传感器与检测技术课件第七章[1].ppt
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- 传感器 检测 技术 课件 第七
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1、2023-1-171第第7章章 光电式传感器光电式传感器2023-1-172引言引言n光电式传感器是把被测物理量的变化先转换成光电式传感器是把被测物理量的变化先转换成光信号的变化,然后再通过光电转换元件把光光信号的变化,然后再通过光电转换元件把光信号变换成电信号的一种传感器。光电式传感信号变换成电信号的一种传感器。光电式传感器的测量方法灵活多样,并且具有使用方便、器的测量方法灵活多样,并且具有使用方便、非接触、高精度、高分辨力、高可靠性和反应非接触、高精度、高分辨力、高可靠性和反应快等一系列优点,因而发展十分迅速,而且随快等一系列优点,因而发展十分迅速,而且随着激光、光栅、光导纤维、着激光、光
2、栅、光导纤维、CCD等器件的相继等器件的相继问世,光电传感器在检测及自动控制领域中得问世,光电传感器在检测及自动控制领域中得到了更广泛的应用。到了更广泛的应用。2023-1-1737.1.1 光电效应光电效应n所谓光电效应是指在光的照射下一些金所谓光电效应是指在光的照射下一些金属、金属氧化物或半导体材料释放电子属、金属氧化物或半导体材料释放电子的现象。的现象。n光子是具有一定能量的微粒,是以光速光子是具有一定能量的微粒,是以光速运动的粒子流。每一个光子都具有一定运动的粒子流。每一个光子都具有一定的能量,它的能量大小的能量,它的能量大小E与其频率与其频率 成正成正比。比。hchE7.1 光电传感
3、器2023-1-1747.1.1 光电效应光电效应n光电效应分为内光电效应和外光电效应。当光电效应分为内光电效应和外光电效应。当物体在光的作用下所释放的电子没有逸出物物体在光的作用下所释放的电子没有逸出物体表面,而只在物体的内部运动并使物体的体表面,而只在物体的内部运动并使物体的电学特性发生变化的现象叫做内光电效应,电学特性发生变化的现象叫做内光电效应,内光电效应多产生于半导体材料内。内光电效应多产生于半导体材料内。n当物体在光的作用下使物体中的电子从物体当物体在光的作用下使物体中的电子从物体表面逸出的现象,叫做外光电效应,外光电表面逸出的现象,叫做外光电效应,外光电效应多发生于金属或金属氧化
4、物内。效应多发生于金属或金属氧化物内。2023-1-175特点特点n光的波长越短,即频率越高,其光子的光的波长越短,即频率越高,其光子的能量也越大;反之,光的波长越长,其能量也越大;反之,光的波长越长,其光子的能量也就越小。不同颜色的光子光子的能量也就越小。不同颜色的光子由于其光波频率不同其能量也是不同的,由于其光波频率不同其能量也是不同的,绿光光子比红光光子具有更多的能量,绿光光子比红光光子具有更多的能量,照射在物体上可看作是一连串具有能量照射在物体上可看作是一连串具有能量为为E的粒子轰击在物体上。光子与物质间的粒子轰击在物体上。光子与物质间的连接体是电子。的连接体是电子。2023-1-17
5、67.1.2 外光电效应器件外光电效应器件n光电管光电管2023-1-1777.1.2 外光电效应器件外光电效应器件n光电管的伏安特性曲线光电管的伏安特性曲线UA(V))(AI6010002040801234lm1.00.050.02lmlm2023-1-1787.1.2 外光电效应器件外光电效应器件n光电管的光照特性光电管的光照特性银氧铯阴极光电管光通量(lm)04812160.20.40.60.81.0)(AI光电流锑铯阴极光电管2023-1-1797.1.2 外光电效应器件外光电效应器件n光电管的光谱特性曲线光电管的光谱特性曲线2023-1-17107.1.2 外光电效应器件外光电效应器
