第5章-压电式传感器讲解课件.ppt

1、武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院第第5 5章章 压电式传感器压电式传感器武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院第五章第五章 压电式传感器压电式传感器5.1 5.1 压电效应压电效应压电效应压电效应：某些单晶体或多晶体陶瓷电介质，当沿着一特定方某些单晶体或多晶体陶瓷电介质，当沿着一特定方向对其施力而使它产生机械变形时，其内部将产生极化现象，向对其施力而使它产生机械变形时，其内部将产生极化现象，并在它的两个对应晶面上产生符号相反的等量电荷；当外力取并在它的两个对应晶面上产生符号相反的等量电荷；当外力取消后，电荷也随之消失，晶体又重新恢复不带电状态消后，电荷也随之消失，晶体

2、又重新恢复不带电状态 武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院逆压电效应：逆压电效应：当在电介质的极化方向上施加电场当在电介质的极化方向上施加电场(电压电压)作用作用时，这些电介质晶体会在一特定的晶轴方向上产生机械变形时，这些电介质晶体会在一特定的晶轴方向上产生机械变形或机械压力；外加电场消失时，这些变形或应力也随之消失，或机械压力；外加电场消失时，这些变形或应力也随之消失，此种现象称为逆压电效应，或称电致伸缩现象此种现象称为逆压电效应，或称电致伸缩现象 武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院式中：式中：q qi i i i面上的电荷密度面上的电荷密度(C/cm(C/cm2

3、2)；Q Qi i i i面上的总电荷量面上的总电荷量(C)(C)；j j j j方向的应力方向的应力(N/cm2)(N/cm2)；F Fj j j j方向的作用力；方向的作用力；D Dijij材料的压电常数材料的压电常数(C/N)(C/N)，(i=(i=1 1，2 2，3 3，j j=1=1，2 2，3 3，4 4，5 5，6)6)。i i 表示晶体的极化方向，当产生电荷的表面垂直于表示晶体的极化方向，当产生电荷的表面垂直于x x轴轴(y(y轴或轴或z z轴轴)时时 i i=1(=1(或或2 2，3)3)j j 1 1，2 2，3 3，4 4，5 5，6 6，分别表示沿，分别表示沿x x轴、

4、轴、y y轴、轴、z z轴方向的单向应力，和在垂轴方向的单向应力，和在垂直于直于x x轴、轴、y y轴、轴、z z轴的平面轴的平面(yz(yz平面、平面、zxzx平面、平面、xyxy平面平面)内作用的剪切力。内作用的剪切力。d dijij的符号的符号 电场方向指向晶轴的正向时为正，反之为负电场方向指向晶轴的正向时为正，反之为负。压电方程：压电方程：压电材料在外力作用下产生的压电材料在外力作用下产生的 表面电荷通常用压电方程表示表面电荷通常用压电方程表示 iijjiijjqdQd F或武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院晶体在任意受力状态下所产生的表面电荷密度可由下列方程组决定晶体在

5、任意受力状态下所产生的表面电荷密度可由下列方程组决定 111112213314415516622112222332442552663311322333344355366qddddddqddddddqdddddd压电材料的压电特性可以用它的压电常数矩阵表示压电材料的压电特性可以用它的压电常数矩阵表示 111213141516212223242526313233343536ijddddddddddddddddddd武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 天然结构石英晶体的理想外形是一个正六面体，在晶体学用三根互相垂直的轴天然结构石英晶体的理想外形是一个正六面体，在晶体学用三根互相垂直的轴

6、来表示，来表示，Z ZZ Z轴轴光轴，光轴，X XX X轴轴电轴，经过正六面体棱线，并垂直于光轴电轴，经过正六面体棱线，并垂直于光轴 Y YY Y轴轴机械轴，与机械轴，与X XX X轴和轴和Z ZZ Z轴同时垂直轴同时垂直5.2 5.2 压电材料和它的主要特性压电材料和它的主要特性5.2.1 5.2.1 石英晶体石英晶体1.1.石英晶体的压电效应石英晶体的压电效应武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院纵向压电效应纵向压电效应沿电轴沿电轴X XX X方向的力作用下产生的压电效应方向的力作用下产生的压电效应横向压电效应横向压电效应沿机械轴沿机械轴Y YY Y方向的力作用下产生的压电效应方

7、向的力作用下产生的压电效应 沿光轴沿光轴Z ZZ Z方向受力则不产生压电效应。方向受力则不产生压电效应。只在垂直于只在垂直于X X轴的平面上积聚电荷轴的平面上积聚电荷武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院天然石英晶体外形天然石英晶体外形武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 从石英晶体切下晶体切片后，在其垂直从石英晶体切下晶体切片后，在其垂直X X轴方向的两个表面用真轴方向的两个表面用真空镀膜或沉银法得到两个电极面空镀膜或沉银法得到两个电极面。双面镀银并封装双面镀银并封装武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院纵向压电效应：纵向压电效应：当晶片受到沿当晶片受到沿X

