圆片级封装的凸点制作综述课件.ppt
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- 关 键 词:
- 圆片级 封装 制作 综述 课件
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1、圆片级封装的凸点制作技术 金凸点电镀工艺金凸点电镀工艺1共晶焊料凸点植球工艺共晶焊料凸点植球工艺2铟凸点蒸发沉积工艺铟凸点蒸发沉积工艺3发展发展4Add Your Title圆片级封装 是一种先进的电子封装技术,它的芯片互连与测试都是在晶圆片上完成,之后再切片进行倒装芯片组装。圆片级封装充分利用现有集成电路前工序即硅器件工艺设备和工艺加工技术,把原来后工序的封装问题采用前工序的加工技术来解决,可使半导体器件制造商以较低的成本制作出封装更小、功能更强的器件和电路。近年来圆片级封装 的增长很快,每年超过 30%,大大超过整个电子封装行业的平均增长速度 7%。尤其是系统级芯片(S OC)、高性能存储
2、器和射频器件等的设计需求,更加促进了 WL P的发展应用。凸点制作是圆片级封装工艺过程的关键工序,它是在晶圆片的压焊区铝电极上形成凸点。要使圆片级封装技术得到更广泛的应用,选择合适的凸点制作工艺极为重要。几种常用凸点制作工艺比较金凸点电镀工艺目前金凸点的制作常采用电镀法和光刻图形法相结合的工艺。用电镀法生成的金凸点最小直径可到 30 m。电镀法凸点制作具有适合 I/O 端数多、凸点尺寸可大可小、并能实现圆片级封装(WL P)等优点。电镀法制作的金凸点电镀法制作的金凸点金凸点电镀工艺流程金凸点电镀工艺流程溅射 UBM凸点下金属(UB M)通常由粘附层、阻挡层和浸 润层三层金属组成,它是电镀的种子
3、层。要求它同 下面的铝压焊电极有很好的粘附性,能有效地阻止 A u凸点同 A1、Si之间的相互扩散,避免 A u 同 A1 生成不利的金属间化合物,更不能让 A u 离子进入 硅内,影响 MO S器件的性能。可以满足上述用途的 材料很多,通常选用 Ti W/A u 作为制造金凸点 的UBM 材料,其厚度分别为 Ti W:200 n m 300 n m 和A u:l 00 n m 200 n m。厚胶光刻光刻是 I C制造工艺中的常规工序,整个制程中要经过几次甚至几十次光刻,但是这类光刻工序中的光刻胶厚度一般只有几百纳米。而金凸点的高度是 17 m 左右,光刻胶的厚度应该在 25 m 左右,因此
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