第二章STM32微处理器概述选编课件.ppt

1、u Cortex-M3 Cortex-M3的体系结构的体系结构u 处理器的特点处理器的特点第二章第二章 STM32STM32微处理器概述微处理器概述2.12.1 Cortex-M3Cortex-M3的体系结构的体系结构1.Cortex-M31.Cortex-M3系列微处理器的主要特点系列微处理器的主要特点 Thumb-2 Thumb-2 指令集架构（指令集架构（ISAISA）的子集。）的子集。哈佛处理器架构，在加载哈佛处理器架构，在加载/存储数据的存储数据的同时能够执行指令取指。同时能够执行指令取指。三级流水线。三级流水线。32 32 位单周期乘法。位单周期乘法。具备硬件除法。具备硬件除法。T

2、humb Thumb 状态和调试状态。状态和调试状态。处理模式和线程模式。处理模式和线程模式。2.12.1 Cortex-M3Cortex-M3的体系结构的体系结构 ISR ISR 的低延迟进入和退出。的低延迟进入和退出。可中断可中断-可继续的可继续的LDM/STMLDM/STM，PUSH/POPPUSH/POP ARMv6 ARMv6类型类型BE8/LEBE8/LE支持。支持。ARMv6 ARMv6 非对齐访问。非对齐访问。分支预测功能分支预测功能2.12.1 Cortex-M3Cortex-M3的体系结构的体系结构三级流水线及执行过程三级流水线及执行过程2.12.1 Cortex-M3Co

3、rtex-M3的体系结构的体系结构2.2.基于基于 Cortex-M3Cortex-M3微处理器的结构微处理器的结构ARM Cortex-M3ARM Cortex-M3模块结构模块结构ARM Cortex-M3ARM Cortex-M3模块结构模块结构2.12.1 Cortex-M3Cortex-M3的体系结构的体系结构3.3.基于基于 Cortex-M3Cortex-M3微处理器的寄存器组微处理器的寄存器组ARM Cortex-M3ARM Cortex-M3处理器内存映射处理器内存映射2.12.1 Cortex-M3Cortex-M3的体系结构的体系结构4.Cortex-M34.Cortex

4、-M3的工作模式与状态的工作模式与状态 Cortex-M3Cortex-M3处理器代码可以是特权执行或非特权执行。处理器代码可以是特权执行或非特权执行。线程模式在复位之后为特权访问线程模式在复位之后为特权访问 。这里需要注意的是，处理模式始终是特权访问的。这里需要注意的是，处理模式始终是特权访问的。2.12.1 Cortex-M3Cortex-M3的体系结构的体系结构4.Cortex-M34.Cortex-M3的存储器系统的存储器系统 CM3 CM3的存储器系统与从传统的存储器系统与从传统 ARMARM架构的相比，已架构的相比，已经有过脱胎换骨般的改革了：经有过脱胎换骨般的改革了：v CM3C

5、M3的存储器映射是预定义的，且规定好哪个位置的存储器映射是预定义的，且规定好哪个位置使用哪条总线。使用哪条总线。v CM3 CM3存储器系统支持存储器系统支持“位绑定位绑定”(bit-band)(bit-band)操作。操作。v CM3 CM3的存储器系统支持非对齐访问和互斥访问。这的存储器系统支持非对齐访问和互斥访问。这两个特性是直到两个特性是直到v7Mv7M时才出来的。时才出来的。v CM3 CM3的存储器系统支持的存储器系统支持bothboth小端配置和大端配置。小端配置和大端配置。2.12.1 Cortex-M3Cortex-M3的体系结构的体系结构5.Cortex-M35.Corte

6、x-M3的的NVICNVIC嵌入式中断控制器嵌入式中断控制器v 进入中断方式进入中断方式 入栈：入栈：把把8 8个寄存器的值压入栈。个寄存器的值压入栈。取向量：从向量表中找出对应的中断服务程序入取向量：从向量表中找出对应的中断服务程序入口地址。口地址。选择堆栈指针选择堆栈指针MSP/PSPMSP/PSP，更新堆栈指针，更新堆栈指针SPSP，更新，更新连接寄存器连接寄存器LRLR，更新程序计数器，更新程序计数器PCPC。v 高效的低延迟异常处理高效的低延迟异常处理v NVIC NVIC 的寄存器以存储器映射的方式来访问的寄存器以存储器映射的方式来访问 使能与除能寄存器使能与除能寄存器 悬起与悬起