8、X轴方向的压应力轴方向的压应力X X作用时，晶片将产生厚度变形作用时，晶片将产生厚度变形,并发生极化并发生极化的现象的现象1111XXXFPddlbFX+XFX+X注：按前述坐标系为左旋石英晶体，右旋石英注：按前述坐标系为左旋石英晶体，右旋石英晶体的结构与左旋石英晶体成镜像对称，压电晶体的结构与左旋石英晶体成镜像对称，压电效果极性相反。效果极性相反。武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院横向压电效应：横向压电效应：当晶片作用力是沿着机械轴的当晶片作用力是沿着机械轴的方向时，晶片将产生宽度方向的变形方向时，晶片将产生宽度方向的变形,并发生并发生极化的现象则为横向压电效应。其电荷仍在与极

9、化的现象则为横向压电效应。其电荷仍在与X X轴垂直平面上出现，轴垂直平面上出现，+FYFYXX根据石英晶体轴对称条件：根据石英晶体轴对称条件：d d1111=d d1212武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 产生压电效应时，其作用力（或应变）与电荷（或电场强度）之产生压电效应时，其作用力（或应变）与电荷（或电场强度）之 间呈线性关系；事实表明，逆压电效应时两者也成线性关系间呈线性关系；事实表明，逆压电效应时两者也成线性关系 晶体在哪个方向上有正压电效应，则在此方向上一定存在逆压晶体在哪个方向上有正压电效应，则在此方向上一定存在逆压 电效应；电效应；石英晶体不是在任何方向都存在压电

10、效应的。石英晶体不是在任何方向都存在压电效应的。此外，石英晶体在切向力作用下也会产生压电效应此外，石英晶体在切向力作用下也会产生压电效应武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院(a)硅氧离子在硅氧离子在Z Z平面上的投影平面上的投影（b）等效为正六边形排列的投影等效为正六边形排列的投影2.2.石英晶体产生压电压电效应的机理石英晶体产生压电压电效应的机理(b)(a)+-YXXY+武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 当外力当外力0 0时，正、负离子分布在正六边形顶角上，时，正、负离子分布在正六边形顶角上，形成三个互成形成三个互成120120夹角的偶极矩夹角的偶极矩P P1 1

11、、P P2 2、P P3 3，此时，此时正负电荷中心重合，电偶极矩的矢量和等于零，即正负电荷中心重合，电偶极矩的矢量和等于零，即 P P1 1P P2 2P P3 30 0 当晶体受到沿当晶体受到沿X X方向的压力（方向的压力（F FX X000，在，在Y Y、Z Z方向上的分量为方向上的分量为（P1+P2+P3P1+P2+P3）Y Y=0 =0 （P1+P2+P3P1+P2+P3）Z Z=0=0 因此，在因此，在X X轴的正向出现正电荷，在轴的正向出现正电荷，在Y Y、Z Z轴方向轴方向则不出现电荷。则不出现电荷。Y+-X(a)FX=0P1P2P3(b)FX0FXXY+FX+-P1P2P3武

12、汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 在在X X轴的正向出现负电荷，在轴的正向出现负电荷，在Y Y、Z Z方向则不出现电荷。它在方向则不出现电荷。它在X X方向产方向产生正压电效应，而生正压电效应，而Y Y、Z Z方向则不产生压电效应。方向则不产生压电效应。晶体在晶体在Y Y轴方向力轴方向力F FY Y作用下的情况与作用下的情况与F FX X相似。当相似。当F FY Y0 0时，晶体的形变时，晶体的形变与与F FX X00相似；当相似；当F FY Y0 0时相似。由此可见，晶体在时相似。由此可见，晶体在Y Y（即机械轴）方向的（即机械轴）方向的力力F FY Y作用下，作用下，使它在使

13、它在X X方向产生正压电效应方向产生正压电效应，在，在Y Y、Z Z方向则不产生压电效方向则不产生压电效应。应。Y+-X-+FXFXP2P3P1+（P1+P2+P3）X00），），使其受到压缩，此时电极矩的三个分量为使其受到压缩，此时电极矩的三个分量为 晶体在晶体在Z Z轴方向力轴方向力F FZ Z的作用下，不改变晶体的晶格结构，所以，的作用下，不改变晶体的晶格结构，所以，正、负电荷中心保持重合，电偶极矩矢量和等于零。所以沿正、负电荷中心保持重合，电偶极矩矢量和等于零。所以沿Z Z(即光即光轴轴)方向的力方向的力F FZ Z作用下，晶体不产生压电效应。作用下，晶体不产生压电效应。武汉理工大学机

