集成电路分类课件.pptx
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1、WXHWXH14 4、19741974年,出现了大规模集成电路为第四次。年,出现了大规模集成电路为第四次。1 1、19041904年年,电子三极管(真空三极管)为第一次。电子三极管(真空三极管)为第一次。2 2、19481948年,费来明发明了晶体三极管为第二次。年,费来明发明了晶体三极管为第二次。3 3、19581958年,集成电路年,集成电路 移相振荡器移相振荡器 为第三次。为第三次。(中国(中国6565年生产第一块年生产第一块TTLTTL与非门)与非门)WXHWXH2现在集成电路的规模,正在以平均现在集成电路的规模,正在以平均1 12 2年翻一番的速度在增大。年翻一番的速度在增大。194
2、8 1966 1971 1980 1990 1998 19991948 1966 1971 1980 1990 1998 1999 小规模小规模 中规模中规模 大规模大规模 超大规模超大规模 超超大规模超超大规模 超亿规模超亿规模 SSI MSI LSI VLSI ULSI GSISSI MSI LSI VLSI ULSI GSI理论集成度理论集成度 10-100 10010-100 1001000 10001000 10001010万万 1010万万100100万万 100100万万1 1亿亿 1 1亿亿商业集成度商业集成度 1 10 1001 10 1001000 10001000 100
3、02 2万万 2 2万万5 5万万 5050万万 10001000万万 触发器触发器 计数器计数器 单片机单片机 1616位和位和3232位位 图象图象 SRAMSRAM 加法器加法器 ROM ROM 微处理器微处理器 处理器处理器 128128位位CPUCPU(1 1)设计技术的提高,简化电路,合理布局布线)设计技术的提高,简化电路,合理布局布线(2 2)器件的尺寸缩小(工艺允许的最细线条)器件的尺寸缩小(工艺允许的最细线条)(生产环境:超净车间)(生产环境:超净车间)(3 3)芯片面积增大,从)芯片面积增大,从1 15 mm5 mm2 2到现在的到现在的1 cm1 cm2 21967196
4、7年在一块晶片上完成年在一块晶片上完成10001000个晶体管的研制成功。个晶体管的研制成功。集成电路集成度的提高主要依靠三个因素集成电路集成度的提高主要依靠三个因素7777年美国年美国30mm30mm2 2制作制作1313万个晶体管,即万个晶体管,即64K64K位位DRAMDRAM。WXHWXH3 目前使用的目前使用的1616兆位兆位DRAMDRAM集成电路的集成电路的线条宽度线条宽度为为0.5 0.5 微米微米,6464兆位兆位DRAMDRAM集成电路的集成电路的线条宽度线条宽度为为0.3 0.3 微米微米,继续发展可望,继续发展可望达到达到0.010.01微米微米,0.010.01微米的
5、概念相当于微米的概念相当于3030个原子排成一列的个原子排成一列的长度长度。这一尺寸在半导体集成电路中,已经成为。这一尺寸在半导体集成电路中,已经成为极限极限,再小,再小PNPN结的理论就不存在了,或者说作为电子学范畴的集成电路结的理论就不存在了,或者说作为电子学范畴的集成电路已达极限,就会从电子学跃变到已达极限,就会从电子学跃变到量子工学量子工学的范畴,由量变到的范畴,由量变到质变,随之而来的一门新的工程学质变,随之而来的一门新的工程学对量子现象加以工程对量子现象加以工程应用的应用的“量子工学量子工学”也就诞生了,由这一理论指导而将做成也就诞生了,由这一理论指导而将做成的的量子器件量子器件,
6、将,将延续集成电路的发展延续集成电路的发展。现在美国和日本正投。现在美国和日本正投入大量的人力和物力进行这方面的研究,并且在入大量的人力和物力进行这方面的研究,并且在“原子级加原子级加工工”方面取得了一定的成果。方面取得了一定的成果。在一块芯片上能制造的晶体管是否有极限?在一块芯片上能制造的晶体管是否有极限?WXHWXH4数字集成电路:数字集成电路:门电路,触发器,计数器,存贮器,门电路,触发器,计数器,存贮器,微处理器等电路。微处理器等电路。7474系列,系列,74LS74LS,74HC74HC,40004000系列,系列,CMOSCMOS等各种型号。等各种型号。WXHWXH5 LM741