7、与“解悬解悬”寄存器寄存器 优先级寄存器优先级寄存器 活动状态寄存器活动状态寄存器2.12.1 Cortex-M3Cortex-M3的体系结构的体系结构v 标准标准NVICNVIC包括一个包括一个NMINMI和和3232个通用物理中个通用物理中断，可配置中断断，可配置中断240240个，优先级位个，优先级位3 38 8位。位。v 通过与处理器的紧密结合，加快中断服务通过与处理器的紧密结合，加快中断服务程序（程序（ISRISR）的执行。）的执行。v 通过寄存器硬件堆栈，加上退出和重启多通过寄存器硬件堆栈，加上退出和重启多寄存器寄存器Load-StoreLoad-Store操作，可以不用任何汇编操

8、作，可以不用任何汇编代码完成寄存器数据传送。代码完成寄存器数据传送。v 采用尾链（采用尾链（Tail-ChainingTail-Chaining）技术，简化）技术，简化激活和挂起的中断之间的数据传送。激活和挂起的中断之间的数据传送。v 进入中断和退出中断时，处理器状态硬件进入中断和退出中断时，处理器状态硬件自动保存和恢复，无须而外指令消耗自动保存和恢复，无须而外指令消耗。2.22.2 STM32F103xSTM32F103x处理器的特点处理器的特点1.1.内核内核n ARM 32 ARM 32位的位的Cortex-M3 CPUCortex-M3 CPUn 72MHz 72MHz，高达，高达90

9、DMips90DMips，1.25DMips/MHz1.25DMips/MHzn单周期硬件乘法和除法单周期硬件乘法和除法加快计算加快计算2.2.存储器存储器n 从从32K32K字节至字节至128K128K字节闪存程序存储器字节闪存程序存储器n 从从6K6K字节至字节至20K20K字节字节SRAMSRAM2.22.2 STM32F103xSTM32F103x处理器的特点处理器的特点3.3.时钟、复位和供电管理时钟、复位和供电管理n 2.0 2.0至至3.63.6伏供电和伏供电和I/OI/O管脚管脚n 上电上电/断电复位断电复位(POR/PDR)(POR/PDR)、可编程电压监、可编程电压监 测器

10、测器(PVD)(PVD)、掉电监测器、掉电监测器n 内嵌内嵌4 4至至16MHz16MHz高速晶体振荡器高速晶体振荡器n 内嵌经出厂调校的内嵌经出厂调校的8MHz8MHz的的RCRC振荡器振荡器n 内嵌内嵌40kHz40kHz的的RCRC振荡器振荡器n 内嵌内嵌PLLPLL供应供应CPUCPU时钟时钟n 内嵌使用外部内嵌使用外部32kHz32kHz晶体的晶体的RTCRTC振荡器振荡器2.22.2 STM32F103xSTM32F103x处理器的特点处理器的特点4.24.2个个1212位模数转换器位模数转换器,1us,1us转换时间转换时间(16(16通道通道)n 转换范围是转换范围是0 0至至

11、3.6V3.6Vn 双采样和保持功能双采样和保持功能n 温度传感器温度传感器5.5.低功耗低功耗n 3 3种省电模式：睡眠、停机和待机模式种省电模式：睡眠、停机和待机模式n VBAT VBAT为为RTCRTC和后备寄存器供电调试模式和后备寄存器供电调试模式6.DMA6.DMAn 7 7通道通道DMADMA控制器控制器n 支持外设支持外设:定时器、定时器、ADCADC、USARTUSART、SPISPI和和I2CI2C2.22.2 STM32F103xSTM32F103x处理器的特点处理器的特点STM32STM32系列的优点：系列的优点：v 先进的内核结构先进的内核结构STM32STM32系列使

