功率型封装三、功率型封装借鉴大功率三极管思路的借鉴大功率三极管思路的TO封装封装三、功率型封装三、功率型封装功率型功率型SMD封装封装五大物料五大物料五大制程五大制程晶片晶片支架支架固晶固晶銀胶銀胶金丝金丝焊线焊线环氧树脂环氧树脂封胶封胶切脚切脚测试测试LED的封装工艺的封装工艺 手工刺片手工刺片 将扩张后将扩张后LED芯片（芯片（或未或未）安置在刺片台的夹具）安置在刺片台的夹具上，上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一芯片一个一个刺到相应的位置上。个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同手工刺

22、片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。自动装架自动装架 自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步骤：骤：n先在先在LEDLED支架上点上银胶（绝缘胶），支架上点上银胶（绝缘胶），n然后用真空吸嘴将然后用真空吸嘴将LEDLED芯片吸起移动位置，芯片吸起移动位置，n再安置在相应的支架位置上。再安置在相应的支架位置上。自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。备的沾胶及安装精度进行调

23、整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LEDLED芯片表芯片表面的损伤，特别是兰、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划面的损伤，特别是兰、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。伤芯片表面的电流扩散层。烧结烧结 烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。进行监控，防止批次性不良。银胶烧结的温度一般控制在银胶烧结的温度一般控制在150，烧结时间，烧结时间2小时。根据实际情况可以调整到小时。根据实际情况可以调整到170，1小时。小时。绝缘胶一般绝缘胶一般150，1小时。小时。银胶烧

24、结烘箱的必须按工艺要求隔银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时（或小时（或1小时）打开更换烧结的产品，中间不得随意打小时）打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。开。烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。压焊压焊 压焊的目的将电极引到压焊的目的将电极引到LED芯片上，完成产品内外引芯片上，完成产品内外引线的连接工作。线的连接工作。LED的压焊工艺有两种：的压焊工艺有两种：n金丝球焊金丝球焊n铝丝压焊铝丝压焊1）铝丝压焊过程：）铝丝压焊过程：n先在先在LED芯片电极上压上第一点，芯片电极上压上第一点，n再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。再将铝丝拉到相应的

25、支架上方，压上第二点后扯断铝丝。2）金丝球焊过程：）金丝球焊过程：在压第一点前先烧个球，其余过程类似。在压第一点前先烧个球，其余过程类似。压焊是压焊是LED封装技术中的封装技术中的关键环节关键环节，工艺上主要需要，工艺上主要需要监控的是压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状，拉力。监控的是压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状，拉力。对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如金对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如金（铝）丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀（钢嘴）选用、（铝）丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀（钢嘴）选用、劈刀（钢嘴）运动轨迹等等。劈刀（钢嘴）运动轨迹等等。点胶封装点胶封装 点胶封装基

26、本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。点胶封装基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选型，选用结合良好的环氧和设计上主要是对材料的选型，选用结合良好的环氧和支架。（一般的支架。（一般的LED无法通过气密性试验）无法通过气密性试验）灌胶封装灌胶封装 灌封的过程是：灌封的过程是：n先在先在LED成型模腔内注入液态环氧，成型模腔内注入液态环氧，n然后插入压焊好的然后插入压焊好的LED支架，放入烘箱让环支架，放入烘箱让环氧固化后，氧固化后，n将将LED从模腔中脱出即成型。从模腔中脱出即成型。模压封装模压封装 将压焊好的将压焊好的LED支架放入模具中，支架放入模具中，将上下两副

27、模具用液压机合模并抽真空，将上下两副模具用液压机合模并抽真空，将固态环氧放入注胶道的入口加热，将固态环氧放入注胶道的入口加热，用液压顶杆压入模具胶道中，用液压顶杆压入模具胶道中，环氧顺着胶道进入各个环氧顺着胶道进入各个LED成型槽中并固化。成型槽中并固化。固化与后固化固化与后固化 后固化是为了让环氧充分固化，同时对后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老化。进行热老化。后固化对于提高环氧与支架（后固化对于提高环氧与支架（PCB）的粘接强度非常重要。）的粘接强度非常重要。一般条件为一般条件为120，4小时。小时。切筋和划片切筋和划片 由于由于LED在生产中是连在一起的（不是单个），在生产