14、电工程学院武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院5.2.2 5.2.2 压电陶瓷压电陶瓷 1 1压电陶瓷的压电效应压电陶瓷的压电效应当作用力沿极化方向时，在极化面上出现电荷：当作用力沿极化方向时，在极化面上出现电荷：FdQ33d d3333压电陶瓷的纵向压电常数压电陶瓷的纵向压电常数。当作用力垂直极化方向时，在极化面上出现电荷：当作用力垂直极化方向时，在极化面上出现电荷：FSSdFSSdQyxyx3132SxSx极化面的面积；极化面的面积；SySy受力面的面积受力面的面积 武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院2 2压电陶瓷压电效应产生的机理压电陶瓷

15、压电效应产生的机理 压电陶瓷属于铁电体一类的物质，是人工制造的多晶压电材料，它具压电陶瓷属于铁电体一类的物质，是人工制造的多晶压电材料，它具有类似铁磁材料磁畴结构的有类似铁磁材料磁畴结构的电畴电畴结构。电畴是分子自发形成的区域，它结构。电畴是分子自发形成的区域，它有一定的极化方向，从而存在一定的电场。在无外电场作用时，各个电有一定的极化方向，从而存在一定的电场。在无外电场作用时，各个电畴在晶体上杂乱分布，它们的极化效应被相互抵消，因此原始的压电陶畴在晶体上杂乱分布，它们的极化效应被相互抵消，因此原始的压电陶瓷内极化强度为零瓷内极化强度为零武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 陶瓷片

16、内的极化强度是以陶瓷片内的极化强度是以电偶极矩电偶极矩的形式表现出来，即在陶瓷的形式表现出来，即在陶瓷的一端出现正束缚电荷，另一端出现负束缚电荷。而在陶瓷片的电的一端出现正束缚电荷，另一端出现负束缚电荷。而在陶瓷片的电极面上吸附来自外界的自由电荷。这些自由电荷与陶瓷片内的束缚极面上吸附来自外界的自由电荷。这些自由电荷与陶瓷片内的束缚电荷符号相反而数量相等，它起着屏蔽和抵消陶瓷片内极化强度对电荷符号相反而数量相等，它起着屏蔽和抵消陶瓷片内极化强度对外界的作用。所以陶瓷片对外部呈现带电性外界的作用。所以陶瓷片对外部呈现带电性 自由电荷自由电荷束缚电荷束缚电荷电极电极电极电极极化方向极化方向武汉理工

17、大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 如果在陶瓷片上加一个与极化方向平行的压力如果在陶瓷片上加一个与极化方向平行的压力F F，陶瓷片将产生压缩，陶瓷片将产生压缩形变，片内的正、负束缚电荷之间的距离变小，极化强度也变小。因此，形变，片内的正、负束缚电荷之间的距离变小，极化强度也变小。因此，原来吸附在电极上的自由电荷，有一部分被释放，而出现放电荷现象。原来吸附在电极上的自由电荷，有一部分被释放，而出现放电荷现象。当压力撤消后，陶瓷片恢复原状当压力撤消后，陶瓷片恢复原状(这是一个膨胀过程这是一个膨胀过程)，片内的正、负电，片内的正、负电荷之间的距离变大，极化强度也变大，因此电极上又吸附一部分自由

18、电荷之间的距离变大，极化强度也变大，因此电极上又吸附一部分自由电荷而出现充电现象。这种现象就是陶瓷的正压电效应。荷而出现充电现象。这种现象就是陶瓷的正压电效应。极化方向极化方向F武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 同样，若在陶瓷片上加一个与极化方向相同的电场，由于电场同样，若在陶瓷片上加一个与极化方向相同的电场，由于电场的方向与极化强度的方向相同，所以电场的作用使极化强度增大。这时，的方向与极化强度的方向相同，所以电场的作用使极化强度增大。这时，陶瓷片内的正负束缚电荷之间距离也增大，陶瓷片沿极化方向产生伸长陶瓷片内的正负束缚电荷之间距离也增大，陶瓷片沿极化方向产生伸长形变。同理，

