LED显示器参考资料课件.ppt
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1、1 4.1 发光二极管基本知识 半导体光源的物理基础 发光二极管的结构 发光二极管的驱动 发光二极管的特点及应用 4.2 发光二极管显示器件 LED显示设备的显示原理 LED显示设备的扫描驱动电路 LED显示设备的技术指标 4.3 量子点LED第第4章章 发光二极管显示技术及设备发光二极管显示技术及设备12022-12-14222022-12-14332022-12-14442022-12-145LED显示屏组成 LED显示屏:是通过一定控制方式,由LED器件阵列组成的显示屏幕。LED模块:组成LED显示屏的独立单元,由若干像素组成。LED像素:组成LED显示屏的最小成像单元。52022-12
2、-1464.1 发光二极管基本知识发光二极管基本知识 4.1.1 半导体光源的物理基础半导体光源的物理基础 LED,Light Emitting Diode,依靠半导体载流子(空穴、电子)复合发光的二极管器件 LED发展史 LED相关半导体材料的研究 1923,发现SiC单晶注入型发光现象俄 1952,发现Ge,Si的P-N结发光现象美 1954,发现GaP的发光现象美 1964,发现GaAs的发光现象美62022-12-147LED发展史 中低亮度的红、绿色LED 1966,红色GaAsP LED,发光效率0.1lm/W 1974,绿色GaP:N LED,发光效率1lm/W 1982,红色A
3、lGaInP LED,发光效率2lm/W 主要用于电器仪表的指示灯72022-12-148LED发展史 高亮度的红、绿、蓝全色LED 1990,红、橙色LED发光效率10lm/W 1991,发明GaN基蓝色LED日 1994,InGaN基蓝色LED发光效率 3lm/W,1999,7lm/W 1994,InGaN基绿色LED发光效率 7lm/W,1999,25lm/W 2000,全彩色LED户外大画面显示屏大量使用,并进入照明领域82022-12-14992022-12-1410102022-12-14112014 诺贝尔物理学奖 官方获奖理由 for the invention of effi
4、cient blue light-emitting diodes which has enabled bright and energy-saving white light sources112022-12-1412LED发光的基本原理 电子能带间跃迁复合发光 能带理论简要介绍 单个原子,带正电原子核环绕带负电的电子,不同电子具有特定的波函数,对应不同的能级。多个原子相互作用,使电子的能级(主要是外层价电子)分裂。当大量(数量级为1020或更多)的原子周期性排列形成固体时,能级分裂成能量的差别变的非常小的能级带(能带)。122022-12-1413能带理论简要介绍 能带内的电子可以连续存在,
5、能带之间不会有电子存在。较高能量的区域为填满电子的能带称为导导带带,较低能量的区域填满电子的能带称为价带价带。导带和价带之间就是禁带禁带。带隙带隙:也叫能隙能隙,导带最低点和价带最高点的能量之差。132022-12-1414 能隙决定导电性 金属能隙很小,有的价带与传导带之间重合,电子可以在导带自由移动。绝缘体的能隙很大(9eV),电子难以从价带跃迁至传导带。导体的能隙在两者之间,可以通过激发的方式让电子从价带跃迁至导带。导带电子返回价带,就释放出多余的能量,电子跃迁。142022-12-1415掺杂半导体 没有杂质、没有缺陷的半导体:本征半导体 本征半导体掺杂多(少)电子材料,形成n(p)型
6、半导体 Si,掺P,n型;掺B,p型 GaN,掺Mg,p型;掺Si,n型 费米能级Ef 电子为费米子,遵循费米-狄拉克分布 Ef:绝对零度下电子所能占据的最高能级 本征半导体,Ef位于能隙正中间,Ei p型半导体,掺杂浓度,Efp,接近价带顶部 n型半导体,掺杂浓度,Efn,接近导带底部p,n半导体未接触时的能带图半导体未接触时的能带图152022-12-1416半导体pn结 p型、n型半导体接触。电子从n区向p区扩散,空穴从p区向n区扩散。pn结界面,靠n区带正电,靠p区带负电,pn结内建电场,载流子定向漂移。扩散和漂移达到平衡,n区、p区费米能级拉平。导带和价带弯曲。p,n结未加电场时的平
