6第三节-核磁共振课件.ppt
- 【下载声明】
1. 本站全部试题类文档,若标题没写含答案,则无答案;标题注明含答案的文档,主观题也可能无答案。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
2. 本站全部PPT文档均不含视频和音频,PPT中出现的音频或视频标识(或文字)仅表示流程,实际无音频或视频文件。请谨慎下单,一旦售出,不予退换。
3. 本页资料《6第三节-核磁共振课件.ppt》由用户(晟晟文业)主动上传,其收益全归该用户。163文库仅提供信息存储空间,仅对该用户上传内容的表现方式做保护处理,对上传内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知163文库(点击联系客服),我们立即给予删除!
4. 请根据预览情况,自愿下载本文。本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
5. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007及以上版本和PDF阅读器,压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 三节 核磁共振 课件
- 资源描述:
-
1、exit 1.原子核的自旋原子核的自旋 核象电子一样,也有自旋现象,从而有自旋角动量。核象电子一样,也有自旋现象,从而有自旋角动量。核的自旋角动量核的自旋角动量()是量子化的,不能任意取值,可是量子化的,不能任意取值,可用自旋量子数用自旋量子数(I)来描述来描述.取向数取向数=2 I+1 2.自旋核在外加磁场中的取向自旋核在外加磁场中的取向 在没有外加磁场时,自旋核的取向是任意的在没有外加磁场时,自旋核的取向是任意的即即:H H核核在在外外场场有有两两个个自自旋旋方方向向相相反反的的取取向向。H H 核核:自自旋旋取取向向数数 =2 21 1/2 2 +1 1 =2 2H H0 01 1H H
2、 H H 一一 致致相相 反反=H H0 02 2E E=h h=H H0 02 2h hE E=h hH H0 0H H H H m ms s=_ _1 1/2 2m ms s=1 1/2 2+高高能能态态低低能能态态外外 场场磁磁旋旋比比(物物质质的的特特征征常常数数)每一个取向都代表一个能级状态每一个取向都代表一个能级状态E一一 基本原理基本原理 让处于外磁场(让处于外磁场(Ho)中的自旋核接受一定频率的电磁波)中的自旋核接受一定频率的电磁波辐射(辐射(射射),当辐射的能量恰好等于自旋核两种不同取向的),当辐射的能量恰好等于自旋核两种不同取向的能量差时,处于低能态的自旋核吸收电磁辐射能跃
3、迁到高能能量差时,处于低能态的自旋核吸收电磁辐射能跃迁到高能态,态,这种现象称为核磁共振。这种现象称为核磁共振。Ho2 -磁旋比磁旋比,物质的特征常数物质的特征常数 射射=E=h 射射=Ho2 0 0H H0 0低低 场场高高 场场吸吸收收能能量量信信号号二二 1HNMR谱图的组成谱图的组成化化 学学 位位 移移 一组组的峰一组组的峰 积分曲线积分曲线偶合常数偶合常数(一)(一)化学位移化学位移(1)定义:在照射频率确定时,同种核因在分子中的)定义:在照射频率确定时,同种核因在分子中的化学环境不同而在不同共振磁场强度下显示吸收峰的现化学环境不同而在不同共振磁场强度下显示吸收峰的现象称为象称为化
4、学位移。化学位移。射射=Ho2 射射=自旋进动自旋进动=(Ho+H感应感应)H有效有效2 2 H核在分子中核在分子中是被价电子所包围是被价电子所包围的,在的,在外加磁场作用下,外加磁场作用下,由于核外电子在由于核外电子在垂直于外加磁场的平面绕核旋转,从垂直于外加磁场的平面绕核旋转,从而而产生与外加磁场产生与外加磁场方向相反方向相反的感应磁场的感应磁场H。这样,这样,H核的实际感受到的磁场强度为:核的实际感受到的磁场强度为:)1(H0000HHHHH实为屏蔽常数为屏蔽常数 核外电子对核外电子对H核核产生的这种作用,称为产生的这种作用,称为屏蔽效应屏蔽效应。显然,显然,核外电子云密度越大,核外电子
5、云密度越大,屏蔽效应屏蔽效应越强,越强,要发要发生共振吸收就势必增加外加磁场强度,共振信号将移向生共振吸收就势必增加外加磁场强度,共振信号将移向高场区;反之,共振信号将移向低场区。高场区;反之,共振信号将移向低场区。H0低场高场屏蔽效应,共振信号移向高场屏蔽效应,共振信号移向低场去因此,因此,H核磁共振的条件核磁共振的条件是:是:)(实1220HH(2)化学位移化学位移表示方法表示方法以四甲基硅(以四甲基硅(TMS)为标准物质,规定:它的化学)为标准物质,规定:它的化学位移为零,然后,根据其它吸收峰与零点的相对距离位移为零,然后,根据其它吸收峰与零点的相对距离来确定它们的化学位移值。来确定它们