19、如果外加电场的方向与极化方向相反，则陶瓷片沿极化方形变。同理，如果外加电场的方向与极化方向相反，则陶瓷片沿极化方向产生缩短形变。这种由于电效应而转变为机械效应或者由电能转变为向产生缩短形变。这种由于电效应而转变为机械效应或者由电能转变为机械能的现象，就是逆压电效应。机械能的现象，就是逆压电效应。极化方向电场方向武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院5.2.3 5.2.3 压电材料的主要特性压电材料的主要特性压电材料主要特性压电材料主要特性：转换性能。要求具有较大压电常数。转换性能。要求具有较大压电常数。机械性能。压电元件作为受力元件，希望它的机械强度高、刚机械性能。压电元件作为受力元

20、件，希望它的机械强度高、刚度大，以期获得宽的线性范围和高的固有振动频率。度大，以期获得宽的线性范围和高的固有振动频率。电性能。希望具有高电阻率和大介电常数，以减弱外部分布电电性能。希望具有高电阻率和大介电常数，以减弱外部分布电容的影响并获得良好的低频特性。容的影响并获得良好的低频特性。环境适应性强。温度和湿度稳定性要好，要求具有较高的居里环境适应性强。温度和湿度稳定性要好，要求具有较高的居里点，获得较宽的工作温度范围。点，获得较宽的工作温度范围。时间稳定性。要求压电性能不随时间变化。时间稳定性。要求压电性能不随时间变化。武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院（1 1）压电晶体）压电晶

21、体 石英晶体（石英晶体（SiOSiO2 2）是一种具有良好压电特性的压电晶体。其介电常数和压电系数的温度稳是一种具有良好压电特性的压电晶体。其介电常数和压电系数的温度稳定性相当好，在常温范围内这两个参数几乎不随温度变化，定性相当好，在常温范围内这两个参数几乎不随温度变化，在在20200范围内，温度每升高范围内，温度每升高1，压电系数仅减少压电系数仅减少0.016。但是当到但是当到573时，时，它完全失去了压电特性，这就是它的它完全失去了压电特性，这就是它的居里点居里点。武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 石英晶体的突出优点是性能非常稳定，机械强度高，绝缘性能也石英晶体的突出优点是

22、性能非常稳定，机械强度高，绝缘性能也相当好。但石英材料价格昂贵，且压电系数比压电陶瓷低得多。因此相当好。但石英材料价格昂贵，且压电系数比压电陶瓷低得多。因此一般仅用于一般仅用于标准仪器标准仪器或要求较高的传感器中。或要求较高的传感器中。因为石英是一种各向异性晶体，因此，按不同方向切割的晶片，因为石英是一种各向异性晶体，因此，按不同方向切割的晶片，其物理性质（如弹性、压电效应、温度特性等）相差很大。在设计石其物理性质（如弹性、压电效应、温度特性等）相差很大。在设计石英传感器时，根据不同使用要求正确地选择石英片的切型。英传感器时，根据不同使用要求正确地选择石英片的切型。武汉理工大学机电工程学院武汉

23、理工大学机电工程学院水溶性压电晶体水溶性压电晶体 属于单斜晶系的有酒石酸钾钠属于单斜晶系的有酒石酸钾钠(NaKC(NaKC4 4H H4 4O O6 64H4H2 2O)O)，酒石酸乙烯二铵，酒石酸乙烯二铵(C(C4 4H H4 4N N2 2O O6 6，简称，简称EDT)EDT)，酒石酸二钾，酒石酸二钾(K(K2 2C C2 2H H4 4O O6 6H H2 2O O，简称，简称DKT)DKT)，硫酸锂，硫酸锂(Li(Li2 2SOSO4 4H H2 2O)O)。属于正方晶系的有磷酸二氢钾。属于正方晶系的有磷酸二氢钾(KH(KH2 2POPO4 4，简称，简称KDP)KDP)，磷酸二，磷

24、酸二氢氨氢氨(NH(NH4 4H H2 2POPO4 4，简称，简称ADP)ADP)，砷酸二氢钾，砷酸二氢钾(KH(KH2 2AsOAsO4 4，简称，简称KDA)KDA)，砷酸二氢氨，砷酸二氢氨(NH(NH4 4H H2 2AsOAsO4 4，简称，简称ADA)ADA)。武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 2.2.压电陶瓷压电陶瓷 （1)1)钛酸钡压电陶瓷钛酸钡压电陶瓷 钛酸钡（钛酸钡（BaTiOBaTiO3 3）是由碳酸钡（）是由碳酸钡（BaCOBaCO3 3）和二氧化钛（和二氧化钛（TiOTiO2 2）按）按1 1：1 1分子比例在高温下合成的压电陶瓷。分子比例在高温下合成