7、衡能带图结未加电场时的平衡能带图162022-12-1417有效发光的条件 外加电场完全消除电子和空穴注入的势垒,并提供电子空穴复合场所 EfnEc,注入电子 EfpEc-Ev=EgUth=Eg/q0:理想阈值电压p,n结加电场时的平衡能带图结加电场时的平衡能带图172022-12-1418同质结 用同一种材料制作的p型和n型半导体构成的pn结。最早的LED pn结,没有很大的势垒,电子和空穴扩散到对向电极。相遇复合发光的概率很低。p,n结加电场时的平衡能带图结加电场时的平衡能带图182022-12-1419单异质结 由两种具有不同能隙宽度的半导体构成的PN结 异质结中电子和空穴的势垒高度不同
8、,交接面的两边形成的内建场不连续单异质结不加电场时的平衡能带图单异质结不加电场时的平衡能带图192022-12-1420 在正向注入时电子流和空穴流不相等,形成一种载流子为主的注入方式。窄能隙材料的一侧势垒高,宽能隙材料的一侧势垒低。载流子在一侧顺利通过,不被吸收,称为注入区。在另一侧受限制,发生复合发光,称为发光区。p-GaAs能隙小于n-GaAlAs能隙,主要注入载流子为电子,n型GaAlAs为注入区,p型GaAs为发光区。单异质结加电场时的平衡能带图单异质结加电场时的平衡能带图202022-12-1421双异质结 三层p-i-n结构。中间层为直接能隙发光材料,能隙较窄,称为有源层。两侧为
9、n型和p型半导体,能隙较宽,称为包层或束缚层。载流子注入 正电压降低p-i和i-n势垒,使得电子从n区、空穴从p区注入到有源层 载流子复合 载流子被限制在有源层内,直接复合发光p-i-n加正向电压时的能带图加正向电压时的能带图212022-12-1422LED典型结构及材料要求 发光材料:禁带宽度与跃迁发光波长匹配:Eg=h=hc/Eg(eV)=1240/(nm)载流子注入和传输材料 从电极注入的载流子(电子、空穴)能顺利的到达发光区域 高纯度的单晶薄膜 电极材料 提供载流子,并与LED半导体能级匹配。222022-12-1423直接带隙和间接带隙232022-12-1424LED材料元素周期
10、表,最左边IA族,除氢以外良导体;最右边VIII族,稳定惰性气体。中部IV族半导体,Ge,Si,间接能隙。LED采用化合物半导体,III-V族化合物半导体。IV化合物SiC,蓝光LED,目前被GaN基材料取代。242022-12-1425 晶片的发光颜色取决于波长(),常见可见光的分类大致为:暗红色(700nm)、深红色(640-660nm)、桔红色(615-635nm)、琥珀色(600-610nm)、黄色(580-595nm)、黄绿色(565-575nm)、纯绿色(500-540nm)、蓝色(435-490nm)、紫色(380-430nm)。白光和粉红光是一种光的混合效果。最常见的是由蓝光+
11、黄色荧光粉和蓝光+红色荧光粉混合而成。晶片的组成:晶片是采用磷化镓(GaP)、镓铝砷(GaAlAs)或砷化镓(GaAs)、氮化镓GaN)等材料组成,其内部结构具有单向导电性。LED的正向压降与其光色有关:红、绿、黄通常为1.4-2.6V,而白光LED的正向压降为3-4.2V252022-12-1426262022-12-1427发光二极管的结构发光二极管的结构 LED的核心是一个半导体的PN结晶片,LED是一种固态的半导体器件,PN结晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端是正极,整个晶片被环氧树脂封装。LED主要由支架、银胶、晶片、金线、环氧树脂五种材料组成。1、支架:用来导电和支撑,铜
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