12、用了系列使用了ARMARM最新的、先进架构最新的、先进架构Cortex-M3Cortex-M3内核内核v 优秀的功耗控制优秀的功耗控制 STM32STM32处理器具有三种低功耗模式处理器具有三种低功耗模式 运行模式时使用高效的动态耗电机制，在运行模式时使用高效的动态耗电机制，在FlashFlash中以中以72MHz72MHz全速运行时，如果开启外部时钟，处理器仅耗全速运行时，如果开启外部时钟，处理器仅耗电电27mA27mA。待机状态时极低耗电，典型值待机状态时极低耗电，典型值2uA2uA。电池供电时，提供低电压电池供电时，提供低电压2.02.03.6V3.6V工作能力。工作能力。灵活的时钟控制

13、机制灵活的时钟控制机制,用户可以根据自己所需的耗电用户可以根据自己所需的耗电/性能要求进行合理优化。性能要求进行合理优化。RTC RTC可独立供电，外接纽扣电池供电。可独立供电，外接纽扣电池供电。2.22.2 STM32F103xSTM32F103x处理器的特点处理器的特点v 性能出众而且功能创新的片上外设性能出众而且功能创新的片上外设 STM32STM32处理器片上外设的优势来源于双处理器片上外设的优势来源于双APBAPB总线总线结构。结构。其中有一个高速其中有一个高速APB,APB,速度可达速度可达CPUCPU的运行频率的运行频率,连接到该总线上的外设能以更高的速度运行。连接到该总线上的外

14、设能以更高的速度运行。USB:12Mbit/s USB:12Mbit/s USART:4.5Mbit/sUSART:4.5Mbit/s SPI:18Mbit/s SPI:18Mbit/s IIC:400kHzIIC:400kHz GPIO:18MHzGPIO:18MHz翻转翻转 PWM:PWM:定时器定时器72MHz72MHz输入输入 针对针对 MCU MCU 应用中最常见的电机控制，应用中最常见的电机控制，STM32 STM32 对片上外围设备进行一些功能创新。对片上外围设备进行一些功能创新。内嵌适合三相无刷电机控制的定时器和内嵌适合三相无刷电机控制的定时器和ADCADC2.22.2 STM

15、32F103xSTM32F103x处理器的特点处理器的特点 高级高级PWMPWM定时器提供：定时器提供：6 6路路PWMPWM输出输出 死区产生死区产生 编码器输入编码器输入 霍尔传感器霍尔传感器 边沿对齐和中心对齐波形边沿对齐和中心对齐波形 完整的向量控制环完整的向量控制环 紧急故障停机紧急故障停机,与与2 2路路ADCADC同步同步,与其它定时与其它定时器同步器同步 可编程防范机制可用于防止对寄存器的非可编程防范机制可用于防止对寄存器的非法写入法写入 双通道双通道ADCADC采样采样/保持保持,12,12位位1uS,1uS,连续连续/独立独立模式模式,多触发源多触发源v 易于开发，可使产品

16、快速进入市场易于开发，可使产品快速进入市场2.22.2 STM32F103xSTM32F103x处理器的特点处理器的特点v 高度的集成整合高度的集成整合 STM32 STM32处理器最大程度地实现集成，尽可能处理器最大程度地实现集成，尽可能地减少对外部器件的要求地减少对外部器件的要求 内嵌电源监控器，带上电复位、低电压检内嵌电源监控器，带上电复位、低电压检测、掉电检测测、掉电检测 自带时钟的看门狗定时器自带时钟的看门狗定时器 一个主晶振一个主晶振(4(416MHz16MHz晶振晶振)驱动整个系统驱动整个系统，内嵌，内嵌PLLPLL产生多种频率；产生多种频率；RTCRTC时钟可内部时钟可内部也可

17、外部晶振也可外部晶振(32kHz)(32kHz)内嵌精密内嵌精密8MHzRC8MHzRC振荡电路，可作为主时钟振荡电路，可作为主时钟 LQPF LQPF封装仅需封装仅需7 7个滤波电容个滤波电容2.32.3 STM32F103xSTM32F103x内部结构内部结构2.3 STM32F103x2.3 STM32F103x内部结构内部结构2.3 STM32F103x2.3 STM32F103x内部结构内部结构总总线线矩矩阵阵FLASH接口接口2.3 STM32F103x2.3 STM32F103x内部结构内部结构v 四个主动单元四个主动单元 M3 M3内核的内核的ICodeICode总线总线(I-