25、的压电陶瓷。它具有很高的介电常数和较大的压电系数（约为石英晶体的它具有很高的介电常数和较大的压电系数（约为石英晶体的5050倍）。倍）。不足之处是居里温度低（不足之处是居里温度低（120120），温度稳定性和机械强度不如石英晶体。），温度稳定性和机械强度不如石英晶体。(2)(2)锆钛酸铅系压电陶瓷（锆钛酸铅系压电陶瓷（PZTPZT）锆钛酸铅是由锆钛酸铅是由PbTiOPbTiO3 3和和PbZrOPbZrO3 3组成的固溶体组成的固溶体PbPb（ZrZr、TiTi）O O3 3。它与钛酸。它与钛酸钡相比，压电系数更大，居里温度在钡相比，压电系数更大，居里温度在300300以上，各项机电参数受温度

26、影响以上，各项机电参数受温度影响小，时间稳定性好。此外，在锆钛酸中添加一种或两种其它微量元素（如小，时间稳定性好。此外，在锆钛酸中添加一种或两种其它微量元素（如铌、锑、锡、锰、钨等）还可以获得不同性能的铌、锑、锡、锰、钨等）还可以获得不同性能的PZTPZT材料。因此锆钛酸铅系材料。因此锆钛酸铅系压电陶瓷是目前压电式传感器中应用最广泛的压电材料。压电陶瓷是目前压电式传感器中应用最广泛的压电材料。武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院(3)(3)压电聚合物压电聚合物 聚二氟乙烯（聚二氟乙烯（PVFPVF2 2）是目前发现的压电效应较强的）是目前发现的压电效应较强的聚合物薄膜聚合物薄膜，这

27、，这种合成高分子薄膜就其对称性来看，不存在压电效应，但是它们具有种合成高分子薄膜就其对称性来看，不存在压电效应，但是它们具有“平面锯齿平面锯齿”结构，存在抵消不了的结构，存在抵消不了的偶极子偶极子。经延展和拉伸后可以使分。经延展和拉伸后可以使分子子链轴链轴成规则排列，并在与分子轴垂直方向上产生成规则排列，并在与分子轴垂直方向上产生自发极化偶极子自发极化偶极子。当。当在膜厚方向加直流高压电场极化后，就可以成为具有压电性能的高分子在膜厚方向加直流高压电场极化后，就可以成为具有压电性能的高分子薄膜。这种薄膜有可挠性，并容易制成大面积压电元件。这种元件耐冲薄膜。这种薄膜有可挠性，并容易制成大面积压电元

28、件。这种元件耐冲击、不易破碎、稳定性好、频带宽。为提高其压电性能还可以掺入压电击、不易破碎、稳定性好、频带宽。为提高其压电性能还可以掺入压电陶瓷粉末，制成混合复合材料陶瓷粉末，制成混合复合材料(PVF(PVF2 2PZT)PZT)。武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院高分子压电薄膜及拉制高分子压电薄膜及拉制 武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 用于波形分析及报警的高分子压电踏脚板用于波形分析及报警的高分子压电踏脚板压电式脚踏报警器压电式脚踏报警器武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院高分子压电薄膜制作的压电喇叭高分子压电薄膜制作的压电喇叭（逆压电效应）（逆压

29、电效应）武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院（4 4）压电半导体材料）压电半导体材料 如如ZnOZnO、CdS CdS、ZnO ZnO、CdTeCdTe，这种力敏器件具有灵敏度高，这种力敏器件具有灵敏度高，响应时间短等优点。此外用响应时间短等优点。此外用ZnOZnO作为表面声波振荡器的压电材作为表面声波振荡器的压电材料，可测取力和温度等参数。料，可测取力和温度等参数。(5)(5)铌酸盐系压电陶瓷。铌酸盐系压电陶瓷。武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院5.3 5.3 压电元件的常用结构形式压电元件的常用结构形式5.3.1 5.3.1 压电元件的基本变形方式压电元件的基本变

30、形方式1.对能量转换有意义的石英晶体变形方式对能量转换有意义的石英晶体变形方式：(1)厚度变形厚度变形（TE方式方式）：）：利用石英晶体的纵向压电效应利用石英晶体的纵向压电效应 Qx=d11Fx 或或 qx=d11x(2)长度变形长度变形（LE方式方式）：）：利用石英晶体的横向压电效应利用石英晶体的横向压电效应 Qy=d12FySxx/Syy 或或 qx=d12y武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院(3)面剪切变形面剪切变形（FS(Face shear)方式方式）：）：qx=d14 yz (X切晶体切晶体)qy=d25 xy (Y切晶体切晶体)(5)弯曲变形弯曲变形（BS(Bend

