计算机硬件基础-6-存储器(对应教材第5章)课件.ppt
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- 计算机硬件 基础 存储器 对应 教材 课件
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1、16 存储器存储器v存储系统的层次结构存储系统的层次结构v半导体存储器和只读存储器半导体存储器和只读存储器v主存储器、存储器的容量扩展主存储器、存储器的容量扩展v虚拟存储器与高速缓冲存储器虚拟存储器与高速缓冲存储器26.1 6.1 概述概述v存储系统存储系统v存储器的分类及主要技术指标存储器的分类及主要技术指标3微型机的存储系统微型机的存储系统v将两个或两个以上速度、容量和价格将两个或两个以上速度、容量和价格各不相同的存储器用硬件、软件或软各不相同的存储器用硬件、软件或软硬件相结合的方法连接起来就构成存硬件相结合的方法连接起来就构成存储系统。储系统。v系统的存储速度接近较快的存储器,系统的存储
2、速度接近较快的存储器,容量接近较大的存储器。容量接近较大的存储器。4微型计算机系统微型计算机系统高速缓冲存储系统高速缓冲存储系统主存储器主存储器高速缓冲存储器高速缓冲存储器虚拟存储系统虚拟存储系统主存储器主存储器辅助存储器辅助存储器5存储器的分类存储器的分类v按在系统中的地位分类按在系统中的地位分类高速缓冲存储器、主存储器(内存)、辅助存储高速缓冲存储器、主存储器(内存)、辅助存储器(外存)器(外存)v按存储介质分类按存储介质分类半导体存储器、磁表面存储器、光存储器半导体存储器、磁表面存储器、光存储器v按读写性质分类按读写性质分类随机存储器(随机存储器(RAM)、只读存储器()、只读存储器(R
3、OM)66.2 半导体存储器半导体存储器v由能够表示由能够表示“0”和和“1”、具有记忆功、具有记忆功能的一些物理器件组成。能的一些物理器件组成。v能存放一位二进制数的物理器件称为能存放一位二进制数的物理器件称为一个存储元。一个存储元。v若干存储元构成一个存储单元。若干存储元构成一个存储单元。76.2.1 常用半导体存储器常用半导体存储器随机存取存储器(随机存取存储器(RAM)只读存储器(只读存储器(ROM)FLASH存储器(闪存)存储器(闪存)静态静态RAM动态动态RAM掩模掩模ROM一次编程型一次编程型ROM(PROM)可读写可读写ROMEPROMEEROM6.2.2 半导体存储器的基本结
4、构半导体存储器的基本结构v存储矩阵存储矩阵v地址译码器地址译码器v存储控制电路存储控制电路v三态双向缓冲器三态双向缓冲器96.2.3 半导体随机存储器半导体随机存储器一、静态存储器一、静态存储器SRAMv存储元由双稳电路构成,存储信息稳存储元由双稳电路构成,存储信息稳定。定。10典型典型SRAM芯片芯片了解:了解:v主要引脚功能主要引脚功能v工作时序工作时序v与系统的连接使用与系统的连接使用11SRAM 6264芯片芯片v容量:容量:8K8v芯片外部引线图芯片外部引线图126264芯片与系统的连接芯片与系统的连接D0D7A0A12WEOECS1CS2A0A12MEMWMEMR译码译码电路电路高
5、位地高位地址信号址信号D0D7系系统统总总线线6264 +5V13译码电路译码电路v将输入的二进制(地址)编码变换为一将输入的二进制(地址)编码变换为一个特定的输出信号,即:个特定的输出信号,即:将输入的高位地址信号通过变换,将输入的高位地址信号通过变换,产生一个有效的输出信号,该信号选中产生一个有效的输出信号,该信号选中某一个存储器芯片,使该存储器芯片进某一个存储器芯片,使该存储器芯片进入工作状态。入工作状态。参与译码的高位地址信号决定了存储器的参与译码的高位地址信号决定了存储器的地址范围。地址范围。14译码方式译码方式v全地址译码全地址译码v部分地址译码部分地址译码15全地址译码全地址译码
