光纤第三章-2概要课件.ppt
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- 光纤 第三 概要 课件
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1、2023-1-23.2 光光 检检 测测 器器 v 在光纤传输线路的输出端,必须有一个能够转换光信号在光纤传输线路的输出端,必须有一个能够转换光信号的接收装置即光接收机。接收机的首要部件就是光探测的接收装置即光接收机。接收机的首要部件就是光探测器(光检测器)。器(光检测器)。v 光探测器能检测出入射在其面上的光功率,并把这个光光探测器能检测出入射在其面上的光功率,并把这个光功率的变化转换为相应的电流。由于光信号在光纤中传功率的变化转换为相应的电流。由于光信号在光纤中传输时会有损耗和失真,所以对光检测器的性能输时会有损耗和失真,所以对光检测器的性能要求很高要求很高。2023-1-23.2 光光
2、检检 测测 器器v 光探测器主要有以下几种不同的类型:光探测器主要有以下几种不同的类型:光电倍增管、热光电倍增管、热电探测器、半导体光探测器等。电探测器、半导体光探测器等。v 在半导体光探测器中,光电二极管体积小,灵活度高,在半导体光探测器中,光电二极管体积小,灵活度高,响应速度快,在光纤通信系统中得到了广泛的应用。常响应速度快,在光纤通信系统中得到了广泛的应用。常用的光电二极管有两种类型,即用的光电二极管有两种类型,即 PIN 光电二极管和雪崩光电二极管和雪崩光电二极管光电二极管(APD)。2023-1-2PINPIN光电二极管及其工作原理光电二极管及其工作原理3.2.1雪崩光电二极管(雪崩
3、光电二极管(APDAPD)3.2.2光电二极管一般性能和应用光电二极管一般性能和应用3.1.33.2 光光 检检 测测 器器2023-1-23.2.1 3.2.1 PIN 光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理v 1 1工作原理工作原理v 光电二极管是一个工作在反向偏压下的光电二极管是一个工作在反向偏压下的PN结二极管,其结二极管,其工作原理可用光电效应来解释,如图所示。工作原理可用光电效应来解释,如图所示。光电二极管工作原理光电二极管工作原理2023-1-23.2.1 3.2.1 PIN 光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理v 反向偏压使反向偏压使PN结加宽,空间电荷区的载流子基本耗尽
4、了。结加宽,空间电荷区的载流子基本耗尽了。光入射到光入射到PN结上,如果光子能量结上,如果光子能量hfhf大于半导体材料的禁大于半导体材料的禁带宽度带宽度 ,价带上电子可以吸收光子而跃迁到导带产生,价带上电子可以吸收光子而跃迁到导带产生电子电子-空穴对。空穴对。v 若电子若电子-空穴对在耗尽层内产生,在电场作用下,电子向空穴对在耗尽层内产生,在电场作用下,电子向N区漂移,空穴向区漂移,空穴向P P区漂移,形成光生电流。当入射光功区漂移,形成光生电流。当入射光功率变化时,光生电流随之线性变化,从而把光信号转化率变化时,光生电流随之线性变化,从而把光信号转化成电流信号。成电流信号。gE2023-1
5、-23.2.1 3.2.1 PIN 光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理v 然而,当入射光子能量小于然而,当入射光子能量小于 时,无论入射光多么强,时,无论入射光多么强,光电效应都不会发生,也就是说,发生光电效应必须满光电效应都不会发生,也就是说,发生光电效应必须满足足 hfhf。因此,任何半导体材料制作的光电二极管。因此,任何半导体材料制作的光电二极管都有上限截止波长都有上限截止波长 ,其表示式为,其表示式为v (5.1)(5.1)v 对于材料对于材料Si,;对于材料;对于材料Ge,。v 光电二极管除了具有上限截止波长外,当入射波长太短光电二极管除了具有上限截止波长外,当入射波长太短时,
6、材料的吸收系数变得很大,光电转换效率也会大幅时,材料的吸收系数变得很大,光电转换效率也会大幅度下降。度下降。gEgECgg/1.24/(m)hc EECC1.06 mC1.6 m2023-1-23.2.1 3.2.1 PIN 光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理v 2 2光电转换效率光电转换效率v 常用量子效率和响应度来衡量光电转换效率。入射光在光常用量子效率和响应度来衡量光电转换效率。入射光在光电二极管的表面有反射,设入射表面的反射率为电二极管的表面有反射,设入射表面的反射率为R,当入,当入射光功率为射光功率为P时,光生电流可以表示为时,光生电流可以表示为 式中,式中,是零电场表面层厚度