31、ing shear)方式方式）(4(4）厚度剪切变形（厚度剪切变形（TSTS(thickness shear)thickness shear)方式）：方式）：qy=d26 xy (Y Y切晶体切晶体)(a)(a)厚度变形厚度变形 (b)(b)长度变形长度变形 (c)(c)面剪切变形面剪切变形 (d)(d)厚度剪切变形厚度剪切变形 (e)(e)体积变形体积变形武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 由于由于x=y=z=，且且d31=d32，所以所以：qx=(2d31+d33)2.压电陶瓷的变形方式压电陶瓷的变形方式(1)厚度变形厚度变形（TE方式方式）：）：Q=d33F(2)长度变形长

32、度变形（LE方式方式）：）：Q=-d32FSX/SY=-d31FSX/SY(3)体积变形方式体积变形方式（VE:volume expansion方方式式）：）：qx=d31x+d32y+d33z武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院5.3.2 5.3.2 压电元件的结构形式压电元件的结构形式（a）压电晶片的并联压电晶片的并联 （b）压电晶片的串联压电晶片的串联 2 2QQUUCC并并并，并联并联:Q串=Q，U串=2U，C串=C/2串联串联:在这两种接法中，并联接法输出电荷量大、本身电容大、时间在这两种接法中，并联接法输出电荷量大、本身电容大、时间常数大，适宜用测量慢信号并且以电荷作为

33、输出量的情况。而常数大，适宜用测量慢信号并且以电荷作为输出量的情况。而串联接法输出电压大、电容小，适宜用于以电压作为输出信号、串联接法输出电压大、电容小，适宜用于以电压作为输出信号、并且测量电路输入阻抗很高的场合。并且测量电路输入阻抗很高的场合。武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院压电晶片受外力作用产生极化现象时，在它的两个极面上出现极性相反电量相等的电荷。因此压电传感器可以看作一个静电发生器。同时从结构上来看，可把它视为两极板上聚集异性电荷，中间为绝缘体的电容器。UQCa0raSSChh aQUC5.4 5.4 等效电路与测量电路等效电路与测量电路电荷发生器电荷发生器电容器电容器

34、武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院因此，压电传感器可等效为电压源Ua和一个电容器Ca的串联电路；也可等效为一个电荷源Q和一个电容器Ca的并联电路。QCaUaUaQ/CaQ UaCaCa电压等效电路电压等效电路 电荷等效电路电荷等效电路传感器内部信号电荷无“漏损”，外电路负载无穷大时，压电传感器受力后产生的电压或电荷才能长期保存，否则电路将以某时间常数按指数规律放电。这对于静态标定以及低频准静态测量极为不利，必然带来误差。事实上，传感器内部不可能没有泄漏，外电路负载也不可能无穷大，只有外力以较高频率不断地作用，传感器的电荷才能得以补充，因此，压电晶体不适合于静态测量。武汉理工大学机

35、电工程学院武汉理工大学机电工程学院如果用导线将压电传感器和测量仪器连接时,则应考虑连线的等效电容,前置放大器的输入电阻、输入电容。可见，压电传感器的绝缘电阻Ra与前置放大器的输入电阻Ri相并联。为保证传感器和测试系统有一定的低频或准静态响应，要求压电传感器绝缘电阻应保持在1013以上，才能使内部电荷泄漏减少到满足一般测试精度的要求。与上相适应，测试系统则应有较大的时间常数，亦即前置放大器要有相当高的输入阻抗，否则传感器的信号电荷将通过输入电路泄漏，即产生测量误差。C Ci i 前置放大器输入电容前置放大器输入电容;C Cc c 连线电容连线电容;R Ra a传感器的漏电阻传感器的漏电阻;R R

36、i i前置放大器输入电阻前置放大器输入电阻电压源等效电路电压源等效电路UCaRaCcRiCiCaRaCcRiCiQ电荷源等效电路电荷源等效电路武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院压电式传感器的灵敏度：压电式传感器的灵敏度：（1 1）电压灵敏度电压灵敏度，K Ku u=U UF F，它表示单位力所产生的电压；，它表示单位力所产生的电压；（2 2）电荷灵敏度电荷灵敏度，K Kq q=Q QF F，它表示单位力所产生的电荷。，它表示单位力所产生的电荷。它们之间的关系为：它们之间的关系为：aquC/KK 武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院5.4.2 5.4.2 压电式传感器的

37、信号调理电路压电式传感器的信号调理电路 压电式传感器的前置放大器有两个作用：压电式传感器的前置放大器有两个作用：u把压电式传感器的高输出阻变换成低阻抗输出；把压电式传感器的高输出阻变换成低阻抗输出；u放大压电式传感器输出的微弱信号。放大压电式传感器输出的微弱信号。前置放大器形式：u电压放大器，其输出电压与输入电压（传感器的输电压放大器，其输出电压与输入电压（传感器的输出电压）成正比；出电压）成正比；u电荷放大器，其输出电压与输入电荷成正比。电荷放大器，其输出电压与输入电荷成正比。武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院1 1、电压前置放大器、电压前置放大器ACaCRUiU0(b)Uai

