核磁共振氢谱课件.ppt
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- 核磁共振 课件
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1、 第三章第三章 核磁共振氢谱核磁共振氢谱(1 1H Nuclear Magnetic Resonance H Nuclear Magnetic Resonance Spectra,Spectra,1 1H NMR)H NMR)核磁共振波谱法核磁共振波谱法是吸收光谱的一种,用适宜的频率的电磁波照射置于强磁场下的原子核(使其能级发生分裂)。当核吸收的能量与核能级差相等时,就会发生核能级的跃迁,同时产生核磁共振信号,从而得到一种吸收光谱的核磁共振波谱,以这种原理建立的方法称核磁共振波谱法。核磁共振波谱法是结构分析结构分析的重要工具之一,经常使用的是1H和13C 的共振波谱。核磁共振波谱中最常用的氢谱
2、将提供:1.1.分子中不同种类氢原子有关化学环境的信息分子中不同种类氢原子有关化学环境的信息2.2.不同环境下氢原子的数目不同环境下氢原子的数目3.3.每个氢原子相邻的基团的结构每个氢原子相邻的基团的结构/ppm溴乙烷的溴乙烷的1 1H NMR(400 MHz)H NMR(400 MHz)异丙苯的异丙苯的1 1H NMR(400 MHz)H NMR(400 MHz)丁酸的丁酸的1 1H NMRH NMR(400 MHz400 MHz)一、核磁共振基本原理、核磁共振基本原理原子核除具有电荷和质量外原子核除具有电荷和质量外,许多原子核还具有自旋现许多原子核还具有自旋现象。通常用自旋量子数象。通常用
3、自旋量子数 I I或或m ms s表示表示,原子的质量数原子的质量数 A A 表表示,及原子序数示,及原子序数 Z Z 表示。表示。原子核的自旋原子核的自旋原子核的原子核的自旋量子数自旋量子数:m ms s 与原子的质量数和原子序数之间的关系:与原子的质量数和原子序数之间的关系:A、Z均为偶数,均为偶数,ms=0A为偶数,为偶数,Z为奇数,为奇数,ms=1,2,3整数整数A为奇数,为奇数,Z为奇或偶数,为奇或偶数,ms=1/2,3/2,5/2半整数半整数XAZ当当m ms s00时,原子核的自旋运动有时,原子核的自旋运动有NMRNMR讯号。讯号。由自旋量子数与原子的质量数及原子序数的关系可知:
4、由自旋量子数与原子的质量数及原子序数的关系可知:原子原子质量数和原子序数均为偶数的核质量数和原子序数均为偶数的核,自旋量子数自旋量子数m ms s=0,=0,即没有自即没有自旋现象旋现象;当自旋量子数当自旋量子数m ms s=1/2=1/2时时,有自旋现象有自旋现象,核电荷呈球核电荷呈球型分布型分布,它们的核磁共振现象较为简单。有它们的核磁共振现象较为简单。有1 1H H1 1,1313C C6 6,1515N N7 7,1919F F9 9,3131P P15 15 等。等。原子核有自旋现象原子核有自旋现象,则有磁矩则有磁矩,在磁场中能够受磁场作用在磁场中能够受磁场作用,能能发生核磁共振现象
5、发生核磁共振现象;原子核无自旋现象原子核无自旋现象,则无磁矩则无磁矩,不能发不能发生核磁共振现象生核磁共振现象.h2 I(I+1)1.核的自旋运动核的自旋运动一些原子核有自旋现象一些原子核有自旋现象,因而具有自旋角动量因而具有自旋角动量P,I和和P的关系的关系为为:P=式中式中:h:h为普朗克常数为普朗克常数 自旋不为自旋不为0 0的原子核的原子核,都有磁矩都有磁矩,用用表示表示,磁矩随角动量增加成正比增加磁矩随角动量增加成正比增加.=rP =rP式中式中r r 为磁旋比为磁旋比,不同的核具有不同的磁旋比。不同的核具有不同的磁旋比。能量较高能量较低B0自旋自旋H+H+H+H+H+H+H+H+E