6、件n光电倍增管光电倍增管2023-1-17117.1.2 外光电效应器件外光电效应器件n光电倍增管的工作原理光电倍增管的工作原理基于外光电效应、二次电子发射和电子光学基础上。在光电基于外光电效应、二次电子发射和电子光学基础上。在光电倍增管的各倍增电极倍增管的各倍增电极D1、D2、D3和阳极上,依次有逐渐增高和阳极上,依次有逐渐增高的正电压,即阴极电位最低,从阴极开始,各个倍增电极的电位的正电压,即阴极电位最低,从阴极开始,各个倍增电极的电位依次升高,阳极电位最高,而且相邻两极之间电压应使二次发射依次升高,阳极电位最高,而且相邻两极之间电压应使二次发射系数大于系数大于1。在入射光作用下,光电阴极
7、发射的光电子在。在入射光作用下,光电阴极发射的光电子在D1电场电场作用下,以高速向倍增电极作用下,以高速向倍增电极D1打去,产生二次发射,于是更多的打去,产生二次发射,于是更多的二次发射电子又在二次发射电子又在D2电场作用下,射向第二倍增电极,激发更多电场作用下,射向第二倍增电极,激发更多的次发射电子,如此下去,一个光电子将激发更多的二次发射电的次发射电子,如此下去,一个光电子将激发更多的二次发射电子,如此不断倍增,最后阳极收集到的电子数将达到阴极发射电子,如此不断倍增,最后阳极收集到的电子数将达到阴极发射电子数的子数的105106倍,即光电倍增管的放大倍数可达到几万倍到几倍,即光电倍增管的放
8、大倍数可达到几万倍到几百万倍。光电倍增管的灵敏度就比普通光电管高几万到几百万倍。百万倍。光电倍增管的灵敏度就比普通光电管高几万到几百万倍。因此,在很微弱的光照下,光电倍增管也能产生很大的光电流因此,在很微弱的光照下,光电倍增管也能产生很大的光电流。2023-1-17127.1.2 外光电效应器件外光电效应器件n光电倍增管的主要参数光电倍增管的主要参数n(1)倍增系数倍增系数M。n(2)光电阴极灵敏度和光电倍增管的总光电阴极灵敏度和光电倍增管的总灵敏度。灵敏度。极间电压(V)251035075100125150104105106放大倍数2023-1-17137.1.3 内光电效应器件内光电效应器
9、件n光电倍增管的主要参数光电倍增管的主要参数n(1)倍增系数)倍增系数M。n(2)光电阴极灵敏度和光电倍增管的总)光电阴极灵敏度和光电倍增管的总灵敏度。灵敏度。极间电压(V)251035075100125150104105106放大倍数2023-1-17141光敏电阻光敏电阻 n光敏电阻又称光导管,是一种均质半导光敏电阻又称光导管,是一种均质半导体光电元件。它具有灵敏度高、光谱响体光电元件。它具有灵敏度高、光谱响应范围宽、体积小、重量轻、机械强度应范围宽、体积小、重量轻、机械强度高、耐冲击、耐振动、抗过载能力强和高、耐冲击、耐振动、抗过载能力强和寿命长等特点寿命长等特点 2023-1-1715
10、(1)光敏电阻的原理和结构。)光敏电阻的原理和结构。n光敏电阻受到光照时,由于内光电效应,因光敏电阻受到光照时,由于内光电效应,因而其导电性能增强而电阻而其导电性能增强而电阻R0值下降,所以流值下降,所以流过负载电阻过负载电阻RL的电流的电流及其两端电压会发生变及其两端电压会发生变化。一般而言,光线越化。一般而言,光线越强,电流越大。当光照强,电流越大。当光照停止时,光电效应会立停止时,光电效应会立即消失,电阻又恢复原即消失,电阻又恢复原值。值。2023-1-1716光敏电阻 当光敏电阻受到光照时,阻值减小。2023-1-1717(2)光敏电阻的基本特性和主要)光敏电阻的基本特性和主要参数。参
11、数。光敏电阻的伏安特性。光敏电阻的伏安特性。光敏电阻的伏安特性光敏电阻的伏安特性 2023-1-1718光敏电阻的频率特性光敏电阻的频率特性光敏电阻的光谱特性光敏电阻的光谱特性。Sr(%)(A)2040608010001.53硫 化 铅硫 化 铊硫 化 镉灵敏度波 长2023-1-1719光敏电阻的频率特性光敏电阻的频率特性暗电阻、亮电阻与光电流。暗电阻、亮电阻与光电流。光敏电阻在受到光照射时的电阻称为亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。在没有受到光照射时的阻值称为暗电阻,此时流过的电流被称为暗电流。10080604020010100100010000S(%)(Hz)硫化镉硫化铅频率灵敏度202