38、aiaRRRRRC=Cc+CiACaRaRiCiCcU0Ua(a)武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院tFFmsin设压电元件所受作用力设压电元件所受作用力tUUmasinaijiCCRjRjFdU1根据电路定律可得放大器输入端的电压根据电路定律可得放大器输入端的电压U Ui i电压幅值为电压幅值为则压电元件上产生的电压值为则压电元件上产生的电压值为amijamCFdCQU武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院U Ui i的幅值的幅值icaCCCRarctan2输入电压与作用力之间的相位差输入电压与作用力之间的相位差为为/01，即作用力变化频率与测量回路时间常数的乘积远大

39、于1时。前置放大器的输入电压Uim与频率无关。一般认为/03，可近似看作输入电压与作用力频率无关。这说明，在测量回路时间常数一定的条件下，压电式传感器具有相当好的高频响应特性。icamijmijimCCCFdCRFdCU1)(112222)(1icamijimCCCRRFdU当当C RC R无穷大，或者无穷大，或者 足够高时，足够高时，武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院令令n=1/=1/R(Ca+Cc+Ci)，n称为系统的固有频率称为系统的固有频率通常我们令通常我们令=R(Ca+Cc+Ci)，称为测量回路的时间常数称为测量回路的时间常数，武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工

40、程学院（1 1）=0=0时，时，U Uimim=0=0，说明压电传感器不能测静态量。，说明压电传感器不能测静态量。（2 2）当）当CRCR11时，时，U Uimim与频率无关。这说明压电式传感器的高与频率无关。这说明压电式传感器的高频响应相当好，这是压电式传感器的一个突出优点。频响应相当好，这是压电式传感器的一个突出优点。（3 3）如果被测物理量是缓慢变化的信号（）如果被测物理量是缓慢变化的信号（很小），为了满足很小），为了满足CR1CR1，必须尽量提高，必须尽量提高CRCR。但提高电容但提高电容C C会降低测试的灵敏度，会降低测试的灵敏度，所以可行的办法是提高负载电阻所以可行的办法是提高负载

41、电阻R Ri i.（4 4）为了满足阻抗匹配的要求，压电式传感器一般都采用专门）为了满足阻抗匹配的要求，压电式传感器一般都采用专门的前置放大器。电压前置放大器（阻抗变换器）因其电路不同的前置放大器。电压前置放大器（阻抗变换器）因其电路不同而分为几种型式，但都具有很高的输入阻抗（而分为几种型式，但都具有很高的输入阻抗（10109 9以上）和很以上）和很低的输出阻抗（小于低的输出阻抗（小于10102 2）。）。222)(1icamijimCCCRRFdUicamijmijimCCCFdCRFdCU1)(112武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 （5 5）电压前置放大器电缆长度对传感器

42、测量精度的）电压前置放大器电缆长度对传感器测量精度的影响较大。因为，当电缆长度改变时，影响较大。因为，当电缆长度改变时，C Cc c也将改变，因而也将改变，因而放大器的输入电压放大器的输入电压U Uimim也随之变化，进而使前置放大器的也随之变化，进而使前置放大器的输出电压改变。输出电压改变。因此，压电式传感器与前置放大器之间的连接电缆不能随意更换。如有变化时，必须重新校正其灵敏度，否则将引入测量误差。解决电缆分布电容问题的办法是将放大器装入传感器之中，组成一体化传感器，如图 武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院2 2、电荷前置放大器、电荷前置放大器电荷放大器实际上是一种具有深度电

43、容负反馈的高增益放大器，其等效电路如图所示。若放大器的开环增益A足够大，则放大器的输入端a点的电位接近于“地”电位；并且由于放大器的输入级采用了场效应晶体管，放大器的输入阻抗很高。所以放大器输入端几乎没有分流，运算电流仅流入反馈回路，电荷Q只对反馈电容Cf充电，充电电压接近于放大器的输出电压电荷放大器能将高内阻的电荷源转换为低内阻的电压源，而且输出电压正比于输入电荷，因此它也能起着阻抗变换的作用，其输入阻抗可高达10101012，而输出阻抗可小于100。fcCQuUf/0武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院1111ffffCA CARR电荷放大器通常在反馈电容的两端并联一个大的反馈