6、没有磁场有磁场B0 质子在没有磁场和有磁场情况下的磁矩方向质子在没有磁场和有磁场情况下的磁矩方向NMRNMR技术是观察原子序数或其质量数为奇数的原子核自旋的手段。技术是观察原子序数或其质量数为奇数的原子核自旋的手段。质子是最简单的原子核,它的原子序数是奇数且最小为质子是最简单的原子核,它的原子序数是奇数且最小为1 1,可以,可以自旋。自旋的质子相当于带正电荷的小球在旋转运动中产生磁自旋。自旋的质子相当于带正电荷的小球在旋转运动中产生磁场。场。若将自旋核放入磁场为H0 磁场中,由于磁矩与磁场相互作用,核磁矩相对外加磁场有不同的取向,按照量子力学原理有m=2 I I+1个取向。对于氢核对于氢核I=
7、1/2,I=1/2,即有即有m=2m=2个取向个取向,m=+1/2,m=+1/2,m=m=-1/2-1/2两种取向两种取向,即当自旋取向与外加磁场一致时即当自旋取向与外加磁场一致时,m=+1/2,m=+1/2,氢核处于一种低能级状态氢核处于一种低能级状态.(E(E1 1=z z B B0 0),),相反时相反时m=-1/2m=-1/2时时,则处于一种高能级状则处于一种高能级状态态(E(E2 2=z z B B0 0)磁矩与外加磁场相反高能自旋取向 E2=(+1/2)(h/2)B0 m=+1/2磁距与外加磁场一致低能自旋取向 E1=(-1/2)(h/2)B0 m =-1/2高能级与低能级的能量差
8、E应由下式定:E=E(-1/2)-E(+1/2)=(h/2)B0 式中:B0 外加磁场强度2.2.核磁共振核磁共振 如果以射频照射处于外磁场H0 中的核,且照射频率恰好满足下列关系时 h=E 或=(/2)B0 处于低能级的核将吸收射频能量而跃迁至高能级,这种现象称为核磁共振现象。由上式可知,一个核的跃迁频率与磁场强度B0 成正比,使1H 核发生共振,由自旋m =取向变成m=-1/2的取向。应供给E 的电磁波(射频)。照射频率与外加磁场强度成正比。a.a.无外加磁场,无外加磁场,H H0 0=0=0时,两自旋态的能量相同时,两自旋态的能量相同m ms s=1/21/2。b.b.有外加磁场,有外加
9、磁场,H H0 000,两自旋态的能量不同:,两自旋态的能量不同:1 1H H 自旋产生的磁矩与自旋产生的磁矩与H H0 0同向同向平行,为平行,为低能态低能态;1 1H H 自旋产生的磁矩与自旋产生的磁矩与H H0 0反向反向平行,为平行,为高能态高能态。两能级之差:两能级之差:E=hHE=hH0 0/2/2c.c.核磁共振的条件:核磁共振的条件:E E射射=E E,即:即:hh射射=hH=hH0 0/2/2 1 1H H 的核磁共振(的核磁共振(1 1H NMRH NMR)3.3.弛豫过程弛豫过程 高能态的核自旋经过外辐射途径把多余的能量给予环境或其它低能态的核,这个过程称为“弛豫”前者称
10、为纵向弛豫,也称“自旋-晶格子弛豫”T1 后者称为横向弛豫,也称“自旋-自旋弛豫”T2自旋-晶格弛豫(spin-lattice Relaxation)晶格泛指环境,即高能态自旋核把能量传给周围环境(同类分子、溶剂小分子、固体晶格等)转变为热运动而本身回到低能态维持Boltzmann分布。自旋-晶格弛豫过程的半衰期用T1表示 (T1与样品状态及核的种类、温度有关),液体T11s,固体或粘度大的液体T1 很大。自旋-晶格弛豫又称纵向弛豫。自旋-自旋弛豫(spin-spin Relaxation):高能态核把能量传给同类低能态的自旋核,本身回到低能态,维持Boltzmann分布。结果是高低能态自旋核
