第三章代表性工艺教材课件.ppt

上传人（卖家）：晟晟文业

文档编号：4515369

上传时间：2022-12-16

格式：PPT

页数：65

大小：3.55MB

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关键词：: 第三代表性工艺教材课件

资源描述：: 第三章第三章代表性工艺代表性工艺基本特征基本特征制造工序制造工序N型埋层外延层生长隔离扩散深N+扩散基区注入发射区扩散接触、金属化、覆盖保护层可用器件可用器件NPN晶体管可用器件可用器件NPN晶体管衬底PNP晶体管横向PNP晶体管基区电阻发射区电阻基区埋层电阻电容上下隔离工艺扩展工艺扩展双层金属肖特基二极管高值薄层电阻高值薄层注入由浅的轻掺杂P型注入形成基本特征基本特征采用多晶硅，实现自对准采用多晶硅，实现自对准制造工序制造工序外延生长、N阱扩散反型槽沟道终止注入LOCOS工艺阈值调整多晶硅淀积源漏注入接触、金属化、覆盖保护层可用器件可用器件NMOS晶体管PMOS晶体管衬底PNP晶体管多晶硅电阻NSD和PSD电阻电容工艺扩展工艺扩展双层金属浅槽隔离扩展漏区高压晶体管基本特征基本特征制造工序制造工序N型埋层、外延生长N阱扩散和深N区基区注入反型槽沟道终止注入LOCOS阈值调整多晶硅淀积及光刻源/漏注入金属化及保护层可用器件可用器件NPN晶体管衬底PNP晶体管横向PNP晶体管基区电阻工艺扩展工艺扩展介质隔离DI BiCMOS纵向NPN晶体管DI BiCMOS纵向PNP晶体管高压DMOS部分低压部分隔离部分的实物照片集成电路的例子集成电路的例子功率集成电路的高压部分的版图照片器件的照片1器件的照片2器件的照片3器件的照片4器件的照片5器件的照片6

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