44、电荷放大器通常在反馈电容的两端并联一个大的反馈电阻电阻Rf=10Rf=108 810101010，其功能是提供直流反馈，以提，其功能是提供直流反馈，以提高电荷放大器工作稳定性和减小零漂。高电荷放大器工作稳定性和减小零漂。压电式传感器与电荷放大器连接的基本电路如下压电式传感器与电荷放大器连接的基本电路如下武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 因此讨论如下。因此讨论如下。（1 1）当）当A A足够大，且频率足够高时，满足足够大，且频率足够高时，满足(1+A)Cf（Ca+Cc），），1/(1+A)Rf1/Ra，和，和Cf 1/Rf，放大器输出电压即为，放大器输出电压即为0fQUC可见输出

45、电压只取决于输入电荷Q和反馈电容Cf，改变Cf的大小即可得到所需的电压输出。在电荷放大器的实际电路中，考虑到被测物理量的不同量程，以及后级放大器不致因输入信号太大而引起饱和，反馈电容Cf的容量是可调的，一般在100104pF范围之间根据等效电路得放大器输出为根据等效电路得放大器输出为01111aCfafj QAUAjCCA CRR武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院电荷放大器通常在反馈电容的两端并联一个大的反馈电阻Rf=1081010，其功能是提供直流反馈，以提高电荷放大器工作稳定性和减小零漂输出电压与反馈网络的元件参数Cf、Rf和传感器信号频率有关，其幅值为:01111aCfaf

46、j QAUAjCCA CRR可变为可变为:01111ffffjQAjQUAjA CjCRR 22201ffC)R/(QU（2 2）当放大倍数）当放大倍数A A足够大，但工作频率较低时，足够大，但工作频率较低时，武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 当当1/1/R Rf f=CCf f时，有时，有 2ofQUC此时放大器输出电压仅为高频时输出的此时放大器输出电压仅为高频时输出的 ，由此可得，由此可得电荷放大器增益下降电荷放大器增益下降3dB3dB的下限截止频率为的下限截止频率为:1/2ffLCRf21以常常选用的以常常选用的HzfRpFCLff016.010,100010为例，说明电

47、荷放大器的低频响应也是十分良好的说明电荷放大器的低频响应也是十分良好的武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院低频时，输出电压与输入电荷之间的相位差为低频时，输出电压与输入电荷之间的相位差为 在截止频率在截止频率f fL L处处 =45=45。)CR/arctan()CR/arctan(ffff11武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院5.55.5压电式传感器的应用压电式传感器的应用5.5.15.5.1压电式加速度传感器压电式加速度传感器压电式加速度传感器是一种常用的加速度计，占所有加速度传感器的80以上。因其固有频率高，有较好的频率响应(几千赫至几十千赫)，如果配以电荷放大

48、器，低频响应也很好(可低至零点几赫)。另外，压电式传感器体积小、重量轻。缺点是要经常校正灵敏度。1 1结构和工作原理结构和工作原理 结构形式主要有结构形式主要有 压缩型、压缩型、剪切型剪切型 复合型。复合型。武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 1 1）压缩式）压缩式武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 1.1.灵敏度灵敏度 电压灵敏度电压灵敏度:电荷灵敏度电荷灵敏度:因为因为:所以所以:21()aVUKV sma21()qQKC smaaaQUCqVaKK C武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院 由质量块上的力与加速度的关系由质量块上的力与加速度的关系:F

49、=ma(N N)以及以及:Q=d33F 可知压电式加速度传感器的电荷灵敏度和电压灵敏度可知压电式加速度传感器的电荷灵敏度和电压灵敏度:2133()qKdm C s m213 3()VadmKV s mC不宜增大不宜增大M M来提高灵敏度来提高灵敏度武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院2.2.动态特性动态特性输入量输入量为被测加速度为被测加速度 ,输出量输出量为质量块与被测物为质量块与被测物间的相对位移间的相对位移xm-xax 当作用于质量块上的力平衡时，其动力学方程式当作用于质量块上的力平衡时，其动力学方程式:22dd()()0ddmmmxxxmck xxtt武汉理工大学机电工程学

50、院武汉理工大学机电工程学院根据二阶传感器频响特性分析方法，可得压电式加速度传感器根据二阶传感器频响特性分析方法，可得压电式加速度传感器的幅频特性和相频特性分别为：的幅频特性和相频特性分别为：nkm固有频率；固有频率；cmk阻尼比；阻尼比；2n2222nn114mxxx n2n2arctan1 武汉理工大学机电工程学院武汉理工大学机电工程学院y()mFkxx 由于质量块与振动体之间的相对位移由于质量块与振动体之间的相对位移(x xm m-x x)就是压电元件就是压电元件受到作用力后产生的变形量，因此，在压电元件的线性弹性范受到作用力后产生的变形量，因此，在压电元件的线性弹性范围内，有围内，有:式