6、的化学位移值。零点零点-1-2-31234566789 化学位移用化学位移用 表示,以前也用表示,以前也用 表示,表示,与与 的关系为:的关系为:=10-TMS低场低场高场高场化学位移是由核外电子的屏蔽效应引起的化学位移是由核外电子的屏蔽效应引起的为什么选用为什么选用TMS(四甲基硅烷四甲基硅烷)作为作为标准物质标准物质?(1)屏蔽效应强,共振信号在高场区屏蔽效应强,共振信号在高场区(值规定为值规定为0),绝大多数吸收峰均出现在它的左边。绝大多数吸收峰均出现在它的左边。(2)结构对称,是一个单峰。结构对称,是一个单峰。(3)容易回收容易回收(b.p低低),与样品不反应、不缔合。,与样品不反应、
7、不缔合。6010TMS试样化学位移试样的共振频率标准物质TMS的共振频率 (1)电负性的影响:电负性的影响:元素的元素的电负性电负性,通过诱导效应,使,通过诱导效应,使H核的核的核外电子核外电子云密度云密度,屏蔽效应,屏蔽效应,共振信号共振信号低场。低场。例如:例如:C CC CH Hb bH Ha aI I屏屏蔽蔽效效应应:H Hb bH Ha a高高 场场低低 场场(3)影响化学位移的因素)影响化学位移的因素(2)磁各向异性效应:磁各向异性效应:A.双键碳上的质子双键碳上的质子 烯烃双键碳上的烯烃双键碳上的质子位于质子位于键环流电子产生的键环流电子产生的感应感应磁场与外加磁场方向一致的区域
8、磁场与外加磁场方向一致的区域(称为去屏蔽区),(称为去屏蔽区),去去屏蔽效应的结果,使烯烃双键碳上的屏蔽效应的结果,使烯烃双键碳上的质子质子的的共振信号移共振信号移向稍低的磁场区,向稍低的磁场区,其其 =4.5=4.55.75.7。同理,同理,羰基碳上的羰基碳上的H质子质子与烯烃双键碳上的与烯烃双键碳上的H质子质子相似,也是相似,也是处于去屏蔽区,处于去屏蔽区,存在去屏蔽效应,但因氧原存在去屏蔽效应,但因氧原子电负性的影响较大,所以,羰基碳上的子电负性的影响较大,所以,羰基碳上的H质子的质子的共振共振信号出现在更低的磁场区,信号出现在更低的磁场区,其其=9.410。B.三键碳上的质子:三键碳上
9、的质子:碳碳三键是直线构型,碳碳三键是直线构型,电子云围绕碳碳电子云围绕碳碳键呈筒型分键呈筒型分布,形成环电流,它所产生的布,形成环电流,它所产生的感应磁场与外加磁场方向相反,感应磁场与外加磁场方向相反,三键上的三键上的H质子质子处于屏蔽区,处于屏蔽区,屏蔽效应较强,屏蔽效应较强,使三键上使三键上H质质子的子的共振信号移向较高的磁场共振信号移向较高的磁场区,区,其其=2=23 3。C.苯环碳上的质子:苯环碳上的质子:苯环碳上的质子处于去屏蔽区,苯环碳上的质子处于去屏蔽区,其共振信号出现在低的磁场区,其共振信号出现在低的磁场区,其其=68.5.(3)特征质子的化学位移值)特征质子的化学位移值10
10、2345678910111213C3CH C2CH2 C-CH3环烷烃环烷烃0.21.5CH2Ar CH2NR2 CH2S C CH CH2C=O CH2=CH-CH31.73CH2F CH2Cl CH2Br CH2I CH2O CH2NO224.70.5(1)5.568.510.512CHCl3(7.26)4.65.9910OH NH2 NHCR2=CH-RRCOOHRCHOHR常用溶剂的质子常用溶剂的质子的化学位移值的化学位移值D(二)(二)积分曲线积分曲线吸收峰的峰面积吸收峰的峰面积的大小与质子数目成正比的大小与质子数目成正比,峰面积比即峰面积比即为不同类型质子数目的相对比值为不同类型质
11、子数目的相对比值.用自动积分仪对峰面积用自动积分仪对峰面积进行自动积分,可画出一个阶梯式的积分曲线进行自动积分,可画出一个阶梯式的积分曲线.4 4c cm m(2 2H H)8 8c cm m(4 4H H)2 2c cm m(1 1H H)1 14 4c cm m(7 7H H)一个化合物究竟有几组吸收峰,一个化合物究竟有几组吸收峰,取决于分子中取决于分子中H核核的化学环境的化学环境.有几种不同类型的有几种不同类型的H核,就有几组吸收峰核,就有几组吸收峰.例如:例如:C CH H3 3C CH H2 2O OH Ha ab bc c屏屏蔽蔽效效应应:H Ha aH Hb bH Hc cH H
12、a aH Hb bH Hc c 低分辨率谱图低分辨率谱图(三)共振吸收峰三)共振吸收峰 在高分辨率核磁共振谱仪测定在高分辨率核磁共振谱仪测定CH3CH2I 或或CH3CH2OH时时CH3和和CH2的共振吸收峰都不是单峰,的共振吸收峰都不是单峰,(四)自旋偶合与自旋裂分(四)自旋偶合与自旋裂分而是多重峰而是多重峰.产生的原因:产生的原因:相邻的相邻的(磁不等性磁不等性)H核核自旋自旋相互作用的结果。相互作用的结果。这种这种原子核之原子核之间的相互作用,叫做自旋偶合间的相互作用,叫做自旋偶合.由由自旋偶合引起的自旋偶合引起的谱线增多谱线增多的现象,叫做自旋裂分的现象,叫做自旋裂分.C CH Ha
展开阅读全文