7、1 2 3 48 7 6 51 12 23 34 45 56 67 78 8 LM741 1 2 3 48 7 6 5WXHWXH6 4 4、元件的精度低,但对称性好,温度特、元件的精度低,但对称性好,温度特性好。性好。1 1、制造容量大于、制造容量大于2000PF2000PF的电容元件很困难,的电容元件很困难,如需大电容必须外接,所以集成运放都采用直接如需大电容必须外接,所以集成运放都采用直接耦合放大电路。耦合放大电路。2 2、制造太大和太小的电阻不经济,占用硅、制造太大和太小的电阻不经济,占用硅面积大。一般面积大。一般R R的范围为的范围为10010030K30K,大电阻,大电阻用恒流源代
8、替。用恒流源代替。3 3、集成工艺是做的元件愈单纯愈好做。、集成工艺是做的元件愈单纯愈好做。WXHWXH7中间级中间级输出级输出级偏置电路偏置电路输入级输入级四、电路的简单说明四、电路的简单说明WXHWXH8 运算放大器运算放大器实际上就是一个直接耦合的多级放大电路,它有实际上就是一个直接耦合的多级放大电路,它有两个输入端一个输出端,一般电源都不画。两个输入端一个输出端,一般电源都不画。单运放:单运放:LM741/LM741/A741A741双运放:双运放:LM747LM747(双(双741741)单电源四运放:单电源四运放:LM124/224/324LM124/224/324双电源四运放:双
9、电源四运放:LM148/248/348 LM148/248/348 等等。等等。四、电路的简单说明四、电路的简单说明 LM741 1 2 3 48 7 6 5WXHWXH9uu0uuu0uWXHWXH10WXHWXH11WXHWXH12uu0u0uA实际运放上述指标接近理想化条件,故用理想运放代替实实际运放上述指标接近理想化条件,故用理想运放代替实际运放所引起的误差并不严重,在工程上是允许的。际运放所引起的误差并不严重,在工程上是允许的。uu0uridu0r0u-u+u0WXHWXH13o+Uo(sat)-Uo(sat)u+-u-u0实际特性理想特性uu0uWXHWXH14o+Uo(sat)-
10、Uo(sat)实际特性u+-u-线性区饱和区饱和区ridu0r0U-U+u0WXHWXH15o+Uo(sat)-Uo(sat)实际特性u+-u-线性区饱和区饱和区uu0uWXHWXH1617-2 17-2 运算放大器在信号运算方面的应用运算放大器在信号运算方面的应用理想运放应满足的条件:理想运放应满足的条件:ridu0r0U-U+u0(1)(1)“虚短虚短”(2)(2)“虚断虚断”但是,这两个条件的使用必须是运放工作在线性区。但是,这两个条件的使用必须是运放工作在线性区。我们已经知道:我们已经知道:A Auouo,则当输入差模信号,则当输入差模信号极小时(如毫伏级以下的信号),也足以使极小时(
11、如毫伏级以下的信号),也足以使运放运放饱和。饱和。4 4、共模抑制比、共模抑制比K KCMRRCMRR3 3、开环输出电阻、开环输出电阻r ro o2 2、差模输入电阻、差模输入电阻r ridid1 1、开环放大倍数、开环放大倍数A Auouo0 0WXHWXH17uou-u+-R反相输入端。反相输入端。WXHWXH1817.2.117.2.1、比例运算、比例运算电路结构电路结构QR2R1RFuiu0iFi1闭环放大倍数闭环放大倍数1 1、反相比例、反相比例iufuuA0 u u-=u=u+又又虚断虚断 u u-=u=u+=0=0则电流则电流i i1 1等于等于电流电流i iF FFiRuRu
12、0100即:10RRuuAFiufWXHWXH19反相器时当,1,1ufFARRR2R1RFuiu0iFi1WXHWXH200rRiuro11iif电压并联负反馈电压并联负反馈R2R1RFuiu0iFi1WXHWXH21R2=R1/RF特别说明:特别说明:R2R1RFuiu0iFi1P112P112例例17.2.117.2.1请同学自学。请同学自学。WXHWXH22R2R1R3uiu0i3i1R4R5i4i5ai1=i3=i4+i5Ui/R1=-Ua/R3-Ua/R3=Ua/R4+(Ua-U0)/R5)RRRR1(RRuuA453513i0uWXHWXH23R2R1RFuiu0iFi111RR
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