18、bus)(I-bus)、DCodeDCode总线总线(D-(D-bus)bus)、系统总线、系统总线(S-bus)(S-bus)、DMA(DMA1DMA(DMA1、DMA2DMA2、以、以太网太网DMA)DMA)。v 四个被动单元四个被动单元 内部内部SRAMSRAM、内部闪存、内部闪存、FSMCFSMC、AHBAHB到到APBAPB桥。桥。v ICode ICode总线总线 将将M3M3内核的指令总线与内核的指令总线与FLASHFLASH指令接口相连，指令接口相连，用于指令预取。用于指令预取。v DCode DCode总线总线 将将M3M3内核的数据总线与内核的数据总线与FLASHFLASH

19、数据接口相连，数据接口相连，常量加载和调试。常量加载和调试。2.3 STM32F103x2.3 STM32F103x内部结构内部结构v 系统总线系统总线 将将M3M3内核的系统总线与总线矩阵相连，内核的系统总线与总线矩阵相连，协调内核与协调内核与DMADMA访问。访问。v DMA DMA总线总线 将将DMADMA的的AHBAHB主控接口与总线矩阵相连，主控接口与总线矩阵相连，协调协调CPUCPU的的DCodeDCode和和DMADMA到到SRAMSRAM、闪存、外、闪存、外设的访问。设的访问。2.3 STM32F103x2.3 STM32F103x内部结构内部结构v 总线矩阵总线矩阵协调内核系

20、统总线和协调内核系统总线和DMADMA主控总线间的访主控总线间的访问仲裁，仲裁采用轮换算法。问仲裁，仲裁采用轮换算法。包含包含DCodeDCode、系统总线、系统总线、DMA1DMA1和和DMA2DMA2总线总线、被动单元。、被动单元。v AHB AHB到到APBAPB桥桥两个两个AHB/APBAHB/APB桥在桥在AHBAHB和两个和两个APBAPB总线间提总线间提供同步连接。供同步连接。APB1APB1速度限于速度限于36MHz36MHz，APB2APB2全速最高全速最高72MHz72MHz2.3 STM32F103x2.3 STM32F103x内部结构内部结构2.3 STM32F103x

21、2.3 STM32F103x内部结构内部结构2.42.4 STM32F103xSTM32F103x的时钟结构的时钟结构2.42.4 STM32F103xSTM32F103x的时钟结构的时钟结构2.42.4 STM32F103xSTM32F103x的时钟结构的时钟结构 系统复位后，所有外设全部关闭，但系统复位后，所有外设全部关闭，但 SRAM SRAM 和和 FLASHFLASH接口（接口（FLITFFLITF）除外）除外 使用外设之前需打开该外设时钟，设置使用外设之前需打开该外设时钟，设置 RCC-AHBENRRCC-AHBENR寄存器寄存器 三种不同的时钟源可被用来驱动系统三种不同的时钟源可

22、被用来驱动系统 时钟时钟(SYSCLK)(SYSCLK)：HSIHSI振荡器时钟振荡器时钟 HSE HSE振荡器时钟振荡器时钟 PLL PLL时钟时钟 2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构存储组织：存储组织：u存储系统采用统一编址方式，小端方式存储系统采用统一编址方式，小端方式u 4GB 4GB的线性地址空间内，寻址空间被分成的线性地址空间内，寻址空间被分成8 8 个主块个主块 block0 block0block7block7 每块每块512MB512MBu 片内片内FlashFlash：从：从0 x0000 00000 x0000 0000开始开始u

23、片内片内SRAMSRAM：从从0 x2000 00000 x2000 0000开始开始代码空间代码空间数据空间数据空间位段、位段别名位段、位段别名2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构存储组织：存储组织：u 程序存储器、数据存储器、寄存器和程序存储器、数据存储器、寄存器和输入输出端口被组织在同一输入输出端口被组织在同一4GB4GB的线性地的线性地址空间内，存储系统采用统一编址方式。址空间内，存储系统采用统一编址方式。u 数据字节以小端格式存放在存储器中数据字节以小端格式存放在存储器中。一个字的最低地址字节为该字的最低有。一个字的最低地址字节为该字的最低有效字

