微合金元素在控制轧制中的作用课件.ppt
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- 关 键 词:
- 合金 元素 控制 轧制 中的 作用 课件
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1、66.1.2 控制轧制过程中微量元素碳氮化合物的析出控制轧制过程中微量元素碳氮化合物的析出以以 Nb(CN)为例研究析出状态为例研究析出状态1各阶段中各阶段中Nb(CN)的析出状态的析出状态出炉前的出炉前的Nb(CN)质点状态质点状态 含铌钢加热到含铌钢加热到 1200均热均热 2 小时,小时,90%以上的铌固以上的铌固溶到奥氏体中,没固溶的溶到奥氏体中,没固溶的Nb(CN)质点粗大,大约在质点粗大,大约在 1000 左右,对轧后奥氏体晶粒的再结晶不起作用。左右,对轧后奥氏体晶粒的再结晶不起作用。将钢加热到将钢加热到 1260,保温,保温 30 min,Nb(CN)全部溶解全部溶解出炉后冷却到
2、轧制前出炉后冷却到轧制前Nb(CN)的析出状态的析出状态 未变形的奥氏体中未变形的奥氏体中Nb(CN)析出很慢,析出极少,与析出很慢,析出极少,与出炉前相差无几。即使析出,出炉前相差无几。即使析出,Nb(CN)质点也很大,质点也很大,可达可达1000300 ,其大小与析出温度有关。,其大小与析出温度有关。变形奥氏体中变形奥氏体中Nb(CN)的析出状态的析出状态变形中析出变形中析出动态析出过程动态析出过程 变形速度很低时才能变形速度很低时才能 发生发生变形后析出变形后析出静态析出过程静态析出过程变形使钢中铌的析出大大加快变形使钢中铌的析出大大加快变形量越大、变形后停留时间越长变形量越大、变形后停
3、留时间越长析出量越多析出量越多 Nb(CN)析出需要孕育期,变形量越大、固溶体过析出需要孕育期,变形量越大、固溶体过饱和程度越高,轧后到弥散相开始析出的停留时间越饱和程度越高,轧后到弥散相开始析出的停留时间越短,并且析出速度越高。短,并且析出速度越高。高温轧制时,由于发生动态再结晶,变形产生的位高温轧制时,由于发生动态再结晶,变形产生的位错和畸变能消失,碳氮化物没有显著析出,析出速度错和畸变能消失,碳氮化物没有显著析出,析出速度不大。不大。低温轧制时,奥氏体不发生再结晶,晶内缺陷增多,低温轧制时,奥氏体不发生再结晶,晶内缺陷增多,形变诱导析出,大大促进了碳氮化物的析出,析出速形变诱导析出,大大
4、促进了碳氮化物的析出,析出速度增加。度增加。Nb(CN)质点的析出部位及大小与变形温度有关:质点的析出部位及大小与变形温度有关:高温轧制后高温轧制后(再结晶区轧制),(再结晶区轧制),Nb(CN)质点沿奥氏体质点沿奥氏体晶界析出,而在晶内析出量很少,颗粒直径在晶界析出,而在晶内析出量很少,颗粒直径在200 左右。左右。低温轧制后低温轧制后(未再结晶区轧制),(未再结晶区轧制),Nb(CN)质点在晶界质点在晶界上也在晶内和亚晶界上析出,颗粒细小,直径上也在晶内和亚晶界上析出,颗粒细小,直径50100 控制轧制就是应用这种微细的控制轧制就是应用这种微细的Nb(CN)质点固定亚晶界,质点固定亚晶界,
5、阻止奥氏体晶粒再结晶,达到细化晶粒的目的。阻止奥氏体晶粒再结晶,达到细化晶粒的目的。在奥氏体向铁素体转变过程中和在铁素体内在奥氏体向铁素体转变过程中和在铁素体内Nb(CN)的析出状态的析出状态当当AF相变发生后,微量元素达到高度过饱和,产生相变发生后,微量元素达到高度过饱和,产生快速析出。快速析出。析出地点:析出地点:AF转变的相界面转变的相界面 呈细小点状成排排呈细小点状成排排 列称为列称为相间沉淀相间沉淀 6冷却速度大,析出温度低,相间沉淀排间距小,析出质冷却速度大,析出温度低,相间沉淀排间距小,析出质点小。析出时间长,质点长大。点小。析出时间长,质点长大。16如铌钢如铌钢 830析出,经
6、析出,经 5 min后,质点为后,质点为300 800析出,经析出,经 1 小时后,质点为小时后,质点为50 100 720析出,质点只有析出,质点只有40 80相变后剩余在铁素体中的固溶铌将在铁素体中继续析出。相变后剩余在铁素体中的固溶铌将在铁素体中继续析出。研究表明,碳氮化物在钢中的沉淀方式有:研究表明,碳氮化物在钢中的沉淀方式有:有规则分布有规则分布 列状相间沉淀列状相间沉淀无规则分布无规则分布 位错线上沉淀和基体沉淀位错线上沉淀和基体沉淀两者共存在于各个铁素体晶粒中,后者是主要的和多见的,列两者共存在于各个铁素体晶粒中,后者是主要的和多见的,列状组织相当稀少。状组织相当稀少。Nb(CN
7、)析出特点析出特点析出时机析出时机 析出物特点析出物特点 质点大小质点大小加热后加热后 是固溶于奥氏体后的剩余化合物是固溶于奥氏体后的剩余化合物 1000轧制前轧制前 析出数量极少,析出部位在晶界析出数量极少,析出部位在晶界 3001000在奥氏体在奥氏体 有孕育期形变诱导析出,动态析有孕育期形变诱导析出,动态析区变形时区变形时 出,析出数量少,析出部位在位出,析出数量少,析出部位在位 5070 错密度高处错密度高处在变形后的在变形后的 变形诱导析出的继续,析出量大,变形诱导析出的继续,析出量大,200(再结晶再结晶)停留时间里停留时间里 主要析出在晶界、亚晶界、变形主要析出在晶界、亚晶界、变
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