7、;是零电场表面层厚度;是耗尽区的厚度;是耗尽区的厚度;是吸收系数。是吸收系数。1ww)exp(1)(exp()1(1wwRhfePIP2023-1-23.2.1 3.2.1 PIN 光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理v 量子效率定义为量子效率定义为 v R 也可以用响应度来表示:也可以用响应度来表示:(A/W)exp(1)(exp()1(/1wwRhfPeIPhfePIRP/2023-1-23.2.1 3.2.1 PIN 光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理v 要得到高的量子效率,必须采取如下措施:要得到高的量子效率,必须采取如下措施:(1)(1)减小入减小入射表面的反射率;射表面的
8、反射率;(2)(2)尽量减小光子在表面层被吸收的尽量减小光子在表面层被吸收的可能性,增加耗尽层的宽度。因此,为了得到高的量子可能性,增加耗尽层的宽度。因此,为了得到高的量子效率,常采用效率,常采用 PIN 结构,如图所示。结构,如图所示。PIN 光电二极管光电二极管2023-1-23.2.1 3.2.1 PIN 光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理v I 区是一层接近本征的掺杂很低的区是一层接近本征的掺杂很低的N 区,在这种结构中,区,在这种结构中,零电场区(零电场区(区和区和 区)非常薄,而低掺杂的区)非常薄,而低掺杂的 I 区很区很厚,耗尽层几乎占据了整个厚,耗尽层几乎占据了整个PN
9、结,从而使光子在耗尽区结,从而使光子在耗尽区被充分吸收。被充分吸收。v 对于对于 InGaAs 材料的光电二极管,往往还采用异质结结材料的光电二极管,往往还采用异质结结构,耗尽区构,耗尽区(InGaAs)夹在宽带隙的夹在宽带隙的 InP 材料之间,而材料之间,而InP 对于入射光几乎是透明的。对于入射光几乎是透明的。PN2023-1-23.2.1 3.2.1 PIN 光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理v 如图给出了几种不同材料如图给出了几种不同材料PIN 光电二极管的响应度和量光电二极管的响应度和量子效率。子效率。几种不同材料几种不同材料 PIN 光电二极管的响应度和量子效率光电二极管的
10、响应度和量子效率2023-1-23.2.1 3.2.1 PIN 光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理v 3响应速度响应速度v 响应速度通常用响应时间(上升时间响应速度通常用响应时间(上升时间r r和下降时间和下降时间f f)来表示。影响响应速度的主要因素有来表示。影响响应速度的主要因素有 v(1)光电二极管等效电路的光电二极管等效电路的 RC时间常数时间常数图图5.4 5.4 光电二极管的等效电路光电二极管的等效电路2023-1-23.2.1 3.2.1 PIN 光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理v(2)载流子在耗尽区的渡越时间载流子在耗尽区的渡越时间v(3)耗尽区外产生的载流子由于
11、扩散而产生的时间延迟耗尽区外产生的载流子由于扩散而产生的时间延迟 图图5.5 5.5 结电容、耗尽区宽度以及零电场区对输出脉冲的影响结电容、耗尽区宽度以及零电场区对输出脉冲的影响v 4 4暗电流暗电流 暗电流是指无光照时,光电二极管的反向电流。暗电流是指无光照时,光电二极管的反向电流。Si 的光电二极管可小于的光电二极管可小于1 nA,Ge 的光电二极管的暗电流的光电二极管的暗电流通常几百纳安。通常几百纳安。2023-1-23.2.1 3.2.1 PIN 光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理v 5.噪声噪声 噪声是反映光电二极管特性的重要参数,它直接影响光接噪声是反映光电二极管特性的重要参
12、数,它直接影响光接收机的灵敏度。主要包括量子噪声、暗电流噪声、漏电收机的灵敏度。主要包括量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声以及负载电阻的热噪声。流噪声以及负载电阻的热噪声。2023-1-23.2.2 3.2.2 雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)(APD)v 1 1工作原理工作原理v 与光电二极管不同,雪崩光电二极管能承受高的反向偏与光电二极管不同,雪崩光电二极管能承受高的反向偏压。在压。在PN结内部形成一个高电场区,光生的电子或空穴结内部形成一个高电场区,光生的电子或空穴经过高场区时被加速,从而获得足够的能量,它们在高经过高场区时被加速,从而获得足够的能量,它们在高速运动中与晶格碰撞,使晶