24、节，最高地址字节是最高有效字节。效字节，最高地址字节是最高有效字节。u 可访问的存储器空间被分成可访问的存储器空间被分成8 8个主要块个主要块，每个块为，每个块为512MB512MB。其他所有没有分配给。其他所有没有分配给片上存储器和外设的存储器空间都是保留片上存储器和外设的存储器空间都是保留的地址空间。的地址空间。2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构u 4GB4GB的线性地址空间内，寻址空间被分的线性地址空间内，寻址空间被分成成8 8个主块个主块 block0 block0block7block7 每块每块512MB512MBu 片内片内FlashFla

25、sh：从：从0 x0000 00000 x0000 0000开始开始u 片内片内SRAMSRAM：从从0 x2000 00000 x2000 0000开始开始 寄存器寄存器 片上外设片上外设 代码空间代码空间 外部外设外部外设数据空间数据空间 外部存储器外部存储器位段、位段别名位段、位段别名2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构CODESRAMPeripherals0 x0000 00000 x2000 00000 x4000 00000 xE010 00000 xFFFF FFFFReservedReservedReservedBit-Band regio

26、n0 x0800 00000 x0801 FFFF0 x1FFF F0000 x1FFF F7FFFlashSystemMemoryReservedReservedOption Bytes0 x1FFF F8000 x1FFF F80FCortex-M3 internal peripherals0 xE000 00000 xE00F FFFFReserved2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构存储器映射：存储器映射：2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存

27、储结构存储器映射：存储器映射：如果某款处理器如果某款处理器不带有某个片上不带有某个片上外围，则该地址外围，则该地址范围保留。范围保留。2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构存储器映射：存储器映射：2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构存储器映射：存储器映射：如果某款处理器不带有某个片上外围，如果某款处理器不带有某个片上外围，则该地址范围保留。则该地址范围保留。2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构u FLASH FLASHl 由由 Main Block Main Block 和和 Inf

28、ormation BlockInformation Block组成组成l Main Block Main Block：存放用户程序，最高存放用户程序，最高512KB512KB地址范围：地址范围：0 x0800 00000 x0800 00000 x0807 FFFF0 x0807 FFFF小容量：小容量：16K-32K16K-32K，最大，最大4Kx64bit4Kx64bit共共32x1K32x1K页页中容量中容量:64K-128K,:64K-128K,最大最大16Kx64bit,16Kx64bit,共共128x1K128x1K页页大容量大容量:256K-512K,:256K-512K,最大最

29、大64Kx64bit64Kx64bit共共256x2K256x2K页页互联型：最大互联型：最大32Kx64bit32Kx64bit，共，共128x2K128x2K页页l Information Block Information Block：System Memory 2KB:0 x1FFFF000-0 x1FFFF7FF System Memory 2KB:0 x1FFFF000-0 x1FFFF7FF ISP ISP BootloaderBootloader程序程序 Option Bytes 16B:0 x1FFF F800-0 x1FFFF80F Option Bytes 16B:0 x

30、1FFF F800-0 x1FFFF80F2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构u 特殊区域特殊区域FLASHFLASH2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构u SRAM SRAM 最大最大64KB64KB 地址范围：地址范围：0 x2000 00000 x2000 00000 x2000 FFFF0 x2000 FFFFu 片上外设地址映射：片上外设地址映射：2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构2.52.5 S

31、TM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构u 位段位段(bit-band)(bit-band)、位段别名、位段别名l 存储空间中包括两个位段区，该区域既可字存储空间中包括两个位段区，该区域既可字操作，又可位操作。操作，又可位操作。SRAM SRAM最低最低1MB1MB空间空间:0 x20000000:0 x200000000 x200FFFFF0 x200FFFFF 外设最低外设最低1MB1MB空间空间:0 x40000000:0 x400000000 x400FFFFF0 x400FFFFFl 为方便位段区操作为方便位段区操作,安排两个安排两个32M32M位段别名区位段别名区