12、3-1-1720光敏电阻的温度特性。光敏电阻的温度特性。1.02.03.04.0020406080100(%)-20+20波长(m)灵敏度2023-1-17212光敏晶体管光敏晶体管 n光敏晶体管包括光敏二极管、光敏三极光敏晶体管包括光敏二极管、光敏三极管、光敏晶闸管,它们的工作原理是基管、光敏晶闸管,它们的工作原理是基于内光电效应。光敏三极管的灵敏度比于内光电效应。光敏三极管的灵敏度比光敏二极管高,但频率特性较差,目前光敏二极管高,但频率特性较差,目前广泛应用于光纤通信、红外线遥控器、广泛应用于光纤通信、红外线遥控器、光电耦合器、控制伺服电机转速的检测、光电耦合器、控制伺服电机转速的检测、光
13、电读出装置等场合。光敏晶闸管主要光电读出装置等场合。光敏晶闸管主要应用于光控开关电路应用于光控开关电路 2023-1-1722(1)光敏晶体管结构与工作原理)光敏晶体管结构与工作原理 n 光敏二极管。光敏二极管。n通常处于反向通常处于反向偏置状态偏置状态。当。当没有光照射时,没有光照射时,其反向电阻很其反向电阻很大,反向电流大,反向电流很小,这种反很小,这种反向电流称为暗向电流称为暗电流。电流。1负极引脚 2管芯 3外壳 4玻璃聚光镜 5正极引脚 6N型衬底 7SiO2保护圈8SiO2透明保护层 9铝引出电极 10P型扩散层 11PN结 12金属引出线2023-1-1723光敏二极管外形 光敏
14、二极管阵列光敏二极管阵列 包含包含1024个个InGaAs元件元件的线性光电二极管阵列,可用的线性光电二极管阵列,可用于分光镜。于分光镜。2023-1-1724红外发射、接收对管外形 红外发射管红外发射管红外接收管红外接收管2023-1-1725 光敏三极管光敏三极管 n集电极电流是原集电极电流是原始光电电流的始光电电流的倍。因此,光敏倍。因此,光敏三极管比光敏二三极管比光敏二极管的灵敏度高极管的灵敏度高许多倍。许多倍。光敏三极管光敏三极管 2023-1-1726光敏三极管外形 2023-1-1727 光敏晶闸管光敏晶闸管 n光敏晶闸管(光敏晶闸管(LCR)又称为光控晶闸管)又称为光控晶闸管
15、n光敏晶闸管的特点是工作电压很高,有光敏晶闸管的特点是工作电压很高,有的可达数百伏,导通电流比光敏三极管的可达数百伏,导通电流比光敏三极管大得多,因此输出功率很大,在自动检大得多,因此输出功率很大,在自动检测控制和日常生活中应用会越来越广泛。测控制和日常生活中应用会越来越广泛。2023-1-1728光敏晶闸管外形光敏面2023-1-1729(2)光敏晶体管的基本特性。)光敏晶体管的基本特性。n 光谱特性。光谱特性。n 相对灵敏度100806040200入射光锗硅波长(m)(%)0.421.61.20.82023-1-1730n 伏安特性伏安特性 2023-1-1731n光敏晶体管的光照特性光敏
16、晶体管的光照特性2023-1-1732n 光敏晶体管的温度特性光敏晶体管的温度特性2023-1-1733n 光敏晶体管的频率特性光敏晶体管的频率特性2023-1-1734.电池电池 n光电池的工作原理是基于光生伏特效应,光电池的工作原理是基于光生伏特效应,当光照射到光电池上时,可以直接输出当光照射到光电池上时,可以直接输出光电流。常用的光电池有两种,一种是光电流。常用的光电池有两种,一种是金属金属半导体型,另一种是半导体型,另一种是PN结型,如结型,如硒光电池、硅光电池、锗光电池等。硒光电池、硅光电池、锗光电池等。2023-1-1735硅光电池的结构及工作原理硅光电池的结构及工作原理 n用导线
17、连接用导线连接P区区和和N区,电路中区,电路中就有电流流过就有电流流过 2023-1-1736光电池外形光敏面光敏面2023-1-1737能提供较大电流的大面积光电池外形2023-1-1738光电池在动力方面的应用(续)光电池在人造卫星上的应用光电池在人造卫星上的应用2023-1-1739典型的光电开关结构典型的光电开关结构 1发光元件 2接收元件 3壳体 4导线 5反射物 6窗体 2023-1-1740 光电开关外形2023-1-1741应用范围应用范围n用光电开关检测物体时,大部分只要求用光电开关检测物体时,大部分只要求其输出信号有其输出信号有“高高低低”之分即可。之分即可。2023-1-
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