半导体清洗设备介绍课件.pptx

1、 半导体清洗设备介绍半导体清洗设备介绍 半导体清洗设备介绍半导体清洗设备介绍半导体清洗设备介绍半导体清洗设备介绍半导体清洗设备介绍半导体清洗设备介绍 本体清洗槽管路系统气路系统 在线加热系统恒温系统 循环过滤系统照明控制系统 排风系统安全警示安全保护装置 设备构造设备构造设备构造设备构造设备构造设备构造设备构造设备构造设备构造设备构造常用材料常用材料n聚丙烯 PP 100 n聚氯乙烯 PVC 60 n铁氟龙 PTFE 260 n聚偏二氟乙烯 PVDF 140 n聚乙烯 PE 60 n石英 n全氟烷氧基化合物 PFA 260 硅片清洗液硅片清洗液序号 名称 配方 工作温度 作用 1 SPM清洗

2、H2SO4:H2O2=4:1 110C-130C 去除光阻、颗粒及金属离子 2 SC-1清洗 NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5 70C-90C 去除有机污(APM)物、颗粒 及金属离子 3 SC-2清洗 HCL:H2O2:H2O=1:1:6 70C-90C 去除有机污染(HPM)物、颗粒及金属离子 4 DIO3清洗 O3:H2O 低温下 去除有机污染物、颗粒及 金属离子 5 DHF清洗 HF（1%）22 去除氧化物、金属以及深度腐蚀 6 SOM清洗 H2SO4:O3=4:1 110C-130C 去除光阻、颗粒及金属离子 硅片的腐蚀（蚀刻）硅片的腐蚀（蚀刻）序号 名称 工作温度 作用 1

3、 BHF HF:NH4OH:H2O 22 二氧化硅蚀刻 2 BOE HF:NH4F:/1:200400 22 二氧化硅蚀刻 3 ACID Etch HNO3/CH3COOH/H2O(1:1:20)常温 铜（Cu）（用于 多晶硅的蚀刻）4 Organic acids NH4OH/H2O,H3PO4/H2O2 常温 GaAs蚀刻（用于 多晶硅的蚀刻）5 Organic acids H3PO4/HNO3/CH3COOH 160 Mo蚀刻（用于多 晶硅的蚀刻）6 Organic acids Ce(NH4)2(NO3)6/HNO3或HclO4 常温 Cr蚀刻（用于多晶 硅的蚀刻）影响清洗效果的因素影响清

4、洗效果的因素 清洗液清洗液 洁净度洁净度/浓度浓度/配比配比/温度温度 前道工序前道工序 设备材料设备材料/洁净度洁净度/环境洁净度环境洁净度/传递过程传递过程 其中刻蚀精度与控温精度及均匀性有关其中刻蚀精度与控温精度及均匀性有关完备的生产加工能力钣金加工中心机械加工中心塑料加工中心电器控制要求电器控制要求n 电器元件与操作空间要隔离,不得与化学氛围相接触.且应充氮气以防腐蚀.n 在化学氛围中的控制需采用气动方式.n 在有易燃易爆化学品时,一定要选用防爆器件.安全事项安全事项n 电器部分电器部分n 自动控制中各功能的互锁性自动控制中各功能的互锁性n 加热的温度保护加热的温度保护n 材料的合理选

5、择材料的合理选择n 局部易燃区应用防火材料局部易燃区应用防火材料n 排风量的监测排风量的监测n 安全警示安全警示生产环境要求生产环境要求 洁净厂房 包装运输 包装的洁净、可靠，运输平稳 化学操作台化学操作台设备型号：设备型号：SDX-5825SDX-5825设备总体尺寸设备总体尺寸:1900:19001100110019001900 设备型号：设备型号：SDX-5A25SDX-5A25设备总体尺寸设备总体尺寸:2700:27001100110019001900 谢 谢设备构造设备构造设备构造设备构造硅片清洗液硅片清洗液序号 名称 配方 工作温度 作用 1 SPM清洗 H2SO4:H2O2=4:

6、1 110C-130C 去除光阻、颗粒及金属离子 2 SC-1清洗 NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5 70C-90C 去除有机污(APM)物、颗粒 及金属离子 3 SC-2清洗 HCL:H2O2:H2O=1:1:6 70C-90C 去除有机污染(HPM)物、颗粒及金属离子 4 DIO3清洗 O3:H2O 低温下 去除有机污染物、颗粒及 金属离子 5 DHF清洗 HF（1%）22 去除氧化物、金属以及深度腐蚀 6 SOM清洗 H2SO4:O3=4:1 110C-130C 去除光阻、颗粒及金属离子 安全事项安全事项n 电器部分电器部分n 自动控制中各功能的互锁性自动控制中各功能的互锁性n 加热的温度保护加热的温度保护n 材料的合理选择材料的合理选择n 局部易燃区应用防火材料局部易燃区应用防火材料n 排风量的监测排风量的监测n 安全警示安全警示安全事项安全事项n 电器部分电器部分n 自动控制中各功能的互锁性自动控制中各功能的互锁性n 加热的温度保护加热的温度保护n 材料的合理选择材料的合理选择n 局部易燃区应用防火材料局部易燃区应用防火材料n 排风量的监测排风量的监测n 安全警示安全警示