6、v用全部的高位地址信号作为译码器的用全部的高位地址信号作为译码器的输入输入v存储器芯片的每一个存储单元都具有存储器芯片的每一个存储单元都具有唯一的内存地址,即存储单元与地址唯一的内存地址,即存储单元与地址编号是一对一的关系。编号是一对一的关系。16全地址译码例全地址译码例A19A18A17A16A15A14A13&16264CS1全部高位地址信号(全部高位地址信号(A19-A13)都作为译码器输入。)都作为译码器输入。低位地址信号(低位地址信号(A12-A0)接到)接到6264的地址引脚。的地址引脚。6264的地址范围的地址范围=?17部分地址译码部分地址译码v用部分高位地址信号(而不是全部)
7、用部分高位地址信号(而不是全部)作为译码器的输入作为译码器的输入v存储器芯片的每一个存储单元具有多存储器芯片的每一个存储单元具有多个内存地址,即存储单元与地址编号个内存地址,即存储单元与地址编号是一对多的关系。是一对多的关系。18部分地址译码例部分地址译码例vA18不参加译码,从而使被选中芯片的每个单元都拥不参加译码,从而使被选中芯片的每个单元都拥有两个地址。有两个地址。6264的地址范围?的地址范围?A19A17A16A15A14A13&16264CS119应用举例应用举例v将将SRAM 6264芯片与系统连接,使其地址范芯片与系统连接,使其地址范围为:围为:38000H39FFFH。v使用
8、使用74LS138译码器构成译码电路。译码器构成译码电路。20应用举例应用举例D0D7A0A12WEOECS1CS2A0A12MEMWMEMRD0D7A19G1G2AG2BCBA&A18A14A13A17A16A15+5VY0系系统统总总线线74LS138626421二、动态存储器二、动态存储器DRAM 存储元主要由电容构成,由于电容存在的漏存储元主要由电容构成,由于电容存在的漏电现象而使其存储的信息不稳定,故电现象而使其存储的信息不稳定,故DRAM芯片芯片需要定时刷新需要定时刷新。刷新:刷新:v最大刷新周期:最大刷新周期:DRAM全部刷新一遍所允许全部刷新一遍所允许的最大时间间隔;的最大时间
9、间隔;v刷新方式:刷新方式:集中式刷新集中式刷新分布式刷新分布式刷新异步刷新异步刷新2223典型典型DRAM芯片芯片2164Av2164A:64K1bitv采用行地址和列地址来确定一个单元;采用行地址和列地址来确定一个单元;v行列地址分时传送。行列地址分时传送。共用一组地址信号线共用一组地址信号线地址信号线的数量仅地址信号线的数量仅 为同等容量SRAM芯 片的一半。01000 1 0 0COLROW存储矩阵存储矩阵242164A的内部结构的内部结构A0A7存储矩阵256256行地址锁存及译码列地址锁存及译码.列放大器.DoutDin控制电路RAS#CAS#WE#25工作时序工作时序v数据读出数
10、据读出v数据写入数据写入v刷新,一次一行刷新,一次一行 266.2.46.2.4 只读存储器只读存储器(ROMROM)特点:特点:v可随机读取数据,但不能随机写入;可随机读取数据,但不能随机写入;v掉电后信息不丢失掉电后信息不丢失27一、一、EPROM特点:特点:v可多次编程写入;可多次编程写入;v掉电后内容不丢失;掉电后内容不丢失;v内容的擦除需用紫外线擦除器。内容的擦除需用紫外线擦除器。28典型典型EPROM芯片芯片2764v8K8bit芯片,其引脚与芯片,其引脚与SRAM 6264完全兼容完全兼容;v地址信号:地址信号:A0 A12v数据信号:数据信号:D0 D7v输出信号:输出信号:O
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