半导体器件及应用课件.pptx
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- 半导体器件 应用 课件
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1、总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 共价健共价健 价电子价电子总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 价电子价电子空穴空穴自由电子自由电子总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 空穴空穴硼原子硼原子总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 多余多余电子电子磷原子磷原子在常温下即可变在常温下即可变为自由电子为自由电子失去一个电失去一个电子变为正离子变为正离子子 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回
2、总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回+空穴空穴自由电子自由电子负离子负离子正离子正离子自由电子自由电子空穴空穴内电场内电场总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回PN 结变窄结变窄 P接正、接正、N接负接负 外电场外电场IF内电场内电场PN+总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回+总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 内电场被加内电场被加强,少子的漂强,少子的漂移加强,由于移加强,由于少子数量很少,少子数量很少,形成很小的反形成很小的反向电流。向电流。IR+总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回相当于相当于导体导体相当于相当于导体导体相当于相
3、当于介质介质相当于相当于介质介质相当于相当于存储电荷存储电荷+总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回负极负极正极正极符号符号VDPN正极正极负极负极外壳外壳PN结结二极管的结构示意图二极管的结构示意图下页下页总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回负极引线负极引线正极引线正极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅(c)平面型平面型金属触丝金属触丝正极引线正极引线N型锗片型锗片负极引线负极引线外壳外壳(a )点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅正极引线正极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座负极引线负极引线(b )面接触型面接触型总目录总目录上页上页章目
4、录章目录下页下页返回返回反向击穿反向击穿电压电压U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 操作:操作:、。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 内,内,VD1、VD5导通,导通,U1V1间电压加到负载上。间电压加到负载上。内,内,VD1、VD6导通,导通,U1W1间电压加到负载上。间电压加到负载上。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页
5、返回返回内,内,VD2、VD4导通,导通,V1U1间电压加到负载上。间电压加到负载上。内,内,VD2、VD6导通,导通,V1W1间电压加到负载上。间电压加到负载上。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回VD4起保护作用。当励磁线圈断电时,所产生起保护作用。当励磁线圈断电时,所产生的感应电动势通过的感应电动势通过VD4释放,避免了反电动势叠加在电源释放,避免了反电动势叠加在电源电压上对电压上对VT2、VT3的电压冲击,保证了它们的安全。的电压冲击,保证了它们的安全。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回UIOUZIZIZM UZ IZ总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返
6、回返回ZZ ZIUr总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 当蓄电池电压上升时,稳压管的当蓄电池电压上升时,稳压管的反向电压略有增大,根据反向击穿特性可知,其反向电流反向电压略有增大,根据反向击穿特性可知,其反向电流大大增加。这将引起限流电阻的电流和电压增加,若电阻大大增加。这将引起限流电阻的电流和电压增加,若电阻选择合适,则其电压的增量将抵消掉蓄电池电压的增量,选择合适,则其电压的增量将抵消掉蓄电池电压的增量,使仪表上的电压基本不变。相反,当蓄电池电压减小时,使仪表上的电压基本不变。相反,当蓄电池电压减小时,限流电阻上的电压减小,保证了仪表上的电压基本不变。限流电阻上的电压减小,保
7、证了仪表上的电压基本不变。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回永久磁铁是浮子永久磁铁是浮子舌簧管是静止的舌簧管是静止的总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回NNPBECBECIBIEICBECIBIEIC总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回集电区:集电区:面积最大面积最大总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回
8、返回ICUBBmA ARBIBUCC+mAIERP总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 即管子各电极电压与电流的关系曲线,反映了晶体管的性即管子各电极电压与电流的关系曲线,反映了晶体管的性能,是分析放大电路的依据。能,是分析放大电路的依据。重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线ICUBBmA AVUCEUBERBIBUCCV+输入回路输入回路输出回路输出回路共共发发射射极极电电路路总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回常常数数 CE)(BEBUUfIIB(A)UBE(V)2040
9、60800.40.8UCE 1VO总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回36IC(mA )1234UCE(V)912O放大区放大区常常数数 B)(CECIUfI40 A60 A80 A100 AIB=020 A总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回O深度饱和时,深度饱和时,硅管硅管UCES 0.3V,锗管锗管UCES 0.1V。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回方法方法(1)V7.06.0BE U硅管:硅管:V3.02.0BE U锗管:锗管:总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回(2)判断判断状态状态根据不同状态下的偏置条件进行根据不同状态下的偏置条
