光刻胶的分类与效果课件.pptx
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1、 LED光刻及相关工艺技术光刻及相关工艺技术1.光刻工艺中的基本知识光刻工艺中的基本知识2.光刻工艺中的常用技术光刻工艺中的常用技术 (1).光刻胶的热特性及其重要性光刻胶的热特性及其重要性 (2).金属剥离技术金属剥离技术-Lift-off metal和和P.R的厚度比的厚度比;P.R的断面形状的断面形状;底层金属底层金属的粘付性的粘付性;溶胶法和蓝膜粘离法溶胶法和蓝膜粘离法;EB设备设备.(3).半球形胶面的制备及应用半球形胶面的制备及应用 (4).底胶的去除问题底胶的去除问题 (5).其它其它 3.与光刻工艺相关的其它技术与光刻工艺相关的其它技术1.图相转移技术(光刻)的基本知识:图相转
2、移技术(光刻)的基本知识:n光源光源:汞灯:汞灯:e线线546nm h线线406nm g线线436nm i线线365nm UV248nm EB埃量级埃量级最小特征尺寸:最小特征尺寸:LK1 NA (波长),(波长),NA(透镜的数值孔径)(透镜的数值孔径)K1 与工艺参数有关与工艺参数有关(一般取一般取0.75)*要注意光刻胶所要求的要注意光刻胶所要求的 光源波长光源波长;短波长适用于短波长适用于 小尺寸小尺寸.nNA(数值孔径):(数值孔径):对于一个理想的镜头系统,图像的质量仅仅受到由对于一个理想的镜头系统,图像的质量仅仅受到由于于NA的大小有限而造成衍射光不能通过镜头。的大小有限而造成衍
3、射光不能通过镜头。透镜收集衍射光并把这些衍射光会聚到一点成像的能力用透镜收集衍射光并把这些衍射光会聚到一点成像的能力用数值孔径来表示。数值孔径来表示。NA(n)透镜的半径透镜的半径透镜的焦长透镜的焦长 显然显然,NA越大越大,越短,越可以得到更小的特征尺寸。越短,越可以得到更小的特征尺寸。分辨率界限内的图象传递分辨率界限内的图象传递入射到掩膜版上的紫外线入射到掩膜版上的紫外线掩膜版掩膜版版上图形版上图形光学系统光学系统理想传递理想传递实际传递实际传递晶片位置晶片位置(任意单位)入射光强度图形转移过程图形转移过程消衍射光学系统消衍射光学系统:衍射可引起转移尺寸的变化衍射可引起转移尺寸的变化*要选
4、择好合适的光照时间要选择好合适的光照时间溶剂溶剂光刻胶光刻胶染剂染剂附加剂附加剂光敏剂光敏剂树脂树脂光刻胶的成分:光刻胶的成分:光刻胶与掩膜版光刻胶与掩膜版 负性胶负性胶 正性胶正性胶 反转胶反转胶:通过两次光照通过两次光照,用负胶版得到正胶用负胶版得到正胶版的图形版的图形,解决正胶版难对版的问题解决正胶版难对版的问题,但价但价格太贵格太贵.匀胶匀胶:匀胶机匀胶机Spinner;要控制涂胶量要控制涂胶量,实际上转数一定滴胶量不同胶厚不同。边实际上转数一定滴胶量不同胶厚不同。边沿偏厚。沿偏厚。外力外力光刻胶光刻胶晶片晶片溶剂蒸发溶剂蒸发光刻胶旋转光刻胶旋转i加热底盘加热底盘最终厚度最终厚度蒸发后
5、的蒸发后的溶剂溶剂保留的固态物(固含量或留膜率)保留的固态物(固含量或留膜率)烘胶烘胶:Hot plate温度梯度不同温度梯度不同-烘箱烘箱 (影响胶的状态)(影响胶的状态)光刻工艺的光刻工艺的:光刻设备简介光刻设备简介n匀胶机匀胶机 spinnern热板或烘箱热板或烘箱 Hot Plate or Ovenn光刻机光刻机 Alignern去胶机去胶机 Plasma Asher and stripper匀胶机Spinner和Hot plate仪器名称:匀胶机仪器名称:匀胶机制制 造造 厂:德国厂:德国Karl Suss型号规格:型号规格:Delta80T2主要技术指标:主要技术指标:Gyrset
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