11、总数不变。自旋-自旋弛豫过程的半衰期用T2表示。液体T21s,固体或粘度大的液体,T2很小,10-410-5s二、核磁共振仪二、核磁共振仪 NMR波谱仪按照磁体分类,可分为:永久磁体,电磁体和超导磁体。按照射频频率(1H的共振频率)分类,可分为:60,80,90,100,200,300,400,500,600,700,900 MHz等。按照射频源分类,又可以分为:连续波波谱仪(CW-NMR)和傅里叶变换波谱仪(PFT-NMR)。组成:磁铁、射频发生器、检测器、放大器、记录仪(放大器)、样品管组成:磁铁、射频发生器、检测器、放大器、记录仪(放大器)、样品管 脉冲频率发射器脉冲频率放大器检测器记录
12、仪扫描发生器核磁管核磁共振光谱仪的简单构造示意图核磁共振光谱仪的简单构造示意图原理:扫频原理:扫频-固定固定 H H0 0,改变,改变射,使射,使射与射与H H0 0匹配匹配;扫场扫场-固定固定射,改变射,改变H H0 0,使,使H H0 0与与射匹配射匹配;三、化学位移三、化学位移1.1.化学位移的产生化学位移的产生在外磁场作用下在外磁场作用下,核外电子会产生环电流核外电子会产生环电流,并感应产生并感应产生一个与外磁场方向相反的对抗磁场,这种对抗磁场的作用被称为一个与外磁场方向相反的对抗磁场,这种对抗磁场的作用被称为电子屏蔽效应电子屏蔽效应。由于由于电子的屏蔽效应电子的屏蔽效应,使某一个质子
13、实际上受到的磁场使某一个质子实际上受到的磁场强度不完全与外磁场强度一致,分子中处于不同化学环境强度不完全与外磁场强度一致,分子中处于不同化学环境中的质子中的质子,核外电子云的分布情况不同。因此核外电子云的分布情况不同。因此,不同化不同化学环境中的质子学环境中的质子,受到不同程度的屏蔽作用。在此情况受到不同程度的屏蔽作用。在此情况下质子实际受到的磁场强度下质子实际受到的磁场强度B Beffeff等于外加磁场强度等于外加磁场强度B B0 0 减去减去其外围电子产生的对抗磁场其外围电子产生的对抗磁场B B,可用下式表示可用下式表示:B Beffeff=B=B0 0-B-B 由于对抗磁场的大小正比于所
14、加的外磁场强度由于对抗磁场的大小正比于所加的外磁场强度,上式可写上式可写为:为:B Beffeff=B=B0 0-B-B0 0=H=H0 0 (1-1-).式中式中:为屏蔽常数为屏蔽常数 与核外的电子密度及所处的化学环境有关与核外的电子密度及所处的化学环境有关,电子云密电子云密度越大度越大,屏蔽程度越大屏蔽程度越大,值也越大值也越大,我们把在一定照我们把在一定照射频率下,处于不同化学环境的有机化合物中不同质子射频率下,处于不同化学环境的有机化合物中不同质子,产生产生NMRNMR的磁场强度不同的现象称为的磁场强度不同的现象称为“化学位移化学位移”。化化学位移的差别是很小的。但是学位移的差别是很小
15、的。但是,这是一个很重要的现象这是一个很重要的现象,它是核磁共振在化学中应用的基础。它是核磁共振在化学中应用的基础。例如例如:图图1 1给出了乙基苯在给出了乙基苯在100MHz100MHz时的高分辨率核磁时的高分辨率核磁共振图谱共振图谱.在乙基苯的分子中在乙基苯的分子中,-CH,-CH3 3 上的三个质子上的三个质子,-CH-CH2 2-上的两个质子,上的两个质子,C C6 6H H5 5上的五个质子上的五个质子.它们在它们在不同的磁场强度下产生共振吸收峰不同的磁场强度下产生共振吸收峰,也就是说也就是说,它们它们有着不同的化学位移有着不同的化学位移.7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.
