光刻湿法刻蚀研究-课件.ppt
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1、光刻湿法刻蚀研究光刻湿法刻蚀研究优点:选择比高(一般高于100:1)生产速率高 设备比较便宜缺点:各向同性,不适合形成3um以下的图形 化学试剂用量大,并且污染环境 气泡形成及化学蚀刻液无法完全与晶圆表面接触所造成的不完全及不均匀的蚀刻光刻湿法刻蚀研究曾经在特征尺寸大于3um的时代广泛使用,现在被干法刻蚀替代现在用于:漂去氧化膜 去除残留物 无图形薄膜的去除 大尺寸图形刻蚀光刻湿法刻蚀研究HF酸溶液(极高的选择比)化学反应:SiO2+6HF H2SiF6(氟硅酸)+2H2O 氢氟酸对二氧化硅的蚀刻速率相当高,在制程上很难控制,因此在实际应用上都是使用稀释后的氢氟酸溶液,或是添加氟化铵作为缓冲剂
2、的混合液,来进行二氧化硅的蚀刻典型的缓冲氧化硅蚀刻液(BOE:Buffer Oxide Etcher)(体积比6:1之氟化铵(40%)与氢氟酸(49%)对于高温成长氧化层的蚀刻速率约为1000/min。Si 湿法刻蚀呢?光刻湿法刻蚀研究 在半导体制程中,单晶硅与复晶硅的蚀刻通常利用硝酸与氢氟酸的混合液来进行。此反应是利用硝酸将硅表面氧化成二氧化硅,再利用氢氟酸将形成的二氧化硅溶解总反应式:Si+HNO3(浓)+6HF=H2SiF6+HNO2+H2+H2O上述的反应中可添加醋酸作为缓冲剂,以抑制硝酸的解离。而蚀刻速率的调整可藉由改变硝酸与氢氟酸的比例,并配合醋酸添加与水的稀释加以控制(注:单纯的
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