13、体中的原子电离,从而激发速运动中与晶格碰撞,使晶体中的原子电离,从而激发新的电子新的电子-空穴对,这个过程称为空穴对,这个过程称为碰撞电离碰撞电离。v 通过碰撞电离产生的电子通过碰撞电离产生的电子-空穴对称为二次电子空穴对称为二次电子-空穴对。空穴对。新生的电子新生的电子-空穴对在高场区内再被加速,又可能碰撞新空穴对在高场区内再被加速,又可能碰撞新的原子,这样多次碰撞电离的结果是载流子浓度增加,的原子,这样多次碰撞电离的结果是载流子浓度增加,反向电流增大,称为反向电流增大,称为雪崩增益雪崩增益。2023-1-23.2.2 3.2.2 雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)(APD)v 2APD
14、的结构的结构 在在 850 nm,常用的,常用的APD有保护环形有保护环形(GAPD)和拉通型和拉通型(RAPD)两种。两种。下图是拉通型下图是拉通型APD的结构和内部场强分布示意图。的结构和内部场强分布示意图。RAPD的结构和内部场强分布示意图的结构和内部场强分布示意图2023-1-23.2.2 3.2.2 雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)(APD)v 当偏压加大到某一值后,耗尽层拉通到当偏压加大到某一值后,耗尽层拉通到 区(本征区)区(本征区)(少量(少量P 掺杂),一直抵达掺杂),一直抵达 接触层,此后若电压再增接触层,此后若电压再增加,电场增量就在加,电场增量就在P区和区和 区分
15、布,高场区电场随电压变区分布,高场区电场随电压变化相对缓慢,化相对缓慢,G-V 曲线的非线性有所改善。曲线的非线性有所改善。v 最后给出一些光探测器的性能参数,参见下表。最后给出一些光探测器的性能参数,参见下表。P2023-1-23.2.2 3.2.2 雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)(APD)表表1 Si,Ge,InGaAs PIN1 Si,Ge,InGaAs PIN光电二极管的通用工作特性参数光电二极管的通用工作特性参数参数符号单位SiGeInGaAs波长范围nm4001000800165011001700响应度 RA/W0.40.60.40.50.750.95暗电流InnA1105
16、05000.52.0上升时间ns0.51.00.10.50.050.5带宽 BGHz0.30.70.53.01.02.0偏压VBV551052023-1-23.2.2 3.2.2 雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)(APD)表表2 Si,Ge,InGaAs2 Si,Ge,InGaAs雪崩光电二极管的通用工作特性参数雪崩光电二极管的通用工作特性参数参数符号单位SiGeInGaAs波长范围nm4001000800165011001700雪崩增益 G-20400502001040暗电流IDnA0.11505001050上升时间ns0.120.50.80.10.5增益带宽积 GBGHz100400
17、21020250偏压VBV150400204020302023-1-23.2.2 3.2.2 雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)(APD)v 3APD的平均雪崩增益(倍增因子)的平均雪崩增益(倍增因子)v 雪崩过程是一个复杂的随机过程,只能以雪崩过程是一个复杂的随机过程,只能以APD的平均雪的平均雪崩增益(崩增益(APD输出光电流输出光电流I0和一次光生电流和一次光生电流Ip的比值)来的比值)来表示表示APD增益的大小:增益的大小:v 式中,式中,V是反向偏压;是反向偏压;是反向击穿电压;是反向击穿电压;m 是是APD结结构和材料决定的参量。构和材料决定的参量。sB11()/mGVIRVB
18、VpIIG02023-1-23.2.2 3.2.2 雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)(APD)v 雪崩增益随反向偏压变化的非线性十分突出,如图所示。雪崩增益随反向偏压变化的非线性十分突出,如图所示。要得到足够的增益,必须在接近击穿电压下工作,而击要得到足够的增益,必须在接近击穿电压下工作,而击穿电压对温度很敏感。穿电压对温度很敏感。APD的平均雪崩增益的平均雪崩增益2023-1-23.2.2 3.2.2 雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APD)(APD)v 4噪声特性噪声特性v APD中的噪声除了量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声中的噪声除了量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声之外,还有附加的倍