16、0 1.0 0C6H5 5H3H2HCH3CH2TMS 图:乙基苯(10%CCl4 溶液)于100兆赫的NMR2.2.化学位移的表示化学位移的表示由于化学位移的差别范围很小(1010-6),所以精确测出绝对数值比较困难。现均以相对数表示:即以被测质子共振时的磁场强度B0样与某一标准物质的质子共振时的磁场强度B0标之差和标准物质共振时磁场强度B0标的比值来表示:=(B0样-B0标)/B0标 由于磁场强度的测量比较困难,所以往往以测量质子与某一标准物质的共振频率来代替磁场强度,这时:=(0样-B0标)/B0标 =(样-标)/标因为因为样样 和和标标 数值都很大,数值都很大,值很小值很小,为为ppm
17、ppm级级(10(10-6-6),为了使,为了使所得的数字易读易写所得的数字易读易写,把把乘以乘以1010-6-6,于是得到于是得到:=(样样-标标)/标标 10 106 6 的单位为的单位为 ppm ppm,以此得到的化学位移与仪器条件无,以此得到的化学位移与仪器条件无关。关。屏蔽效应屏蔽效应低场低场高场高场共振频率共振频率低频低频高频高频化学位移化学位移10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 ppm例如,用60兆周和100兆周(100MHz)仪器测得的同一样品化学位移值相同,一般以标准峰(TMS)为原点(等于0).在标准之左为正值,在标准之右为负值.位移的标准位移的标准 四甲基硅烷四
18、甲基硅烷Si(CHSi(CH3 3)4 4 (TMSTMS)规定:规定:TMSTMS=0=0为什么用为什么用TMSTMS作为基准作为基准?(1 1)12 12个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个吸收峰;个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个吸收峰;(2 2)屏蔽强烈,位移最大()屏蔽强烈,位移最大(0 0)。与一般有机化合物中的质子)。与一般有机化合物中的质子峰不重叠;峰不重叠;(3 3)化学惰性;易溶于有机溶剂;沸点低,易回收。)化学惰性;易溶于有机溶剂;沸点低,易回收。四、四、影响化学位移的因素影响化学位移的因素化学位移是由核外电子云密度决定的,因此,影响电子云密度的各种因素都将影响化学
19、位移.影响因素有内部的如:诱导效应,共轭效应,磁的各向异性效应等;外部的如:溶剂效应,氢键的形成等.(1)诱导效应:值随着邻近原子电负性的增大而增大;随着电负性大的原子数目增加而增大;随着与电负性大的原子的距离增大而减小。(2)共轭效应:吸电子共轭效应使化学位移增大,给电子共轭效应使化学位移减小。(3)磁各向异性效应:由于分子中电子体系的存在,在外磁场的作用下各向异性的诱导磁场,使分子中不同部位的质子受到不同方向诱导磁场的作用,表现出特殊的化学位移特点。(4)氢键效应:氢键影响使参与形成氢键的质子的化学位移值增大,主要原因在于质子形 成氢键(X-HY)后,质子周围的电子云密度受到另外一个电负性
20、较大的原子影响而降低,所以其化学位移值明显增大。(5)溶剂效应:质子处在不同的溶剂中,由于溶剂的影响使化学位移发生变化的效应称为溶剂效应。4.1 4.1 诱导效应诱导效应影响电子云密度的一个重要因素是与质子相连接的原子或基团的电负性的强弱.电负性强的取代基,它们通过诱导效应使与其相邻接的核外电子密度降低,从而减少电子云对核的屏蔽.(核外电子在外加磁场作用下产生与外加磁场相对抗的作用,这种作用叫做电子的屏蔽效应电子的屏蔽效应).使核的共振频率向低场使核的共振频率向低场移动移动.即质子的化学位移随邻接取代基的电负性增大而增大,核即质子的化学位移随邻接取代基的电负性增大而增大,核的共振频率向高场移动