32、l 位段区中每一位段区中每一位位映射位段别名区中的一个映射位段别名区中的一个字字l 通过对别名区中某个字的读写操作通过对别名区中某个字的读写操作,可实现对可实现对位段区中某一位的读写操作。位段区中某一位的读写操作。l 别名区别名区2 2个个32MB32MB：SRAM SRAM：0 x2200 00000 x2200 00000 x21FF FFFF0 x21FF FFFF 外设：外设：0 x4200 00000 x4200 00000 x41FF FFFF0 x41FF FFFF2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构u位段位段(bit-band)(bit-b

33、and)、位段别名、位段别名l 位段别名区中的字与位段区的位映射公式：位段别名区中的字与位段区的位映射公式：bit_word_addrbit_word_addr=bit_band_basebit_band_base +(+(byte_offsetbyte_offset x 32)+x 32)+bit_numberbit_number x 4 x 4 l如如SRAMSRAM位段区中地址位段区中地址0 x200003000 x20000300字节中位字节中位2 2 被映射到别名区中的地址为：被映射到别名区中的地址为：0 x22006008=0 x220000000 x22006008=0 x220

34、00000+(0 x300 x 32)+(2 x 4)+(0 x300 x 32)+(2 x 4)2.52.5 STM32F103xSTM32F103x的存储结构的存储结构u 对别名区中某个字进行写操作：对别名区中某个字进行写操作：l 该字的第该字的第0 0位将影响位段区中对应的位位将影响位段区中对应的位u 对别名区中某个字进行读操作对别名区中某个字进行读操作l 若位段区中对应的位为若位段区中对应的位为0 0则读的结果为则读的结果为 0 x00 x0l 若位段区中对应的位为若位段区中对应的位为1 1则读的结果为则读的结果为 0 x10 x1u 对别名区的读写可实现对位段区中每一对别名区的读写可

35、实现对位段区中每一位的操作位的操作,且仅只需要一条指令即可实现。且仅只需要一条指令即可实现。2.62.6 STM32F103xSTM32F103x的启动模式的启动模式u STM32STM32系统启动区系统启动区:0 x000000000 x000000000 x0007FFFF,512KB0 x0007FFFF,512KBu 系统启动之后：系统启动之后：CPUCPU从位于从位于0 x000000000 x00000000地址处的启动区开始执行代码地址处的启动区开始执行代码u 该区实际既无该区实际既无FLASH,FLASH,也无也无SRAM,SRAM,通过引导配置通过引导配置后后,将实际引导区映

36、射到启动区。将实际引导区映射到启动区。u 系统复位后系统复位后,在在SYSCLKSYSCLK第第4 4个上升沿个上升沿,BOOT,BOOT管脚管脚的状态被保存。的状态被保存。u 用户通过设置用户通过设置BOOT1BOOT1、BOOT0BOOT0的引脚状态选择启的引脚状态选择启动模式。动模式。2.62.6 STM32F103xSTM32F103x的启动模式的启动模式u CPUCPU从位于从位于0 x000000000 x00000000处启动区开始执行代码处启动区开始执行代码 0 x0000 0000 0 x0000 0000 实际是实际是SPSP 0 x0000 0004 0 x0000 00

37、04 是执行代码的地址是执行代码的地址u 即使被映射到启动区，仍然可以在原存储空间即使被映射到启动区，仍然可以在原存储空间访问相关存储器访问相关存储器u 从待机模式退出后，从待机模式退出后，BOOTBOOT引脚状态被重新保存引脚状态被重新保存 待机时，待机时，BOOTBOOT管脚需保持管脚需保持2.62.6 STM32F103xSTM32F103x的启动模式的启动模式STM32F10 xSTM32F10 x通过配置通过配置BOOT1:0BOOT1:0引脚选择三种不同启动模式引脚选择三种不同启动模式2.72.7 STM32F103xSTM32F103x的片上外设的片上外设STM32F10 xSTM32F10 x外设外设2.72.7 STM32F103xSTM32F103x的片上外设的片上外设STM32F103xxSTM32F103xx增强型大容量外设增强型大容量外设人有了知识，就会具备各种分析能力，明辨是非的能力。所以我们要勤恳读书，广泛阅读，古人说“书中自有黄金屋。”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识，培养逻辑思维能力；通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平，培养文学情趣；通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。有许多书籍还能培养我们的道德情操，给我们巨大的精神力量，鼓舞我们前进。