第7章-半-导-体-存-储-器课件.ppt

1、数字电子技术 Digital Electronics Technology第七章 半半 导导 体体 存存 储储 器器许昌学院许昌学院电子技术电子技术课程组课程组（数字部分）（数字部分）主要内容：7.1 概述7.2 只读存储器7.3 随机存储器7.4 存储容量的扩展7.5 用存储器实现组合逻辑函数教学内容及教学要求1.掌握ROM、RAM相关概念、分类、特点2.掌握RAM的扩展方式3.熟悉RAM的结构和操作过程一一.重点掌握的内容：重点掌握的内容：二二.一般掌握的内容：一般掌握的内容：1.了解二极管、晶体管ROM的基本结构和存储单元结构；2.会用ROM实现组合逻辑函数。7.1 概述概述 半导体存储

2、器是一种能存储大量二半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。值信息的半导体器件。按存储按存储功能分功能分只读存储器（只读存储器（ROM）随机存储器（随机存储器（RAM）按制造按制造工艺分工艺分双极性双极性MOS型型7.2 只读存储器（只读存储器（ROM)优点：优点：电路结构简单，断电后数据不丢失，具电路结构简单，断电后数据不丢失，具有非易失性。有非易失性。缺点：缺点：只适用于存储固定数据的场合。只适用于存储固定数据的场合。电路结构电路结构Read Only Memory只读存储器分类：只读存储器分类：掩膜掩膜ROM：出厂后内部存储的数据不能改动，只出厂后内部存储的数据不能改动，只 能

3、读出。能读出。PROM：可编程，只能写一次。可编程，只能写一次。EPROM:用紫外线擦除，擦除和编程时间较慢，次用紫外线擦除，擦除和编程时间较慢，次数也不宜多。数也不宜多。E2PROM:电信号擦除，擦除和写入时需要加高电电信号擦除，擦除和写入时需要加高电压脉冲，擦、写时间仍较长。压脉冲，擦、写时间仍较长。快闪存储器快闪存储器(Flash Memory)：吸收了吸收了EPROM结结构简单，编程可靠的优点，又保留了构简单，编程可靠的优点，又保留了E2PROM用用隧道效应擦除的快捷特性，集成度可作得很高。隧道效应擦除的快捷特性，集成度可作得很高。例例1 2位地址输入，4位地址输出，二极管存储器如图所

4、示。例例2 MOS管ROM结构如图所示数据表为熔丝型PROM存储单元的原理图如图所示。没使用前，全部数据为1要存入0：找到要输入0的单元地址，输入地址代码，使相应字线输出高电平在相应位线上加高电压脉冲，使DZ导通，大电流使熔断丝熔断7.3 随机存储器（随机存储器（RAM)优点：优点：读、写方便读、写方便,使用灵活。使用灵活。缺点：缺点：一旦停电所存储的数据将随之丢失（易一旦停电所存储的数据将随之丢失（易失性）。失性）。基本结构：基本结构：地址译码器、存储矩阵和读地址译码器、存储矩阵和读写控写控制电路构成。制电路构成。Random Access Memory.P368图图7.3.2作业：作业：7

5、.1 7.21静态随机存储器静态随机存储器SRAM电路结构电路结构 SRAM主要由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成 2114RAM（10244位）的结构框图 2.动态随机存储器动态随机存储器(DRAM)动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成 下图是单管动态MOS存储单元，它只有一个NMOS管和存储电容器CS,CO是位线上的分布电容(COCS)。7.4 存储容量的扩展存储容量的扩展字线字线位线位线存储容量存储容量字数字数位数位数存储容量存储容量22444地址输入端地址输入端数数据据输输出出端端位扩展位扩展 8片片10241位位RAM接成接成10248位的位的RAM。字扩展字扩

6、展 4片片2568位的位的RAM接成接成1024 8位的位的RAM。7.5 用存储器实现组合逻辑函数用存储器实现组合逻辑函数例例7.5.2 试用试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数产生如下一组多输出逻辑函数ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDCBAYCBABCAY4321ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADABCDBCADCBAYCDBADCBABCDADBCAY4321解：解：化为最小项之和的形式：化为最小项之和的形式：CDBADCBABCDADBCAY1BCDADABCDBCADCBAY2DCBADABCY3ABCDDCBAY4作业：作业：7.3 7.5 7.8 7.9 7.10