10、件进行(a)(b)(c)总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回BCII_ BCII 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回53704051BC.II 400400605132BC .II 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回ICBO A+EC AICEOIB=0+总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回ICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区ICUCEO总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回根据三极管型号的命名方法确定。根据三极管型号的命名方法确定。9011、9013、9014、9016、901
11、8 为为NPN硅管硅管9012、9015 为为PNP硅管硅管总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回第一部分第一部分第二部分第二部分第三部分第三部分第四部分第四部分第五部分第五部分用阿拉伯数用阿拉伯数字表示器件字表示器件的电极数目的电极数目用汉语拼音字母表示用汉语拼音字母表示器件的材料和极性器件的材料和极性用汉语拼音字母用汉语拼音字母表示器件的类别表示器件的类别用阿拉伯用阿拉伯数字表示数字表示序号序号 用汉语拼用汉语拼音字母表音字母表示规格号示规格号符符号号意义意义符符号号意义意义符符号号意义意义3 3三极管三极管A AB BC CD DE EPNPPNP型锗材料型锗材料NPNNPN型
12、锗材料型锗材料PNPPNP型硅材料型硅材料NPNNPN型硅材料型硅材料化合物化合物X XG GD DA AT TU UK KGSGS低频小功率管低频小功率管高频小功率管高频小功率管低频大功率管低频大功率管高频大功率管高频大功率管晶闸管晶闸管光电管光电管开关管开关管场效应管场效应管如:如:130 130 如:如:B B总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回管脚向上,它们组成半圆位于上部,按顺时管脚向上,它们组成半圆位于上部,按顺时针方向依次为针方向依次为ebc。头在上,平面向自己,左起头在上,平面向自己,左起ebc。电极靠近孔,左起电极靠近孔,左起ecb。其中。其中c是金属是金属外壳。
13、外壳。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回UCCRBUBBRCC1C2VT+RL+ui+uo+uBEuCEiCiBiE总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回UCCRBUBBRCC1C2VT+RL+ui+uo+uBEuCEiCiBiE总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回+UCCRBRCC1C2VT+RLui+uo+uBE+uCEiCiBiEUCCRBUBBRCC1C2V
14、T+RL+ui+uo+uBEuCEiCiBiE总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回名称名称总电流或总电流或总电压总电压直流量直流量(静态值)(静态值)交流量交流量基本关系式基本关系式瞬时值瞬时值有效值有效值基极电流基极电流iBIBibIbiB=IB+ib集电极电流集电极电流iCICicIciC=IC+ic基基-射电压射电压uBEUBEubeUbeuBE=UBE+ube集集-射电压射电压uCEUCEuceUceuCE=UCE+uce总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回+UCCRBRCC1C2VT+RLui+uo+uBE+uCEiCiBiE uo=0uBEtOiBtOiCt
15、OuCEtOUBEIBICUCE无输入信号无输入信号(ui=0)时时:总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回ICUCEOIBUBEO静态工作点对应的各静态工作点对应的各直流电流和电压也称为静态值。直流电流和电压也称为静态值。QIBUBEQUCEIC总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回+UCCRBRCC1C2VT+RLui+uo+uBE+uCEiCiBiEUBEIB uCE=UCC iC RC ICuBEtOiCtOuCEtOuitOUCEuotOiBtO有输入信号有输入信号(ui 0)时时:总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回UBEIBICuBEtOiCtOu
16、CEtOuitOUCEuotOiBtO总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 iou UUA总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回ioiouUUuuA ioiIIA总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 ioioiIIiiA iuiiooiopAAIUIUPPA 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 iiiiiiiIUiuIUr 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回LooooRUUUr oU oU输出电阻是描述放大电路带负载能力的一项技术指标。输出电阻是描述放大电路带负载能力的一项技术指标。通通常放大电路的输出电阻越小越好常放大电路的输出电
17、阻越小越好。LoLooRrRUU 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 00100 uomPP 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回信号的输入和输出信号的输入和输出回路都以发射极为公回路都以发射极为公共端共端,故称为共发射故称为共发射极电路。极电路。电路的电路的信号由基极信号由基极输入,由集电极取出输入,由集电极取出+UCCRBRCC1C2VT+RLui+uo+uBE+uCEiCiBiE短路短路短路短路对地短路对地短路uiuORBRCRL+总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录
18、下页下页返回返回ibeiouuuu EECCUU 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回ui1=-ui2ui1=ui2 ,理想情况,理想情况下的共模放大倍数下的共模放大倍数0 icoccuuA;总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回较大较大idodduuA cdCMRRAAK CMRRK 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回。总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回VT2 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回总目录总目录上页上页章目录章目录下页
19、下页返回返回无光照无光照光照增强光照增强 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回dvSft 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回 总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回总目录总目录上页上页章目录章目录下页下页返回返回热敏电阻热敏电阻是半导体元件,它是是半导体元件,它是将锰、镍将锰、镍、钴、铜和钛等金属氧化物按一定比例、钴、铜和钛等金属氧化物按一定比例混合后压制成型,在高温(混合后压制成型,在高温(1000oC左右左右)
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