28、中是连在一起的（不是单个），Lamp封封装装LED采用切筋切断采用切筋切断LED支架的连筋。支架的连筋。SMD-LED则是在一片则是在一片PCB板上，需要划片机来完成分离板上，需要划片机来完成分离工作。工作。测试测试 测试测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对时根据客户要求对LED产品进行分选。产品进行分选。（15）包装）包装 将成品进行计数包装。超高亮将成品进行计数包装。超高亮LED需要防需要防静电包装。静电包装。（四）、食人鱼（四）、食人鱼LED封装工艺封装工艺1.选定食人鱼选定食人鱼LED的支架的支架 根据每一个食人鱼管子要放几个根据每一个食人

29、鱼管子要放几个LED芯片，芯片，需要确定食人鱼支架中冲凹下去的碗的形状大需要确定食人鱼支架中冲凹下去的碗的形状大小及深浅。小及深浅。四、食人鱼四、食人鱼LED封装工艺封装工艺2.清洗支架清洗支架3.将将LED芯片固定在支架碗中芯片固定在支架碗中4.经烘干后把经烘干后把LED芯片两极焊好芯片两极焊好5.根据芯片的多少和出光角度的大小，选用相应的模粒。根据芯片的多少和出光角度的大小，选用相应的模粒。食人鱼食人鱼LED封装模粒的形状是多种多样的，有封装模粒的形状是多种多样的，有3mm3mm圆圆头和头和5mm5mm圆头，也有凹型形状和平头形状，根据出光角圆头，也有凹型形状和平头形状，根据出光角度的要求

30、可选择相应的封装模粒。度的要求可选择相应的封装模粒。四、食人鱼四、食人鱼LED封装工艺封装工艺6.在模粒中灌满胶，把焊好在模粒中灌满胶，把焊好LED芯片的食人鱼支架对准模粒芯片的食人鱼支架对准模粒倒插在模粒中。倒插在模粒中。7.待胶干后（用烘箱烘干），脱模即可待胶干后（用烘箱烘干），脱模即可8.然后放到切筋模上把它切下来然后放到切筋模上把它切下来9.接着进行测试和分选。接着进行测试和分选。五、功率型封装五、功率型封装美国美国GREE公司的公司的1W大功率芯片（大功率芯片（L型电极）型电极）封装封装结结构中上下各有一个电极。构中上下各有一个电极。五、功率型封装五、功率型封装五、功率型封装五、功率

31、型封装五、功率型封装五、功率型封装五、功率型封装五、功率型封装五、功率型封装五、功率型封装五、功率型封装五、功率型封装五、功率型封装五、功率型封装五、功率型封装五、功率型封装 光线由一种介质进入另一种介质时，入射光一部分被折光线由一种介质进入另一种介质时，入射光一部分被折射，另一部分被反射。射，另一部分被反射。若光线由光密介质（折射率若光线由光密介质（折射率n1）射向光疏介质（折射率）射向光疏介质（折射率n2），当入射角（），当入射角（i1）大于全反射临界角（大于全反射临界角（ic）时，折射）时，折射光线消失，光线全部被反射。光线消失，光线全部被反射。五、功率型封装五、功率型封装 ic=Sin

32、-1n2/n1 n2 n1，若，若n2与与n1的数值相差越大，则全反射临界角的数值相差越大，则全反射临界角（ic）越小，光线越容易发生全反射现象。）越小，光线越容易发生全反射现象。五、功率型封装五、功率型封装（2）正装的）正装的LED芯片芯片 GaN类正装芯片封装的类正装芯片封装的LED的出光通道折射率变化为：有源层的出光通道折射率变化为：有源层（n=2.4）环氧树脂（环氧树脂（n=1.5）空气（空气（n=1）。）。五、功率型封装五、功率型封装（2）倒装的）倒装的LED芯片芯片 五、功率型封装五、功率型封装（2）倒装的）倒装的LED芯片芯片 GaN类倒装芯片封装的类倒装芯片封装的LED的出光通道折射率变化为：的出光通道折射率变化为：有源层（有源层（n=2.4）蓝宝石（蓝宝石（n=1.8）环氧树脂（环氧树脂（n=1.5）空气（空气（n=1）；）；采用倒装芯片封装的采用倒装芯片封装的LED的出光效率比正装芯片要高。的出光效率比正装芯片要高。