19、增噪声。雪崩倍增效应不仅对信号之外,还有附加的倍增噪声。雪崩倍增效应不仅对信号电流有放大作用,对噪声电流也有放大作用。电流有放大作用,对噪声电流也有放大作用。v 雪崩过程产生的载流子是随机的,也会引入新的噪声成雪崩过程产生的载流子是随机的,也会引入新的噪声成分。用附加噪声因子描述雪崩效应的随机性引起的噪声分。用附加噪声因子描述雪崩效应的随机性引起的噪声增加的倍数。增加的倍数。x为附加噪声指数。为附加噪声指数。Si:x=1.3-0.5;Ge:x=0.6-1.0;InGaAsP:x=0.5-0.7xGF 2023-1-2 APD是有增益的光电二极管,在光接收机灵敏度要求较是有增益的光电二极管,在光
20、接收机灵敏度要求较高的场合,采用高的场合,采用APD有利于延长系统的传输距离。但是采用有利于延长系统的传输距离。但是采用APD要求有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路,结果增要求有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路,结果增加了成本。因此在灵敏度要求不高的场合,一般采用加了成本。因此在灵敏度要求不高的场合,一般采用PINPD。SiPIN和和APD用于短波长用于短波长(0.85m)光纤通信系统。光纤通信系统。InGaAs PIN用于长波长用于长波长(1.31m和和1.55 m)系统,性能非常稳定,系统,性能非常稳定,通通常把它和使用场效应管常把它和使用场效应管(FET)的前置放大器集成在同一基片上
21、,的前置放大器集成在同一基片上,构成构成FET PIN接收组件,以进一步提高灵敏度,改善器件的性接收组件,以进一步提高灵敏度,改善器件的性能。表能。表3和表和表4列出半导体光电二极管列出半导体光电二极管(PIN和和APD)的一般性能。的一般性能。3.2.3 光电二极管一般性能和应用光电二极管一般性能和应用2023-1-23.2.3 光电二极管一般性能和应用光电二极管一般性能和应用表表3 PIN光电二极管一般性能光电二极管一般性能2023-1-23.2.3 光电二极管一般性能和应用光电二极管一般性能和应用2023-1-2 这种组件已经得到广泛应用。新近研究的这种组件已经得到广泛应用。新近研究的I
22、nGaAs APD的特点是响应速度快,传输速率可达几到十几的特点是响应速度快,传输速率可达几到十几Gb/s,适用于适用于超高速光纤通信系统。由于超高速光纤通信系统。由于GeAPD的暗电流和附加噪声指数的暗电流和附加噪声指数较大,很少用于实际通信系统。较大,很少用于实际通信系统。3.2.3 光电二极管一般性能和应用光电二极管一般性能和应用2023-1-22023-1-23.3 3.3 光无源器件光无源器件 为了实现光信号从发射极值接收机的传输,在整个光为了实现光信号从发射极值接收机的传输,在整个光纤的传输线路上既需要解决由光线损耗、色散及非线性引起纤的传输线路上既需要解决由光线损耗、色散及非线性
23、引起的信号衰减和畸变等问题,还需要解决信号的调制、信号的的信号衰减和畸变等问题,还需要解决信号的调制、信号的选路、线路的连接、光功率的分配、光功率的控制、杂散光选路、线路的连接、光功率的分配、光功率的控制、杂散光的隔离等一系列工程实际问题。的隔离等一系列工程实际问题。在光纤传输线路中,有一类本身不发生光电火电光转在光纤传输线路中,有一类本身不发生光电火电光转换的传输器件,称之为换的传输器件,称之为光无源器件光无源器件2023-1-23.3 3.3 光无源器件光无源器件 常见的光无源器件常见的光无源器件 光隔离器、光环行器、光耦合器、光隔离器、光环行器、光耦合器、光纤连接器、光调制器、光开关等光
24、纤连接器、光调制器、光开关等 光无源器件的功能主要是:连接、导向光路;分配、光无源器件的功能主要是:连接、导向光路;分配、融合光能量;合波和分波等融合光能量;合波和分波等 2023-1-2 连接器是实现光纤与光纤之间可拆卸连接器是实现光纤与光纤之间可拆卸(活动活动)连接的器件,连接的器件,主要用于光纤线路与光发射机输出或光接收机输入之间,或主要用于光纤线路与光发射机输出或光接收机输入之间,或光纤线路与其他光无源器件之间的连接。光纤线路与其他光无源器件之间的连接。接头是实现光纤与光纤之间的永久性接头是实现光纤与光纤之间的永久性(固定固定)连接,主要连接,主要用于光纤线路的构成,通常在工程现场实施
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