21、,化学位移的共振频率向高场移动,化学位移值增大。值增大。化合物取代基电负性 化学位移(PPm)CH3 FF4.04.30CH3 OHOH3.53.60CH3C LCL3.13.10CH3 BrBr2.82.70CH3 II2.52.20CH4H2.10.20例1:下表中电负性取代基对CH3 X化学位移的影响与甲基相接的取代基,由于电负性由下而上增加.其化合物的化学位移值左移,值增大,移向低场,X X电负性越大,电负性越大,1H1H周围的周围的电电子云密度越小,屏蔽效应越小,信号出现在低场,子云密度越小,屏蔽效应越小,信号出现在低场,越大。越大。下列两组化合物中标记的氢核发生NMR时,何者的化学
22、位移将出现在较低场处?A:R B:RCH2 CH2 例例1 1解解解:化合物A的氢核发生NMR时,共振峰将出现在较低磁场区,因为此氢核邻接OH,O是电负性较强的基团,使A中的 H 电子云密度降低,化学位移向低场移动,值增大。例例2 2 下面化合物中各种类型氢核发生NMR时,共振位置是否相同?应当怎样排列?ll CH3 CH CH3 (a)(b)(c)例例2 2解解解:不相同 B0(b)B0(a)ac解:不相同 B0(b)a例例3:3:Cl ClCH2 (a)(b)Cl4.2 共轭效应共轭效应共轭效应同诱导效应一样,会使核外电子云密度发生变化.例乙烯醚 H(3.75)OCH3 C=C H(3.9
23、9)H乙烯 H2 C=CH2 (5.28)若以乙烯为标准,=5.28进行比较,可知乙烯醚上由于存在P共轭,氧原子上未共用P电子对向双键方向推移,使 H 的电子云密度增加,H 的化学位移向高场(右移)值减小。=3.57和3.99;而在.不饱和酮中,由于存在共轭。而电负性强的氧原子把电子拉向氧一方,使 H 的电子云密度降低,化学位移移向低场(左移),值增大,=5.50,5.874.3 4.3 各向异性效应各向异性效应氢核外面的电子云密度应该是决定化学位移的最重要因素,而分子中的质子与某官能团的空间关系也会影响质子的化学位移.这种现象称为各向异性效应各向异性效应.它是通过空间而起作用的,与通过化学键
24、而起作用的诱导效应不同.a.以苯环为例 苯环的电子云可以看作为上下两个面包圈形的 电子环流,如图:在苯环平面上下位置产生抗磁性磁场,而在苯环周围产生顺磁性磁场,这种现象叫环电流效应环电流效应.由于这个由于这个环电流效应环电流效应在苯环平面上、下方产生与外加磁场在苯环平面上、下方产生与外加磁场B B0 0 方向相反的屏蔽作用方向相反的屏蔽作用,此区为此区为正屏蔽区正屏蔽区.该处氢核该处氢核共振峰移向高场共振峰移向高场,右移右移,值减小值减小.在其它方向在其它方向,如如芳环周围芳环周围,内磁感应线方向与外加磁场方向一致内磁感应线方向与外加磁场方向一致,使该使该处的氢核共振峰移向低场区处的氢核共振峰
25、移向低场区,左移左移值增大值增大.此区为此区为负负屏蔽区屏蔽区.所以在苯环平面上的质子正好处于负屏蔽区所以在苯环平面上的质子正好处于负屏蔽区,化学位移化学位移值远比一般脂环氢核的大值远比一般脂环氢核的大.苯环平面上的氢核苯环平面上的氢核为为 :6.09.0 PPm6.09.0 PPm脂环平面上的氢核脂环平面上的氢核为为 :0.51.8 PPm0.51.8 PPmb.同样同样,具有双键具有双键 电子的氢核电子的氢核,平面上的氢核处于平面上的氢核处于负负屏蔽区屏蔽区,值大值大,而其平面上下方的氢核处于而其平面上下方的氢核处于正屏蔽区正屏蔽区,值小值小.例如例如:CH2 的的CH2=1.51 CH2
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